JP2016214015A - 直流電源装置および空気調和機 - Google Patents
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Abstract
Description
また、電源力率を改善するためには、単に回路に短絡電流を通流するだけでは足りず、その通流タイミングなどを調整する必要がある。
その他の手段については、発明を実施するための形態のなかで説明する。
図1は、本実施形態に係る直流電源装置1の構成図である。
図1に示すように、直流電源装置1は、交流電源VSから供給される交流電源電圧Vsを直流電圧Vdに変換し、この直流電圧Vdを負荷H(インバータ、モータなど)に出力するコンバータである。直流電源装置1は、その入力側が交流電源VSに接続され、出力側が負荷Hに接続されている。
直流電源装置1は、リアクトルL1と、平滑コンデンサC1と、ダイオードD1,D2、MOSFET(Q1,Q2)およびシャント抵抗R1,R2を含むブリッジ整流回路10とを備えている。直流電源装置1は更に、ゲイン制御部12と、交流電圧検出部13と、ゼロクロス判定部14と、負荷検出部15と、昇圧比制御部16と、直流電圧検出部17と、コンバータ制御部18とを備えている。
ダイオードD2のアノードは、MOSFET(Q2)のソースに接続されたシャント抵抗R2に接続されている。
MOSFET(Q1)のドレインは、ダイオードD1のカソードに接続されている。
平滑コンデンサC1は、ダイオードD1やMOSFET(Q1)を通して整流された電圧を平滑化して、直流電圧Vdとする。この平滑コンデンサC1は、ブリッジ整流回路10の出力側に接続されており、正極側が配線hcに接続され、負極側が配線hdに接続される。
なお、MOSFET(Q1)は、その内部に寄生ダイオードD11を有している。同様に、MOSFET(Q2)は、その内部に寄生ダイオードD21を有している。
昇圧比制御部16は、負荷検出部15の検出値から直流電圧Vdの昇圧比1/aを選定し、その選定結果をコンバータ制御部18に出力する。そして目標電圧まで直流電圧Vdを昇圧するようにコンバータ制御部18はMOSFET(Q1,Q2)に駆動パルスを出力することで、スイッチング制御を行う。
例えばインバータやモータなどの負荷が大きい場合には、直流電圧Vdを昇圧する必要がある。また、負荷が大きくなり、直流電源装置1に流れる電流が大きくなるにしたがって高調波電流も増大してしまう。そのため、高負荷の場合には、部分スイッチングモードまたは高速スイッチングモードで昇圧を行い、高調波電流の低減つまり、電源入力の力率を改善させる必要がある。
本発明の主目的である高効率動作実現のために、交流電源電圧Vsの極性に応じてMOSFET(Q1,Q2)をスイッチング制御することにより、同期整流制御を行う。
図2は、交流電源電圧Vsが正の極性の場合において、全波整流を行ったときに回路に流れる電流経路を示した図である。
図2において、交流電源電圧Vsが正の半サイクルの期間では、破線矢印で示す向きに電流が流れる。すなわち電流は、交流電源VS→リアクトルL1→ダイオードD1→平滑コンデンサC1→シャント抵抗R2→MOSFET(Q2)→交流電源VSの順に流れる。このとき、MOSFET(Q1)は常時オフ、MOSFET(Q2)は常時オン状態である。仮にMOSFET(Q2)がオン状態で無い場合には、電流はMOSFET(Q2)の寄生ダイオードD21(図1参照)を流れる。しかし通常、MOSFETの寄生ダイオードの特性は悪いため、大きな導通損失が発生してしまう。そこで、MOSFET(Q2)をオンさせて、MOSFET(Q2)のオン抵抗の部分に電流を流すことで、導通損失の低減を図ることが可能である。これが、いわゆる同期整流制御の原理である。なお、MOSFET(Q2)のオン動作開始のタイミングとしては、交流電源電圧Vsの極性が負から正に切り替わるゼロクロスのタイミングから行う。MOSFET(Q2)のオフさせるタイミングとしては、交流電源電圧Vsの極性が正から負に切り替わるタイミングである。
図3において、交流電源電圧Vsが負の半サイクルの期間では、破線矢印で示す向きに電流が流れる。すなわち、交流電源VS→シャント抵抗R1→MOSFET(Q1)→平滑コンデンサC1→ダイオードD2→リアクトルL1→交流電源VSの順に電流が流れる。このとき、MOSFET(Q2)は常時オフ、MOSFET(Q1)は常時オン状態である。なお、MOSFET(Q2)のオン動作開始のタイミングとしては、交流電源電圧Vsの極性が正から負に切り替わるゼロクロスのタイミングから行う。MOSFET(Q2)のオフさせるタイミングとしては、交流電源電圧Vsの極性が負から正に切り替わるタイミングである。
以上のように直流電源装置1を動作させることで、高効率動作が可能となる。
図4(a)は交流電源電圧Vsの波形を示し、図4(b)は回路電流isの波形を示している。図4(c)はMOSFET(Q1)の駆動パルス波形を示し、図4(d)はMOSFET(Q2)の駆動パルス波形を示している。
図4(a)に示すように交流電源電圧Vsは、略正弦波状の波形である。
図4(c)に示すようにMOSFET(Q1)の駆動パルスは、交流電源電圧Vsの極性が正のときにLレベル、負のときにHレベルとなる。
図4(c)に示すようにMOSFET(Q2)の駆動パルスは、MOSFET(Q1)の駆動パルスとは反転しており、交流電源電圧Vsの極性が正のときにHレベル、負のときにLレベルとなる。
図4(b)に示すように、回路電流isは、交流電源電圧Vsが所定振幅に達した場合に流れる。
以上が、電源電圧の極性に応じて回路短絡動作を行った場合の電流の流れと、MOSFET(Q1,Q2)のスイッチング動作である。次に、高速スイッチング動作について説明する。
次に直流電圧Vdの昇圧と力率の改善を行う高速スイッチング動作について説明する。
この動作モードでは、あるスイッチング周波数でMOSFET(Q1,Q2)をスイッチング制御して、回路に短絡電流を通流させることで、直流電圧Vdの昇圧と力率の改善を行う。まず、回路を短絡させた場合の動作について説明する。
そこで、複数回に亘って回路に短絡電流を通流させることで、回路電流を正弦波に近づけることで力率の改善を行い、高調波電流を低減する。
短絡電流ispの経路としては、交流電源VS→リアクトルL1→ダイオードD1→MOSFET(Q1)→シャント抵抗R1→交流電源VS、の順である。このとき、リアクトルL1には、以下の式(1)で表されるエネルギが蓄えられる。このエネルギが平滑コンデンサC1に放出されることで、直流電圧Vdが昇圧される。
図6は、MOSFET(Q2)をオンさせて短絡電流ispを通流させた場合の経路を示した図である。
電流の経路としては、交流電源VS→MOSFET(Q2)→シャント抵抗R2→ダイオードD2→リアクトルL1、の順となる。このときも、前記したようにリアクトルL1にエネルギが蓄えられ、そのエネルギによって直流電圧Vdが昇圧される。
図7(a)は交流電源電圧Vsの波形を示し、図7(b)は回路電流isの波形を示している。図7(c)はMOSFET(Q1)の駆動パルス波形を示し、図7(d)はMOSFET(Q2)の駆動パルス波形を示している。
図7(a)に示すように交流電源電圧Vsは、略正弦波状の波形である。
図7(c)に示すようにMOSFET(Q1)の駆動パルスは、交流電源電圧Vsの極性が正のときにLレベルとなり、更に所定タイミングで2回のHレベルのパルスとなる。交流電源電圧Vsの極性が負のときにHレベルとなり、更に所定タイミングで2回のLレベルのパルスとなる。
図7(c)に示すようにMOSFET(Q2)の駆動パルスは、MOSFET(Q1)の駆動パルスとは反転している。
図7(b)に示すように、回路電流isは、交流電源電圧Vsが正極性かつ、MOSFET(Q1)の駆動パルスがHレベルになったときに立ち上がり、交流電源電圧Vsが負極性かつ、MOSFET(Q2)の駆動パルスがHレベルになったときに立ち上がる。これにより、力率が改善される。
図8(a)は交流電源電圧Vsの波形を示し、図8(b)は回路電流isの波形を示している。図8(c)はMOSFET(Q1)の駆動パルス波形を示し、図8(d)はMOSFET(Q2)の駆動パルス波形を示している。
図8(a)に示すように交流電源電圧Vsは、略正弦波状の波形である。
図8(c)に示すようにMOSFET(Q1)の駆動パルスは、交流電源電圧Vsの極性が正のとき、その大きさに応じたオフ・デューティとなる。交流電源電圧Vsの極性が負のとき、その大きさに応じオン・デューティとなる。
図8(c)に示すようにMOSFET(Q2)の駆動パルスは、MOSFET(Q1)の駆動パルスとは反転しており、交流電源電圧Vsの極性が正のとき、その大きさに応じたオン・デューティとなる。交流電源電圧Vsの極性が負のとき、その大きさに応じたオフ・デューティとなる。
図8(b)に示すように、回路電流isは、交流電源電圧Vsと同位相の正弦波状の波形となる。これにより、図7の場合よりも更に力率が改善される。
直流電源装置1に流れる回路電流is(瞬時値)は、以下の式(2)で表すことができる。
破線で示したMOSFET(Q2)の駆動パルスのオン・デューティは、交流電源電圧Vsと比例している。2点鎖線で示したMOSFET(Q1)の駆動パルスのオン・デューティは、1.0からMOSFET(Q2)の駆動パルスのオン・デューティを減算したものとなる。
図9において、式(7)で示したように、回路電流isが大きくなるほど短絡電流を流すためにスイッチング動作を行うMOSFET(Q1)の駆動パルスのデューティdは小さくなり、逆に回路電流isが小さいほどMOSFET(Q1)の駆動パルスのデューティdは大きくなる。同期整流を行う側のMOSFET(Q1)の駆動パルスのデューティdは、MOSFET(Q2)の駆動パルスのデューティdとは逆特性となる。
このように、所定のデッドタイムを付与すると、MOSFET(Q2)の駆動パルスのデューティは、このデッドタイム分だけ小さくなる。
図11に示すように、高速スイッチング制御により、交流電源電圧Vsの瞬時値vsと回路電流is(瞬時値)とは両方とも略正弦波状となり、よって力率を改善することができる。
MOSFET(Q1)のデューティdQ1を、以下の式(8)に示す。
実線は、リアクトルL1による電流位相の遅れ分を考慮しない場合のMOSFET(Q1)のデューティを示している。破線は、リアクトルL1による電流位相の遅れ分を考慮した場合のMOSFET(Q1)のデューティを示している。このように制御することにより、リアクトルL1のインダクタンスが大きい場合であっても、電流を正弦波状に制御可能である。
図13(a)の回路電流の実線はMOSFET(Q1)にデッドタイムを設けた場合に通流する電流を示している。回路電流の破線は、目標値を示している。
図13(b)はMOSFET(Q1)の駆動パルス波形を示している。破線はデッドタイムを考慮しない場合、実線はデッドタイムを考慮した場合である。周期TはPWM周期を示し、時間tonはオン時間、時間toffはオフ時間を示している。
図13(c)はMOSFET(Q1)の駆動パルス波形を示している。図13(a)〜(c)とも横軸は、共通する時間を示している。時間tdはデッドタイムを示している。
このため、直流電圧Vdを目標値まで昇圧することができない。
ここではMOSFET(Q2)側にデッドタイムを100%分担し、MOSFET(Q1)側はデッドタイムを分担していない。
図14(a)のように、オン時間tonとオフ時間toffとがMOSFET(Q1)の駆動パルスに設定されている。これにより、回路電流isを目標電流に近づけることが可能となる。
図14(b)のように、MOSFET(Q1)の駆動パルスに対して、時間tdのデッドタイムをMOSFET(Q2)の駆動パルスに設けている。これにより、ブリッジ整流回路10の直流出力側の上下短絡を防ぐことができる。
ここではMOSFET(Q1)側にデッドタイムを100%分担し、MOSFET(Q2)側はデッドタイムを分担していない。
図15(a)のように、MOSFET(Q1)の駆動パルスに対して、時間tdのデッドタイムをMOSFET(Q2)の駆動パルスに設けている。これにより、ブリッジ整流回路10の直流出力側の上下短絡を防ぐことができる。
図15(b)のように、オン時間tonとオフ時間toffとがMOSFET(Q2)の駆動パルスに設定されている。これにより、回路電流isを目標電流に近づけることが可能となる。
MOSFET(Q1)のオン時間ton_Q1は、以下の式(10)で算出される。ここでTは周期である。
前記したように、高速スイッチング動作を行うことで回路電流isを正弦波に成形することができ、高力率を確保することができる。しかし、スイッチング周波数が大きければ大きいほどスイッチング損失は大きくなる。
回路の入力が大きいほど、高調波電流も増大するので、特に高次の高調波電流の規制値を満足することが難しくなるため、入力電流が大きいほど高力率を確保する必要がある。逆に入力が小さい場合には高調波電流も小さくなるので必要以上に力率を確保する必要が無い場合がある。つまり、言い換えると負荷条件に応じて効率を考慮しつつ最適な力率を確保することで高調波電流を低減すればよいと言える。
そこで、スイッチング損失の増大を抑えつつ、力率を改善する場合には部分スイッチング動作を行えばよい。
図16(a)は交流電源電圧Vsを示し、図16(b)は回路電流isを示している。図16(c)はMOSFET(Q1)の駆動パルスを示し、図16(d)はMOSFET(Q2)の駆動パルスを示している。
図16(a)に示すように交流電源電圧Vsは、略正弦波状である。
図16(b)の一点鎖線は、理想的な回路電流isを略正弦波状に示している。このとき、最も力率が改善される。
ここで例えば、理想電流上の点P1を考えた場合、この点での傾きをdi(P1)/dtとおく。次に、電流がゼロの状態から、MOSFET(Q1)を時間ton1_Q1に亘ってオンしたときの電流の傾きをdi(ton1_Q1)/dtとおく。さらに時間ton1_Q1に亘ってオンした後、時間toff_Q1に亘ってオフした場合の電流の傾きをdi(toff1_Q1)/dtとおく。このときdi(ton1_Q1)/dtとdi(toff1_Q1)/dtとの平均値が点P1における傾きdi(P1)/dtと等しくなるように制御する。
次に、点P1と同様に、点P2での電流の傾きをdi(P2)/dtとおく。そして、MOSFET(Q1)を時間ton2_Q1に亘ってオンしたときの電流の傾きをdi(ton2_Q1)/dtとおき、時間toff2_Q2に亘ってオフした場合の電流の傾きをdi(toff2_Q2)/dtとおく。点P1の場合と同様に、di(ton2_Q1)/dtとdi(toff2_Q1)/dtの平均値が点P2における傾きdi(P2)/dtと等しくなるようにする。以降これを繰り返していく。このとき、MOSFET(Q1)のスイッチング回数が多いほど、理想的な正弦波に近似することが可能である。
図16(c)に示すように、MOSFET(Q2)がオフになったタイミングで、MOSFET(Q1)が時間ton1_Q1に亘ってオン状態になる。そしてMOSFET(Q1)がオフ状態となったタイミングでMOSFET(Q2)が時間ton2_Q2に亘ってオン状態となる。以降、同様にMOSFET(Q1,Q2)は双方でオン、オフを繰り返す。これは、高速スイッチング動作で説明したように、回路短絡動作を行いつつ、同期整流を行っているためである。この部分スイッチング動作においても、MOSFET(Q1,Q2)のオン、オフ切り替わりのタイミングで上下短絡を起こす危険性があるため、高速スイッチング動作の場合と同様にデッドタイムを設けている。つまり、交流電源電圧Vsが正の場合では、MOSFET(Q1)側のデッドタイムの割合をMOSFET(Q2)よりも小さくする。理想的にはMOSFET(Q2)側でデッドタイムを確保する。交流電源電圧Vsが負の場合では、MOSFET(Q2)側のデッドタイムの割合をMOSFET(Q1)よりも小さくする。理想的にはMOSFET(Q1)側でデッドタイムを確保する。このようにデッドタイムを設定することで、高効率動作を行いつつ、力率の改善と直流電圧Vdの昇圧を行うことが可能である。
これまでの説明では、デッドタイムはある一定の固定値で考えてきた。しかしデッドタイムにある特性をもたせ、場合に応じて変化させてもよい。
図16は、MOSFETのゲート回路の等価回路である。
MOSFETのゲート電圧Vgsは、以下の式(15)の関係がある。
ここで、ゲートの入力容量Cissは、ドレイン−ソース間電圧Vdsが大きくなるほど、容量が小さくなるという特性がある。そのためドレイン−ソース間電圧Vdsが大きいほど早くオンするといえる。本発明の直流電源装置1は、入力電源が交流電源VSであるため、実際にはオンするまでの時間も、この交流電源電圧Vsとともに変化していると考えられる。すなわち、交流電源電圧Vsのゼロクロス付近でのオン時間ton_zeroと、交流電源電圧Vsのピーク付近でのオン時間ton_peakとを比べると、オン時間ton_zeroは、オン時間ton_peakよりも大きい。
例えばデッドタイムtdを、以下の式(16)のように設定する。
ここで、ton,toffは変化する。デューティで考えた場合、図9に示したように、ゼロクロス付近では100%、電圧ピーク付近では10%以下というように、ピーク付近ほどデューティは小さくなる、つまりtonは小さくなる。よって式(16)に示すように、周期に対してオン時間の割合だけデッドタイムtdを小さくするとよい。交流電源電圧VsとMOSFETの特性を考慮してデッドタイムtdを可変させることで、同期整流期間を増やすことができ、導通損低減効果を更に高めることが可能である。なお、デッドタイムtdの可変方法として式(16)で説明したが、これはあくまで代表的な式であり、別の式や方法でデッドタイムを可変させてもよい。
図18は、本実施形態における空気調和機の室内機、室外機、およびリモコンの正面図である。
図18に示すように、空気調和機Aは、いわゆるルームエアコンであり、室内機100と、室外機200と、リモコンReと、不図示の直流電源装置1(図1参照)とを備えている。室内機100と室外機200とは冷媒配管300で接続され、周知の冷媒サイクルによって、室内機100が設置されている室内を空調する。また、室内機100と室外機200とは、通信ケーブル(図示せず)を介して互いに情報を送受信するようになっている。直流電源装置1は、この室内機100と室外機200とに直流電力を供給する。
負荷が大きくなり、昇圧と力率の確保とが必要であれば、直流電源装置1に高速スイッチング動作を行わせるとよい。また空気調和機Aの定格運転時のように、負荷としてはそれほど大きくないが昇圧や力率の確保が必要な場合には、部分スイッチング動作を行わせるとよい。
定格運転とは、JISC9612に記載された「JISB8615-1 表1(冷房能力試験条件)のT1条件下での運転」のことをいう。具体的にはJISB8615-1の第5項「冷房試験」と第6項「暖房試験」の中に、温度条件が記載されている。
高負荷運転とは、例えば「JIS B 8615-1に記載の過負荷運転条件下での運転」であるが、定格運転よりも更に入力が大きい運転領域であればよい。
中間運転とは、「定格運転の半分の運転能力」のことをいい、JISC9612に記載されている。
負荷に、閾値#1,#2を設けて、かつ機器として空気調和機Aを考えた場合、負荷が小さい中間領域において、直流電源装置1は全波整流を行い、定格運転時には部分スイッチングを行い、必要に応じて高速スイッチングを行う。
定格運転よりも更に負荷が大きい低温暖房運転領域などにおいて、直流電源装置1は高速スイッチングを行い、必要に応じて部分スイッチングを行う。
以上のように、直流電源装置1は、空気調和機Aの運転領域に応じた最適な動作モードに切り替えることで、高効率動作を行いつつ、高調波電流の低減を行うことが可能である。
例えばまたは負荷の大きさが閾値#1以下ならば、直流電源装置1は全波整流を行い、閾値#1を超えたならば部分スイッチングを行う。または負荷の大きさが閾値#2を超えたならば、直流電源装置1は高速スイッチングを行い、閾値#2を以下ならば部分スイッチングを行う。
以上のように直流電源装置1は、負荷の大きさに応じた最適な動作モードに切り替えることで、高効率動作を行いつつ、高調波電流の低減を行うことが可能である。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば上記した実施形態は、本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることも可能である。
例えば図20は、変形例における直流電源装置1Aを示す概略の構成図である。電流検出部11(電流検出部)は、トランスであり、配線hbに設けられており、配線ha,hbを介して流れる電流(負荷)を検出する。本発明は、このように構成してもよい。なお、トランスの代わりに、ホール素子などを用いてもよい。
10 ブリッジ整流回路 (整流回路)
11 電流検出部
R1,R2 シャント抵抗 (電流検出部)
12 ゲイン制御部
13 交流電圧検出部
14 ゼロクロス判定部 (極性検出部)
15 負荷検出部
16 昇圧比制御部
17 直流電圧検出部
18 コンバータ制御部
Vs 交流電源
C1 平滑コンデンサ
D1,D2 ダイオード
ha,hb,hc,hd 配線
L1 リアクトル
Q1,Q2 MOSFET
Claims (13)
- 第1のダイオードと第2のダイオード、および第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子がブリッジ接続される整流回路と、
交流電源と前記整流回路との間に設けられるリアクトルと、
前記整流回路の出力側に接続され、前記整流回路から印加される電圧を平滑化する平滑コンデンサと、
前記交流電源の電圧の極性に同期して前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子を双方向にスイッチングして負荷に電流を流す同期整流制御を実施すると共に、前記交流電源の半周期間に前記リアクトルを前記交流電源に短絡する回路短絡制御を繰り返し複数回実施する制御部と、
を備えることを特徴とする直流電源装置。 - 前記制御部は、
交流全周期に亘って前記同期整流制御を実施する全波整流動作と、
前記同期整流制御を実施すると共に、前記交流電源の所定位相にて部分的に前記回路短絡制御を実施する部分スイッチング動作と、
交流全周期に亘って前記同期整流制御と前記回路短絡制御とを交互に実施する高速スイッチング動作、のうちいずれかの動作に切り替える、
ことを特徴とする、請求項1に記載の直流電源装置。 - 前記制御部は、前記整流回路の出力側の負荷の大きさに応じて、前記全波整流動作と前記部分スイッチング動作と前記高速スイッチング動作のうちいずれかの動作に切り替える、
ことを特徴とする請求項2に記載の直流電源装置。 - 前記制御部は、上位装置の運転領域に応じて、前記全波整流動作と前記部分スイッチング動作と前記高速スイッチング動作のうちいずれかの動作に切り替える、
ことを特徴とする請求項2に記載の直流電源装置。 - 前記第1のダイオードのカソードと前記第1のスイッチング素子の一端とが前記平滑コンデンサの正極側に接続され、前記第1のダイオードのアノードと前記第2のダイオードのカソードとが前記交流電源の一端側に接続され、前記第1のスイッチング素子の他端と前記第2のスイッチング素子の一端とが前記交流電源の他端側に接続され、前記第2のダイオードのアノードと前記第2のスイッチング素子の他端とが前記平滑コンデンサの負極側に接続されている、
ことを特徴とする請求項2に記載の直流電源装置。 - 前記交流電源の一端側の電圧が正極性の場合は、同一のスイッチング周期の中で前記第1のスイッチング素子に設けたデッドタイムに対して、前記第2のスイッチング素子に設けたデッドタイムを相対的に大きくし、前記交流電源の一端側の電圧が負極性の場合は、前記第1のスイッチング素子に設けたデッドタイムに対して、前記第2のスイッチング素子に設けたデッドタイムを相対的に小さくする、
ことを特徴とする請求項5に記載の直流電源装置。 - 前記制御部は、前記第1,第2のスイッチング素子の制御のデッドタイムを前記交流電源の電圧の大きさに応じて変化させる、
ことを特徴とする請求項6に記載の直流電源装置。 - 前記制御部は、前記第1,第2のスイッチング素子の制御のデッドタイムを前記交流電源の電圧位相に応じて変化させる、
ことを特徴とする請求項6に記載の直流電源装置。 - 前記制御部は、前記第1,第2のスイッチング素子の制御のデッドタイムを、電源電圧ゼロクロス付近に対して電源電圧ピーク付近の方が小さくなるように変化させる、
ことを特徴とする請求項6に記載の直流電源装置。 - 前記交流電源の一端側の電圧が正極性の場合は、同一のスイッチング周期の中で、前記第2のスイッチング素子の制御にデッドタイムを設けて、前記第1のスイッチング素子の制御には設けず、前記交流電源の一端側の電圧が負極性の場合は、同一のスイッチング周期の中で、前記第1のスイッチング素子側の制御にデッドタイムを設け、前記第2のスイッチング素子側の制御には設けない、
ことを特徴とする請求項5に記載の直流電源装置。 - 前記第1,第2のダイオードは、SiC(Silicon Carbide)−ショットキーバリアダイオードまたは整流ダイオードである、
ことを特徴とする請求項1に記載の直流電源装置。 - 前記第1,第2のスイッチング素子は、スーパージャンクションMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)またはSiC−MOSFETである、
ことを特徴とする請求項1に記載の直流電源装置。 - 請求項1ないし請求項12のうち何れか1項に記載の直流電源装置を備えた、
ことを特徴とする空気調和機。
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