JP2016208512A - 並列ｒｃ回路イコライザ - Google Patents

Abstract

【課題】表面実装ＲＣイコライザデバイスの共振周波数および有用周波数範囲を増大させるための装置および方法を提供すること。【解決手段】本開示の主題は、一般的に知られているそのようなＲＣイコライザデバイスの改善される動作特性を提供することを、そのようなデバイスに対する内部終端点および外部終端点を、組み立てられるデバイスの横方向の一部分に沿って再位置決めする、逆幾何配置を実装することにより行う。そのような逆幾何配置は、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）の低減を実現して、増大した共振周波数および有用周波数範囲を提供することにより、改善を達成する。【選択図】図５

Description

優先権主張
[001]本出願は、本明細書に参照によりすべての目的のために組み込まれる、「ＰＡＲＡＬＬＥＬ ＲＣ ＣＩＲＣＵＩＴ ＥＱＵＡＬＩＺＥＲＳ（並列ＲＣ回路イコライザ）」という名称の、２０１５年４月２０日に出願され、米国特許出願第６２／１４９，９６８号を割り当てられた、先に出願の米国仮特許出願の利益を主張するものである。

[002]本開示の主題は、表面実装可能ガラスサンドイッチフレックス終端の（ｆｌｅｘ−ｔｅｒｍｉｎａｔｅｄ）ＲＣ回路に関する。詳細には、本開示の主題は、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）の低減を実現して、増大した共振周波数および有用周波数範囲を提供する、そのような表面実装デバイスにおける改善に関する。それにより、イコライザは、光デバイスで使用されるとき、周波数依存性を補償するために、より良好に、より低い周波数を減衰させ、より高い周波数を強調することが可能となる。

[003]回路イコライザは、他の用途の中でも特に、プリント回路アセンブリ上の導体を介した信号損失および／または劣化の補償としてを含んだ様々な形態で使用され得る。そのようなデバイスは、信号経路のインピーダンス特性を受動的に調節することにより動作し、光送受信器モジュール、広帯域受信器、光送信サブアセンブリ（ＴＯＳＡ）、光受信サブアセンブリ（ＲＯＳＡ）、および様々な他の高周波デバイスを含む、広い範囲の用途での適用可能性を有する。

[004]知られている表面実装可能ＲＣイコライザ回路は、共振周波数および有用周波数範囲を含む問題点に取り組んできたが、現在の望ましい動作要件を満たすデバイスを提供してはいなかった。したがって、増大した共振周波数および有用周波数範囲の両方を可能にするデバイスが提供され得るならば、そのことは有利であることになる。

[005]従来技術で直面し、本開示の主題により取り組まれる、認識される特徴に鑑みて、表面実装可能ＲＣイコライザ回路内の等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を低減することを実現して、それによって、共振周波数を増大させるとともに、有用周波数範囲をより大きくすることを可能にする、改善された装置および方法が開発されている。

[006]本開示の主題の例示的な実施形態の１つの態様によれば、並列接続ＲＣ回路が提供されており、ここでは、終端点が、低減されるＥＳＬをＲＣデバイスに対して提供するように構成されている。本開示の主題の一部の実施形態では、そのような低減されるＥＳＬは、組み立てられるデバイスの延びている部分に沿って終端材料を選択的に配置することにより実現される。

[007]本開示の主題の例示的な実施形態の別の態様によれば、並列ＲＣイコライザ回路は、コプレーナ導波路の構造体に基づいて構成され得る。一部のそのような実施形態では、低減されるＥＳＬは、中央に位置決めされ延びている接地終端を含むことにより実現され得る。そのような実施形態では、接地終端は、デバイス上の長手方向の配置されるポート間の中央に位置決めされる終端に対応し得る。

[008]本開示の主題の一部の実施形態の追加的な態様によれば、並列ＲＣ回路デバイス内のＥＳＬを低減するための方法が開発されており、ここでは、終端材料の選択的な配置、およびそのような終端材料への内部接続が、ＥＳＬの所望の低減を生み出し、その結果、共振周波数および有用周波数範囲の両方における改善を可能にする。

[009]本開示の主題の１つの例示的な実施形態は、相対的に増大した共振周波数および有用周波数範囲を有する並列ＲＣ回路イコライザに関する。そのような例示的なイコライザは、好ましくは、モノリシック基板と、コンデンサと、第１および第２の端子層と、抵抗器と、そのような抵抗器に関連付けられる少なくとも１つの接続端子とを備える。そのような端子層およびそのような少なくとも１つの接続端子のそのような例示的な配置構成は、そのようなコンデンサの低減される等価直列インダクタンスを結果として生じさせ、それにより、抵抗器／コンデンサの組合せ回路の共振周波数および有用周波数範囲を相対的に増大させる。

[0010]前述の例示的な実施形態では、好ましくは、そのようなモノリシック基板は、少なくとも上部表面、およびそのような基板のそのような上部表面に沿った少なくとも１対の対置する横方向の縁部を有し、そのようなコンデンサは、第１の電極層および第２の電極層を有し、両方の電極層は、そのような基板のそのような上部表面に実装され、誘電体により分離され、そのような第１の端子層は、そのような第１の電極層に接続され、そのような基板のそのような上部表面に、その基板のそのような横方向の縁部のうちの１つの少なくとも一部分に沿って位置設定され、そのような第２の端子層は、そのような第２の電極層に接続され、そのような基板のそのような上部表面に、そのような第１の端子層に対置したその基板のそのような横方向の縁部の少なくとも一部分に沿って位置設定され、そのような抵抗器は、そのような基板上部表面に、そのようなコンデンサに並列に接続される状態で支持される。

[0011]前述の変形形態では、カバーが、そのような基板の上方に含まれてよく、終端の対が、そのような基板の両方の横方向の側に設けられ、それぞれそのような第１および第２の端子層に接続され得、そのことにより、そのようなイコライザは、支持する表面にそのような終端を直接、実装することによって表面実装可能である。さらなる変形形態では、そのようなカバーが、ガラスカバーを含んでも、およびそのような終端が、フレキシブル終端（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ）を含んでもよい。

[0012]さらに他の変形形態では、そのようなフレキシブル終端は、そのようなコンデンサの端部分を包むフレキシブル高分子材料を含み得る。それらの一部の変形形態では、そのようなフレキシブル終端のうちの１つが、そのようなコンデンサのそのような第１の電極層に接続されるそのような第１の端子層を、そのような抵抗器に関連付けられるそのような少なくとも１つの接続端子と結合し得る。他の変形形態では、そのようなフレキシブル終端のうちの１つが、そのようなコンデンサのそのような第２の電極層に接続されるそのような第２の端子層と結合し得る。

[0013]前述の例示的なイコライザ実施形態のさらに他の代替的配置構成では、そのようなコンデンサは、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）コンデンサまたはタンタルコンデンサを含んでよく、そのような抵抗器は、窒化タンタル（ＴａＮ）抵抗器または酸化ルテニウム抵抗器を含み得る。前述の一部の例示的な実施形態では、そのようなイコライザは、そのような基板の両方の横方向の側における終端のそのような対間に約５０Ωのインピーダンスを有し得る。

[0014]他の変形形態では、そのような例示的なイコライザは、そのような基板の上方のガラスカバーと、そのようなイコライザが表面実装可能であるようにそのような基板の両方の横方向の側に、それぞれそのような第１および第２の端子層に接続される、フレキシブル終端の対とをさらに含んでよく、そのようなフレキシブル終端は、そのようなコンデンサの端部分を包むフレキシブル高分子材料を含み、そのようなフレキシブル終端の一方は、そのようなコンデンサのそのような第１の電極層に接続されるそのような第１の端子層を、そのような抵抗器に関連付けられるそのような少なくとも１つの接続端子と結合し、そのようなフレキシブル終端の他方は、そのようなコンデンサのそのような第２の電極層に接続されるそのような第２の端子層と結合する。

[0015]さらに別の本開示の例示的な実施形態では、並列ＲＣ回路イコライザは、好ましくは、相対的に増大した共振周波数および有用周波数範囲を有する。好ましくは、そのようなイコライザは、モノリシック基板であって、少なくとも上部表面、およびそのような基板のそのような上部表面に沿った少なくとも１対の対置する横方向の縁部を有し、そのような基板が、その基板のそのような対置する横方向の縁部に沿って細長であり、それぞれの対置した端縁部を有する、モノリシック基板と、そのような基板のそのような上部表面に実装されるコンデンサと、そのような基板上部表面に、そのようなコンデンサに並列に接続される状態で支持される抵抗器と、接地に接続され、それぞれそのような基板のそのようなそれぞれの対置した端縁部にまで延在するように、そのような基板のそのような上部表面に支持される、それぞれの導波路要素の対と、そのような基板のそのような上部表面に位置設定され、それぞれそのような基板のそのような上部表面のそのような対置する横方向の縁部の少なくとも一部分に沿って延在する、接地電極の対とを備える。そのような要素およびそのような電極のそのような配置構成は、好ましくは、そのようなコンデンサの低減される等価直列インダクタンスを結果として生じさせ、それにより、抵抗器／コンデンサの組合せ回路の共振周波数および有用周波数範囲を相対的に増大させる。

[0016]前述の例示的な実施形態の代替案では、そのようなイコライザは、そのような基板の上方のカバーと、そのような基板の両方の端部に端部終端の対とをさらに含み得る。好ましくは、そのような端部終端はそれぞれ、それぞれの導波路要素のそのような対に接続され、そのことにより、そのようなイコライザは、支持する表面にそのような終端を直接、実装することによって表面実装可能である。他の変形形態は、そのような基板の少なくとも一部分の周囲で、中央に受け入れられ、接地電極のそのような対と接続する接地終端をさらに含み得る。

[0017]その上さらに、一部の実例では、そのようなカバーが、ガラスカバーを含んでも、ならびに端部終端のそのような対およびそのような接地終端が、フレキシブル終端を含んでもよい。他の実例では、そのようなフレキシブル終端が、フレキシブル高分子材料を含んでもよい。前述の変形形態の一部では、そのようなコンデンサが、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）コンデンサまたはタンタルコンデンサを含んでも、およびそのような抵抗器が、窒化タンタル（ＴａＮ）抵抗器または酸化ルテニウム抵抗器を含んでもよい。

[0018]前述の一部の例示的な実施形態では、そのようなイコライザは、端部終端のそのような対間に約５０Ωのインピーダンスを有し得る。

[0019]本開示の主題は、対応する、および／または関連する方法に等しく関係のあるものであるということが、本明細書による完全なる開示から理解されるべきである。好ましくは、並列ＲＣ回路イコライザの共振周波数および有用周波数範囲を相対的に増大させるための方法の１つの例示的な実施形態は、モノリシック基板を設けるステップであって、このモノリシック基板が、少なくとも上部表面、およびそのような基板のそのような上部表面に沿った少なくとも１対の対置する横方向の縁部を有し、そのような基板が、その基板のそのような対置する横方向の縁部に沿って細長であり、それぞれの対置した端縁部を有する、ステップと、コンデンサをそのような基板のそのような上部表面に支持するステップと、抵抗器を、そのような基板上部表面に、そのようなコンデンサに並列に、ＲＣ回路をそのコンデンサと一緒に形成するように接続される状態で支持するステップと、そのような基板のそのような上部表面に、その基板のそのような対置する横方向の縁部の各々の少なくとも一部分に沿って位置設定される終端材料を設けるステップであって、そのようなコンデンサの低減される等価直列インダクタンスを結果として生じさせ、それにより、抵抗器／コンデンサの組合せ回路の共振周波数および有用周波数範囲を相対的に増大させる、ステップとを含み得る。

[0020]前述の方法の一部の変形形態は、そのような基板上で支持され、そのような基板の中心線に沿って長さ方向で位置調整される、少なくとも１対のコプレーナ導波路要素を設けるステップであって、そのような導波路要素が、直列に、そのようなＲＣ回路の両方の側において受け入れられ、そのようなＲＣ回路からそのような基板のそれぞれの対置した端縁部にまで延在する、ステップをさらに含み得る。一部のそのような変形形態では、終端材料を設けるそのようなステップは、それぞれ、そのような基板のそのような横方向の縁部に沿って位置設定される接地電極の対を設けるステップを含み得る。さらに他の変形形態は、そのような基板の上方にカバーを設けるステップと、そのような基板のそれぞれの対置した端縁部で受け入れられ、それぞれそのような対置した端縁部でそのような導波路要素に接続される、フレキシブル終端の対を設けるステップとをさらに含み得る。

[0021]その上のさらなる変形形態は、少なくとも部分的にそのような基板の周りで受け入れられ、接地電極のそのような対と接続される接地端子を設けるステップもまた含み得る。一部のそのような代替案では、そのようなフレキシブル終端が、フレキシブル高分子材料を含んでも、そのようなコンデンサが、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）コンデンサおよびタンタルコンデンサのうちの１つを含んでも、ならびにそのような抵抗器が、窒化タンタル（ＴａＮ）抵抗器および酸化ルテニウム抵抗器のうちの１つを含んでもよい。

[0022]一部の代替案に対して、本開示の方法は、そのようなイコライザを、支持する表面に表面実装するステップをさらに含み得る。

[0023]他の本開示の変形形態では、そのようなコンデンサは、第１の電極層および第２の電極層を有してよく、そのような電極層の両方が、そのような基板のそのような上部表面に実装され、誘電体により分離され、そのような終端材料が、そのような第１の電極層に接続され、そのような基板のそのような上部表面に、その基板のそのような横方向の縁部のうちの１つの少なくとも一部分に沿って位置設定される、第１の端子層と、そのような第２の電極層に接続され、そのような基板のそのような上部表面に、そのような第１の端子層に対置したその基板のそのような横方向の縁部の少なくとも一部分に沿って位置設定される、第２の端子層とを含み得る。

[0024]さらに他の変形形態は、そのような抵抗器に関連付けられる少なくとも１つの接続端子を設けるステップと、そのような基板の上方にカバーを、ならびにそのような基板の両方の横方向の側に、それぞれそのような第１および第２の端子層に接続される終端の対を設けるステップとをさらに含み得る。

[0025]また、他の変形形態は、そのような基板の上方のガラスカバーと、そのようなイコライザが表面実装可能であるようにそのような基板の両方の横方向の側に、それぞれそのような第１および第２の端子層に接続される、フレキシブル終端の対とをさらに含んでよく、そのようなフレキシブル終端は、そのようなコンデンサの端部分を包むフレキシブル高分子材料を含み、そのようなフレキシブル終端の一方は、そのようなコンデンサのそのような第１の電極層に接続されるそのような第１の端子層を、そのような抵抗器に関連付けられるそのような少なくとも１つの接続端子と結合し、そのようなフレキシブル終端の他方は、そのようなコンデンサのそのような第２の電極層に接続されるそのような第２の端子層と結合する。

[0026]本開示の主題の追加的な実施形態が、本明細書の詳細な説明に記載され、またはその詳細な説明から当業者に明らかになろう。また、本明細書の具体的に例解、参照、および論考される、特徴および要素に対する、修正形態および変形形態が、主題の様々な実施形態および使用において、主題の趣旨および範囲から逸脱することなく実践され得るということが、さらに認識されるべきである。変形形態は、例解、参照、または論考されるものの、等価の手段、特徴、またはステップの置換形態、および様々な部品、特徴、ステップ、または類するものの、機能的、動作的、または位置的な逆転形態を含み得るが、それらに限定されない。

[0027]その上さらに、本開示の主題の、異なる実施形態、ならびに異なる現在の好ましい実施形態は、本開示の特徴、ステップ、もしくは要素、またはそれらの等価物の、様々な組合せまたは構成を（図で明示的に示されない、またはそのような図の詳細な説明で説述されない、特徴、部品、もしくはステップの組合せ、またはそれらの構成を含めて）含み得るということが理解されるべきである。概要が述べられるセクションで必ずしも明示されない、本開示の主題の追加的な実施形態は、上記の概要が述べられる趣意で参照される特徴、構成要素、もしくはステップ、および／または本出願において他の形で論考されるような他の特徴、構成要素、もしくはステップの態様の様々な組合せを含み、組み込み得る。当業者であれば、そのような実施形態の特徴および態様、ならびに他のものを、本明細書の残りの部分を検討することで、より良好に認識するであろう。

[0028]本開示の主題の完全および実施可能な開示であって、その主題の最良の様態を含み、当業者に向けられるものが、本明細書に記載され、本明細書では、添付される図への参照を行う。

[0029]以前に知られている抵抗器／並列接続コンデンサ（ＲＣ）構築物の内部構成を例解する図である。 [0030]ガラスカバーおよびフレキシブル終端を含む図１の並列ＲＣデバイスを例解する図である。 [0031]図１および図２で例解される、以前に知られているデバイスに関係付けられる応答曲線を例解するグラフである。 [0032]図１および図２で例解される、以前に知られているデバイスに対する等価回路線図を例解する図である。 [0033]本開示の主題による、抵抗器／並列接続コンデンサの内部構成の例示的な実施形態を例解する図である。 [0034]本開示の主題による、ガラスカバーおよびフレキシブル終端を含む図５によって構築される例示的な並列ＲＣデバイスを例解する図である。 [0035]図５および図６で例解されるデバイスに関係付けられる応答曲線を例解するグラフである。 [0036]図５および図６で例解される例示的なデバイスに対する等価回路線図を例解する図である。 [0037]本開示の主題の代替的実施形態によって構築される、並列ＲＣデバイスの例示的な実施形態を例解する図である。 [0038]本開示の主題による、ガラスカバーおよびフレキシブル終端を含む図９によって構築される例示的な並列ＲＣデバイスを例解する図である。 [0039]図９および図１０で例解される例示的なデバイスに関係付けられる応答曲線を例解するグラフである。 [0040]図９および図１０で例解される例示的なデバイスに対する等価回路線図を例解する図である。

[0041]本明細書、および添付される図面の全体を通して参照符号を繰り返し使用することは、同じまたは類似的な特徴もしくは要素を表すことが意図される。

[0042]「発明の概要」のセクションで論考されたように、本開示の主題は、具体的には、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）の低減を実現して、増大した共振周波数および有用周波数範囲を提供する、表面実装並列接続ＲＣデバイスに対する改善に関わるものである。

[0043]開示される技術の態様の選択される組合せは、本開示の主題の複数の異なる実施形態に対応する。本明細書で提示および論考される例示的な実施形態の各々は、本開示の主題の限定をほのめかすべきものではないということが留意されるべきである。１つの実施形態の一部として例解または説明される、特徴またはステップは、別の実施形態の態様と組み合わせて使用されることが、なおもさらなる実施形態を産するために行われ得る。加えて、ある種の特徴は、同じもしくは同様の機能を実行する、明示的に述べられない同様のデバイスまたは特徴によって置き換えられ得る。

[0044]以降詳細に、主題の並列ＲＣ回路イコライザの例示的な現在の好ましい実施形態を参照する。図面を参照すると、図１〜図４は、以前に知られている並列ＲＣ回路イコライザ１００、２００（図１〜図２）を、動作特性曲線３００（図３）およびそれらのイコライザに対する関係付けられる等価回路４００（図４）とともに例解する。図１でわかるように、ＲＣ回路イコライザ１００は、コンデンサ１０４および抵抗器１０６がその上に実装されるガラス基板１０２に対応する。

[0045]そのような知られているデバイスによれば、コンデンサ１０４は、そのコンデンサの第１の電極１０８を、導体１１２を介して基板１０２上の導電性トレース１１０に結合した酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）コンデンサに対応し得る。当業者により理解されることになるように、コンデンサ１０４は、第２の電極（見えない）も含み、この第２の電極は、第１の電極１０８の下方にあり、その第１の電極１０８とはＳｉＯＮ層（やはり見えない）によって分離される。そのような第２の電極（この視図では見えない）は、抵抗器１０６の１つの端部に、および接続端子１１４に結合される。抵抗器１０６は、その第２の端部で、接続端子１１６にさらに結合される。

[0046]図２を参照すると、ガラスカバーおよびフレキシブル終端２０４、２０６が追加された図１の並列ＲＣデバイス２００が例解される。フレキシブル終端２０４、２０６は、コンデンサ２００の端部分２０８、２１０を包み、端子１１０、１１６を一体に結合し、外部接続点を接続端子１１４に対して設ける、フレキシブル高分子材料に対応し得る。

[0047]図３を参照すると、図１および図２で例解されるデバイスに関係付けられる応答曲線のグラフ３００が例解される。当業者であれば、表記Ｓ_１１およびＳ_２１が、それぞれ、ＲＣ回路に対する、反射係数および順方向透過係数を表すということを認識するであろう。図３の精査から、シミュレートされるモデルに対する順方向透過係数Ｓ_２１Ｍ、および図４で例解される等価回路の順方向透過係数Ｓ_２１Ｅは、最小の変動を伴って同じ軌跡をたどるということが気付かれよう。同様に、シミュレートされるモデルに対する反射係数Ｓ_１１Ｍ、および等価回路の反射係数Ｓ_１１Ｅもやはり、軽度の変動のみを伴って同じ軌跡をたどる。

[0048]当業者により理解されるように、Ｓ_１１およびＳ_２１の値は、図３で例解されるように、周波数対減衰または利得の観点でプロットされる。図３の精査は、図１および図２で例解されるデバイスに対する共振周波数が、周波数スケールにおいてはかなり低く、一方で、使用可能周波数範囲は、共振より上で急速に減少し始めるということを示す。例として、この例の周波数スケールは、１００〜３００，０００ＭＨｚに対応し、したがって、共振点は、約３，０００ＭＨｚより下である。

[0049]図４を参照すると、図１および図２で例解されるデバイスに対する等価回路線図が例解される。上に記され、図３で例解されるように、等価回路に対する応答曲線は、良好に、回路のシミュレーションと同じ軌跡をたどる。１つの例では、インダクタ４０２および４０４に対する値は、０．２８７ｎＨと等価であり、その数値に対応した。同様に、コンデンサ４０８および４１０に対する値は、０．０６２ｐＦに等しく、その数値に対応した。インダクタ４０６は、０．０７１ｎＨという値を有し、一方で、コンデンサ４１２は、１７．６８４ｐＦという値を有し、抵抗器４１４は値２２．０８４Ωを有した。そのような値は、５０Ωの特性インピーダンス（Ｚ_０）を、入力ポート４１６および出力ポート４１８の両方で生み出した。

[0050]図５を参照すると、本開示の主題による、ＲＣ回路イコライザ５００の抵抗器５０６および並列接続コンデンサ５０４の内部構成が例解される。図１で例解されるデバイス、および本開示の主題によって構築される図５のデバイスによる比較から、内部構成要素は、接続端子５２０、５１４、５１２、５１８の配置構成の例外を伴うことを除いて、いくつかの類似点を有するということが気付かれよう。本開示の主題によれば、ＲＣイコライザ５００は、図１で例解されるＲＣイコライザから、横手方向の幾何配置で配置構成される。本明細書でさらに説明されるように、そのような再配置構成は、コンデンサ５０４の低減されるＥＳＬを実現し、そのことによって、ＲＣ並列回路の共振周波数ならびに回路の有用周波数範囲を増大させる。

[0051]本開示の主題の一部の例示的な実施形態では、コンデンサ５０４は、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）コンデンサとして設けられてよく、一方で抵抗器５０６は、窒化タンタル（ＴａＮ）抵抗器に対応し得る。しかしながら、当業者であれば、コンデンサ５０４および抵抗器５０６の両方は、任意の適した材料および構成を使用して設けられ得るということを認識すべきである。例えば、タンタルコンデンサおよび／または酸化ルテニウム抵抗器が使用可能になる。

[0052]図５を引き続き参照すると、いくつかの方途でコンデンサ５０４は、誘電体（この視図では見えない）によって第２の電極層５１０とは分離される第１の電極層５０８が設けられ、両方がガラス基板５０２の上部表面に実装されるという点で、図１のコンデンサ１０４と同様の様式で構築されるということが気付かれよう。第１の電極層５０８には、基板５０２の、上部表面に、横方向の縁部の一部分に沿って位置設定される端子層５２０が設けられる。同様に第２の電極５１０には、第２の電極層５１０と接触し、端子層５２０に対置した基板５０２の上部表面の横方向の縁部に沿って位置設定される端子層５１４が設けられる。

[0053]図６を参照すると、ガラスカバー６０２およびフレキシブル終端６０４、６０６が追加された並列ＲＣデバイス６００（図５のデバイス５００）が例解される。フレキシブル終端６０４、６０６は、それぞれ、コンデンサの端部分６０８、６１０を包み、端子５１８、５２０（図５）を一体に結合し、外部接続点を接続端子６１４に対して設ける、フレキシブル高分子材料に対応し得る。フレキシブル終端材料の使用が例解されているが、他の知られている終端材料もまた使用され得るということが認識されるべきである。

[0054]図７を参照すると、図５および図６で例解される例示的なデバイスに関係付けられる応答曲線のグラフ７００が例解される。図７の精査から、シミュレートされるモデルに対する順方向透過係数Ｓ_２１Ｍ、および図８で例解される等価回路の順方向透過係数Ｓ_２１Ｅは、正確に同じ軌跡をたどり、したがって、単一の線Ｓ_２１ＥＭとして例解されるということが気付かれよう。同様に、シミュレートされるモデルに対する反射係数Ｓ_１１Ｍ、および等価回路の反射係数Ｓ_１１Ｅは、やはり正確に同じ軌跡をたどり、単一の線Ｓ_１１ＥＭとして例解される。

[0055]図７の精査は、図５および図６で例解されるデバイスに対する共振周波数が、周波数スケールにおいては図３の曲線３００で例解される共振周波数より高く、一方で、使用可能周波数範囲は、はるかに高い周波数で減少することを開始するということを示す。図３で例解される曲線の場合と同じく、この例の周波数スケールは、１００〜３００，０００ＭＨｚに対応し、したがって、共振点は、約３，０００ＭＨｚより上である。

[0056]図８を参照すると、図５および図６で例解される例示的なデバイスに対する等価回路線図が例解される。上に記されるように、および図７で例解されるように、等価回路に対する応答曲線は、正確に回路のシミュレーションと同じ軌跡をたどる。１つの例では、インダクタ８０２および８０４に対する値は、０．０９１ｎＨと等価であり、その数値に対応した。同様に、コンデンサ８０８および８１０に対する値は、０．０２８ｐＦに等しく、その数値に対応した。インダクタ８０６は０．０７５ｎＨという値を有し、一方で、コンデンサ８１２は１８．０１９ｐＦという値を有し、抵抗器８１４は値２２．７６９Ωを有した。そのような等価回路では、インダクタ８０６は０．０７５ｎＨという値を有し、一方で、インダクタ８２０は０．１１ｎＨという値を有した。抵抗器８２２は０．０７Ωという値を有した。図４の等価回路でもやはり得られたように、図８の等価回路は、５０Ωの特性インピーダンス（Ｚ_０）を、入力ポート８１６および出力ポート８１８の両方で生み出した。

[0057]図９を参照すると、本開示の主題の代替的実施形態に従って構築される、並列ＲＣデバイス９００が例解される。より具体的には、ＲＣデバイス９００は、コプレーナ導波路に基づく内部構造体を伴って構築される。図９で例解されるように、コプレーナ導波路構造体は、細長のガラス基板９１２の上側表面９１０の中心線９０８に沿って長さ方向で位置調整される、導波路要素９０２、９０４を含む。抵抗器／コンデンサ（ＲＣ）構造体９１４は、２つの導波路要素９０２、９０４の間に設けられる。ＲＣ構造体９１４は、２つの導波路９０２、９０４と直列に結合される並列ＲＣ回路を設けるように構成される。

[0058]接地電極９２０、９２２の対が、ガラス基板９１２の横方向の縁部９１６、９１８に沿って位置設定される。接地電極９２０、９２２の側縁部は、各々、ガラス基板９１２の、それらの接地電極のそれぞれの横方向の縁部９１６、９１８の横方向の縁部にまで延在して、接続点を、本明細書で他の形で説明される接地端子に対して設ける。

[0059]図１０を参照すると、本開示の主題に従ってガラスカバー１００２およびフレキシブル終端１００４、１００６、１００８が追加された、図９で例解されるデバイスに従って構築される並列ＲＣデバイス１０００が例解される。例示的な構成では、ガラスカバー１００２は、ガラス基板１０１２に、エポキシ層（別個には例解されない）によって固着され得る。１つの例示的な実施形態では、そのようなエポキシ層は、おおよそ１０μｍの厚さであり得る。接地電極１０２０、１０２２は各々、ガラス基板１０１２の横方向の縁部に近接する、それらの接地電極の横方向の縁部が、コプレーナ導波路ＲＣデバイス１０００に対する接地端子として機能するフレキシブル終端１００８により接触されるように配置構成される。

[0060]さらに導波路要素９０２、９０４（図９）は、ガラス基板１０１２の長手方向の端部に近接する、それらの導波路要素の長手方向の端部が、それらがそれぞれフレキシブル終端１００４、１００６により接触され得るように配置構成されるように配置構成される。そのような様式ではフレキシブル終端１００４、１００６は、それぞれ、ＲＣデバイス１０００に対する、入力ポートおよび出力ポートとして機能する。

[0061]図１１は、図９および図１０で例解される例示的な代替的実施形態デバイスに関係付けられる応答曲線のグラフ１１００を例解する。図１１の精査から、モデリングされるデバイスのＳ_２１曲線Ｓ_２１Ｍ、および図１２で例解される等価回路のＳ_２１曲線Ｓ_２１Ｅは、互いにほとんど正確に同じ軌跡をたどるということが留意されよう。さらに、本開示の主題のそのような実施形態では、使用可能周波数範囲は、図５〜図８で例解される実施形態の使用可能周波数範囲よりいくらか高く、かつ図１〜図４で例解される以前に知られているデバイスの使用可能周波数範囲より有意に高く拡張するということが認識されるべきである。

[0062]図１２を参照すると、図９および図１０で例解される例示的な代替的実施形態デバイスに対する等価回路線図が例解される。上に記され、図１１で例解されるように、等価回路に対する応答曲線は、互いにほとんど正確に同じ軌跡をたどる。１つの例では、伝送線インダクタ１２０２に対する値は５．３７１ｎＨであった。そのような例では、伝送線インダクタ１２０４は４．９１８ｎＨという値を有した。同様に、コンデンサ１２０８および１２１０に対する値は、０．０６４ｐＦに等しく、その数値に対応した。抵抗器１２２２は０．０８４１Ωという値を有し、抵抗器１２１４は３５．７１９Ωという値を有した。図８の等価回路でもやはり得られたように、図１２の等価回路は、５０Ωの特性インピーダンス（Ｚ_０）を、入力ポート１２１６および出力ポート１２１８の両方で生み出した。

[0063]本開示の主題が、詳細に、その主題の特定の実施形態に関して説明されたが、当業者であれば、前述のことの理解に至ることで、そのような実施形態に対する改変形態、そのような実施形態の変形形態、およびそのような実施形態に対する等価形態を容易に生み出し得るということが認識されよう。したがって、本開示の範囲は、限定としてではなく、例としてのものであり、主題開示は、当業者に容易に明らかになるような、本開示の主題に対するそのような修正形態、変形形態、および／または追加形態を含むことを排除しない。

１００ 並列ＲＣ回路イコライザ、ＲＣ回路イコライザ
１０２ ガラス基板、基板
１０４ コンデンサ
１０６ 抵抗器
１０８ 第１の電極
１１０ 導電性トレース、端子
１１２ 導体
１１４ 接続端子
１１６ 接続端子、端子
２００ 並列ＲＣ回路イコライザ、並列ＲＣデバイス、コンデンサ
２０４、２０６ フレキシブル終端
２０８、２１０ 端部分
３００ 動作特性曲線、応答曲線のグラフ、曲線
４００ 等価回路
４０２、４０４、４０６ インダクタ
４０８、４１０、４１２ コンデンサ
４１４ 抵抗器
４１６ 入力ポート
４１８ 出力ポート
５００ ＲＣ回路イコライザ、ＲＣイコライザ、デバイス
５０２ ガラス基板、基板
５０４ 並列接続コンデンサ、コンデンサ
５０６ 抵抗器
５０８ 第１の電極層
５１０ 第２の電極層、第２の電極
５１２ 接続端子
５１４ 接続端子、端子層
５１８ 接続端子、端子
５２０ 接続端子、端子層、端子
６００ 並列ＲＣデバイス
６０２ ガラスカバー
６０４、６０６ フレキシブル終端
６０８、６１０ 端部分
６１４ 接続端子
７００ 応答曲線のグラフ
８０２、８０４、８０６ インダクタ
８０８、８１０、８１２ コンデンサ
８１４ 抵抗器
８１６ 入力ポート
８１８ 出力ポート
８２０ インダクタ
８２２ 抵抗器
９００ 並列ＲＣデバイス、ＲＣデバイス
９０２、９０４ 導波路要素、導波路
９０８ 中心線
９１０ 上側表面
９１２ ガラス基板
９１４ 抵抗器／コンデンサ（ＲＣ）構造体
９１６、９１８ 横方向の縁部
９２０、９２２ 接地電極
１０００ 並列ＲＣデバイス、コプレーナ導波路ＲＣデバイス、ＲＣデバイス
１００２ ガラスカバー
１００４、１００６、１００８ フレキシブル終端
１０１２ ガラス基板
１０２０、１０２２ 接地電極
１１００ 応答曲線のグラフ
１２０２、１２０４ 伝送線インダクタ
１２０８、１２１０ コンデンサ
１２１４ 抵抗器
１２１６ 入力ポート
１２１８ 出力ポート
１２２２ 抵抗器

Claims (31)

1. 相対的に増大した共振周波数および有用周波数範囲を有する並列抵抗器／コンデンサ（ＲＣ）回路イコライザであって、
   モノリシック基板であって、少なくとも上部表面、および前記基板の前記上部表面に沿った少なくとも１対の対置する横方向の縁部を有する、モノリシック基板と、
   第１の電極層および第２の電極層を有するコンデンサであって、両方の電極層が、前記基板の前記上部表面に実装され、誘電体により分離される、コンデンサと、
   前記第１の電極層に接続され、前記基板の前記上部表面に、前記基板の前記横方向の縁部のうちの１つの少なくとも一部分に沿って位置設定される、第１の端子層と、
   前記第２の電極層に接続され、前記基板の前記上部表面に、前記第１の端子層に対置した前記基板の前記横方向の縁部の少なくとも一部分に沿って位置設定される、第２の端子層と、
   前記基板上部表面に、前記コンデンサに並列に接続される状態で支持される抵抗器と、
   前記抵抗器に関連付けられる少なくとも１つの接続端子と
   を備え、
   前記端子層および前記少なくとも１つの接続端子の前記配置構成が、前記コンデンサの低減される等価直列インダクタンスを結果として生じさせ、それにより、前記抵抗器／コンデンサの組合せ回路の前記共振周波数および有用周波数範囲を相対的に増大させる、
   並列ＲＣ回路イコライザ。
2. 前記基板の上方のカバーと、
   終端の対であって、前記基板の両方の横方向の側に、それぞれ前記第１および第２の端子層に接続され、そのことにより、当該イコライザが、支持する表面に前記終端を直接、実装することによって表面実装可能である、終端の対と
   をさらに含む、請求項１に記載の並列ＲＣ回路イコライザ。
3. 前記カバーが、ガラスカバーを含む、請求項２に記載の並列ＲＣ回路イコライザ。
4. 前記終端が、フレキシブル終端を含む、請求項２に記載の並列ＲＣ回路イコライザ。
5. 前記フレキシブル終端が、前記コンデンサの端部分を包むフレキシブル高分子材料を含む、請求項４に記載の並列ＲＣ回路イコライザ。
6. 前記フレキシブル終端のうちの１つが、前記コンデンサの前記第１の電極層に接続される前記第１の端子層を、前記抵抗器に関連付けられる前記少なくとも１つの接続端子と結合する、請求項５に記載の並列ＲＣ回路イコライザ。
7. 前記フレキシブル終端のうちの１つが、前記コンデンサの前記第２の電極層に接続される前記第２の端子層と結合する、請求項５に記載の並列ＲＣ回路イコライザ。
8. 前記コンデンサが、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）コンデンサを含み、
   前記抵抗器が、窒化タンタル（ＴａＮ）抵抗器を含む、
   請求項１に記載の並列ＲＣ回路イコライザ。
9. 前記コンデンサが、タンタルコンデンサを含み、
   前記抵抗器が、酸化ルテニウム抵抗器を含む、
   請求項１に記載の並列ＲＣ回路イコライザ。
10. 前記基板の両方の横方向の側における終端の前記対間に約５０Ωのインピーダンスを有する、請求項２に記載の並列ＲＣ回路イコライザ。
11. 前記基板の上方のガラスカバーと、
    当該イコライザが表面実装可能であるように前記基板の両方の横方向の側に、それぞれ前記第１および第２の端子層に接続される、フレキシブル終端の対と
    をさらに含み、
    前記フレキシブル終端が、前記コンデンサの端部分を包むフレキシブル高分子材料を含み、
    前記フレキシブル終端の一方が、前記コンデンサの前記第１の電極層に接続される前記第１の端子層を、前記抵抗器に関連付けられる前記少なくとも１つの接続端子と結合し、
    前記フレキシブル終端の他方が、前記コンデンサの前記第２の電極層に接続される前記第２の端子層と結合する、
    請求項１に記載の並列ＲＣ回路イコライザ。
12. 相対的に増大した共振周波数および有用周波数範囲を有する並列抵抗器／コンデンサ（ＲＣ）回路イコライザであって、
    モノリシック基板であって、少なくとも上部表面、および前記基板の前記上部表面に沿った少なくとも１対の対置する横方向の縁部を有し、前記基板の前記対置する横方向の縁部に沿って細長であり、それぞれの対置した端縁部を有する、モノリシック基板と、
    前記基板の前記上部表面に実装されるコンデンサと、
    前記基板上部表面に、前記コンデンサに並列に接続される状態で支持される抵抗器と、
    前記コンデンサおよび前記抵抗器に接続され、それぞれ、前記基板の前記それぞれの対置した端縁部にまで延在するように、前記基板の前記上部表面に支持される、それぞれの導波路要素の対と、
    前記基板の前記上部表面に位置設定され、それぞれ、前記基板の前記上部表面の前記対置する横方向の縁部の少なくとも一部分に沿って延在する、接地電極の対と
    を備え、
    前記要素および前記電極の前記配置構成が、前記コンデンサの低減される等価直列インダクタンスを結果として生じさせ、それにより、前記抵抗器／コンデンサの組合せ回路の前記共振周波数および有用周波数範囲を相対的に増大させる、
    並列ＲＣ回路イコライザ。
13. 前記基板の上方のカバーと、
    端部終端の対であって、前記基板の両方の端部に、それぞれ、それぞれの導波路要素の前記対に接続され、そのことにより、当該イコライザが、支持する表面に前記終端を直接、実装することによって表面実装可能である、端部終端の対と
    をさらに含む、請求項１２に記載の並列ＲＣ回路イコライザ。
14. 前記基板の少なくとも一部分の周囲で、中央に受け入れられ、接地電極の前記対と接続する接地終端をさらに含む、請求項１３に記載の並列ＲＣ回路イコライザ。
15. 前記カバーが、ガラスカバーを含み、
    端部終端の前記対および前記接地終端が、フレキシブル終端を含む、
    請求項１４に記載の並列ＲＣ回路イコライザ。
16. 前記フレキシブル終端が、フレキシブル高分子材料を含む、請求項１５に記載の並列ＲＣ回路イコライザ。
17. 前記コンデンサが、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）コンデンサを含み、
    前記抵抗器が、窒化タンタル（ＴａＮ）抵抗器を含む、
    請求項１２に記載の並列ＲＣ回路イコライザ。
18. 前記コンデンサが、タンタルコンデンサを含み、
    前記抵抗器が、酸化ルテニウム抵抗器を含む、
    請求項１２に記載の並列ＲＣ回路イコライザ。
19. 端部終端の前記対間に約５０Ωのインピーダンスを有する、請求項１３に記載の並列ＲＣ回路イコライザ。
20. 並列抵抗器／コンデンサ（ＲＣ）回路イコライザの共振周波数および有用周波数範囲を相対的に増大させるための方法であって、
    モノリシック基板を設けるステップであって、前記モノリシック基板が、少なくとも上部表面、および前記基板の前記上部表面に沿った少なくとも１対の対置する横方向の縁部を有し、前記基板が、前記基板の前記対置する横方向の縁部に沿って細長であり、それぞれの対置した端縁部を有する、ステップと、
    コンデンサを前記基板の前記上部表面に支持するステップと、
    抵抗器を、前記基板上部表面に、前記コンデンサに並列に、ＲＣ回路を前記コンデンサと一緒に形成するように接続される状態で支持するステップと、
    前記基板の前記上部表面に、前記基板の前記対置する横方向の縁部の各々の少なくとも一部分に沿って位置設定される終端材料を設けるステップであって、前記コンデンサの低減される等価直列インダクタンスを結果として生じさせ、それにより、前記抵抗器／コンデンサの組合せ回路の前記共振周波数および有用周波数範囲を相対的に増大させる、ステップと
    を含む、方法。
21. 前記基板上で支持され、前記基板の中心線に沿って長さ方向で位置調整される、少なくとも１対のコプレーナ導波路要素を設けるステップであって、前記導波路要素が、直列に、前記ＲＣ回路の両方の側において受け入れられ、前記ＲＣ回路から前記基板の前記それぞれの対置した端縁部にまで延在する、ステップをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
22. 終端材料を前記設けるステップが、それぞれ、前記基板の前記横方向の縁部に沿って位置設定される接地電極の対を設けるステップを含む、請求項２１に記載の方法。
23. 前記基板の上方にカバーを設けるステップと、
    前記基板のそれぞれの対置した端縁部で受け入れられ、それぞれ前記対置した端縁部で前記導波路要素に接続される、フレキシブル終端の対を設けるステップと
    をさらに含む、請求項２２に記載の方法。
24. 少なくとも部分的に前記基板の周りで受け入れられ、接地電極の前記対と接続される接地端子を設けるステップをさらに含む、請求項２３に記載の方法。
25. 前記フレキシブル終端が、フレキシブル高分子材料を含み、
    前記コンデンサが、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）コンデンサおよびタンタルコンデンサのうちの１つを含み、
    前記抵抗器が、窒化タンタル（ＴａＮ）抵抗器および酸化ルテニウム抵抗器のうちの１つを含む、
    請求項２３に記載の方法。
26. 前記イコライザを、支持する表面に表面実装するステップをさらに含む、請求項２４に記載の方法。
27. 前記コンデンサが、第１の電極層および第２の電極層を有し、前記電極層の両方が、前記基板の前記上部表面に実装され、誘電体により分離され、
    前記終端材料が、前記第１の電極層に接続され、前記基板の前記上部表面に、前記基板の前記横方向の縁部のうちの１つの少なくとも一部分に沿って位置設定される、第１の端子層と、前記第２の電極層に接続され、前記基板の前記上部表面に、前記第１の端子層に対置した前記基板の前記横方向の縁部の少なくとも一部分に沿って位置設定される、第２の端子層とを含む、
    請求項２０に記載の方法。
28. 前記抵抗器に関連付けられる少なくとも１つの接続端子を設けるステップと、
    前記基板の上方にカバーを、ならびに前記基板の両方の横方向の側に、それぞれ前記第１および第２の端子層に接続される終端の対を設けるステップと
    をさらに含む、請求項２７に記載の方法。
29. 前記イコライザを、支持する表面に表面実装するステップをさらに含む、請求項２８に記載の方法。
30. 前記コンデンサが、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）コンデンサおよびタンタルコンデンサのうちの１つを含み、
    前記抵抗器が、窒化タンタル（ＴａＮ）抵抗器および酸化ルテニウム抵抗器のうちの１つを含む、
    請求項２８に記載の方法。
31. 前記基板の上方のガラスカバーと、
    前記イコライザが表面実装可能であるように前記基板の両方の横方向の側に、それぞれ前記第１および第２の端子層に接続される、フレキシブル終端の対と
    をさらに含み、
    前記フレキシブル終端が、前記コンデンサの端部分を包むフレキシブル高分子材料を含み、
    前記フレキシブル終端の一方が、前記コンデンサの前記第１の電極層に接続される前記第１の端子層を、前記抵抗器に関連付けられる前記少なくとも１つの接続端子と結合し、
    前記フレキシブル終端の他方が、前記コンデンサの前記第２の電極層に接続される前記第２の端子層と結合する、
    請求項２７に記載の方法。

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