JP2016203257A - 基板切断方法及び表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板切断方法及び表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板の第１面上に第１保護層を形成する段階と、前記第１保護層に向かうように第１レーザを照射することで、前記第１保護層の一領域が除去された除去領域を形成する段階と、少なくとも前記除去領域に向け、前記除去領域に対応するように、第２レーザを照射することで、前記基板の一領域を除去して切断領域を形成する段階を含む基板切断方法である。【選択図】図６
Description
本発明は、基板切断方法及び表示装置の製造方法に関する。
基板を所望する形態に切断する工程には、様々な工程が存在する。基板の素材などに応じて、基板に損傷を与えずに切断工程を進める必要がある。一方、表示装置は、画像を具現する基板上に表示部が形成されている。また、製造工程の便宜のために基板上に表示部を形成した後、切断工程を経て最終的に表示装置が完成される。
このとき、切断工程は、表示装置の特性に影響を与える。特に、柔軟な基板を使用する場合、切断工程に対する制御は容易ではない。
結果として、表示装置の製造工程を進める中で所望する表示装置の特性及び製造工程の効率性を向上させることには限界がある。
本発明は、上記を鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、基板切断方法及び表示装置の製造方法を提供することである。
本発明の一実施形態は、基板の第１面上に第１保護層を形成する段階と、前記第１保護層に向かうように第１レーザを照射することで、前記第１保護層の一領域が除去された除去領域を形成する段階と、少なくとも前記除去領域に向け前記除去領域に対応するように第２レーザを照射することで、前記基板の一領域を除去して切断領域を形成する段階を含む基板切断方法を開示する。
本実施形態において、前記第１保護層と前記基板の間に、第１接着層を形成する段階をさらに含んでもよい。
前記切断領域を形成する段階を進めた後、前記第１保護層を前記基板から除去する段階をさらに含んでもよい。
前記第１レーザを前記第１保護層に向かうように照射するとき、前記第１レーザの焦点が前記第１保護層の上面から離隔するように前記第１レーザを制御する段階を含んでもよい。
前記第２レーザは、パルスレーザであり、数フェムト秒（femto second）〜数百フェムト秒のパルス幅を有することができる。
前記除去領域を形成する段階は、前記第１保護層に前記第１レーザを照射することで、前記第１保護層に複数個の互いに離隔した予備除去領域を形成する段階、並びに前記互いに離隔した予備除去領域間の領域に対応するように前記第１レーザを照射することで、前記複数個の互いに離隔した予備除去領域及び前記互いに離隔した予備除去領域間の領域を含むように除去領域を形成する段階を含んでもよい。
前記基板の前記第１面の反対面に形成される第２保護層をさらに含んでもよい。
前記第２保護層と前記基板との間に、第２接着層を形成する段階をさらに含んでもよい。
前記第２レーザを照射することで、前記第２保護層の一領域を除去して切断領域を形成する段階をさらに含んでもよい。
前記第２保護層は、前記第１保護層より薄くともよい。
基板上に可視光線を具現する表示部が形成された表示装置を製造する方法に係り、基板の第１面上に第１保護層を形成する段階と、前記第１保護層に向かうように第１レーザを照射することで、前記第１保護層の一領域が除去された除去領域を形成する段階と、少なくとも前記除去領域に向け前記除去領域に対応するように第２レーザを照射することで、前記基板の一領域を除去して切断領域を形成する段階を含む表示装置の製造方法を開示する。
前記基板の第１面に前記表示部を形成する段階をさらに含み、前記表示部を形成する段階は、前記基板上の前記切断領域から離隔するように形成することができる。
前記基板の第１面に前記表示部を形成する段階をさらに含み、前記表示部を形成する段階は、前記基板上の前記切断領域に重畳するように形成することができる。
前記第１保護層は、前記表示部を覆うように形成されてもよい。
前記第１保護層は、前記表示部を覆わず、前記表示部に重畳しないように形成されてもよい。
前記表示部上に形成される封止部をさらに含み、前記封止部は、前記表示部と前記第１保護層の間に配置されてもよい。
前記第１保護層と前記基板との間に、第１接着層を形成する段階をさらに含んでもよい。
第１接着層を形成する段階をさらに含み、前記第１接着層は、前記第１保護層と前記表示部の間に配置されてもよい。
前記切断領域を形成する段階を進めた後、前記第１保護層を前記基板から除去する段階をさらに含んでもよい。
前記第１レーザを前記第１保護層に向かうように照射するとき、前記第１レーザの焦点が前記第１保護層の上面から離隔するように前記第１レーザを制御する段階を含んでもよい。
前記第２レーザは、パルスレーザであり、数フェムト秒〜数百フェムト秒のパルス幅を有することができる。
前記除去領域を形成する段階は、前記第１保護層に前記第１レーザを照射することで、前記第１保護層に複数個の互いに離隔した予備除去領域を形成する段階、並びに前記互いに離隔した予備除去領域間の領域に対応するように前記第１レーザを照射することで、複数個の前記互いに離隔した予備除去領域及び前記互いに離隔した予備除去領域間の領域を含む除去領域を形成する段階を含んでもよい。
前記基板の前記第１面の反対面に形成される第２保護層をさらに含んでもよい。
前記第２保護層と前記基板との間に、第２接着層を形成する段階をさらに含んでもよい。
前記第２レーザを照射することで、前記第２保護層の一領域を除去して切断領域を形成する段階をさらに含んでもよい。
前記第２保護層は、前記第１保護層より薄くてもよい。
前記切断領域を基準に、表示装置及び前記表示装置と隣接したダミー領域が形成され、前記表示装置と前記ダミー領域との間に前記切断領域が配置されてもよい。
前記切断領域を基準に、表示装置及び前記表示装置と隣接した他の表示装置が形成され、前記表示装置及び前記他の表示装置の間に前記切断領域が配置されてもよい。
以上説明したように本発明によれば、本発明の実施形態による基板切断方法及び表示装置の製造方法は、基板の損傷を軽減し、切断工程の効率性を向上させる基板切断方法及び表示装置の製造方法を提供することができる。
本発明には様々な変更を加えることで、本発明は様々な実施形態を有することができるが、本明細書では、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。当業者は、本発明の効果、特徴及びそれらを達成する方法を以下の好適な実施形態によって容易に理解できる。また、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、以下で開示されていない実施形態に応用されてもよい。
以下の実施形態において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的で使用した。
以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に限定しない限り複数の表現を含む。
以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に限定しない限り複数の表現を含む。
以下の実施形態において、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品を組み合わせたものを指定しようとする用語であり、１つ又は複数の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品又は複数の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品を組み合わせたものの存在を予め排除しない。以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などの部分が他の部分の「上」または「上部」にあるとするとき、他の部分の「真上」または「すぐ上部」にある場合だけではなく、膜、領域、構成要素などの部分と他の部分の間に第３の物体がある場合も含む。また、膜、領域、構成要素などの部分が他の部分の「下」または「下部」にあるとするとき、他の部分の「真下」または「すぐ下部」にある場合だけではなく、膜、領域、構成要素などの部分と他の部分の間に第３の物体がある場合も含む。
各図面を用いた説明では、構造物の寸法は、説明の便宜のために実際より拡大される場合及び縮小される場合のいずれもあり得る。例えば、図面で示された各構成は、説明の便宜のために任意の大きさ及び厚さで示されているので、本発明は、必ずしも図示されている大きさ及び厚さに限定されない。
以下の実施形態において、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、直交座標系上の３軸に限定されず、直交座標系上の３軸を含む広い意味に解釈される。例えば、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、互いに直交することもあるが、互いに直交せずに互いに異なる方向を指すこともある。
ある実施形態が、説明されるものと異なった形態として具現できる場合、工程の順序は、説明される順序と異なってもよい。例えば、連続して説明される２つの工程が実質的に同時に遂行されてもよいし、説明される順序と反対の順序で進められてもよい。
なお、本明細書及び図面において、同一であるか、あるいは対応する構成要素に対しては同一の符号を付すことにより重複説明は省略する。
図１〜図８は、本発明の一実施形態に係わる基板切断方法を図示した図面である。
まず、図１に示すように、基板１０１の一面上に第１保護層１１１を形成する。具体的には、基板１０１の上面に第１保護層１１１を形成する。基板１０１は、様々な素材を含んでもよい。具体的には、基板１０１は、ガラス、金属または有機物であるその他材質から形成され得る。選択し得る実施形態として、基板１０１は、柔軟な（flexible）材料からも形成され得る。例えば、基板１０１は、柔軟に曲がることで、折り畳まれたり巻き取られたりすることができるように形成され得る。また、選択し得る実施形態として、基板１０１は、超薄型ガラス、金属またはプラスチックからも形成され得る。例えば、プラスチックを使用して基板１０１を形成する場合、基板１０１は、ポリイミド（ＰＩ）からも形成され得る。しかし、基板１０１がポリイミド（ＰＩ）から形成され得ることは例示的なものであり、基板１０１は、様々な素材からも形成され得る。
第１保護層１１１は、基板１０１の一面上に形成されることで、基板１０１の一面を保護することができる。第１保護層１１１は、様々な材質から形成され得る。例えば、基板１０１は、絶縁物により形成され得る。
選択し得る実施形態として、第１保護層１１１は、フィルム状の形態を有し基板１０１に付着され得る。例えば、第１保護層１１１は、有機物を含むフィルムでもよい。具体的な例として、第１保護層１１１は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムでもよい。
選択し得る実施形態として、第１保護層１１１は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリプロピレンテレフタレート（ＰＰＴ）、ポリナフタレンテレフタレート（ＰＥＮ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、シリコン樹脂、フッ素樹脂及び変性エポキシ樹脂からなる群のうちから少なくとも一つ選択されたものを含んでもよい。
選択し得る実施形態として、図２に図示するように、基板１０１と第１保護層１１１との間に第１接着層１１２がさらに含まれてもよい。図２は、図１のＫの拡大図を例示した図面である。
第１接着層１１２を介して、基板１０１の一面に第１保護層１１１が接着されてもよい。第１接着層１１２は、複数の接着物質を含んでもよい。
選択し得る実施形態として、第１接着層１１２は、シリコン系物質を含む。第１接着層１１２がシリコン系物質を含むことで、基板１０１の一面に第１保護層１１１を接着させた後の工程において、第１接着層１１２を基板１０１から除去することができるため、結果として、第１保護層１１１を基板１０１から引き離すことができる。
基板１０１の一面に第１保護層１１１を接着した後、図３Ａに示すように、第１保護層１１１に向かうように第１レーザＬＢ１を照射する。具体的には、第１保護層１１１の面のうち、基板１０１に向かう面の反対面に向かうように第１レーザＬＢ１を照射する。
第１レーザＬＢ１は、複数の種類のレーザを含んでもよい。選択し得る実施形態として、第１レーザＬＢ１は、第１保護層１１１に対する透過率が低い種類のレーザでもよい。第１保護層１１１に対する透過率が低い種類の第１レーザＬＢ１を第１保護層１１１に照射する場合、第１レーザＬＢ１が第１保護層１１１の厚み方向に対して垂直な方向（図３ＡのＸ軸方向）に広がることを抑制することができる。
選択し得る実施形態として、図３Ｂに図示するように、第１レーザＬＢ１を第１保護層１１１の一面に向かうように照射するとき、第１レーザＬＢ１の焦点Ｆが第１保護層１１１の一面から離隔するように第１レーザの照射装置ＬＢＳを制御することができる。例えば、第１レーザの照射装置ＬＢＳの光学部材を制御することができる。
図３Ｂに示すように、第１レーザＬＢ１の焦点Ｆは、第１保護層１１１の一面から離隔する。すなわち、第１レーザＬＢ１は、フォーカシングされたビーム（focused beam）ではなく、デフォーカシングビーム（defocused beam）でもよい。第１レーザＬＢ１の焦点Ｆが第１保護層１１１の一面から離隔することで、第１レーザＬＢ１を第１保護層１１１に照射するとき、第１保護層１１１の一面の広い面積を照射することができるため、第１保護層１１１が単位面積当たりに受けるエネルギーは減少する。
図４に図示するように、第１レーザＬＢ１の照射によって、第１保護層１１１の一領域が除去された除去領域１１１ａが形成される。
除去領域１１１ａは、第１保護層１１１の厚みに対応する深さＨ１を有することができる。選択し得る実施形態として、除去領域１１１ａの深さＨ１は、第１保護層１１１の厚みの一部に対応する。
除去領域１１１ａは、１つ以上の幅を有することができる。選択し得る実施形態として、除去領域１１１ａは、基板１０１と隣接した領域の幅Ｗ２及び基板１０１から離れた領域の幅Ｗ１を有することができ、幅Ｗ２は幅Ｗ１より狭い。
選択し得る実施形態として、図２に図示するように、基板１０１と第１保護層１１１との間に第１接着層１１２が形成される場合には、図５に図示するように、第１接着層１１２にも除去領域１１２ａが形成される。
第１レーザＬＢ１を基板１０１に向けて照射するとき、基板１０１の上面の一領域は除去されない。また、選択し得る実施形態として、基板１０１の上面の極めて小さい表面領域が除去されてもよい。
前述の図３Ｂで示したように、第１レーザＬＢ１の焦点Ｆが第１保護層１１１の一面から離隔するように、第１レーザＬＢ１を第１保護層１１１に照射すれば、第１保護層１１１の除去領域１１１ａの幅を広く形成することができる。第１保護層１１１が単位面積当たりに受けるエネルギーが減少するため、基板１０１に与える第１レーザＬＢ１の影響を低減したり防止したりすることができる。
除去領域１１１ａを形成した後、図６に図示するように、前記除去領域１１１ａに向けて除去領域１１１ａに対応するように第２レーザＬＢ２を照射する。第２レーザＬＢ２は、複数の種類のレーザを含んでもよい。例えば、第２レーザＬＢ２は、数フェムト秒（femto second）〜数百フェムト秒のパルス幅を有するパルスレーザでもよい。
第２レーザＬＢ２が、数フェムト秒〜数百フェムト秒のパルスを有するパルスレーザである場合、第２レーザＬＢ２を基板１０１に照射するとき、基板１０１の熱損傷を軽減したり防止したりすることができる。
第２レーザＬＢ２を照射することで、図７に図示するように、基板１０１に切断領域１０１ａを形成する。具体的には、第２レーザＬＢ２は、基板１０１の領域において、少なくとも除去領域１１１ａに重畳した領域を除去し、切断領域１０１ａを形成する。切断領域１０１ａが形成されることで、基板１０１は１つ以上の領域に切断される。
選択し得る実施形態として、図８に図示するように、第１保護層１１１を除去することができる。もし、前述の図２に示した実施形態のように、第１保護層１１１と基板１０１との間に第１接着層１１２がある場合、第１接着層１１２を除去することで、第１保護層１１１を容易に基板１０１から除去することができる。特に、第１接着層１１２がシリコン系物質を含む場合、第１接着層１１２の残余物を減少させたり遮断したりすることで、第１接着層１１２及び第１保護層１１１を基板１０１から除去することができる。
本実施形態の基板切断方法は、基板１０１上に第１保護層１１１を形成した後、基板１０１の切断領域１０１ａを形成することを含む。基板１０１上に第１保護層１１１を形成した後、基板１０１の切断領域１０１ａを形成することで、基板１０１を容易に保護することができる。特に、基板１０１が、有機物のように熱に敏感な材質によって形成される場合、切断する工程で、基板１０１に発生しうる不要な熱損傷を軽減できる。また、選択し得る実施形態として、基板１０１上の第１保護層１１１の除去を容易にした状態で基板１０１を切断した後、第１保護層１１１を除去することで、基板１０１の表面損傷を軽減できる。
また、本実施形態においては、第１保護層１１１を基板１０１の一面に形成した後、第１保護層１１１に向かうように第１レーザＬＢ１を照射し、除去領域１１１ａを形成した後、第２レーザＬＢ２を除去領域１１１ａに向かうように照射することで、除去領域１１１ａに重畳した基板１０１の領域を除去し、切断領域１０１ａが形成される。本実施形態によって、基板１０１の損傷を最小にして、基板１０１の精密な切断を行うことができる。
特に、選択し得る実施形態として、第１レーザＬＢ１を照射するとき、第１レーザＬＢ１の焦点Ｆが第１保護層１１１から離隔するようにデフォーカシングすることで、除去領域１１１ａの幅を広くする。除去領域１１１ａの幅を広くすることで、除去領域１１１ａに対応するように第２レーザＬＢ２を除去領域１１１ａへ照射するとき、第２レーザＬＢ２が容易に除去領域１１１ａに重畳できる。
仮に、第２レーザＬＢ２の照射方向がずれて第１保護層１１１に向かうことにより、第２レーザＬＢ２が除去領域１１１ａに重畳しない場合、基板１０１に切断領域１０１ａを形成することが容易ではなくなる。基板１０１に切断領域１０１ａを形成することが容易ではなくなるため、第２レーザＬＢ２のパワーを過度に高めざるを得ない。しかし、本実施形態においては、除去領域１１１ａの幅を容易に拡大できるため、第２レーザＬＢ２の照射時、第２レーザＬＢ２を除去領域１１１ａに重畳させる精度が向上し、切断領域１０１ａを容易に形成することができる。
また、第１レーザＬＢ１の焦点Ｆが第１保護層１１１から離隔するようにデフォーカシングすると、第１保護層１１１が単位面積当たりに第１レーザＬＢ１から受けるエネルギーを低減させることができるので、第１保護層１１１及び基板１０１が受ける熱損傷を最小化したり防止したりすることができる。
図９〜図１４は、本発明の他の実施形態に係わる基板切断方法を図示した図面である。
まず、図９に示すように、基板１０１の一面上に第１保護層１１１を形成する。具体的には、基板１０１の上面に第１保護層１１１を形成する。基板１０１及び第１保護層１１１は、前述の実施形態と同一であるので、具体的な説明は省略する。また、選択し得る実施形態として、図２に図示するように、基板１０１と第１保護層１１１との間に第１接着層１１２をさらに含んでもよい。
基板１０１の一面上に第１保護層１１１を形成した後、図１０に示すように、複数個の予備除去領域１１１ｂを第１保護層１１１上に形成する。選択し得る実施形態として、互いに離隔した２個の予備除去領域１１１ｂを第１保護層１１１に形成することができる。具体的には、第１保護層１１１の面において、基板１０１に向かう面の反対面に向かうように予備第１レーザを複数回照射することで、複数個の予備除去領域１１１ｂを形成することができる。複数の予備除去領域１１１ｂは、互いに離隔するように形成され、所定の幅を有する。また、複数の予備除去領域１１１ｂは、所定の深さを有することができる。例えば、第１保護層１１１の厚みより浅い深さを有することができる。複数の予備除去領域１１１ｂの有する深さを第１保護層１１１の厚みより浅くすることで、複数の予備除去領域１１１ｂを形成するために予備第１レーザを照射するとき、基板１０１に対する損傷を軽減したり防止したりすることができる。
複数個の予備除去領域１１１ｂを第１保護層１１１上に形成した後、図１１に図示するように、複数個の予備除去領域１１１ｂ間の領域を含むように、除去領域１１１ａを形成する。具体的には、第１保護層１１１の面において、基板１０１に向かう面の反対面に向けて少なくとも複数個の予備除去領域１１１ｂ間の互いに離隔した領域に対応するように中央第１レーザを照射することで、除去領域１１１ａを形成することができる。
除去領域１１１ａは、第１保護層１１１の厚みに対応する深さＨ１を有することができる。選択し得る実施形態として、除去領域１１１ａの深さＨ１は、第１保護層１１１の厚みの一部に対応する。
除去領域１１１ａは、１つ以上の幅を有することができる。選択し得る実施形態として、除去領域１１１ａは、基板１０１と隣接した領域の幅Ｗ２及び基板１０１から離れた領域の幅Ｗ１を有することができ、幅Ｗ２は幅Ｗ１より狭い。選択し得る実施形態として、図２に図示するように、基板１０１と第１保護層１１１との間に第１接着層１１２が形成される場合には、第１接着層１１２にも除去領域が形成される。
第１レーザＬＢ１を基板１０１に向けて照射するとき、基板１０１の上面の一領域は除去されない。また、選択し得る実施形態として、基板１０１の上面の極めて小さい表面領域が除去されてもよい。
予備第１レーザ及び中央第１レーザは、複数の種類のレーザを含んでもよい。選択し得る実施形態として、予備第１レーザ及び中央第１レーザは、第１保護層１１１に対する透過率が低い種類のレーザでもよい。予備第１レーザ及び中央第１レーザが第１保護層１１１に対する透過率が低い種類のレーザであることにより、第１レーザＬＢ１を第１保護層１１１に照射する場合、第１レーザＬＢ１が第１保護層１１１の厚み方向に対して垂直な方向に広がることを抑制することができる。
選択し得る実施形態として、予備第１レーザ及び中央第１レーザのうち少なくとも１つのレーザの焦点Ｆが、第１保護層１１１の一面から離隔するようにデフォーカシングすることができる。
前述の図３Ｂで示したように、第１レーザＬＢ１の焦点Ｆが第１保護層１１１の一面から離隔するように第１レーザＬＢ１を第１保護層１１１に照射すれば、第１保護層１１１の除去領域１１１ａの幅を広く形成することができる。第１保護層１１１が単位面積当たりに受けるエネルギーが減少するため、基板１０１に与える第１レーザＬＢ１の影響を低減したり防止したりすることができる。
除去領域１１１ａが形成された後、図１２に図示するように、前記除去領域１１１ａに向けて除去領域１１１ａに対応するように第２レーザＬＢ２を照射する。第２レーザＬＢ２は、複数の種類のレーザを含んでもよい。例えば、第２レーザＬＢ２は、数フェムト秒〜数百フェムト秒のパルスを有するパルスレーザでもよい。
第２レーザＬＢ２を照射することで、図１３に図示するように、基板１０１に切断領域１０１ａを形成する。具体的には、第２レーザＬＢ２は、基板１０１の領域において少なくとも除去領域１１１ａに重畳した領域を除去することで、切断領域１０１ａを形成する。切断領域１０１ａを介して、基板１０１は１つ以上の領域に切断される。
選択し得る実施形態として、図１４に図示するように、第１保護層１１１を除去することができる。本実施形態の基板切断方法は、基板１０１上に第１保護層１１１を形成した後、基板１０１に切断領域１０１ａを形成することを含む。基板１０１上に第１保護層１１１を形成した後、基板１０１に切断領域１０１ａを形成することで、基板１０１を容易に保護することができる。特に、基板１０１が、有機物のように熱に敏感な材質から形成される場合、切断する工程で基板１０１に発生しうる不要な熱損傷を軽減できる。また、選択し得る実施形態として、基板１０１上の第１保護層１１１の除去を容易にした状態で基板１０１を切断した後、第１保護層１１１を除去することで基板１０１の表面損傷を軽減できる。
また、本実施形態においては、第１保護層１１１を基板１０１の一面に形成した後、第１保護層１１１に向かうように予備第１レーザを照射することで、複数個の互いに離隔した予備除去領域を形成する。複数個の互いに離隔した予備除去領域を形成した後、少なくとも予備除去領域間の領域に対応するように中心第１レーザを照射し、予備除去領域及び予備除去領域間の領域に対応する除去領域１１１ａを形成する。本実施形態によって、基板１０１に対する損傷を軽減したり防止したりしながら、大きな幅を有する除去領域１１１ａを容易に形成することができる。
除去領域１１１ａを形成した後、第２レーザＬＢ２を除去領域１１１ａに向かうように照射することで、除去領域１１１ａに重畳した基板１０１の領域を除去し、切断領域１０１ａが形成される。本実施形態によって、基板１０１が受ける損傷を最小にして基板１０１を精密に切断することができる。
また、本実施形態においては、除去領域１１１ａの幅を容易に拡大できるため、第２レーザＬＢ２の照射時、第２レーザＬＢ２を除去領域１１１ａに重畳させる精度が向上し、切断領域１０１ａを容易に形成することができる。
図１５〜図２０は、本発明のさらに他の実施形態に係わる基板切断方法を図示した図面である。
まず、図１５に示すように、基板１０１の一面上に第１保護層１１１を形成する。具体的には、基板１０１の上面に第１保護層１１１を形成する。基板１０１及び第１保護層１１１を形成する材料は、前述の図１の実施形態で説明した通りであるので具体的な説明は省略する。
基板１０１の面において、第１保護層１１１に向かう面の反対面に第２保護層１２１を形成する。第２保護層１２１は、基板１０１の一面を保護することができる。第２保護層１２１は、様々な材質から形成され得る。例えば、第２保護層１２１は、絶縁物から形成されることができる。選択し得る実施形態として、第２保護層１２１は、フィルム状の形態を有し基板１０１に付着することができる。例えば、第２保護層１２１は、有機物を含むフィルムでもよい。具体的な例として、第２保護層１２１は、ＰＥＴフィルムでもよい。
選択し得る実施形態として、第２保護層１２１は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリプロピレンテレフタレート（ＰＰＴ）、ポリナフタレンテレフタレート（ＰＥＮ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、シリコン樹脂、フッ素樹脂及び変性エポキシ樹脂からなる群のうちから少なくとも一つ選択されたものを含んでもよい。
選択し得る実施形態として、図１６に図示するように、基板１０１と第２保護層１２１との間に第２接着層１２２をさらに含んでもよい。図１６は、図１５のＫの拡大図を例示した図面である。第２接着層１２２を介して、基板１０１の一面に第２保護層１２１が接着される。
第２接着層１２２は、様々な接着物質を含んでもよい。選択し得る実施形態として、第２接着層１２２は、アクリル系物質を含む。第２接着層１２２がアクリル系物質を含むことで、基板１０１の一面に第２保護層１２１を接着させた後の工程において、第２保護層１２１が基板１０１から容易に分離せず、基板１０１を保護することができる。また、図示していないが、選択し得る実施形態として、図２の第１接着層１１２を基板１０１と第１保護層１１１との間にさらに含んでもよい。
第２保護層１２１の厚みは、第１保護層１１１の厚みより薄い。基板１０１を切断する工程において、第１保護層１１１は、レーザに直接照射される領域であるので、熱による変性を防止し基板１０１を保護するために厚く形成されてもよい。第２保護層１２１は、基板１０１に比べてレーザから離れた領域であるので、レーザによる変性を防止するために厚みを厚くする必要性が低い。
第２接着層１２２を介して、基板１０１の一面に第２保護層１２１が接着された後、図１７に示すように、第１保護層１１１に向かうように第１レーザを照射し、第１保護層１１１の一領域が除去された除去領域１１１ａを形成する。除去領域１１１ａを形成する工程は、前述の図３Ａまたは図３Ｂの方法を利用することができる。また、選択し得る実施形態として、除去領域１１１ａを形成する時、図１０及び図１１の過程を利用することができる。
除去領域１１１ａは、第１保護層１１１の厚みに対応する深さを有することができる。選択し得る実施形態として、除去領域１１１ａの深さは、第１保護層１１１の厚みの一部に対応する。
除去領域１１１ａを形成した後、図１８に図示するように、前記除去領域１１１ａに向けて除去領域１１１ａに対応するように第２レーザを照射することで、基板１０１に切断領域１０１ａを形成する。具体的には、第２レーザは、基板１０１の領域において少なくとも除去領域１１１ａに重畳した領域を除去し、切断領域１０１ａを形成する。
また、第２保護層１２１の領域において、基板１０１の切断領域１０１ａに重畳する領域に切断領域１２１ａが形成される。選択し得る実施形態として、前述の図１６に示したように、基板１０１と第２保護層１２１との間に第２接着層１２２を配置する場合、図１９に図示するように、第２接着層１２２にも切断領域が形成される。切断領域１０１ａを介して、基板１０１は１つ以上の領域に切断される。
選択し得る実施形態として、図２０に図示するように、第１保護層１１１を除去することができる。本実施形態の基板切断方法は、基板１０１上に第１保護層１１１を形成した後、基板１０１の切断領域１０１ａを形成することを含む。基板１０１上に第１保護層１１１を形成した後、基板１０１の切断領域１０１ａを形成することで、基板１０１を容易に保護することができる。特に、基板１０１が、有機物のように熱に敏感な材質から形成される場合、切断する工程で、基板１０１に発生しうる不要な熱損傷を軽減できる。また、選択し得る実施形態として、基板１０１上の第１保護層１１１の除去を容易にした状態で基板１０１を切断した後、第１保護層１１１を除去すれば基板１０１の表面損傷を軽減できる。
また、本実施形態では、基板１０１の面において、第１保護層１１１に向かう面の反対面に第２保護層１２１を形成することで、基板１０１が効果的に保護され得る。特に、基板１０１が、プラスチックのような柔軟な材質である場合、基板１０１を切断する工程で、基板１０１に加えられる衝撃及び熱などを緩和することで、基板１０１の損傷を軽減したり防止したりすることができる。
また、第１保護層１１１に向かうように第１レーザを照射し、除去領域１１１ａを形成した後、第２レーザを除去領域１１１ａに向かうように照射することで、除去領域１１１ａに重畳した基板１０１の領域を除去し、切断領域１０１ａが形成される。本実施形態によって、基板１０１が受ける損傷を最小にして、基板１０１を精密に切断することができる。
特に、選択し得る実施形態として、第１レーザを照射するとき、第１レーザの焦点Ｆが第１保護層１１１から離隔するようにデフォーカシングすることで、除去領域１１１ａの幅を広くする。除去領域１１１ａの幅を広くすることで、除去領域１１１ａに対応するように第２レーザを照射するとき、第２レーザが容易に除去領域１１１ａに重畳する。
図２１〜図２８は、本発明の一実施形態に係わる表示装置の製造方法を図示した図面である。
まず、図２１に示すように、基板２０１の一面上に第１保護層２１１を形成する。具体的には、基板２０１の上面に第１保護層２１１を形成する。基板２０１は、様々な素材を含んでもよい。具体的には、基板２０１は、ガラス、金属または有機物であるその他材質から形成され得る。選択し得る実施形態として、基板２０１は、柔軟な材料からも形成され得る。例えば、基板２０１は、柔軟に曲がることで、折り畳まれたり巻き取られたりすることができるように形成され得る。
選択し得る実施形態として、基板２０１は、超薄型ガラス、金属またはプラスチックから形成され得る。例えば、基板２０１がプラスチックから形成される場合、基板２０１は、ポリイミド（ＰＩ）からも形成され得る。しかし、基板２０１がポリイミド（ＰＩ）から形成され得ることは例示的なものであり、基板２０１は、様々な素材からも形成され得る。
第１保護層２１１が基板２０１の一面上に形成されることで、基板２０１の一面を保護することができる。第１保護層２１１は、様々な材質から形成され得る。例えば、第１保護層２１１は絶縁物から形成され得る。
選択し得る実施形態として、第１保護層２１１は、フィルム状の形態を有し基板２０１に付着することができる。例えば、第１保護層２１１は、有機物を含むフィルムでもよく具体的な例として、ＰＥＴフィルムでもよい。
図２２は、図２１のＫの拡大図であり、図２３は、図２２の表示部の例示的な構成を示した図面である。
図２２に示すように、基板２０１上に表示部ＤＵが形成されている。表示部ＤＵは、可視光線を具現するように複数種が含まれてもよい。例えば、図２３に図示するように、表示部ＤＵは、第１電極ＦＥ、第２電極ＳＥ及び中間層ＩＭを含んでもよい。中間層ＩＭは、第１電極ＦＥと第２電極ＳＥの間に配置される。
第１電極ＦＥは、様々な材質から形成され得る。すなわち、第１電極ＦＥは、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、ＩＧＯ（indium gallium oxide）及びＡＺＯ（aluminum doped
zinc oxide）のような透明伝導性酸化物を含むグループのうちから少なくとも１つ選択されたものを含んでもよい。また、第１電極ＦＥは、銀（Ａｇ）のように反射率が高い金属を含んでもよい。
zinc oxide）のような透明伝導性酸化物を含むグループのうちから少なくとも１つ選択されたものを含んでもよい。また、第１電極ＦＥは、銀（Ａｇ）のように反射率が高い金属を含んでもよい。
中間層ＩＭは、有機発光層を含み、有機発光層には、低分子有機物または高分子有機物を使用することができる。選択し得る実施形態として、中間層ＩＭは、有機発光層と共に、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から少なくとも一つ選択されたものをさらに含んでもよい。
第２電極ＳＥは、様々な導電性材料から形成され得る。例えば、第２電極ＳＥは、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）または銀（Ａｇ）を含み、前記材料のうち少なくとも１つ以上を含む単層または複層の状態で形成され得る。第２電極ＳＥは、前記材料のうち少なくとも二つを含む合金材料を含んでもよい。
図示していないが、表示部ＤＵは、第１電極ＦＥまたは第２電極ＳＥに電気的に連結された回路部、例えば、薄膜トランジスタを１つ以上含んでもよい。第１保護層２１１は、図２２に図示するように、表示部ＤＵを覆うことができる。選択し得る実施形態として、第１保護層２１１は、表示部ＤＵを覆わなくてもよい。すなわち、第１保護層２１１は、基板２０１の全体面ではない一部領域であり、切断する領域を含んだ一領域にのみ形成され、表示部ＤＵを覆わなくてもよい。
基板２０１上に表示部ＤＵが形成された後、図２４Ａに示すように、第１保護層２１１に向かうように、第１レーザＬＢ１を照射する。具体的には、第１保護層２１１の面において、基板２０１に向かう面の反対面に向かうように第１レーザＬＢ１を照射する。第１レーザＬＢ１は、複数の種類のレーザを含んでもよい。選択し得る実施形態として、第１レーザＬＢ１は、第１保護層２１１に対する透過率が低い種類のレーザでもよい。第１保護層２１１に対する透過率が低い種類の第１レーザＬＢ１を、第１保護層２１１に照射する場合、第１レーザＬＢ１が、第１保護層２１１の厚み方向に対して垂直な方向（図２４ＡのＸ軸方向）に広がることを抑制することができる。
選択し得る実施形態として、図２４Ｂに図示するように、第１レーザＬＢ１を第１保護層２１１の一面に向かうように照射するとき、第１レーザＬＢ１の焦点Ｆが、第１保護層２１１の一面から離隔するように第１レーザの照射装置ＬＢＳを制御することができる。例えば、第１レーザの照射装置ＬＢＳの光学部材を制御することができる。
図２４Ｂに示すように、第１レーザＬＢ１の焦点Ｆは、第１保護層２１１の一面から離隔する。すなわち、第１レーザＬＢ１は、フォーカシングされたビーム（focused beam）ではなく、デフォーカシングビーム（defocused beam）でもよい。第１レーザＬＢ１の焦点Ｆが第１保護層２１１の一面から離隔することで、第１レーザＬＢ１を第１保護層２１１に照射するとき、第１保護層２１１の一面の広い面積を照射することができるため、第１保護層２１１が単位面積当たりに受けるエネルギーは低下する。
図２５に図示するように、第１レーザＬＢ１の照射によって、第１保護層２１１の一領域が除去された除去領域２１１ａが形成される。
除去領域２１１ａは、第１保護層２１１の厚みに対応する深さを有することができる。選択し得る実施形態として、除去領域２１１ａの深さは、第１保護層２１１の厚みの一部に対応する。
除去領域２１１ａは、１つ以上の幅を有することができる。選択し得る実施形態として、除去領域２１１ａは、基板２０１と隣接した領域の幅と、基板２０１から離れた領域の幅を有することができ、基板２０１と隣接した領域の幅が基板２０１から離れた領域の幅より狭い。
第１レーザＬＢ１を基板２０１に向けて照射するとき、基板２０１の上面の一領域は除去されない。また、選択し得る実施形態として、基板２０１の上面の極めて小さい表面領域が除去されてもよい。
前述の図２４Ｂで示したように、第１レーザＬＢ１の焦点Ｆが第１保護層２１１の一面から離隔するように、第１レーザＬＢ１を第１保護層２１１に照射すれば、第１保護層２１１の除去領域２１１ａの幅を広く形成することができる。第１保護層２１１が単位面積当たりに受けるエネルギーが低下するため、基板２０１に与える第１レーザＬＢ１の影響を低減したり防止したりすることができる。
除去領域２１１ａと表示部ＤＵは、互いに離隔する。選択し得る実施形態として、除去領域２１１ａが表示部ＤＵの少なくとも一領域に重畳してもよい。除去領域２１１ａを形成した後、図２６に図示するように、前記除去領域２１１ａに向けて除去領域２１１ａに対応するように第２レーザＬＢ２を照射する。第２レーザＬＢ２は、複数の種類のレーザを含んでもよい。例えば、第２レーザＬＢ２は、数フェムト秒〜数百フェムト秒のパルスを有するパルスレーザでもよい。
第２レーザＬＢ２が、数フェムト秒〜数百フェムト秒のパルスを有するパルスレーザである場合、第２レーザＬＢ２を基板２０１に照射するとき、基板２０１の熱損傷を軽減したり防止したりすることができる。
第２レーザＬＢ２を照射することで、図２７に図示するように、基板２０１に切断領域２０１ａを形成する。具体的には、第２レーザＬＢ２は、基板２０１の領域において、少なくとも除去領域２１１ａに重畳した領域を除去し、切断領域２０１ａを形成する。切断領域２０１ａは、表示部ＤＵから離隔する。
選択し得る実施形態として、切断領域２０１ａが表示部ＤＵの少なくとも一領域に重畳してもよい。
選択し得る実施形態として、切断領域２０１ａが表示部ＤＵの少なくとも一領域に重畳してもよい。
切断領域２０１ａが形成されることで、基板２０１は１つ以上の領域に切断される。また、最終的に、基板２０１及び表示部ＤＵを有する表示装置２００が完成する。切断領域２０１ａを基準に、表示装置２００と隣接した領域は、ダミー領域２００Ｄになる。選択し得る実施形態として、切断領域２０１ａを基準に表示装置２００と隣接した領域にダミー領域２００Ｄの代わりに他の１つの表示装置が配置されてもよい。
選択し得る実施形態として、図２８に図示するように、第１保護層２１１を除去することができる。図示していないが、選択し得る実施形態として、除去領域２１１ａの形成時、図１０及び図１１の過程を利用することもできる。
本実施形態の表示装置の製造方法は、基板２０１上に第１保護層２１１を形成した後、基板２０１の切断領域２０１ａを形成することを含む。基板２０１上に第１保護層２１１を形成した後、基板２０１の切断領域２０１ａを形成することで、基板２０１を容易に保護することができる。特に、基板２０１が、有機物のように熱に敏感な材質によって形成される場合、基板２０１を切断する工程で、基板２０１に発生しうる不要な熱損傷を軽減できる。また、選択し得る実施形態として、基板２０１上の第１保護層２１１の除去を容易にした状態で基板２０１を切断した後、第１保護層２１１を除去すれば、基板２０１の表面損傷を軽減できる。さらに、表示部ＤＵが、熱による損傷または影響を受けることを減少させたり遮断したりすることができる。
また、本実施形態においては、第１保護層２１１を基板２０１の一面に形成した後、第１保護層２１１に向かうように第１レーザＬＢ１を照射し、除去領域２１１ａを形成した後、第２レーザＬＢ２を除去領域２１１ａに向かうように照射することで、除去領域２１１ａに重畳した基板２０１の領域を除去し、切断領域２０１ａが形成される。本実施形態によって、基板２０１の損傷を最小にして、基板２０１を精密に切断することができる。
特に、選択し得る実施形態として、第１レーザＬＢ１を照射するとき、第１レーザＬＢ１の焦点Ｆが、第１保護層２１１から離隔するようにデフォーカシングすることで、除去領域２１１ａの幅を広くする。除去領域２１１ａの幅を広くすることで、除去領域２１１ａに対応するように第２レーザＬＢ２を除去領域２１１ａへ照射するとき、第２レーザＬＢ２が容易に除去領域２１１ａに重畳できる。
また、選択し得る実施形態として、除去領域２１１ａを形成するとき、予備第１レーザを照射することで、複数個の互いに離隔した予備除去領域を形成した後、少なくとも予備除去領域間の領域に対応するように中心第１レーザを照射し、予備除去領域及びその間の領域に対応する除去領域２１１ａを形成することができる。本実施形態によって、基板２０１に対する損傷を軽減したり防止したりしながら、大きな幅を有する除去領域２１１ａを容易に形成することができる。
仮に、第２レーザＬＢ２の照射方向がずれて第１保護層２１１に向かうことにより、第２レーザＬＢ２が除去領域２１１ａに重畳しない場合、基板２０１に切断領域２０１ａを形成することが容易ではなくなる。基板２０１に切断領域２０１ａを形成することが容易ではなくなるため、第２レーザＬＢ２のパワーを過度に高めざるを得ない。しかし、本実施形態においては、除去領域２１１ａの幅を容易に拡大できるため、第２レーザＬＢ２の照射時、第２レーザＬＢ２を除去領域２１１ａに重畳させる精度が向上し、切断領域２０１ａを容易に形成することができる。
また、第１レーザＬＢ１の焦点Ｆが第１保護層２１１から離隔するようにデフォーカシングすると第１保護層２１１が単位面積当たりに第１レーザＬＢ１から受けるエネルギーを低減させることができるので、第１保護層２１１及び基板２０１が受ける熱損傷を最小化したり防止したりすることができる。
図２９〜図３６は、本発明の他の実施形態に係わる表示装置の製造方法を図示した図面である。
まず、図２９に示すように、基板２０１の一面上に第１保護層２１１を形成する。具体的には、基板２０１の上面に第１保護層２１１を形成する。基板２０１及び第１保護層２１１を形成する材料は、前述の図２１の実施形態と同一であるので、具体的な説明は省略する。選択し得る実施形態として、図３０に図示するように、基板２０１と第１保護層２１１との間に第１接着層２１２をさらに含んでもよい。
図３０は、図２９のＫ１の拡大図を例示的に図示した図面である。
第１接着層２１２を介して、基板２０１の一面に第１保護層２１１が接着される。第１接着層２１２は、様々な接着物質を含んでもよい。選択し得る実施形態として、第１接着層２１２は、シリコン系物質を含む。第１接着層２１２がシリコン系物質を含むことで、基板２０１の一面に第１保護層２１１を接着させた後の工程において、第１接着層２１２を基板２０１から除去することができ、結果として、第１保護層２１１を基板２０１から引き離すことができる。
図３１は、図２９のＫ２の拡大図であり、図３２は、図３１の実施形態の一例を図示した図面である。
図３１に示すように、基板２０１上に表示部ＤＵが形成されている。表示部ＤＵは、可視光線を具現するように複数種が含まれてもよい。図示していないが、表示部ＤＵは、前述の図２３の構成を含んでもよい。
第１保護層２１１は、図２２に図示するように表示部ＤＵを覆うことができる。また、第１接着層２１２が、表示部ＤＵと第１保護層２１１の間に配置されてもよい。選択し得る実施形態として、第１保護層２１１は、表示部ＤＵを覆わなくてもよい。すなわち、第１保護層２１１は、基板２０１の全体面ではない一部領域であり切断する領域を含んだ一領域にのみ形成され、表示部ＤＵを覆わなくてもよい。
また、図３０に図示するように、第１保護層２１１の領域において、後続の工程において除去領域２１１ａが形成される領域に、表示部ＤＵが存在しないこともある。選択し得る実施形態として、表示部ＤＵは、第１保護層２１１の領域において、後続の工程において、除去領域２１１ａが形成される領域の少なくとも一領域に重畳するように形成されてもよい。
図３２に示すように、表示部ＤＵ上に封止部ＥＵが形成される。具体的には、封止部ＥＵは、表示部ＤＵと第１接着層２１２の間に配置される。封止部ＥＵは、表示部ＤＵ上に形成され、水分、外部のガスなどの侵透を遮断または減少させることができる。選択し得る実施形態として、封止部ＥＵは、表示部ＤＵを覆ってもよい。
封止部ＥＵは、様々な材質から形成される。例えば、封止部ＥＵは、有機物または無機物を含んでもよい。選択し得る実施形態として、封止部ＥＵは、１つ以上の有機層または１つ以上の無機層を含み、例えば、有機層と無機層とが１回以上相互に積層された構造を含んでもよい。
表示部ＤＵ上に封止部ＥＵが形成された後、図３３に示すように第１保護層２１１に向かうように第１レーザ（図示せず）を照射することで、第１保護層２１１の一領域が除去された除去領域２１１ａを形成する。除去領域２１１ａを形成する工程は、前述の図２４Ａまたは図２４Ｂの方法を利用することができる。また、選択し得る実施形態として、除去領域２１１ａの形成時、図１０及び図１１の過程を利用することができる。
除去領域２１１ａと表示部ＤＵは、互いに離隔する。選択し得る実施形態として、除去領域２１１ａが表示部ＤＵの少なくとも一領域に重畳してもよい。選択し得る実施形態として、前述の図３０に示したように、基板２０１と第１保護層２１１との間に第１接着層２１２を配置する場合、図３４に図示するように、第１接着層２１２にも除去領域２１２ａが形成される。
除去領域２１１ａが形成された後、図３５に図示するように、前記除去領域２１１ａに向けて除去領域２１１ａに対応するように第２レーザ（図示せず）を照射することで、基板２０１に切断領域２０１ａを形成する。具体的には、第２レーザは、基板２０１の領域において少なくとも除去領域２１１ａに重畳した領域を除去し、切断領域２０１ａを形成する。切断領域２０１ａは、表示部ＤＵから離隔する。選択し得る実施形態として、切断領域２０１ａが表示部ＤＵの少なくとも一領域に重畳してもよい。
切断領域２０１ａが形成されることで、基板２０１は１つ以上の領域に切断される。また、最終的に、基板２０１及び表示部ＤＵを有する表示装置２００が完成する。切断領域２０１ａを基準に、表示装置２００と隣接した領域は、ダミー領域２００Ｄになる。選択し得る実施形態として、切断領域２０１ａを基準に表示装置２００と隣接した領域にダミー領域２００Ｄの代わりに他の１つの表示装置が配置されてもよい。選択し得る実施形態として、図３６に図示するように、第１保護層２１１を除去することができる。
本実施形態の表示装置の製造方法は、基板２０１上に第１保護層２１１を形成した後、基板２０１の切断領域２０１ａを形成することを含む。基板２０１上に第１保護層２１１を形成した後、基板２０１の切断領域２０１ａを形成することで、基板２０１を容易に保護することができる。特に、基板２０１が、有機物のように熱に敏感な材質によって形成される場合、切断する工程で、基板２０１に発生しうる不要な熱損傷を軽減できる。
また、選択し得る実施形態として、基板２０１上の第１保護層２１１の除去が容易なように第１接着層２１２を利用して基板２０１の一面に第１保護層２１１を接着させた状態で基板２０１を切断した後、第１保護層２１１を除去すれば、基板２０１の表面損傷を軽減できる。さらに、表示部ＤＵが、熱による損傷または影響を受けることを減少させたり遮断したりすることができる。また、第１保護層２１１が表示部ＤＵを覆うか、あるいは表示部ＤＵを覆う封止部ＥＵを覆うことによって、基板２０１を切断する時、表示部ＤＵの損傷を軽減したり遮断したりすることができる。
また、本実施形態においては、第１保護層２１１を基板２０１の一面に形成した後、第１保護層２１１に向かうように第１レーザを照射し、除去領域２１１ａを形成した後、第２レーザを除去領域２１１ａに向かうように照射することで、除去領域２１１ａに重畳した基板２０１の領域を除去し、切断領域２０１ａが形成される。本実施形態によって、基板２０１の損傷を最小にして、基板２０１を精密に切断することができる。
図３７〜図４３は、本発明のさらに他の実施形態に係わる表示装置の製造方法を図示した図面である。
まず、図３７に示すように、基板２０１の一面上に第１保護層２１１を形成する。具体的には、基板２０１の上面に第１保護層２１１を形成する。基板２０１及び第１保護層２１１を形成する材料は、前述の図２１の実施形態と同一であるので、具体的な説明は省略する。
基板２０１の面において、第１保護層２１１に向かう面の反対面に第２保護層２２１を形成する。第２保護層２２１は、基板２０１の一面を保護することができる。第２保護層２２１は、様々な材質から形成される。例えば、第２保護層２２１は、絶縁物から形成されることができる。
選択し得る実施形態として、第２保護層２２１は、フィルム状の形態を有し基板２０１に付着することができる。例えば、第２保護層２２１は、有機物を含むフィルムでもよく、具体的な例として、第２保護層２２１は、ＰＥＴフィルムでもよい。
選択し得る実施形態として、第２保護層２２１は、フィルム状の形態を有し基板２０１に付着することができる。例えば、第２保護層２２１は、有機物を含むフィルムでもよく、具体的な例として、第２保護層２２１は、ＰＥＴフィルムでもよい。
選択し得る実施形態として、図３８に図示するように、基板２０１と第２保護層２２１との間に、第２接着層２２２をさらに含んでもよい。図３８は、図３７のＫ１の拡大図を例示的に図示した図面である。第２接着層２２２を介して、基板２０１の一面に第２保護層２２１が接着される。
第２接着層２２２は、様々な接着物質を含んでもよい。選択し得る実施形態として、第２接着層２２２は、アクリル系物質を含む。第２接着層２２２がアクリル系物質を含むことで、基板２０１の一面に第２保護層２２１を接着させた後の工程において、第２保護層２２１が基板２０１から容易に分離せず、基板１０１を保護することができる。
図示していないが、選択し得る実施形態として、前述の図３０で説明したように、基板２０１と第１保護層２１１の間に第１接着層２１２をさらに含んでもよい。また、選択し得る実施形態として、第１接着層２１２は、第１保護層２１１と表示部ＤＵの間に配置されてもよい。また、他の例として、第１接着層２１２は、第１保護層２１１と封止部ＥＵの間に配置されてもよい。
図３９は、図３７のＫ２の拡大図である。
図３９に示すように、基板２０１上に表示部ＤＵが形成されている。表示部ＤＵは、可視光線を具現するように複数種が含まれてもよい。図示していないが、表示部ＤＵは、前述の図２３の構成を含んでもよい。
図３９に示すように、基板２０１上に表示部ＤＵが形成されている。表示部ＤＵは、可視光線を具現するように複数種が含まれてもよい。図示していないが、表示部ＤＵは、前述の図２３の構成を含んでもよい。
第１保護層２１１は、図２２に図示するように、表示部ＤＵを覆うことができる。また、選択し得る実施形態として、第１接着層（図示せず）が、表示部ＤＵと第１保護層２１１の間に配置されてもよい。選択し得る実施形態として、第１保護層２１１は、表示部ＤＵを覆わなくてもよい。すなわち、第１保護層２１１は、基板２０１の全体面ではない一部領域であり、切断する領域を含んだ一領域にのみ形成され、表示部ＤＵを覆わなくてもよい。
また、第１保護層２１１の領域において、後続の工程において、除去領域２１１ａが形成される領域に、表示部ＤＵが存在しないこともある。選択し得る実施形態として、表示部ＤＵは、第１保護層２１１の領域において、後続の工程において、除去領域２１１ａが形成される領域の少なくとも一領域に重畳するように形成されてもよい。図示していないが、図３２のように、表示部ＤＵ上に封止部（図示せず）がさらに含まれてもよい。
基板２０１上に表示部ＤＵが形成された後、図４０に示すように、第１保護層２１１に向かうように、第１レーザ（図示せず）を照射することで、第１保護層２１１の一領域が除去された除去領域２１１ａを形成する。除去領域２１１ａを形成する工程は、前述の図２４Ａまたは図２４Ｂの方法を利用することができる。また、選択し得る実施形態として、除去領域２１１ａの形成時、図１０及び図１１の過程を利用することができる。
除去領域２１１ａと表示部ＤＵは、互いに離隔する。選択し得る実施形態として、除去領域２１１ａが、表示部ＤＵの少なくとも一領域に重畳してもよい。除去領域２１１ａが形成された後、図４１に図示するように、前記除去領域２１１ａに向けて除去領域２１１ａに対応するように第２レーザ（図示せず）を照射することで、基板２０１に切断領域２０１ａを形成する。具体的には、第２レーザは、基板２０１の領域において少なくとも除去領域２１１ａに重畳した領域を除去し、切断領域２０１ａを形成する。切断領域２０１ａは、表示部ＤＵから離隔する。選択し得る実施形態として、切断領域２０１ａが、表示部ＤＵの少なくとも一領域に重畳してもよい。
また、第２保護層２２１の領域において、基板２０１の切断領域２０１ａに重畳する領域に切断領域２２１ａが形成される。選択し得る実施形態として、前述の図３８に示したように、基板２０１と第２保護層２２１との間に第２接着層２２２を配置する場合、図４２に図示するように第２接着層２２２にも切断領域が形成される。
切断領域２０１ａが形成されることで、基板２０１は１つ以上の領域に切断される。また、最終的に、基板２０１及び表示部ＤＵを有する表示装置２００が完成する。切断領域２０１ａを基準に、表示装置２００と隣接した領域は、ダミー領域２００Ｄになる。選択し得る実施形態として、切断領域２０１ａを基準に表示装置２００と隣接した領域にダミー領域２００Ｄの代わりに他の１つの表示装置が配置されてもよい。選択し得る実施形態として、図４３に図示するように、第１保護層２１１を除去することができる。
本実施形態の表示装置の製造方法は、基板２０１上に第１保護層２１１を形成した後、基板２０１の切断領域２０１ａを形成することを含む。基板２０１上に第１保護層２１１を形成した後、基板２０１の切断領域２０１ａを形成することで、基板２０１を容易に保護することができる。特に、基板２０１が、有機物のように熱に敏感な材質によって形成される場合、基板２０１を切断する工程で、基板２０１に発生しうる不要な熱損傷を軽減できる。
また、選択し得る実施形態として、基板２０１上の第１保護層２１１の除去が容易なように第１接着層２１２を利用して基板２０１の一面に第１保護層２１１を接着させた状態で基板２０１を切断した後、第１保護層２１１を除去すれば、基板２０１の表面損傷を軽減できる。さらに、表示部ＤＵが、熱による損傷または影響を受けることを減少させたり遮断したりすることができる。また、第１保護層２１１が表示部ＤＵを覆うか、あるいは表示部ＤＵを覆う封止部ＥＵを覆うことによって、基板２０１を切断する時、表示部ＤＵの損傷を軽減したり遮断したりすることができる。
また、本実施形態では、基板２０１の面において、第１保護層２１１に向かう面の反対面に第２保護層２２１を形成することで、基板２０１が効果的に保護され得る。特に、基板２０１が、プラスチックのような柔軟な材質である場合、基板２０１を切断する工程で、基板２０１に加えられる衝撃及び熱などを緩和することで、基板２０１の損傷を軽減したり防止したりすることができる。
また、本実施形態においては、第１保護層２１１を基板２０１の一面に形成した後、第１保護層２１１に向かうように第１レーザを照射し、除去領域２１１ａを形成した後、第２レーザを除去領域２１１ａに向かうように照射することで、除去領域２１１ａに重畳した基板２０１の領域を除去し、切断領域２０１ａが形成される。本実施形態によって、基板２０１の損傷を最小にして、基板２０１を精密に切断することができる。
図４４及び図４５は、本発明の一実施形態に係わる表示装置の製造方法において、形成する表示装置の配置を説明するための平面図である。
すなわち、図４４及び図４５は、図２１〜図２８の実施形態、図２９〜図３６の実施形態及び図３７〜図４３の実施形態のうち少なくともいずれか一つに対応する実施形態の過程について説明したものでもある。図４４及び図４５は、いずれもマザー基板を切断する工程を進め、切断領域２０１ａを形成し、切断領域２０１ａを介して、４個の表示装置２００を完成することができる工程を含む。
図４４及び図４５に示したものは一例であり、切断領域２０１ａは様々な形態を有し、切断領域２０１ａによって形成される表示装置２００の形態及び大きさも様々である。
図４４に示すように、切断領域２０１ａを基準に表示装置２００及び表示装置２００と隣接したダミー領域２００Ｄが存在する。すなわち、切断領域２０１ａの一側は表示装置２００に対応し、他の一側はダミー領域２００Ｄに対応する。選択し得る実施形態として、図４４に図示するように、表示装置２００とダミー領域２００Ｄとの間に表示装置２００とダミー領域２００Ｄとを区切るように切断領域２０１ａが形成される。
他の例として、図４５に示すように、切断領域２０１ａを基準に表示装置２００及び表示装置２００と隣接した少なくとも１つの他の表示装置２００が配置される。すなわち、切断領域２０１ａの一側は１つの表示装置２００に対応し、他の一側は表示装置２００と隣接した他の表示装置２００に対応する。選択し得る実施形態として、図４５に図示するように表示装置２００及び表示装置２００と隣接した他の表示装置２００を区切るように切断領域２０１ａが形成される。
以上、本発明は、図面に図示された一実施形態を参照して説明したが、説明したものは例示的なものに過ぎない。本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須的な特徴を変えることなく、他の具体的な形態に利用できることを理解できる。従って、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲に示された技術的思想によって定められるものである。
本発明の基板切断方法及び表示装置の製造方法は、例えば、ディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
１０１，２０１ 基板
１０１ａ，１２１ａ，２０１ａ，２２１ａ 切断領域
１１１，２１１ 第１保護層
１１１ａ，１１２ａ，２１１ａ，２１２ａ 除去領域
１１１ｂ 予備除去領域
１１２，２１２ 第１接着層
１２１，２２１ 第２保護層
１２２，２２２ 第２接着層
２００ 表示装置
２００Ｄ ダミー領域
Ｆ 焦点
ＤＵ 表示部
ＥＵ 封止部
ＦＥ 第１電極
ＩＭ 中間層
ＳＥ 第２電極
ＬＢ１ 第１レーザ
ＬＢ２ 第２レーザ
ＬＢＳ 第１レーザ照射装置
１０１ａ，１２１ａ，２０１ａ，２２１ａ 切断領域
１１１，２１１ 第１保護層
１１１ａ，１１２ａ，２１１ａ，２１２ａ 除去領域
１１１ｂ 予備除去領域
１１２，２１２ 第１接着層
１２１，２２１ 第２保護層
１２２，２２２ 第２接着層
２００ 表示装置
２００Ｄ ダミー領域
Ｆ 焦点
ＤＵ 表示部
ＥＵ 封止部
ＦＥ 第１電極
ＩＭ 中間層
ＳＥ 第２電極
ＬＢ１ 第１レーザ
ＬＢ２ 第２レーザ
ＬＢＳ 第１レーザ照射装置
Claims (28)
- 基板の第１面上に第１保護層を形成する段階と、
前記第１保護層に向かうように第１レーザを照射することで、前記第１保護層の一領域が除去された除去領域を形成する段階と、
少なくとも前記除去領域に向け前記除去領域に対応するように第２レーザを照射することで、前記基板の一領域を除去して切断領域を形成する段階と、を含む基板切断方法。 - 前記第１保護層と前記基板の間に、第１接着層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板切断方法。
- 前記切断領域を形成する段階を進めた後、前記第１保護層を前記基板から除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板切断方法。
- 前記第１レーザを前記第１保護層に向かうように照射するとき、前記第１レーザの焦点が前記第１保護層の上面から離隔するように前記第１レーザを制御する段階を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の基板切断方法。
- 前記第２レーザは、パルスレーザであり、数フェムト秒〜数百フェムト秒のパルス幅を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の基板切断方法。
- 前記除去領域を形成する段階は、前記第１保護層に前記第１レーザを照射することで、前記第１保護層に複数個の互いに離隔した予備除去領域を形成する段階、
並びに前記互いに離隔した予備除去領域間の領域に対応するように前記第１レーザを照射することで、前記複数個の互いに離隔した予備除去領域及び前記互いに離隔した予備除去領域間の領域を含む除去領域を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の基板切断方法。 - 前記基板の前記第１面の反対面に形成される第２保護層をさらに含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の基板切断方法。
- 前記第２保護層と前記基板との間に、第２接着層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の基板切断方法。
- 前記第２レーザを照射することで、前記第２保護層の一領域を除去して切断領域を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７又は８に記載の基板切断方法。
- 前記第２保護層は、前記第１保護層より薄いことを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記載の基板切断方法。
- 基板上に可視光線を具現する表示部が形成された表示装置を製造する方法に係り、基板の第１面上に第１保護層を形成する段階と、
前記第１保護層に向かうように第１レーザを照射することで、前記第１保護層の一領域が除去された除去領域を形成する段階と、
少なくとも前記除去領域に向け前記除去領域に対応するように第２レーザを照射することで、前記基板の一領域を除去して切断領域を形成する段階と、を含む表示装置の製造方法。 - 前記基板の第１面に前記表示部を形成する段階をさらに含み、
前記表示部を形成する段階は、前記基板上の前記切断領域から離隔するように形成することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置の製造方法。 - 前記基板の第１面に前記表示部を形成する段階をさらに含み、
前記表示部を形成する段階は、前記基板上の前記切断領域に重畳するように形成することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置の製造方法。 - 前記第１保護層は、前記表示部を覆うように形成されることを特徴とする請求項１１から１３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第１保護層は、前記表示部を覆わず、前記表示部に重畳しないように形成されることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の表示装置の製造方法。
- 前記表示部上に形成される封止部をさらに含み、前記封止部は、前記表示部と前記第１保護層の間に配置されることを特徴とする請求項１１から１４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第１保護層と前記基板との間に、第１接着層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１１から１６のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
- 第１接着層を形成する段階をさらに含み、前記第１接着層は、前記第１保護層と前記表示部の間に配置されることを特徴とする請求項１１から１４及び１６のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記切断領域を形成する段階を進めた後、前記第１保護層を前記基板から除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１１から１８のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第１レーザを前記第１保護層に向かうように照射するとき、前記第１レーザの焦点が前記第１保護層の上面から離隔するように前記第１レーザを制御する段階を含むことを特徴とする請求項１１から１９のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第２レーザは、パルスレーザであり、数フェムト秒〜数百フェムト秒のパルス幅を有することを特徴とする請求項１１から２０のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記除去領域を形成する段階は、前記第１保護層に前記第１レーザを照射することで、前記第１保護層に複数個の互いに離隔した予備除去領域を形成する段階、
並びに前記互いに離隔した予備除去領域間の領域に対応するように前記第１レーザを照射することで、複数個の前記互いに離隔した予備除去領域及び前記互いに離隔した予備除去領域間の領域を含む除去領域を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１１から２１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。 - 前記基板の前記第１面の反対面に形成される第２保護層をさらに含むことを特徴とする請求項１１から２２のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第２保護層と前記基板との間に、第２接着層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２３に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第２レーザを照射することで、前記第２保護層の一領域を除去して切断領域を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２３又は２４に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第２保護層は、前記第１保護層より薄いことを特徴とする請求項２３から２５のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記切断領域を基準に、表示装置及び前記表示装置と隣接したダミー領域が形成され、前記表示装置と前記ダミー領域との間に前記切断領域が配置されることを特徴とする請求項１１から２６のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
- 前記切断領域を基準に、表示装置及び前記表示装置と隣接した他の表示装置が形成され、前記表示装置及び前記他の表示装置の間に前記切断領域が配置されることを特徴とする請求項１１から２６のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
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