JP2016182554A - 濾過材料、濾過フィルター、濾過方法、フェニルイミン化合物の製造方法、アルコキシフェニルイミン化合物の製造方法、化合物 - Google Patents

濾過材料、濾過フィルター、濾過方法、フェニルイミン化合物の製造方法、アルコキシフェニルイミン化合物の製造方法、化合物 Download PDF

Info

Publication number
JP2016182554A
JP2016182554A JP2015064068A JP2015064068A JP2016182554A JP 2016182554 A JP2016182554 A JP 2016182554A JP 2015064068 A JP2015064068 A JP 2015064068A JP 2015064068 A JP2015064068 A JP 2015064068A JP 2016182554 A JP2016182554 A JP 2016182554A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
compound
filtration
integer
phenylimine
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015064068A
Other languages
English (en)
Inventor
勲 平野
Isao Hirano
勲 平野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP2015064068A priority Critical patent/JP2016182554A/ja
Priority to TW105108667A priority patent/TW201704273A/zh
Priority to US15/078,887 priority patent/US20160280638A1/en
Priority to KR1020160034684A priority patent/KR20160115778A/ko
Publication of JP2016182554A publication Critical patent/JP2016182554A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C251/00—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton
    • C07C251/02—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups
    • C07C251/24—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D39/00—Filtering material for liquid or gaseous fluids
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D39/00—Filtering material for liquid or gaseous fluids
    • B01D39/14—Other self-supporting filtering material ; Other filtering material
    • B01D39/16—Other self-supporting filtering material ; Other filtering material of organic material, e.g. synthetic fibres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C249/00—Preparation of compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton
    • C07C249/02—Preparation of compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton of compounds containing imino groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C251/00—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton
    • C07C251/02—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups
    • C07C251/04—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms
    • C07C251/10—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms to carbon atoms of an unsaturated carbon skeleton
    • C07C251/16—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms to carbon atoms of an unsaturated carbon skeleton containing six-membered aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C251/00—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton
    • C07C251/32—Oximes
    • C07C251/34—Oximes with oxygen atoms of oxyimino groups bound to hydrogen atoms or to carbon atoms of unsubstituted hydrocarbon radicals
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/016—Diazonium salts or compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2239/00—Aspects relating to filtering material for liquid or gaseous fluids
    • B01D2239/10—Filtering material manufacturing

Abstract

【課題】不純物特に金属イオンを除去可能な濾過材料、濾過フィルター及び濾過材料の原料となる（アルコキシ）フェニルイミン化合物の製造方法並びに化合物の提供。
【解決手段】式（１−０）で表されるフェニルイミン化合物又はその誘導体を重合して得られた高分子化合物を用いる濾過材料。芳香環とカルボニル基とを有し、芳香環が水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基及びリン酸基の、少なくとも１つを有する化合物と、１以上のアミノ基を有する炭化水素化合物とを反応させ、式（１−０）で表される化合物を得るフェニルイミン化合物の製造方法；フェニルイミン化合物と、アルキル化剤とを反応させるアルコキシフェニルイミン化合物の製造方法。
Figure 2016182554

［Ｒ１は重合性基含有炭化水素基；Ｒ２は炭化水素基；Ｒ３は水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基又はリン酸基；ｎ１は１〜５］
【選択図】なし

Description

本発明は、濾過材料、濾過フィルター、濾過方法、フェニルイミン化合物の製造方法、アルコキシフェニルイミン化合物の製造方法、及び化合物に関する。
半導体素子や液晶表示素子の製造において、基板上に微細なパターンを形成し、これをマスクとしてエッチングを行うことにより該パターンの下層を加工するパターン形成方法が用いられる。微細なパターンの形成には、レジスト組成物を用いたリソグラフィー法が広く採用されている。
リソグラフィー法では、基板等の支持体の上に、樹脂等の基材成分を含むレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し、光、電子線等の放射線にて選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、前記レジスト膜に所定形状のパターンを形成する工程が行われる。
近年の半導体デバイス等の小型化に伴い、リソグラフィー法によって形成されるパターンの微細化が急速に進んでいる。パターンの微細化によって、従来では問題とならなかった微小な欠陥もリソグラフィー特性に悪影響を及ぼすようになってきており、製造工程における歩留り低下の原因にもなっている。
微小欠陥の一因は、レジスト組成物や、パターン形成に用いる溶剤の中に存在する金属イオン（例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎａ、Ｋ等）にあることが知られており、１００ｐｐｂ未満の金属イオンが存在するのみで、リソグラフィー特性に悪影響を及ぼすことも確認されている。
上記のような問題を解決するため、レジスト組成物を濾過、精製し、金属イオン等の不純物を除去する試みがなされている。
例えば特許文献１〜２では、官能化シリカゲルを用いたフィルターシート等によりレジスト組成物を濾過する方法が記載されている。
特許文献３には、特定の繊維径、及び特定の密度を有するポリオレフィン系の不織布を濾過部材に用いた不純物濾過装置を用いた不純物除去方法が記載されている。
特開２００６−１３６８８３号公報 特開２００３−２３８９５８号公報 特開２０１３−６１４２６号公報
しかしながら、さらなる微細化が進む中、金属イオン等の不純物を捕集、除去可能な新たな濾過材料が求められている。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、金属イオン等の不純物を好適に除去可能な濾過材料、該濾過材料を用いた濾過フィルター、該濾過フィルターを用いた濾過方法、該濾過材料の原料となるフェニルイミン化合物の製造方法、該フェニルイミン化合物を用いたアルコキシフェニルイミン化合物の製造方法、及び、該濾過材料の原料となる化合物を提供することを課題とする。
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第一の態様は、下記一般式（１−０）で表される化合物（１−０）又はその誘導体を重合して得られた高分子化合物を用いることを特徴とする濾過材料である。
Figure 2016182554
 ［式中、Ｒ１は置換基を有していてもよい重合性基含有炭化水素基であり、
Ｒ２は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、
Ｒ３は水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基であり、
ｎ１は１〜５の整数である。］
本発明の第二の態様は、前記第一の態様の濾過材料を用いたことを特徴とする濾過フィルターである。
本発明の第三の態様は、前記第二の態様の濾過フィルターに、レジスト組成物又は溶剤を通液し、該レジスト組成物又は溶剤中の不純物質を除去することを特徴とする濾過方法である。
本発明の第四の態様は、芳香環とカルボニル基とを有し、当該芳香環が、水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基及びリン酸基からなる群から選ばれる少なくとも１つの基を有する化合物（Ｋ）と、少なくとも１つのアミノ基を有する炭化水素化合物（Ａ）と、を反応させて、下記一般式（１−０）で表されるフェニルイミン化合物を得ることを特徴とする、フェニルイミン化合物の製造方法である。
Figure 2016182554
 ［式中、Ｒ１は置換基を有していてもよい重合性基含有炭化水素基であり、
Ｒ２は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、
Ｒ３は水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基であり、
ｎ１は１〜５の整数である。］
本発明の第五の態様は、前記第四の態様の製造方法によって得られたフェニルイミン化合物と、アルキル化剤とを反応させることを特徴とする、アルコキシフェニルイミン化合物の製造方法である。
本発明の第六の態様は、下記一般式（１−１）で表される化合物である。
Figure 2016182554
 ［式中、Ｒ１、Ｒ２は前記同様であり、
Ｒ３１は水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基であり、
ｎ１１は０〜４の整数である。］
本発明の濾過材料、濾過フィルター、濾過方法、フェニルイミン化合物の製造方法、アルコキシフェニルイミン化合物の製造方法、及び化合物によれば、金属イオン等の不純物を好適に除去することができる。
本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、芳香族性を持たない化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」又は「フッ素化アルキレン基」は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「置換基を有していてもよい」と記載する場合、水素原子（−Ｈ）を１価の基で置換する場合と、メチレン基（−ＣＨ２−）を２価の基で置換する場合との両方を含む。
≪濾過材料≫
本発明の第一の態様の濾過材料は、下記一般式（１−０）で表される化合物（１−０）又はその誘導体を重合して得られた高分子化合物を用いるものである。
本発明の濾過材料は、化合物や組成物の濾過に用いることができるものであって、特に、金属イオンを不純物として含有し得る化合物や組成物の濾過に用いることが好ましく、厳密な不純物除去が求められるレジスト組成物や、パターン形成等に用いる溶剤の濾過に特に好適に用いることができる。
Figure 2016182554
 ［式中、Ｒ１は置換基を有していてもよい重合性基含有炭化水素基であり、
Ｒ２は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、
Ｒ３は水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基であり、
ｎ１は１〜５の整数である。］
（化合物（１−０））
式（１−０）において、Ｒ１は置換基を有していてもよい重合性基含有炭化水素基である。「重合性基」とは、該重合性基を有する化合物がラジカル重合等により重合することを可能とする基であり、たとえばエチレン性二重結合などの炭素原子間の多重結合を含む基をいう。
重合性基としては、例えば、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、フルオロビニル基、ジフルオロビニル基、トリフルオロビニル基、ジフルオロトリフルオロメチルビニル基、トリフルオロアリル基、パーフルオロアリル基、トリフルオロメチルアクリロイル基、ノニルフルオロブチルアクリロイル基、ビニルエーテル基、含フッ素ビニルエーテル基、アリルエーテル基、含フッ素アリルエーテル基、スチリル基、ビニルナフチル基、含フッ素スチリル基、含フッ素ビニルナフチル基、ノルボルニル基、含フッ素ノルボルニル基、シリル基等が挙げられる。
Ｒ１における重合性基含有炭化水素基は、重合性基のみから構成される基であってもよく、重合性基と、重合性基以外の炭化水素基とから構成される基であってもよい。ここで炭化水素基は、置換基を有していてもよい。
Ｒ１の置換基を有していてもよい重合性基含有炭化水素基としては、「Ｒ１１−Ｒ１２−」（式中、Ｒ１１は、エチレン性二重結合を含む、置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Ｒ１２は、ヘテロ原子を含む２価の連結基または単結合である。Ｒ１２が式（１−０）中のＮ原子と結合する。）で表される基が好ましい。
・Ｒ１１
Ｒ１１における炭化水素基は、エチレン性二重結合を含むものであれば特に限定されず、鎖状の炭化水素基でもよく、構造中に環を含む炭化水素基でもよい。
Ｒ１１における鎖状の炭化水素基としては、鎖状のアルケニル基が好ましい。鎖状のアルケニル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよく、炭素数が２〜１０であることが好ましく、２〜５がより好ましく、２〜４がさらに好ましく、２または３が特に好ましい。
直鎖状のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基（アリル基）、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状のアルケニル基としては、例えば、１−メチルプロペニル基、２−メチルプロペニル基などが挙げられる。これらの中でも、ビニル基またはプロペニル基が好ましい。
Ｒ１１における構造中に環を含む炭化水素基としては、例えば、環骨格にエチレン性二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素環式基；該不飽和脂肪族炭化水素環式基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基；鎖状のアルケニル基が環状の炭化水素基の末端に結合した基などが挙げられる。
「不飽和脂肪族炭化水素環式基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基」において、不飽和脂肪族炭化水素環式基が結合する直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、飽和でも不飽和でもよく、通常は飽和であることが好ましい。
前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４がさらに好ましく、１〜３が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基［−ＣＨ２−］、エチレン基［−（ＣＨ２）２−］、トリメチレン基［−（ＣＨ２）３−］、テトラメチレン基［−（ＣＨ２）４−］、ペンタメチレン基［−（ＣＨ２）５−］等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＨ３）（ＣＨ２ＣＨ３）−、−Ｃ（ＣＨ３）（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）−、−Ｃ（ＣＨ２ＣＨ３）２−等のアルキルメチレン基；−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２−、−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ（ＣＨ３）−、−Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ２−、−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ２ＣＨ３）２−ＣＨ２−等のアルキルエチレン基；−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２−等のアルキルトリメチレン基；−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数１〜５の直鎖状のアルキル基が好ましい。
「鎖状のアルケニル基が環状の炭化水素基の末端に結合した基」において、鎖状のアルケニル基としては前記と同様のものが挙げられる。
鎖状のアルケニル基が結合する環状の炭化水素基は、環状の脂肪族炭化水素基（脂肪族環式基）でもよく、環状の芳香族炭化水素基（芳香族環式基）でもよい。
環状の脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
前記脂肪族環式基は、炭素数が３〜２０であることが好ましく、３〜１２であることがより好ましい。
前記脂肪族環式基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂肪族環式基としては、モノシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数３〜６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂肪族環式基としては、ポリシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数７〜１２のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
芳香族環式基は、芳香環から水素原子を１つ除いた基である。
芳香族環式基は、炭素数が３〜３０であることが好ましく、５〜３０であることがより好ましく、５〜２０がさらに好ましく、６〜１５が特に好ましく、６〜１０が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環；等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
・Ｒ１２
Ｒ１２のヘテロ原子を含む２価の連結基におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が挙げられる。
Ｒ１２がヘテロ原子を含む２価の連結基である場合、該連結基として好ましいものとしては、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−；−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝ＮＨ）−（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）；−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）２−、−Ｓ（＝Ｏ）２−Ｏ−、一般式−Ｙ２１−Ｏ−Ｙ２２−、−Ｙ２１−Ｏ−、−Ｙ２１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｙ２１、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−Ｙ２１、−［Ｙ２１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］ｍ”−Ｙ２２−または−Ｙ２１−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｙ２２−で表される基［式中、Ｙ２１およびＹ２２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい２価の炭化水素基であり、Ｏは酸素原子であり、ｍ”は０〜３の整数である。］等が挙げられる。
前記へテロ原子を含む２価の連結基が−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−Ｙ２１の場合、そのＨはアルキル基、アシル等の置換基で置換されていてもよい。該置換基（アルキル基、アシル基等）は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜８であることがさらに好ましく、１〜５であることが特に好ましい。
式−Ｙ２１−Ｏ−Ｙ２２−、−Ｙ２１−Ｏ−、−Ｙ２１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｙ２１−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−Ｙ２１、−［Ｙ２１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］ｍ”−Ｙ２２−または−Ｙ２１−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｙ２２−中、Ｙ２１およびＹ２２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基である。
Ｙ２１としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数１〜５の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、炭素数１〜３の直鎖状のアルキレン基が特に好ましい。
Ｙ２２としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数１〜５の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数１〜３の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基が最も好ましい。
式−［Ｙ２１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］ｍ”−Ｙ２２−で表される基において、ｍ”は０〜３の整数であり、０〜２の整数であることが好ましく、０または１がより好ましく、１が特に好ましい。つまり、式−［Ｙ２１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ］ｍ”−Ｙ２２−で表される基としては、式−Ｙ２１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｙ２２−で表される基が特に好ましい。なかでも、式−（ＣＨ２）ａ’−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ２）ｂ’−で表される基が好ましい。該式中、ａ’は、１〜１０の整数であり、１〜８の整数が好ましく、１〜５の整数がより好ましく、１または２がさらに好ましく、１が最も好ましい。ｂ’は、１〜１０の整数であり、１〜８の整数が好ましく、１〜５の整数がより好ましく、１または２がさらに好ましく、１が最も好ましい。
なかでも、Ｒ１としては、「Ｒ１１−Ｒ１２−」（Ｒ１１、Ｒ１２は前記同様である）で表される基が好ましく；鎖状のアルケニル基のみからなる基、鎖状のアルケニル基が環状の炭化水素基の末端に結合した基、又は、鎖状のアルケニル基とヘテロ原子を含む２価の連結基（特に好ましくは、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−を含む基）との組み合わせがより好ましい。
式（１−０）において、Ｒ２は置換基を有していてもよい炭化水素基である。
Ｒ２の炭化水素基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、環状の炭化水素基が挙げられる。
該直鎖状のアルキル基は、炭素数が１〜５であることが好ましく、１〜４がより好ましく、１または２がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはｎ−ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
該分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が３〜１０であることが好ましく、３〜５がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，１−ジエチルプロピル基、２，２−ジメチルブチル基等が挙げられ、イソプロピル基であることが好ましい。
直鎖状または分岐鎖状のアルキル基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１〜５のフッ素化アルキル基、水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、リン酸基等が挙げられる。
Ｒ２が環状の炭化水素基となる場合、該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でも芳香族炭化水素基でもよく、また、多環式基でも単環式基でもよい。
単環式基である脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素数３〜６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
多環式基である脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素数７〜１２のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
Ｒ２の環状の炭化水素基が芳香族炭化水素基となる場合、該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。
この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は５〜３０であることが好ましく、５〜２０がより好ましく、６〜１５がさらに好ましく、６〜１２が特に好ましい。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
Ｒ２における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（たとえば、ベンジル基、フェネチル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基、２−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素数は、１〜４であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。
Ｒ２の環状の炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、リン酸基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
なかでも、Ｒ２としては、置換基を有していてもよい炭素数１〜５の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基が好ましく；置換基を有していてもよい炭素数１〜３の直鎖状のアルキル基、又は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基がより好ましく；メチル基、エチル基、又は置換基を有していてもよいフェニル基がさらに好ましく；置換基を有していてもよいフェニル基が特に好ましい。
フェニル基の置換基としては、水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、リン酸基が好ましく、水酸基が特に好ましい。フェニル基は置換基を複数有していてもよく、該複数の置換基はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
すなわち、式（１−０）で表される化合物（１−０）としては、下記式（１−２）で表される化合物が好ましい。
Figure 2016182554
 ［式中、Ｒ１、Ｒ３、ｎ１はいずれも前記同様であって、式中の複数のＲ３はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、
ｎ２は０〜５の整数である。］
式（１−２）において、Ｒ３、ｎ１は後述するＲ３、ｎ１と同様である。
ｎ２は、０〜５の整数であって、０〜２がより好ましく、０又は１がさらに好ましい。
前記式（１−０）において、Ｒ３は水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基である。Ｒ３の１以上は水酸基であることが好ましい。
また、少なくとも１つのＲ３の結合位置は、イミノ基に対してパラ位であることが好ましい。
ｎ１は１〜５の整数であって、１〜３が好ましく、１又は２が特に好ましい。
すなわち、式（１−０）で表される化合物（１−０）としては、下記式（１−１）で表される化合物や、下記式（１−３）で表される化合物も好ましい。
Figure 2016182554
式（１−１）、（１−３）中、Ｒ１は前記同様である。
式（１−１）中、Ｒ２は前記同様である。
式（１−１）、（１−３）中、Ｒ３１は水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基であって、水酸基であることが好ましい。複数のＲ３１はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
式（１−１）、（１−３）中、ｎ１１は０〜４の整数であって、０〜２の整数が好ましく、０又は１がより好ましい。
式（１−３）中、ｎ２は０〜５の整数であって、０又は１が好ましい。
以下に、化合物（１−０）の具体例を示す。
Figure 2016182554
Figure 2016182554
本態様において、「化合物（１−０）の誘導体」とは、化合物（１−０）の有する水素原子の一部又は全部が、水素原子以外の置換基で置換された化合物ををいう。
水素原子以外の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基が挙げられ、これらはいずれも、Ｒ２の環状の炭化水素基の置換基として挙げたアルキル基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基と同様である。なかでも、化合物（１−０）中の水素原子が、アルキル基で置換された誘導体を用いることが好ましく、化合物（１−０）中のＲ３の水素原子がアルキル基で置換された誘導体を用いることがより好ましい。
（化合物（１−０）又はその誘導体の重合）
本発明の第一の態様の濾過材料は、化合物（１−０）又はその誘導体を重合して得られた高分子化合物を用いる。化合物（１−０）又はその誘導体は、その構造中のＲ１に重合性基を有するため、常法により化合物（１−０）同士を重合させることができる。
例えば、化合物（１−０）又はその誘導体を、例えばアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、アゾビスイソ酪酸ジメチルのようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等により重合させることができる。
本発明の濾過材料は金属錯体を形成することにより、金属の捕集が可能なイミノ基を有する。このような濾過材料を用いることにより、不純物質、特に金属イオン等の金属成分を高い除去効率で除去することができる。例えば濾過対象がレジスト組成物であれば、レジスト組成物に用いられる有機溶剤中の不純物質（微量金属微粒子、微量金属、微量金属イオン等）を除去することが可能となる。これらの金属成分は、有機溶剤中に元々含まれていることもあるが、配管、継ぎ手などの有機溶剤移送経路からの汚染により混入することもあり、従来除去が非常に困難であったものである。
本発明の濾過材料によれば、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ストロンチウム、モリブデン、銀、カドミウム、スズ、アンチモン、バリウム、鉛等種々の金属や、これらのイオンを除去することができる。本発明の濾過材料によれば、これら金属成分が２種以上混在している場合にも除去が可能である。
なかでも、イオン化傾向の高い金属成分や、製造工程中で汚染により混入しやすい鉄、クロム、ニッケルを効果的に除去することができる。
≪濾過フィルター≫
本発明の第二の態様の濾過フィルターは、前記第一の態様の濾過材料を用いたものである。
濾過フィルターの形状は特に限定されるものではなく、平坦形状、ロール状、コーン状、プリーツ（ひだ）状、螺旋型、積層型又はこれらの組み合わせであってもよく、平坦形状又はロール状が好ましい。ただし、第三の態様で記載のように、本態様の濾過フィルターは、当該濾過フィルターに濾過対象を通液すること等を目的とする。そのため、通液時の利便性及び濾過性の観点において、濾過フィルターは比表面積の比較的大きい形状とすることが好ましく、平坦形状とすることが特に好ましい。
また、平坦形状のフィルターは、例えば２０ｍｍ〜３００ｍｍ直径のカット円盤として用いてもよい。
また、本発明の濾過フィルターは、カートリッジ式としてもよい。カートリッジ式のフィルターとして、例えば、１つ以上の層として形成され、且つ、ひだが付けられ、又は、螺旋状に巻き上げられたカートリッジデバイスとすることが好ましい。また、平坦形状のシート状のカートリッジデバイスとすることがより好ましい。
≪濾過方法≫
本発明の第三の態様の濾過方法は、前記第二の態様の濾過フィルターに、レジスト組成物又は溶剤を通液し、該レジスト組成物又は溶剤中の不純物質を除去することを特徴とする。
例えば第二の態様の濾過フィルターを、フィルターカートリッジやカラムに設置し、必要に応じて公知の濾過装置を用いて送液等を行い、濾過を行うことができる。
本発明の濾過方法で濾過対象とするレジスト組成物、溶剤としては特に限定されるものではなく、本発明の濾過方法は、公知慣用のレジスト組成物、溶剤に適用することができる。
例えばレジスト組成物は、非化学増幅型レジスト組成物、化学増幅型レジスト組成物のいずれであってもよい。非化学増幅型レジスト組成物としては、ノボラック樹脂、感光剤、及び有機溶剤を有する組成物が挙げられ；化学増幅型レジスト組成物としては、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂、酸発生剤、及び有機溶剤を有する組成物が挙げられる。
例えば溶剤は、シンナー、レジスト現像液、レジスト剥離液、絶縁材、ＡＲＣ（Ａｎｔｉ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｃｏａｔｉｎｇ）などの溶液；洗浄液としての超純水、有機溶剤、アンモニア／過酸化水素混合水溶液、希フッ酸（ＤＨＦ）液、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）液等が挙げられる。
有機溶剤としては、ラクトン類、ケトン類、多価アルコール類、多価アルコール類の誘導体、環状エーテル類、エステル類、芳香族系有機溶剤、ニトリル系有機溶剤等が挙げられる。
濾過フィルターに通液させるときのレジスト組成物又は溶剤の通液速度は、金属の分離効率にほとんど影響はなく、通常０．０００１〜１０００ｋｇ／（ｍ２・ｍｉｎ）の範囲でよい。濾過フィルターに通液させるときの温度は、高すぎると濾材の溶出、劣化、レジスト組成物や溶剤の分解などが起こる恐れがある。また、温度が低すぎると、レジスト組成物の場合、溶液中の樹脂の粘度が高くなって通液が非常に困難になる。そのため、温度範囲は、０〜５０℃の範囲が適当である。
本発明の濾過方法において、不純物質として金属成分が好適に除去できる。
本発明の濾過方法によれば、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ストロンチウム、モリブデン、銀、カドミウム、スズ、アンチモン、バリウム、鉛等種々の金属成分を除去することができる。
本発明の濾過方法によれば、上記の金属成分が２種以上混在していても、除去可能である。
上記の中でも、イオン化傾向の高い金属成分や、製造工程中で汚染により混入しやすい鉄、ニッケル、クロムを効果的に除去することができる。
本発明の濾過方法によれば、上記の微量金属を金属イオン、金属微粒子等の存在形態に関わらず除去することが可能である。
半導体製造プロセスにおける各種薬液の供給ライン或いはＰ Ｏ Ｕ（ｐｏｉｎｔ ｏｆ ｕｓｅ）でこれまで設置されていた微粒子状不純物除去のためのフィルターカートリッジ等に置き換えて或いはこれと組み合わせて本発明の濾過フィルターを用い、本発明の濾過方法とすることにより、従来と全く同一の装置及び操作で、微粒子状の不純物と、微量金属不純物とを同時に効率よく除去することを可能にする。
すなわち、本発明は、単一の濾過工程で微量金属不純物の除去を達成したことにより、半導体素子製造において現在使用されている実装置への適用が非常に容易となり、この点からも、本発明が半導体産業に及ぼす効果は多大である。
また、本発明の濾過方法を、半導体素子製造プロセスの各種薬液（溶剤）供給ラインにおいて、薬液タンクを循環する経路の途中で行うことにより、各種薬液中の金属不純物及び微粒子状不純物を効率的に除去することができる。また、薬液中に元々含まれている金属不純物の除去に加えて、配管、継ぎ手などの薬液移送経路からの汚染に対処することも可能となる。
≪フェニルイミン化合物の製造方法≫
本発明の第四の態様は、芳香環とカルボニル基とを有し、当該芳香環が、水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基及びリン酸基からなる群から選ばれる少なくとも１つの基を有する化合物（Ｋ）と、少なくとも１つのアミノ基を有する炭化水素化合物（Ａ）と、を反応させて、式（１−０）で表されるフェニルイミン化合物を得るものである。
このような製造方法を採用してフェニルイミン化合物を製造することにより、酸触媒を用いることなく、撹拌のみにより、非常に高収率で目的化合物を得ることが可能となる。
本発明の第四の態様により得られたフェニルイミン化合物は、本発明の第一の態様の濾過材料に用いることができるものであって、式（１−０）で表されるフェニルイミン化合物、式（１−０）中のＲ１〜Ｒ３、ｎ１はいずれも第一の態様で上述したものと同様である。
すなわち、本態様のフェニルイミン化合物の製造方法では、置換基を有する芳香環と、カルボニル基とを有するケトン化合物（Ｋ）、及び１以上のアミノ基を有するアミン化合物（Ａ）を適当な有機溶媒に溶解し、冷却しながら撹拌することにより反応させて、フェニルイミン化合物を得る。
具体的には、下記式に示すように、ケトン化合物（Ｋ０）のカルボニル基と、アミン化合物（Ａ１）のアミノ基とを、適当な有機溶媒中で脱水縮合させることにより、フェニルイミン化合物（１−０）が得られる。より好適には、水酸基を有するケトン化合物（Ｋ１）のカルボニル基と、アミン化合物（Ａ１）のアミノ基とを、適当な有機溶媒中で脱水縮合させることにより、水酸基含有フェニルイミン化合物（１−１）が得られる。
Figure 2016182554
上記反応式において、各式中のＲ１〜Ｒ３、Ｒ３１及びｎ１、ｎ１１、並びに化合物（１−０）及び（１−１）はいずれも第一の態様の説明中のＲ１〜Ｒ３及び化合物（１−０）と同様である。
式（Ｋ０）に代表されるケトン化合物（Ｋ）として具体的には、２，４−ジヒドロキシアセトフェノン、４−ヒドロキシアセトフェノン、４−ヒドロキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシプロピオフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシアセトフェノン、２，３’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。
また、式（Ａ１）に代表されるアミン化合物（Ａ）として具体的には、ｐ−アミノスチレン、Ｎ−アミノイソプロピルメタクリルアミドが挙げられる。
上記反応の反応温度は、１０℃以下とすることが好ましく、０℃以下とすることがより好ましい。反応時間は０．５〜４８時間が好ましく、１〜３６時間がより好ましい。
有機溶媒としては、脱水縮合反応が良好に進行し得るものであれば特に限定されるものではないが、脱水エタノールが好ましい。
原料化合物の使用量は、ケトン化合物（Ｋ）：アミン化合物（Ａ）＝１：２〜２：１（モル比）が好ましく、１：１．５〜１．５：１（モル比）がより好ましく、１：１（モル比）が特に好ましい。
≪アルコキシフェニルイミン化合物の製造方法≫
本発明の第五の態様は、前記第四の態様の製造方法によって得られたフェニルイミン化合物と、アルキル化剤とを反応させるアルコキシフェニルイミン化合物の製造方法である。
すなわち、第五の態様では、前記式（１−０）で表されるフェニルイミン化合物中の、置換基Ｒ３の水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基をアルキル化し、アルコキシフェニルイミン化合物を得る。
第五の態様で得られるアルコキシフェニルイミン化合物は、式（１−０）で表されるフェニルイミン化合物の誘導体に該当する化合物であって、本発明の第一の態様の濾過材料に用いることができる。
例えば、下記式に示すように、フェニルイミン化合物と、アルキル化剤とを、適当な溶媒中で反応させ、フェニルイミン化合物が有する水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基の水素原子をアルキル基に置換することにより、アルキコキシフェニルイミン化合物を得ることができる。
Figure 2016182554
上記反応式において、各式中のＲ１〜Ｒ３及びｎ１、並びに化合物（１−０）はいずれも第一の態様の説明中のＲ１〜Ｒ３及び化合物（１−０）と同様である。Ｒ３’は、水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基から水素原子を除いた基であり、Ｒａは、アルキル化剤に由来する炭素数１〜５のアルキル基である。
より具体的には、フェニルイミン化合物に水酸化ナトリウム水溶液等を加えてナトリウム塩を形成させて水溶化した後、アルキル化剤を加えて撹拌して反応させることにより、目的のアルコキシフェニルイミン化合物を得ることができる。
上記反応の反応温度は、１０℃以下とすることが好ましく、０℃以下とすることがより好ましい。反応時間は０．５〜４８時間が好ましく、１〜３６時間がより好ましい。
アルキル化剤としては、硫酸ジメチル、ヨードメタン、炭酸ジメチル及び硫酸ジエチルからなる群から選ばれる１種以上が好ましい。
アルキル化剤の使用量は、フェニルイミン化合物１モルに対して、１〜１０モルが好ましく、１〜５モルがより好ましい。
上記のようにして各工程後に得られる化合物の構造は、１Ｈ−核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトル法、１３Ｃ−ＮＭＲスペクトル法、１９Ｆ−ＮＭＲスペクトル法、赤外線吸収（ＩＲ）スペクトル法、質量分析（ＭＳ）法、元素分析法、Ｘ線結晶回折法等の一般的な有機分析法により確認できる。
≪新規化合物≫
本発明の第六の態様は一般式（１−１）で表される化合物である。
下記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３１、ｎ１１はいずれも、第一の態様のＲ１、Ｒ２、Ｒ３１、ｎ１１と同様である。
Figure 2016182554
 ［式中、Ｒ１、Ｒ２は前記同様であり、
Ｒ３１は水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基であり、
ｎ１１は０〜４の整数である。］
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
＜実施例１：２−プロペン−１−アミン，Ｎ−〔ビス（４−ジヒドロキシフェニル）メチレン〕の合成＞
ナスフラスコに、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン（１１９．５２ｇ、０．６９７ｍｏｌ）を加え、脱水エタノール（４００ｍｌ）を加えて溶解させ、０℃の氷浴中でアリルアミン（４０ｇ、０．６９７ｍｏｌ）を加えて２時間攪拌した。アリルアミンとの脱水縮合反応によりイミン化が起こり、溶液は即座に無色から黄色へ変化した。
エヴァポレーターを用いて、得られた溶液から、エタノール、及び反応により発生した水を留去し、その後一昼夜真空乾燥を行うことにより、２−プロペン−１−アミン，Ｎ−〔ビス（４−ジヒドロキシフェニル）メチレン〕を得た。
得られた化合物は黄色固体であり、収率は９１％であった。該化合物は、エタノール、アセトン及びＤＭＦに可溶であり、水、ヘキサン及びジクロロメタンに不溶であった。
得られた化合物についてＮＭＲ分析を行った。
１Ｈ−ＮＭＲ（Ａｃｅｔｏｎｅ）：９．９５（ｓ，ＯＨ），７．４１−６．７７（ｍ，８Ｈ），６．０２−５．９８（ｍ，２Ｈ），５．２７−５．１５（ｍ，１Ｈ），４．２０（ｄ，２Ｈ）．
上記の結果から、化合物が下記に示す構造を有することが確認できた。
Figure 2016182554
＜実施例２：２−プロペン−１−アミン，Ｎ−〔ビス（４−メトキシフェニル）メチレン〕の合成＞
三角フラスコに、上記実施例１で得られた２−プロペン−１−アミン，Ｎ−〔ビス（４−ジヒドロキシフェニル）メチレン〕（３６．２９ｇ，０．１２８９ｍｏｌ）を加え、０℃の氷浴下で、１ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液（６００ｍＬ）を攪拌しながら加えた。攪拌とともに２−プロペン−１−アミン，Ｎ−〔ビス（４−ジヒドロキシフェニル）メチレン〕のヒドロキシル基とナトリウムイオンが反応し、２−プロペン−１−アミン，Ｎ−〔ビス（４−ジヒドロキシフェニル）メチレン〕のナトリウムアルコキシド塩が形成され、水に溶解し溶液は輝黄色へ変化した。
その溶液を、継続して０℃氷浴下で、硫酸ジメチル（６１．０４ｇ，０．５５６ｍｏｌ）を加えて、２時間攪拌した。２−プロペン−１−アミン，Ｎ−〔ビス（４−ジヒドロキシフェニル）メチレン〕のナトリウムアルコキシド塩とジメチル硫酸が反応し、２−プロペン−１−アミン，Ｎ−〔ビス（４−メトキシフェニル）メチレン〕が形成された。形成された化合物は水に不溶のため、溶液内で固体が析出して沈殿した。
反応終了後、減圧濾過により沈殿物を回収し、副生成物のＮ−アリルメチルアミン等を除去するため飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した後、ヘキサンで洗浄した。
その後、一昼夜真空乾燥を行い、目的生成物である２−プロペン−１−アミン，Ｎ−〔ビス（４−メトキシフェニル）メチレン〕を得た。
得られた化合物は黄白色固体であり、収率は７５％であった。該化合物は、メタノール、エタノール、アセトン及びジクロロメタンに可溶であり、水に不溶であった。
Figure 2016182554
＜実施例３：金属捕集試験＞
上記実施例２で得られた２−プロペン−１−アミン，Ｎ−〔ビス（４−メトキシフェニル）メチレン〕（以下、「濾過材料」という）を用いて、金属捕集試験を行った。
具体的には、実施例２の濾過材料１ｇに対し、ＦｅＣｌ３のエタノール溶液４ｍｌを滴下した。濾過前のＦｅＣｌ３エタノール溶液は黄色である。５分撹拌後、濾過により濾過材料を取り除いた。取り除いた濾過材料は赤色を帯び、濾液は無色になった。濾液が透明であることから、金属成分が完全に吸着されたことが明らかである。
このことから、本発明の濾過材料を用いて、溶剤中に存在する鉄等の金属成分を高効率で捕集及び除去できることが確認できた。
レジスト組成物は、９０質量％以上を有機溶剤が占めるため、有機溶剤において高効率に金属成分を除去できたという上記の結果から、本発明の濾過材料を用いてレジスト組成物中の金属成分も高効率で除去可能であると考えられる。

Claims (14)

  1. 下記一般式（１−０）で表される化合物（１−０）又はその誘導体を重合して得られた高分子化合物を用いることを特徴とする濾過材料。
    Figure 2016182554
     ［式中、Ｒ１は置換基を有していてもよい重合性基含有炭化水素基であり、
    Ｒ２は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、
    Ｒ３は水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基であり、
    ｎ１は１〜５の整数である。］
  2. 前記化合物（１−０）が、下記一般式（１−１）で表される、請求項１に記載の濾過材料。
    Figure 2016182554
     ［式中、Ｒ１、Ｒ２は前記同様であり、
    Ｒ３１は水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基であり、
    ｎ１１は０〜４の整数である。］
  3. 前記化合物（１−０）が、下記一般式（１−２）で表される、請求項１に記載の濾過材料。
    Figure 2016182554
     ［式中、Ｒ１、Ｒ３、ｎ１はいずれも前記同様であって、式中の複数のＲ３はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、
    ｎ２は０〜５の整数である。］
  4. 前記化合物（１−０）が、下記一般式（１−３）で表される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の濾過材料。
    Figure 2016182554
     ［式中、Ｒ１は前記同様であり、
    Ｒ３１は水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基であって、式中の複数のＲ３１はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、
    ｎ１１は０〜４の整数であり、
    ｎ２は０〜５の整数である。］
  5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の濾過材料を用いたことを特徴とする濾過フィルター。
  6. 請求項５に記載の濾過フィルターに、レジスト組成物又は溶剤を通液し、該レジスト組成物又は溶剤中の不純物質を除去することを特徴とする濾過方法。
  7. 芳香環とカルボニル基とを有し、当該芳香環が、水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基及びリン酸基からなる群から選ばれる少なくとも１つの基を有する化合物（Ｋ）と、
    少なくとも１つのアミノ基を有する炭化水素化合物（Ａ）と、を反応させて、下記一般式（１−０）で表されるフェニルイミン化合物を得ることを特徴とする、フェニルイミン化合物の製造方法。
    Figure 2016182554
     ［式中、Ｒ１は置換基を有していてもよい重合性基含有炭化水素基であり、
    Ｒ２は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、
    Ｒ３は水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基であり、
    ｎ１は１〜５の整数である。］
  8. 前記フェニルイミン化合物が、下記一般式（１−１）で表される、請求項７に記載のフェニルイミン化合物の製造方法。
    Figure 2016182554
     ［式中、Ｒ１、Ｒ２は前記同様であり、
    Ｒ３１は水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基であり、
    ｎ１１は０〜４の整数である。］
  9. 前記フェニルイミン化合物が、下記一般式（１−３）で表される、請求項７又は８に記載のフェニルイミン化合物の製造方法。
    Figure 2016182554
     ［式中、Ｒ１は前記同様であり、
    Ｒ３１は水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基であって、式中の複数のＲ３１はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、
    ｎ１１は０〜４の整数であり、
    ｎ２は０〜５の整数である。］
  10. 前記化合物（Ｋ）が下記一般式（Ｋ１）で表され、且つ、
    前記炭化水素化合物（Ａ）が下記一般式（Ａ１）で表される、請求項８又は９に記載のフェニルイミン化合物の製造方法。
    Figure 2016182554
     ［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３１、ｎ１１はいずれも前記同様である。］
  11. 請求項７〜１０のいずれか一項に記載の製造方法によって得られたフェニルイミン化合物と、アルキル化剤とを反応させることを特徴とする、アルコキシフェニルイミン化合物の製造方法。
  12. 前記アルキル化剤が、硫酸ジメチル、ヨードメタン、炭酸ジメチル及び硫酸ジエチルからなる群から選ばれる１種以上である、請求項１１に記載のアルコキシフェニルイミン化合物の製造方法。
  13. 下記一般式（１−１）で表される化合物。
    Figure 2016182554
     ［式中、Ｒ１、Ｒ２は前記同様であり、
    Ｒ３１は水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基であり、
    ｎ１１は０〜４の整数である。］
  14. 下記一般式（１−３）で表される、請求項１３に記載の化合物。
    Figure 2016182554
     ［式中、Ｒ１は前記同様であり、
    Ｒ３１は水酸基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、ニトロ基、又はリン酸基であって、式中の複数のＲ３１はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、
    ｎ１１は０〜４の整数であり、
    ｎ２は０〜５の整数である。］
JP2015064068A 2015-03-26 2015-03-26 濾過材料、濾過フィルター、濾過方法、フェニルイミン化合物の製造方法、アルコキシフェニルイミン化合物の製造方法、化合物 Pending JP2016182554A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015064068A JP2016182554A (ja) 2015-03-26 2015-03-26 濾過材料、濾過フィルター、濾過方法、フェニルイミン化合物の製造方法、アルコキシフェニルイミン化合物の製造方法、化合物
TW105108667A TW201704273A (zh) 2015-03-26 2016-03-21 過濾材料、過濾器、過濾方法、苯基亞胺化合物之製造方法、烷氧苯基亞胺化合物之製造方法、化合物
US15/078,887 US20160280638A1 (en) 2015-03-26 2016-03-23 Filtering material, filter, method of filtration, method of producing phenylimine compound, method of producing alkoxyphenylimine compound, and compound
KR1020160034684A KR20160115778A (ko) 2015-03-26 2016-03-23 여과 재료, 여과 필터, 여과 방법, 페닐이민 화합물의 제조 방법, 알콕시페닐이민 화합물의 제조 방법, 화합물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015064068A JP2016182554A (ja) 2015-03-26 2015-03-26 濾過材料、濾過フィルター、濾過方法、フェニルイミン化合物の製造方法、アルコキシフェニルイミン化合物の製造方法、化合物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016182554A true JP2016182554A (ja) 2016-10-20

Family

ID=56974267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015064068A Pending JP2016182554A (ja) 2015-03-26 2015-03-26 濾過材料、濾過フィルター、濾過方法、フェニルイミン化合物の製造方法、アルコキシフェニルイミン化合物の製造方法、化合物

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20160280638A1 (ja)
JP (1) JP2016182554A (ja)
KR (1) KR20160115778A (ja)
TW (1) TW201704273A (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03274458A (ja) * 1990-03-26 1991-12-05 Showa Tansan Kk 液体クロマトグラフィー用充填剤
JP2004330056A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Ebara Corp 電子素子基板表面処理液用フィルターカートリッジ
WO2009005003A1 (ja) * 2007-07-04 2009-01-08 Mitsui Chemicals, Inc. 遷移金属錯体化合物、該化合物を含むオレフィン多量化用触媒および該触媒存在下で行うオレフィン多量体の製造方法
JP2013053012A (ja) * 2011-08-31 2013-03-21 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology 有機分子（シッフ塩基分子）内包繊維状アルミナ自立膜とその製造法、及びこの複合膜による水中の遷移金属イオン検出法・回収法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2475543A1 (fr) * 1980-02-12 1981-08-14 Synthelabo Derives benzylideniques, leur preparation et leur application en therapeutique
JP4228578B2 (ja) 2002-02-14 2009-02-25 Ｄｉｃ株式会社 液晶表示素子用原材料の精製方法
US20060102554A1 (en) 2004-11-12 2006-05-18 Munirathna Padmanaban Process for producing film forming resins for photoresist compositions
US7911676B2 (en) * 2008-12-16 2011-03-22 Transitions Optical, Inc. Photochromic optical articles prepared with reversible thermochromic materials
JP2013061426A (ja) 2011-09-12 2013-04-04 Nomura Micro Sci Co Ltd フォトレジスト膜形成用樹脂溶液の不純物除去方法、不純物除去用濾過部材及び不純物除去用濾過装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03274458A (ja) * 1990-03-26 1991-12-05 Showa Tansan Kk 液体クロマトグラフィー用充填剤
JP2004330056A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Ebara Corp 電子素子基板表面処理液用フィルターカートリッジ
WO2009005003A1 (ja) * 2007-07-04 2009-01-08 Mitsui Chemicals, Inc. 遷移金属錯体化合物、該化合物を含むオレフィン多量化用触媒および該触媒存在下で行うオレフィン多量体の製造方法
JP2013053012A (ja) * 2011-08-31 2013-03-21 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology 有機分子（シッフ塩基分子）内包繊維状アルミナ自立膜とその製造法、及びこの複合膜による水中の遷移金属イオン検出法・回収法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
INDIAN JOURNAL OF CHEMISTRY, vol. 52, JPN6018023027, 2013, pages 845 - 853, ISSN: 0003869214 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160115778A (ko) 2016-10-06
TW201704273A (zh) 2017-02-01
US20160280638A1 (en) 2016-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8026390B2 (en) Photoacid generator containing aromatic ring
JP5474867B2 (ja) 光酸発生剤、この製造方法、及びこれを含むレジスト組成物
JP4828579B2 (ja) 化学増幅型レジスト組成物用の酸発生剤
TWI507424B (zh) 光阻組成物、光阻圖型之形成方法、新穎的化合物及酸產生劑
JP5086955B2 (ja) 化学増幅型レジスト組成物用の酸発生剤
US9164381B2 (en) Resist composition, method of forming resist pattern, and compound
JP2017207532A (ja) レジスト組成物及びそれを用いたデバイスの製造方法
KR101669703B1 (ko) 환상 화합물, 그 제조 방법, 감방사선성 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
JP2007277219A (ja) スルホニウム塩
JPWO2008153154A1 (ja) 環状化合物、フォトレジスト基材及びフォトレジスト組成物
JP2004191913A (ja) フォトレジスト基材及びその組成物
SG176406A1 (en) Photoacid generator, method for manufacturing the same, and resist composition comprising the same
JP2008189601A (ja) スルホニウム塩
JP5116312B2 (ja) スルホニウム塩
TW201127802A (en) Cyclic compound, method of producing the same, radiation-sensitive composition and method of forming resist pattern
CN107324978B (zh) 联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂、正性光刻胶组合物和负性光刻胶组合物
JP5116310B2 (ja) スルホニウム塩
TWI423948B (zh) 光酸產生劑及其製造方法，以及含有該光酸產生劑的光阻組合物
JP2016182554A (ja) 濾過材料、濾過フィルター、濾過方法、フェニルイミン化合物の製造方法、アルコキシフェニルイミン化合物の製造方法、化合物
CN107266319B (zh) 树枝状多苯基取代金刚烷衍生物单分子树脂、正性光刻胶组合物和负性光刻胶组合物
TW201414710A (zh) 光酸化合物、光酸發生劑與其製備方法以及包含該光酸發生劑的抗蝕劑組成物
TWI465419B (zh) 光酸產生劑、其製造方法以及含有其的抗蝕劑組成物
TWI472509B (zh) 光酸產生劑及其製備方法、以及含有該光酸產生劑的抗蝕劑組成物及化合物
CN108314785B (zh) 八苯基取代笼形倍半硅氧烷衍生物分子玻璃及其应用
JP5088933B2 (ja) スルホニウム塩

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171212

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180620

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180626

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180817

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20180820

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180904