JP2016180178A5 - 酸化物の作製方法 - Google Patents
酸化物の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016180178A5 JP2016180178A5 JP2016049277A JP2016049277A JP2016180178A5 JP 2016180178 A5 JP2016180178 A5 JP 2016180178A5 JP 2016049277 A JP2016049277 A JP 2016049277A JP 2016049277 A JP2016049277 A JP 2016049277A JP 2016180178 A5 JP2016180178 A5 JP 2016180178A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- backing plate
- period
- target
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 1
Claims (5)
- スパッタリング装置を用いた酸化物の作製方法であって、
前記酸化物の成膜中に、プラズマ密度が高密度の第1の期間と、プラズマ密度が低密度の第2の期間とを、繰り返すことを特徴とする酸化物の作製方法。 - ターゲットと、バッキングプレートと、マグネットユニットと、電源と、を有し、
前記ターゲットは、前記バッキングプレートに固定され、
前記マグネットユニットは、前記バッキングプレートを介して前記ターゲットの背面側に配置され、
前記電源は、前記バッキングプレートと電気的に接続されるスパッタリング装置を用いた酸化物の作製方法であって、
前記酸化物の成膜中に、前記電源から前記バッキングプレートに供給する電位を高くしたり、低くしたりすることで、プラズマ密度が高密度の第1の期間と、プラズマ密度が低密度の第2の期間とを繰り返すことを特徴とする酸化物の作製方法。 - ターゲットと、バッキングプレートと、マグネットユニットと、電源と、を有し、
前記ターゲットは、前記バッキングプレートに固定され、
前記マグネットユニットは、前記バッキングプレートを介して前記ターゲットの背面側に配置され、
前記電源は、前記バッキングプレートと電気的に接続されるスパッタリング装置を用いた酸化物の作製方法であって、
前記酸化物の成膜中に、前記マグネットユニットの磁束密度を変化させることで、プラズマ密度が高密度の第1の期間と、プラズマ密度が低密度の第2の期間とを繰り返すことを特徴とする酸化物の作製方法。 - ターゲットと、バッキングプレートと、マグネットユニットと、電源と、を有し、
前記ターゲットは、前記バッキングプレートに固定され、
前記マグネットユニットは、前記バッキングプレートを介して前記ターゲットの背面側に配置され、
前記電源は、前記バッキングプレートと電気的に接続されるスパッタリング装置を用いた酸化物の作製方法であって、
前記酸化物の成膜中に、前記ターゲットホルダを揺動させることで、前記酸化物の近傍ではプラズマ密度が高密度の第1の期間と、プラズマ密度が低密度の第2の期間とを繰り返すことを特徴とする酸化物の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1の期間は、1秒以上30秒以下であり、
前記第2の期間は、1ミリ秒以上50秒以下であることを特徴とする酸化物の作製方法。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015050525 | 2015-03-13 | ||
JP2015050525 | 2015-03-13 | ||
JP2015050528 | 2015-03-13 | ||
JP2015050528 | 2015-03-13 | ||
JP2015076442 | 2015-04-03 | ||
JP2015076442 | 2015-04-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016180178A JP2016180178A (ja) | 2016-10-13 |
JP2016180178A5 true JP2016180178A5 (ja) | 2019-04-25 |
Family
ID=56886819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016049277A Withdrawn JP2016180178A (ja) | 2015-03-13 | 2016-03-14 | 酸化物およびその作製方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160268127A1 (ja) |
JP (1) | JP2016180178A (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109804455B (zh) * | 2016-10-14 | 2022-03-15 | 瑞士艾发科技 | 溅射源 |
US10319743B2 (en) * | 2016-12-16 | 2019-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display system, and electronic device |
US10622214B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Tungsten defluorination by high pressure treatment |
US10388533B2 (en) * | 2017-06-16 | 2019-08-20 | Applied Materials, Inc. | Process integration method to tune resistivity of nickel silicide |
US10276411B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
JP6947914B2 (ja) | 2017-08-18 | 2021-10-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高圧高温下のアニールチャンバ |
KR102396319B1 (ko) | 2017-11-11 | 2022-05-09 | 마이크로머티어리얼즈 엘엘씨 | 고압 프로세싱 챔버를 위한 가스 전달 시스템 |
KR20200075892A (ko) | 2017-11-17 | 2020-06-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고압 처리 시스템을 위한 컨덴서 시스템 |
JP7239598B2 (ja) | 2018-03-09 | 2023-03-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 金属含有材料の高圧アニーリングプロセス |
JP2021088727A (ja) * | 2018-03-20 | 2021-06-10 | 日新電機株式会社 | 成膜方法 |
US10916433B2 (en) | 2018-04-06 | 2021-02-09 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming metal silicide layers and metal silicide layers formed therefrom |
US10950429B2 (en) | 2018-05-08 | 2021-03-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom |
US10748783B2 (en) | 2018-07-25 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery module |
WO2020117462A1 (en) | 2018-12-07 | 2020-06-11 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system |
US11901222B2 (en) | 2020-02-17 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for flowable gap-fill film |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4022708A1 (de) * | 1990-07-17 | 1992-04-02 | Balzers Hochvakuum | Aetz- oder beschichtungsanlagen |
DE4233720C2 (de) * | 1992-10-07 | 2001-05-17 | Leybold Ag | Einrichtung für die Verhinderung von Überschlägen in Vakuum-Zerstäubungsanlagen |
US6905578B1 (en) * | 1998-04-27 | 2005-06-14 | Cvc Products, Inc. | Apparatus and method for multi-target physical-vapor deposition of a multi-layer material structure |
US6217716B1 (en) * | 1998-05-06 | 2001-04-17 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for improving target erosion in hollow cathode magnetron sputter source |
KR100345924B1 (ko) * | 2000-01-24 | 2002-07-27 | 한전건 | 평판 마그네트론 스퍼터링 장치 |
WO2009028055A1 (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Canon Anelva Corporation | スパッタリングによる成膜方法とその装置 |
JP6141777B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2017-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
2016
- 2016-03-10 US US15/066,577 patent/US20160268127A1/en not_active Abandoned
- 2016-03-14 JP JP2016049277A patent/JP2016180178A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2016180178A5 (ja) | 酸化物の作製方法 | |
WO2016090454A9 (en) | System and method for electromagnet coil construction and operation | |
JP2009533551A5 (ja) | ||
WO2016168249A8 (en) | Magnetic coil power methods and apparatus | |
JP2017025407A5 (ja) | ||
JP2009027194A5 (ja) | ||
EP2492928A3 (en) | Electromagnetic actuator, stage apparatus and lithographic apparatus | |
WO2014166719A3 (fr) | Dispositif de remontage de montre à remontage automatique | |
JP5461264B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング装置、及び、スパッタリング方法 | |
EP2712172A3 (en) | Imaging apparatus and interchangeable lens | |
JP2012015101A5 (ja) | 蓄電装置 | |
JP2013136375A5 (ja) | ||
JP2015507688A5 (ja) | ||
JP2014241409A5 (ja) | 酸化物半導体膜の作製方法 | |
EA201101662A1 (ru) | Устройство для нанесения покрытий и способ нанесения покрытий | |
JP2015095396A5 (ja) | ||
JP2015018885A5 (ja) | ||
EP2930504A3 (en) | State sensor system and methods | |
JP2012172245A5 (ja) | ||
JP2012512525A5 (ja) | ||
EP2587519A3 (en) | Film formation apparatus and film formation method | |
MX2015008761A (es) | Dispositivo y sistema de control para producir energía electrica. | |
JP2013218881A5 (ja) | ||
JP2009191340A5 (ja) | ||
JP2015017304A5 (ja) |