JP2012512525A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 磁石を自動制御して超伝導体表面近傍に磁束の波を発生させることで、超伝導体の磁化を変化させる方法。
2. 前記超伝導体が強磁性またはフェリ磁性の材料を含む磁気回路内に設置され、前記方法は前記磁化の前記変化の間または後に前記磁気回路を調整することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記調整が前記強磁性またはフェリ磁性の材料の温度を制御することでなされる、請求項２に記載の方法。
4. 前記調整が、前記強磁性またはフェリ磁性の材料のキューリー温度を超えるまで前記材料を加熱することにより、前記磁気回路を開放することを含む、請求項２または３に記載の方法。
5. 前記磁石の前記自動制御が前記超伝導体表面近傍に磁束の定常波を生成する、請求項１〜４のいずれかに記載の超伝導体の磁化を変化させる方法。
6. 波の上昇時間と下降時間とが異なる、請求項１〜５のいずれかに記載の超伝導体の磁化を変化させる方法。
7. 波が印加される周期は、定常波印加の時間間隔とは10％、50％、100％、または200％以上異なる、請求項１〜６のいずれかに記載の超伝導体の磁化を変化させる方法。
8. 前記磁石が電磁石であり、前記超伝導体の前記磁化が、前記超伝導体の前記表面にて、前記超伝導体により生成される磁場が前記磁化の前記増加の間に前記電磁石により印加される最大磁場よりも大きくなるように、前記電磁石により増加される、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
9. 前記磁石は電磁石であり、前記制御は、前記磁界が時間的に変化する振幅を有する周期波形を持つように、前記電磁石により印加される磁界を制御することを含み、前記振幅は、時間と共に減少する、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
10. 超伝導体の磁化を変化させる装置であって、磁石を自動制御して前記超伝導体表面近傍に磁束の波を生成する手段を備える、装置。
11. さらに磁気回路を備え、前記超伝導体が前記磁気回路内に設置され、前記装置はさらに前記磁化の前記変化の間または後に前記磁気回路の磁気抵抗を調整する手段を備える、請求項１０に記載の装置。
12. 前記磁石が電磁石であり、前記装置は、前記電磁石により印加される磁界が時間的に変化する振幅を有する周期波形を持つように、前記磁界を制御する手段を備える、請求項１０または１１に記載の装置。
13. 磁石を自動制御して前記超伝導体表面近傍に磁束の波を生成する前記手段が、前記超伝導体表面近傍に磁束の定常波を生成する手段を含む、請求項１０、１１または１２に記載の装置。
14. 請求項１０、１１、１２または１３の装置を含む磁気画像装置。
15. 変動磁束の前記波は時間と共に減少する振幅を有し、前記超伝導体の前記磁化を前記変化させることが前記超伝導体を磁化することを含む、請求項１に記載の方法。
16. 超伝導体の磁化を変化させる装置であって、変動磁束の波を印加する手段を備え、変動磁束の前記波は時間と共に減少する振幅を持つ、装置。
17. さらに磁気回路を備え、前記超伝導体は前記磁気回路内に設置され、前記装置はさらに前記超伝導体の磁化の間または後に前記磁気回路の磁気抵抗を調整する手段を備える、請求項１６に記載の装置。