JP2016171153A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016171153A JP2016171153A JP2015048949A JP2015048949A JP2016171153A JP 2016171153 A JP2016171153 A JP 2016171153A JP 2015048949 A JP2015048949 A JP 2015048949A JP 2015048949 A JP2015048949 A JP 2015048949A JP 2016171153 A JP2016171153 A JP 2016171153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- element connection
- wiring
- connection pads
- connection pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
【課題】半導体素子接続パッドに付くプローブの接触傷に起因する接続不良のない配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁基板1の上面に、複数の半導体素子接続パッド5とこれらの半導体素子接続パッド5の各々から延びる引出配線6とを含む配線導体2を形成し、次に絶縁基板1の上面に、半導体素子接続パッド5およびその半導体素子接続パッド5から延びる引出配線6の少なくとも一部を完全に露出させる開口部3aを有するソルダーレジスト層3を形成し、次に半導体素子接続パッド5に電気検査装置のプローブPを接触させて半導体素子接続パッドにプローブPとの接触傷Wを付けながら配線導体2の電気検査い、最後に半導体素子接続パッド6をエッチング処理することにより接触傷Wを浅くする工程と、を行う。【選択図】図4C
Description
本発明は、半導体素子を搭載するために用いられる配線基板の製造方法に関するものである。
従来、下面外周部に電極端子がペリフェラル配置された半導体素子をフリップチップ接続により搭載する配線基板が知られている。このような従来の配線基板20の例を図7(a),(b)に示す。従来の配線基板20は、絶縁基板11と配線導体12とソルダーレジスト13とを有している。なお、図7(b)においては、絶縁基板11上面の配線導体12のうち、ソルダーレジスト層13で覆われている部分を破線で示している。
絶縁基板11は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成り、その上面中央部に半導体素子Sを搭載するための搭載部11aを有している。また、絶縁基板11の上面から下面にかけては多数のスルーホール14が形成されている。
配線導体12は、銅箔や銅めっき層から成り、絶縁基板11の上面の搭載部11aからスルーホール14内壁を介して絶縁基板11の下面に導出している。絶縁基板11の上面の配線導体12は、搭載部11aの外周部に多数の半導体素子接続パッド15を有している。これらの半導体素子接続パッド15は、半導体素子Sの外周辺に沿って2列の並びで配置されている。さらに、各半導体素子接続パッド15には引出配線16が接続されている。内側の列の半導体素子接続パッド15に接続された引出配線16は搭載部11aの中央部側に延びており、外側の列の半導体素子接続パッド15に接続された引出配線16は搭載部11aの外側に延びている。また、絶縁基板11の下面の配線導体12は、多数の外部接続パッド17を有している。これらの外部接続パッド17は絶縁基板11の下面に格子状の並びに配置されている。そして、半導体素子接続パッド15と外部接続パッド17とは、対応するもの同士が引出配線16およびスルーホール14内の配線導体12を介して互いに電気的に接続されている。
ソルダーレジスト層13は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成り、絶縁基板11の上下面に被着されているとともにスルーホール14内に充填されている。上面側のソルダーレジスト層13には、半導体素子接続パッド15およびこれに接続された引出配線16の一部を露出させる開口部13aが形成されている。開口部13aは、内外2列の半導体素子接続パッド15およびこれらに接続された引出配線16の一部を一括して露出させるように搭載部11aの外周部に沿った方形枠状をしている。また、下面側のソルダーレジスト層13には、外部接続パッド17を露出させる開口部13bが形成されている。開口部13bは、各外部接続パッド17を個別に露出させる円形をしている。
そして、この従来の配線基板20によれば、図8に示すように、搭載部11a上に半導体素子Sを、その各電極端子Tと対応する半導体素子接続パッド15とが向かい合うようにして配置するとともに電極端子Tと半導体素子接続パッド15とを半田を介して接続し、しかる後、配線基板20と半導体素子Sとの間に球状シリカ等の無機絶縁物フィラーが分散された熱硬化性樹脂から成る封止樹脂Uを注入するとともに熱硬化させることにより、半導体素子Sが搭載部11a上に実装されることとなる。
ところで、この配線基板20においては、その製造工程の一環として、配線導体12の各パターンにおける断線や短絡を検査するための電気検査が実施される。この電気検査は、図9Aに示すように、各半導体素子接続パッド15に電気検査装置のプローブPを接触させて行われる。プローブPは、例えばタングステン等の硬質金属材料から成る。そのため、図9Bに示すように、電気検査後の半導体素子接続パッド15にはプローブPの接触傷Wが付く。このような接触傷Wが大きな場合、半導体素子Sの電極端子Tと半導体素子接続パッド15との良好な接続が阻害される危険がある。半導体素子接続パッド15の幅が狭くなるにつれ、このような危険性もより高くなる。したがって、このような接触傷Wは、極めて小さいか、あるいは全くないことが好ましい。
本発明の課題は、半導体素子接続パッドに付くプローブの接触傷に起因する接続不良のない配線基板の製造方法を提供することにある。
本発明の配線基板の製造方法は、絶縁基板の上面に、複数の半導体素子接続パッドと該半導体素子接続パッドの各々から延びる引出配線とを含む配線導体を形成する工程と、前記絶縁基板の上面に、前記半導体素子接続パッドおよび該半導体素子接続パッドから延びる前記引出配線の少なくとも一部を完全に露出させる開口部を有するソルダーレジスト層を形成する工程と、前記半導体素子接続パッドに電気検査装置のプローブを接触させて該半導体素子接続パッドに前記プローブとの接触傷を付けながら前記配線導体の電気検査を行う工程と、前記半導体素子接続パッドおよび前記引出配線の前記一部をエッチング処理することにより前記接触傷を浅くする工程と、を行うことを特徴とするものである。
さらには、エッチング処理前における半導体素子接続パッドの幅と開口部から露出する引出配線の幅を、それぞれの設計値よりもエッチング処理される分だけ広く形成しておくことが好ましい。
さらには、エッチング処理前における半導体素子接続パッドの幅と開口部から露出する引出配線の幅を、それぞれの設計値よりもエッチング処理される分だけ広く形成しておくことが好ましい。
本発明の配線基板によれば、電気検査の際に半導体素子接続パッドに付いたプローブとの接触傷をエッチング処理により浅くすることから、接触傷が極めて小さいか、あるいは全くない状態とすることができる。したがって、プローブの接触傷に起因する接続不良のない配線基板の製造方法を提供することができる。
なお、エッチング処理前における半導体素子接続パッドの幅および開口部から露出する引出配線の幅を、それぞれの設計値よりもエッチング処理される分だけ広く形成しておくことで、エッチング処理後における半導体素子接続パッドおよび開口部から露出する引出配線の幅を設計値通りに確保することができる。
なお、エッチング処理前における半導体素子接続パッドの幅および開口部から露出する引出配線の幅を、それぞれの設計値よりもエッチング処理される分だけ広く形成しておくことで、エッチング処理後における半導体素子接続パッドおよび開口部から露出する引出配線の幅を設計値通りに確保することができる。
次に、本発明の配線基板の配線基板の製造方法について、図1〜図8を基にして説明する。図1(a),(b)に本発明に製造される配線基板10の一例を示す。本例の配線基板10は、主として絶縁基板1と配線導体2とソルダーレジスト層3とから構成されている。なお、図1(b)においては、絶縁基板1上面の配線導体2のうち、ソルダーレジスト層3で覆われている部分を破線で示している。
絶縁基板1は、例えばガラスクロス基材にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた厚みが30〜200μm程度の単層または多層の絶縁層を熱硬化させた樹脂系電気絶縁材料から成り、その上面中央部に半導体素子Sを搭載するための搭載部1aを有している。また、絶縁基板1には、その上面から下面にかけて直径が50〜300μm程度のスルーホール4が形成されている。
配線導体2は、銅めっき層から成り、絶縁基板1の上面の搭載部1aからスルーホール4内壁を介して絶縁基板1の下面に導出している。配線導体2の厚みは、10〜20μm程度である。絶縁基板1の上面の配線導体2は、搭載部1aの外周部に多数の半導体素子接続パッド5を有している。各半導体素子接続パッド5の大きさは幅が10〜30μm程度、長さが20〜60μm程度である。これらの半導体素子接続パッド5は、半導体素子Sの外周辺に沿って2列の並びで配置されている。さらに、各半導体素子接続パッド5には引出配線6が接続されている。引出配線6の幅は半導体素子接続パッド5との接続部で10〜30μm程度である。内側の列の半導体素子接続パッド5に接続された引出配線6は搭載部1aの中央部側に延びており、外側の列の半導体素子接続パッド5に接続された引出配線6は搭載部1aの外側に延びている。また、絶縁基板1の下面の配線導体2は、多数の外部接続パッド7を有している。外部接続パッド7の直径は200〜500μm程度である。これらの外部接続パッド7は絶縁基板1の下面に格子状の並びに配置されている。そして、半導体素子接続パッド5と外部接続パッド7とは、対応するもの同士が引出配線6およびスルーホール4内の配線導体2を介して互いに電気的に接続されている。
ソルダーレジスト層3は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成り、絶縁基板1の上下面に被着されているとともにスルーホール4内に充填されている。ソルダーレジスト層3の厚みは絶縁基板1の上下面に被着された部分で20〜40μm程度である。ソルダーレジスト層3には、絶縁基板1の上面側において半導体素子接続パッド5およびこれに接続された引出配線6の一部を完全に露出させる開口部3aが形成されている。開口部3aは、内外2列の半導体素子接続パッド5およびこれらに接続された引出配線6の一部を一括して露出させるように搭載部1aの外周部に沿った方形枠状をしている。なお、開口部3aから露出する引出配線6の幅は10〜30μm程度、長さは20〜60μm程度である。また、ソルダーレジスト層3には、絶縁基板1の下面側において外部接続パッド7を露出させる開口部3bが形成されている。開口部3bは、各外部接続パッド7を個別に露出させる円形をしている。
そして、この配線基板10によれば、図2に示すように、搭載部1a上に半導体素子Sを、各電極端子Tと対応する半導体素子接続パッド5とが向かい合うようにして配置するとともに電極端子Tと半導体素子接続パッド5とを半田を介して接続し、しかる後、配線基板10と半導体素子Sとの間に球状シリカ等の無機絶縁物フィラーが分散された熱硬化性樹脂から成る封止樹脂Uを注入するとともに熱硬化させることにより、半導体素子Sが搭載部1a上に実装されることとなる。
次に、この配線基板10を製造する製造方法について説明する。まず、図3Aに示すように、スルーホール4を有する絶縁基板1を準備するとともに、絶縁基板1の上下面およびスルーホール4内に配線導体2を形成する。絶縁基板1上面の配線導体2には、半導体素子接続パッド5および引出配線6が含まれ、絶縁基板1下面の配線導体2には外部接続パッド7が含まれる。
絶縁基板1は、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを熱硬化させた後、ドリル加工やレーザ加工等によりスルーホール4を穿孔することにより形成される。
配線導体2は、例えば無電解銅めっき層を下地とした電解銅めっき層により形成されている。配線導体2の形成には、周知のサブトラクティブ法やセミアディティブ法が用いられる。なお、ソルダーレジスト層3の開口部3aから露出する引出配線6および半導体素子接続パッド5の幅は、それぞれの設計値よりも2μm程度広いものとしておく。
次に、図3Bに示すように、絶縁基板1の上下面にソルダーレジスト層3を形成する。ソルダーレジスト層3は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂のペーストを絶縁基板1の上下面に塗布し、これをフォトリソグラフィ技術により所定の開口部3a、3bを有するように露光および現像した後、熱硬化させることにより形成される。これにより各半導体素子接続パット5および引出配線6の一部が開口部3aから完全に露出するとともに外部接続パッド7が開口部3bから露出する。
次に、図3Cに示すように、各半導体素子接続パッド5および各外部接続パッド7に電気検査装置のプローブPを接触させて配線導体2の電気検査を行う。なお、図3C(b)においては、プローブPの接触位置を黒色の丸点で示している。この電気検査により配線導体2における断線や短絡の有無を知ることができる。配線導体2に短絡や断線のある配線基板10は、不良品として処分する。
このとき、図4Aに示すように、プローブPの先端が半導体素子接続パッド5の表面に僅かに食い込む。その結果、図4Bに示すように、半導体素子接続パッド5にプローブPとの接触傷Wが付く。傷Wの深さは1〜3μm程度である。深さが2μmを超える接触傷Wは、半導体素子Sの電極端子Tと半導体素子接続パッド5との良好な接続を阻害する危険性が高いものとなる。
次に、図4Cに示すように、開口部3aから露出する引出配線6および半導体素子接続パッド5をエッチング処理する。エッチング処理された部位の引出配線6および半導体素子接続パッド5は、厚みが1μm程度減少する。これにより、半導体素子接続パッド5に付いていた接触傷Wが2μm以下の深さに浅くなる。その結果、接触傷Wが極めて小さいか、あるいは全くない状態とすることができる。したがって、プローブPの接触傷Wに起因する接続不良のない配線基板10の製造方法を提供することができる。
ところで、このエッチング処理により、開口部3aから露出する引出配線6および半導体素子接続パッド5の幅も2μm程度細くなる。この様子を図5に示す。図5では、開口部3aから露出する引出配線6および半導体素子接続パッド5におけるエッチング処理前の輪郭を点線により示している。上述したように、配線導体2を形成する際に、開口部3aから露出する引出配線6および半導体素子接続パッド5の幅を、それぞれの設計値よりも2μm程度広いものとしておいたことから、エッチング処理によりこれらの幅が2μm程度細くなったとしても、設計値通りの幅を確保することができる。
なお、本発明は上述の実施形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更は可能である。例えば上述の実施形態例では、本発明を内外2列の半導体素子接続パッド5およびこれらに接続された引出配線6の一部を一括して露出させるように搭載部1aの外周部に沿った方形枠状の開口部3aを有するソルダーレジスト層3を設けた配線基板10に適用したが、図6に示すように、内外2列の半導体接続パッド5および搭載部10aの中央部を一括して露出させる方形状の開口部3Aを有するソルダーレジスト層3を設けた配線基板10Aに適用してもよい。
1 絶縁基板
2 配線導体
3 ソルダーレジスト層
3a ソルダーレジスト層の開口部
5 半導体素子接続パッド
6 引出配線
P プローブ
W 接触傷
2 配線導体
3 ソルダーレジスト層
3a ソルダーレジスト層の開口部
5 半導体素子接続パッド
6 引出配線
P プローブ
W 接触傷
Claims (2)
- 絶縁基板の上面に、複数の半導体素子接続パッドと該半導体素子接続パッドの各々から延びる引出配線とを含む配線導体を形成する工程と、前記絶縁基板の上面に、前記半導体素子接続パッドおよび該半導体素子接続パッドから延びる前記引出配線の少なくとも一部を完全に露出させる開口部を有するソルダーレジスト層を形成する工程と、前記半導体素子接続パッドに電気検査装置のプローブを接触させて該半導体素子接続パッドに前記プローブとの接触傷を付けながら前記配線導体の電気検査を行う工程と、前記半導体素子接続パッドおよび前記引出配線の前記一部をエッチング処理することにより前記接触傷を浅くする工程と、を行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
- 前記エッチング処理前における前記半導体素子接続パッドの幅および前記開口部から露出する前記引出配線の幅を、それぞれの設計値よりも前記エッチングされる分だけ広く形成しておくことを特徴とする請求項1記載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015048949A JP2016171153A (ja) | 2015-03-12 | 2015-03-12 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015048949A JP2016171153A (ja) | 2015-03-12 | 2015-03-12 | 配線基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016171153A true JP2016171153A (ja) | 2016-09-23 |
Family
ID=56982501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015048949A Pending JP2016171153A (ja) | 2015-03-12 | 2015-03-12 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016171153A (ja) |
-
2015
- 2015-03-12 JP JP2015048949A patent/JP2016171153A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6081044B2 (ja) | パッケージ基板ユニットの製造方法 | |
TW201712766A (zh) | 封裝載板及其製作方法 | |
TW201444432A (zh) | 承載基板及其製作方法 | |
TWI498056B (zh) | 具有內埋元件的電路板、其製作方法及封裝結構 | |
JP2016127148A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP6834775B2 (ja) | 電子部品が半田付けされた基板、電子機器及び電子部品の半田付け方法 | |
TW201507564A (zh) | 電路板及其製作方法 | |
JP2016171153A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP6295598B2 (ja) | プリント基板の製造方法及びプリント基板ユニットの製造方法 | |
JP6258810B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP6250309B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
JP2007027341A (ja) | プリント配線板および電子部品実装構造 | |
JP2016051747A (ja) | 配線基板 | |
JP2015026774A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP6301595B2 (ja) | 配線基板、多層配線基板の製造方法 | |
JP2013145824A (ja) | 配線板、電子ユニット及び配線板の製造方法 | |
JP2011035211A (ja) | 部品実装モジュール、部品実装モジュール内蔵配線板、部品実装モジュール内蔵配線板の製造方法 | |
JP2012074635A (ja) | 半導体パッケージ基板の検査方法、半導体パッケージ基板の製造方法、半導体パッケージ基板 | |
JP6259045B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2016039251A (ja) | Pop構造体およびその製造方法 | |
JP2014110268A (ja) | 配線基板 | |
JP2012015198A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP2014130953A (ja) | 配線基板 | |
JP2014110266A (ja) | 配線基板 | |
JP2015207678A (ja) | 配線基板の製造方法 |