JP2016171125A - 磁気抵抗素子および磁気メモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気抵抗素子1は、第1磁性層12(参照層)、第1磁性層上に設けられた非磁性層14及び非磁性層上に設けられた第2磁性層16(記憶層)を有する積層膜19と、第2磁性層上に設けられ、下面と、下面に対向する上面と、下面と上面と異なる側面と、を有する導体であって、下面の面積が上面の面積よりも小さくかつ下面の面積が第2磁性層16の上面の面積よりも小さい導体20(コンタクトプラグ)と、導体の側面に設けられ炭素を含む側壁膜22と、を備えている。
【選択図】図1
Description
第1実施形態による磁気抵抗素子の断面を図1に示す。この第1実施形態の磁気抵抗素子1は基板10上に形成された配線11上に設けられたMTJ素子であって、配線11上に設けられた参照層12と、参照層12上に設けられたトンネルバリア層14と、トンネルバリア層14上に設けられた記憶層16と、記憶層16上に設けられたキャップ層18と、キャップ層18上に設けられ、キャップ層18から上方に向かうに連れて断面積が増大する形状、例えば逆テーパ形状を有する導体(例えばコンタクトプラグ)20と、コンタクトプラグ20の側面に設けられた側壁膜22と、を備えている。なお、本実施形態では、配線11上に、参照層12、トンネルバリア層14、および記憶層16がこの順序で積層された構造を有しているが、逆に積層された構造を有していてもよい。この場合は、配線11上に、記憶層16、トンネルバリア層14,および参照層12がこの順序で積層された構造となる。また、コンタクトプラグ20は上面が配線24に接合する。配線11と、配線24は、交差する方向に互いに延在している。なお、第1実施形態においては、参照層12および記憶層16は、磁化方向が膜面に垂直な垂直磁気異方性を有していてもよいし、磁化方向が膜面に平行であってもよい。ここで、「膜面」とは、積層方向に平行な磁性層の面を云う。
しかし、図2に示す第1実施形態の第1変形例のように、側壁膜22は、コンタクトプラグ20の外周形状に沿ってほぼ一様の厚さで設けられていてもよい。すなわち、第1変形例においては、第1実施形態と異なり、コンタクトプラグ20とキャップ層18との接合面において、側壁膜22の外周は、参照層12、トンネルバリア層14、記憶層16、およびキャップ層18からなる積層膜の外周と同じサイズではなく、積層膜の外周のサイズよりも小さい。
第1実施形態の第2変形例による磁気抵抗素子の断面を図3Aに示す。この第2変形例の磁気抵抗素子1は、図1に示す第1実施形態において、記憶層16およびキャップ層18の外周のサイズ(幅)が、参照層12およびトンネルバリア層14の外周のサイズ(幅)よりも小さい構造を有している。このような構成とすることにより、第1実施形態に比べて記憶層16における電流密度が高くなり、スピン注入磁化反転が生じやすくなる。なお、第1実施形態の第2変形例においては、側壁膜22は、コンタクトプラグ20の側面の下端部における前記積層膜の積層方向に垂直な面の断面積が上記側面の上端部における上記積層方向に垂直な面の断面積よりも大きい。また、側壁膜22は、上記積層膜の積層方向に垂直な面における断面積がコンタクトプラグ20の下から上に向かうにつれて減少する部分を含む。
第1実施形態の第3変形例による磁気抵抗素子の断面を図3Bに示す。この第3変形例の磁気抵抗素子1は、図2に示す第1実施形態の第1変形例において、記憶層16およびキャップ層18の外周のサイズ(幅)が、参照層12およびトンネルバリア層14の外周のサイズ(幅)よりも小さい構造を有している。この第3変形例も、第2変形例と同様に、第1実施形態に比べて記憶層16における電流密度が高くなり、スピン注入磁化反転が生じやすくなる。
次に、第1実施形態および第1乃至第3変形例の磁気抵抗素子1における側壁膜22について説明する。
第2実施形態による磁気抵抗素子を図7に示す。この第2実施形態の磁気抵抗素子1は、絶縁体からなる素子分離領域110によって分離された半導体基板100上に形成される。半導体領域11上には、配線11が形成され、この配線11上に磁気抵抗素子1が設けられる。この磁気抵抗素子1は、図1に示す第1実施形態の磁気抵抗素子である。すなわち、この磁気抵抗素子1は、配線11上に設けられた積層膜19と、この積層膜19上に設けられた逆テーパ形状のコンタクトプラグ20と、コンタクトプラグ20の側面に設けられた側壁膜22と、を備えている。積層膜19は、図1に示すように。参照層12と、参照層12上に設けられたトンネルバリア層14と、トンネルバリア層14上に設けられた記憶層16と、記憶層16上に設けられたキャップ層18と、を備えている。
次に、第2実施形態の磁気抵抗素子1の製造方法を図8乃至図17を参照して説明する。
第3実施形態による磁気抵抗素子の製造方法について図18乃至図27を参照して説得瞑する。この第3実施形態の製造方法は、図2に示す第1実施形態の第1変形例と同様に、側壁膜22の外周と積層膜19の外周が一致していない場合の製造方法である。
第4実施形態による磁気メモリについて図28および図29を参照して説明する。第4実施形態の磁気メモリは少なくとも1個のメモリセルを有し、このメモリセルの断面図を図28に示す。メモリセル53は、第1乃至第3実施形態ならびにそれらの変形例のいずれかの磁気抵抗素子(MTJ素子)を記憶素子として有している。以下の説明では、メモリセル53は、第1実施形態の磁気抵抗素子1を記憶素子として備えているものとする。
11 配線
12 参照層
14 トンネルバリア層(非磁性層)
16 記憶層
18 キャップ層
20 コンタクトプラグ
22 側壁膜
24 配線
28 保護膜
Claims (5)
- 第1磁性層、前記第1磁性層上に設けられた非磁性層、および前記非磁性層上に設けられた第2磁性層を有する積層膜と、
前記第2磁性層上に設けられ、下面と、前記下面に対向する上面と、前記下面と前記上面と異なる側面と、を有する導体であって、前記下面の面積が前記上面の面積よりも小さくかつ前記下面の面積が前記第2磁性層の上面の面積よりも小さい導体と、
前記導体の前記側面に設けられ炭素を含む膜と、
を備えた磁気抵抗素子。 - 前記炭素を含む膜は、前記側面の下端部において有する前記積層膜の積層方向に垂直な面の断面積が、前記側面の上端部において有する前記積層方向に垂直な面の断面積よりも大きい請求項1記載の磁気抵抗素子。
- 前記炭素を含む膜は、前記積層膜の積層方向に垂直な面における断面積が前記導体の下から上に向かうにつれて減少する部分を含む請求項1または2記載の磁気抵抗素子。
- 前記導体は、W、Ti、Hf、Ta、Zr、Nbの群から選択された少なくとも1つの金属、または前記選択された金属の炭化物、窒化物、ホウ化物のいずれかを含む請求項1乃至3のいずれかに記載の磁気抵抗素子。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載の磁気抵抗素子と、
ソースおよびドレインのうちの一方が前記磁気抵抗素子の前記第1磁性層に電気的に接続される選択トランジスタと、
前記磁気抵抗素子の前記導体に電気的に接続される第1配線と、
前記選択トランジスタのソースおよびドレインの他方に電気的に接続される第2配線と、
前記選択トランジスタのゲートに電気的に接続される第3配線と、
を備えた磁気メモリ
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