JP2011249590A - 磁気トンネル接合素子を用いた磁気ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 - Google Patents
磁気トンネル接合素子を用いた磁気ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】
素子側壁導電性膜であるTaO層60の上面60Uよりも、トンネルバリア層42の下面42Lの位置のほうが高く形成できるように、バッファ層30上に磁気トンネル接合素子を形成する。そのために、バッファ層30の膜厚と、トンネルバリア層下面位置42Lと、磁気トンネル接合素子周辺に形成されたTaO層60の上面60Uと、の関係をあらかじめ求めておき、当該関係に基づき、バッファ層30の成膜膜厚を決定する。
【選択図】 図6
Description
下部電極層上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層とトンネルバリア層を含むトンネル磁気抵抗効果積層構造体とからなる磁気トンネル接合素子と、前記磁気トンネル接合素子周辺に形成された金属酸化膜とを有し、前記トンネルバリア層の下面の位置が前記金属酸化膜の上面の位置よりも高いことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリが提供される。
また、本発明の他の観点によれば、
下部電極層上にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に、トンネルバリア層を含むトンネル磁気抵抗効果積層構造体を形成する工程と、前記トンネル磁気抵抗効果積層構造体上にマスクを形成する工程と、前記バッファ層と前記トンネル磁気抵抗効果積層構造体とを前記マスクを用いてエッチングすることにより、磁気トンネル接合素子を形成する工程と、を有し、 前記磁気トンネル接合素子を形成する工程で、前記磁気トンネル接合素子周辺に形成された金属酸化膜において、前記トンネルバリア層の下面の位置が前記金属酸化膜の上面の位置よりも高いことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの製造方法が提供される。
基板10上にスパッタリング法を用いて、下部電極層20〜バッファ層30〜TMR積層構造体40A〜接続層51を順次形成する。ただし、これらの層を形成するのは、基板上に限るものではない。後述の単純マトリックス型の磁気メモリ装置では、これらの層は基板上に形成されたワード線上に形成する。また、後述のアクティブ型の磁気メモリ装置では、これらの層は基板上に形成されたコンタクトプラグ上に形成する。
膜厚0.7nmまたは1.6nmであれば良く、たとえば、膜厚0.7nmを成膜する。次に3層目としては、例えばCoFeBであり、膜厚1nm〜2nmの範囲であれば良く、たとえば、膜厚1.5nmを成膜する。
110は層間絶縁層、111はTa層、112はNiFe層、113はCu層、114はNiFe層、115はワード線、116は層間絶縁層、117はTi層、118はNiFe層、119はAl層、120はNiFe層、121はビット線、122は層間絶縁層、123は配線溝、124はフォトレジスト、125はコンタクトホールである。
層間絶縁層110には、Ta層111と、NiFe層112と、Cu層113と、NiFe層114とからなるワード線115が埋め込まれている。
NiFe層114上には、下部電極層20が形成されている。下部電極層20上には、図6の、第1のバッファ層31、第2のバッファ層32、自由磁化層41、トンネルバリア層42、固定磁化層(4層)43、反強磁性ピンニング層44、上部電極層45、接続層51が積層されてなるMTJ素子40が形成されている。MTJ素子40が形成された層間絶縁層110上には、層間絶縁層116が形成されている。
(付記1)
下部電極層上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層とトンネルバリア層を含むトンネル磁気抵抗効果積層構造体とからなる磁気トンネル接合素子と、
前記磁気トンネル接合素子周辺に形成された金属酸化膜と
を有し、
前記トンネルバリア層の下面の位置が前記金属酸化膜の上面の位置よりも高い
ことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。(1)
(付記2)
前記バッファ層は、第1のバッファ層と第2のバッファ層との積層膜からなり、
前記第1のバッファ層はRu、Pt、Zrのいずれかであり、
前記第2のバッファ層はTa、Pt、Hfのいずれかである
ことを特徴とする付記1に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。(2)
(付記3)
前記第1のバッファ層は、順に下層からRu層、アモルファス層、Ru層の3層構造からなり、
前記アモルファス層は、CoFeBまたはCoFeBTaのいずれかである
ことを特徴とする付記2に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。(3)
(付記4)
前記第1のバッファ層は、2nmから10nmの範囲の膜厚であり、
前記第2のバッファ層は、前記第1のバッファ層との合計膜厚が5nm以上となるように調整されて形成される
ことを特徴とする付記2または3のいずれか1項に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。(4)
(付記5)
前記磁気トンネル接合素子が自由磁化層と固定磁化層とを有しており、スピントランスファートルクにより前記自由磁化層の磁化を反転させ、トンネル磁気抵抗効果により前記固定磁化層の磁化方向に対する前記自由磁化層の磁化方向を検知する
ことを特徴とする付記1〜4のいずれか1項に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。(5)
(付記6)
下部電極層上にバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に、トンネルバリア層を含むトンネル磁気抵抗効果積層構造体を形成する工程と、
前記トンネル磁気抵抗効果積層構造体上にマスクを形成する工程と、
前記バッファ層と前記トンネル磁気抵抗効果積層構造体とを前記マスクを用いてエッチングすることにより、磁気トンネル接合素子を形成する工程と、
を有し、
前記磁気トンネル接合素子を形成する工程で、前記磁気トンネル接合素子周辺に形成された金属酸化膜において、
前記トンネルバリア層の下面の位置が前記金属酸化膜の上面の位置よりも高い
ことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。(6)
(付記7)
前記トンネルバリア層下面の位置は、前記バッファ層の成膜膜厚に基づいて決定される
ことを特徴とする付記6に記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。(7)
(付記8)
バッファ層の膜厚と、
トンネルバリア層下面位置と
磁気トンネル接合素子周辺に形成された下部電極層上の金属酸化膜上面位置と
の関係をあらかじめ求めておき、当該関係に基づいて、
前記バッファ層を形成する工程を行う
ことを特徴とする付記6または7のいずれかに記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。(8)
(付記9)
前記バッファ層は、第1のバッファ層と第2のバッファ層との積層膜からなり、
前記第1のバッファ層はRu、Pt、Zrのいずれかであり、
前記第2のバッファ層はTa、Pt、Hfのいずれかである
ことを特徴とする付記6〜8のいずれか1項に記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。
(付記10)
前記第1のバッファ層は、順に下層からRu層、アモルファス層、Ru層の3層構造からなり、
前記アモルファス層は、CoFeBまたはCoFeBTaのいずれかである
ことを特徴とする付記9に記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。
(付記11)
前記第1のバッファ層は、2nmから10nmの範囲の膜厚であり、
前記第2のバッファ層は、前記第1のバッファ層との合計膜厚が5nm以上となるように調整して形成する
ことを特徴とする付記9または10のいずれか1項に記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。
20 下部電極層
20U 下部電極層の上面の位置、
21 下部電極下層
22 下部電極中間層
23 下部電極上層
30 バッファ層
31 第1のバッファ層
32 第2のバッファ層
40A TMR積層構造体
40 開示のMTJ素子
41 自由磁化層
42 トンネルバリア層
42L トンネルバリア層の下面の位置
43 固定磁化層
44 反強磁性ピンニング層
45 上部電極層、
51 接続層
52 酸化膜
53 レジストパターン
60 TaO層
60U TaO層の上面の位置
100 単純マトリクス型の磁気メモリ装置
110 層間絶縁層
111 Ta層
112 NiFe層
113 Cu層
114 NiFe層
115 ワード線
116 層間絶縁層
117 Ti層
118 NiFe層
119 Al層
120 NiFe層
121 ビット線
122 層間絶縁層
123 配線溝
124 フォトレジスト
125 コンタクトホール
150 アクティブマトリクス型の磁気メモリ装置
200 素子分離膜
201 ゲート電極
202、203 ソース/ドレイン領域
204 層間絶縁層
205 コンタクトプラグ
206 グラウンド線
207 層間絶縁層
208 コンタクトプラグ
209 層間絶縁層
210 層間絶縁層
211 コンタクトホール
212 コンタクトホール
Claims (8)
- 下部電極層上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層とトンネルバリア層を含むトンネル磁気抵抗効果積層構造体とからなる磁気トンネル接合素子と、
前記磁気トンネル接合素子周辺に形成された金属酸化膜と
を有し、
前記トンネルバリア層の下面の位置が前記金属酸化膜の上面の位置よりも高い
ことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記バッファ層は、第1のバッファ層と第2のバッファ層との積層膜からなり、
前記第1のバッファ層はRu、Pt、Zrのいずれかであり、
前記第2のバッファ層はTa、Pt、Hfのいずれかである
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記第1のバッファ層は、順に下層からRu層、アモルファス層、Ru層の3層構造からなり、
前記アモルファス層は、CoFeBまたはCoFeBTaのいずれかである
ことを特徴とする請求項2に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記第1のバッファ層は、2nmから10nmの範囲の膜厚であり、
前記第2のバッファ層は、前記第1のバッファ層との合計膜厚が5nm以上となるように調整されて形成される
ことを特徴とする請求項2または3のいずれか1項に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記磁気トンネル接合素子が自由磁化層と固定磁化層とを有しており、スピントランスファートルクにより前記自由磁化層の磁化を反転させ、トンネル磁気抵抗効果により前記固定磁化層の磁化方向に対する前記自由磁化層の磁化方向を検知する
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 下部電極層上にバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に、トンネルバリア層を含むトンネル磁気抵抗効果積層構造体を形成する工程と、
前記トンネル磁気抵抗効果積層構造体上にマスクを形成する工程と、
前記バッファ層と前記トンネル磁気抵抗効果積層構造体とを前記マスクを用いてエッチングすることにより、磁気トンネル接合素子を形成する工程と、
を有し、
前記磁気トンネル接合素子を形成する工程で、前記磁気トンネル接合素子周辺に形成された金属酸化膜において、
前記トンネルバリア層の下面の位置が前記金属酸化膜の上面の位置よりも高い
ことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 前記トンネルバリア層下面の位置は、前記バッファ層の成膜膜厚に基づいて決定される
ことを特徴とする請求項6に記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - バッファ層の膜厚と、
トンネルバリア層下面位置と
磁気トンネル接合素子周辺に形成された下部電極層上の金属酸化膜上面位置と
の関係をあらかじめ求めておき、当該関係に基づいて、
前記バッファ層を形成する工程を行う
ことを特徴とする請求項6または7のいずれかに記載の磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。
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