KR20150057159A - 수직 자기터널접합을 포함하는 자기 기억 소자 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 233
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 94
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 51
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 18
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 15
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 14
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 337
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 50
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 39
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 39
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 39
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 10
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 8
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 229910019236 CoFeB Inorganic materials 0.000 description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 102100035420 DnaJ homolog subfamily C member 1 Human genes 0.000 description 4
- 101000804122 Homo sapiens DnaJ homolog subfamily C member 1 Proteins 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GUBSQCSIIDQXLB-UHFFFAOYSA-N cobalt platinum Chemical compound [Co].[Pt].[Pt].[Pt] GUBSQCSIIDQXLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- FQMNUIZEFUVPNU-UHFFFAOYSA-N cobalt iron Chemical compound [Fe].[Co].[Co] FQMNUIZEFUVPNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co] Chemical compound [Cr].[Co] WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PGTXKIZLOWULDJ-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Zn] Chemical compound [Mg].[Zn] PGTXKIZLOWULDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co].[Ni].[Ni].[Ni] ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- GWAOOGWHPITOEY-UHFFFAOYSA-N 1,5,2,4-dioxadithiane 2,2,4,4-tetraoxide Chemical compound O=S1(=O)CS(=O)(=O)OCO1 GWAOOGWHPITOEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019227 CoFeTb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002441 CoNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018936 CoPd Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015187 FePd Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZDZZPLGHBXACDA-UHFFFAOYSA-N [B].[Fe].[Co] Chemical compound [B].[Fe].[Co] ZDZZPLGHBXACDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMPDGKPFUQVSBL-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Gd] Chemical compound [Fe].[Co].[Gd] BMPDGKPFUQVSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005316 antiferromagnetic exchange Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- QYHKLBKLFBZGAI-UHFFFAOYSA-N boron magnesium Chemical compound [B].[Mg] QYHKLBKLFBZGAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- VABUPYFNWNQKEQ-UHFFFAOYSA-N cobalt dysprosium iron Chemical compound [Fe][Co][Dy] VABUPYFNWNQKEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
- G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
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Abstract
자기 기억 소자가 제공된다. 자기 기억 소자는, 터널 배리어를 사이에 두고 서로 이격된 제1 수직 자성 구조체 및 제2 수직 자성 구조체, 상기 제1 수직 자성 구조체를 사이에 두고 상기 터널 배리어로부터 이격된 전극, 및 상기 제1 수직 자성 구조체와 상기 전극 사이의 블로킹층(blocking layer)을 포함한다. 상기 블로킹층은 비정질의 금속 화합물을 포함한다.
Description
본 발명은 자기 기억 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 수직 자기터널접합을 구비하는 자기 기억 소자에 관한 것이다.
전자 기기의 고속화 및/또는 저 소비전력화 등에 따라, 전기 기기에 포함되는 반도체 기억 소자의 고속화 및/또는 낮은 동작 전압 등에 대한 요구가 증가되고 있다. 이러한 요구들을 충족시키기 위하여, 반도체 기억 소자로서 자기 기억 소자가 제안된 바 있다. 자기 기억 소자는 고속 동작 및/또는 비휘발성 등의 특성들을 가질 수 있어서 차세대 반도체 기억 소자로 각광 받고 있다.
일반적으로, 자기 기억 소자는 자기터널접합 패턴(Magnetic tunnel junction pattern; MTJ)을 포함할 수 있다. 자기터널접합 패턴은 두 개의 자성체와 그 사이에 개재된 절연막을 포함할 수 있다. 두 자성체의 자화 방향들에 따라 자기터널접합 패턴의 저항 값이 달라질 수 있다. 예를 들면, 두 자성체의 자화 방향이 반평행한 경우에 자기터널접합 패턴은 큰 저항 값을 가질 수 있으며, 두 자성체의 자화 방향이 평행한 경우에 자기터널접합 패턴은 작은 저항 값을 가질 수 있다. 이러한 저항 값의 차이를 이용하여 데이터를 기입/판독할 수 있다.
전자 산업이 고도로 발전함에 따라, 자기 기억 소자에 대한 고집적화 및/또는 저 소비전력화에 대한 요구가 심화되고 있다. 따라서, 이러한 요구들을 충족시키기 위한 많은 연구들이 진행되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 자기터널접합(MTJ)의 터널자기저항(TMR) 특성 및 자기터널접합(MTJ)을 구성하는 자성층들 간의 교환 결합(exchange coupling) 특성 등을 개선함으로써, 우수한 신뢰성을 갖는 자기 기억 소자를 제공하는데 있다.
본 발명에 따른 자기 기억 소자는, 터널 배리어를 사이에 두고 서로 이격된 제1 수직 자성 구조체 및 제2 수직 자성 구조체, 상기 제1 수직 자성 구조체를 사이에 두고 상기 터널 배리어로부터 이격된 전극, 및 상기 제1 수직 자성 구조체와 상기 전극 사이의 블로킹층(blocking layer)을 포함하되, 상기 블로킹층은 비정질의 금속 화합물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 블로킹층은 상기 블로킹층의 증착 단계에서 비정질이고, 상기 블로킹층의 증착 이후에 수행되는 어닐링 공정에 의해 결정화되지 않고 비정질을 유지할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 블로킹층은 강자성 원소, 비금속 원소, 및 비자성 금속 원소를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 강자성 원소는 코발트, 철, 및 니켈 중 적어도 하나이고, 상기 비금속 원소는 보론 및 질소 중 적어도 하나이고, 상기 비자성 금속 원소는 Ta, W, Nb, Ti, Cr, Zr, Hf, Mo, Al, Mg, Ru, 및 V 중 적어도 하나일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 블로킹층은 CoFeBTa일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 블로킹층 내의 상기 비자성 금속 원소의 비율은 15wt% 내지 50wt%일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 블로킹층의 두께는 20Å 이하일 수 있다.
본 발명에 따른 자기 기억 소자는, 상기 제1 수직 자성 구조체와 상기 블로킹층 사이의 시드층을 더 포함하고, 상기 블로킹층은 상기 시드층의 일면에 접할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 수직 자성 구조체는 상기 터널 배리어와 상기 시드층 사이의 교환 결합층, 상기 터널 배리어와 상기 교환 결합층 사이의 제1 자성층, 및 상기 교환 결합층과 상기 시드층 사이의 제2 자성층을 포함하되, 상기 제1 자성층 및 상기 제2 자성층은 일 방향으로 고정된 자화 방향을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 수직 자성 구조체는, 상기 터널 배리어와 상기 시드층 사이에 배치되고 변경 가능한 자화 방향을 갖는 적어도 하나의 자성층을 포함할 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 상기 전극은 제1 전극이고, 상기 블로킹층은 제1 블로킹층이고, 본 발명에 따른 자기 기억 소자는 상기 제2 수직 자성 구조체를 사이에 두고 상기 터널 배리어로부터 이격된 제2 전극, 및 상기 제2 수직 자성 구조체와 상기 제2 전극 사이의 제2 블로킹층(blocking layer)을 더 포함하되, 상기 제2 블로킹층은 비정질의 금속 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 자기 기억 소자는, 상기 제1 수직 자성 구조체와 상기 제1 블로킹층 사이의 시드층, 및 상기 제2 수직 자성 구조체와 상기 제2 블로킹층 사이의 캐핑층을 더 포함하되, 상기 제1 블로킹층은 상기 시드층의 일면에 접하고, 상기 제2 블로킹층은 상기 캐핑층의 일면에 접할 수 있다.
본 발명에 따른 자기 기억 소자는 자유층, 고정층, 및 상기 자유층과 상기 고정층 사이의 터널 배리어를 포함하는 자기터널접합, 상기 자기터널접합 상의 전극, 및 상기 자기터널접합과 상기 전극 사이의 블로킹층을 포함하되, 상기 블로킹층의 포화 자화의 값은 상기 자기터널접합을 구성하는 자성층들의 포화 자화의 값보다 작을 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 블로킹층은 강자성 원소, 비금속 원소, 및 비자성 금속 원소를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 블로킹층 내의 상기 비자성 금속 원소의 비율은 15wt% 내지 50wt%이고, 상기 블로킹층은 비정질층일 수 있다.
본 발명의 개념에 따르면, 비정질의 금속 화합물을 포함하는 블로킹층이 자기터널접합과 전극 사이에 배치될 수 있다. 상기 블로킹층에 의해 상기 전극의 결정 구조가 상기 자기 터널 접합의 결정 구조 및 배향에 영향을 미치는 것이 방지됨으로써, 상기 자기터널접합의 터널자기저항 특성 및 상기 자기터널접합을 구성하는 자성층들 간의 교환 결합 특성 등이 개선될 수 있다. 이에 따라, 우수한 신뢰성을 갖는 자기 기억 소자가 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 자기 기억 소자의 단위 메모리 셀을 예시적으로 도시하는 회로도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 자기 터널 접합을 설명하기 위한 도면들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 자기기억소자를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 자기 기억 소자를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 자기 기억 소자를 나타내는 단면도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 자기터널접합의 일부를 구성하는 제1 수직 자성 구조체를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 자기터널접합의 일부를 구성하는 제2 수직 자성 구조체를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 장치를 포함하는 전자 장치들을 도식적으로 설명하기 위한 도면들이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 자기 터널 접합을 설명하기 위한 도면들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 자기기억소자를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 자기 기억 소자를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 자기 기억 소자를 나타내는 단면도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 자기터널접합의 일부를 구성하는 제1 수직 자성 구조체를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 자기터널접합의 일부를 구성하는 제2 수직 자성 구조체를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 장치를 포함하는 전자 장치들을 도식적으로 설명하기 위한 도면들이다.
본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들의 설명을 통해 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 여기에 설명되고 예시되는 실시예들은 그것의 상보적인 실시예들도 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소는 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 자기 기억 소자의 단위 메모리 셀을 예시적으로 도시하는 회로도이다.
도 1을 참조하면, 단위 메모리 셀(UMC)은 서로 교차하는 제1 배선(L1) 및 제2 배선(L2) 사이에서 이들을 연결한다. 상기 단위 메모리 셀(UMC)은 선택 소자(SW) 및 자기터널접합(magnetic tunnel junction; MTJ)을 포함할 수 있다. 상기 선택 소자(SW) 및 상기 자기터널접합(MTJ)은 전기적으로 직렬로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2 배선들(L1, L2) 중의 하나는 워드라인으로 사용되고 다른 하나는 비트라인으로 사용될 수 있다.
상기 선택 소자(SW)는 상기 자기터널접합(MTJ)을 지나는 전하의 흐름을 선택적으로 제어하도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 선택 소자(SW)는 다이오드, 피엔피 바이폴라 트랜지스터, 엔피엔 바이폴라 트랜지스터, 엔모스 전계효과트랜지스터 및 피모스 전계효과트랜지스터 중의 하나일 수 있다. 상기 선택 소자(SW)가 3단자 소자인 바이폴라 트랜지스터 또는 모스 전계효과트랜지스터로 구성되는 경우, 추가적인 배선(미도시)이 상기 선택 소자(SW)에 연결될 수 있다.
상기 자기터널접합(MTJ)은 제1 수직 자성 구조체(MS1), 제2 수직 자성 구조체(MS2) 및 이들 사이의 터널 배리어(TBR)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 수직 자성 구조체들(MS1, MS2)의 각각은 자성 물질로 형성되는 적어도 하나의 자성층을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 도 1에 도시된 것처럼, 상기 단위 메모리 셀(UMC)은 상기 제1 수직 자성 구조체(MS1)와 상기 선택 소자(SW) 사이에 개재되는 제1 도전 구조체(CS1) 및 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2)와 상기 제2 배선(L2) 사이에 개재되는 제2 도전 구조체(CS2)를 더 포함할 수 있다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 자기 터널 접합을 설명하기 위한 도면들이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 제1 수직 자성 구조제(MS1)의 자성층 및 제2 수직 자성 구조체(MS2)의 자성층 중의 하나의 자화 방향는, 통상적인 사용 환경 아래에서, 외부 자계(external magnetic field)에 상관없이 고정된다. 이하에서, 이러한 고정된 자화 특성을 갖는 자성층은 고정층(PNL)으로 정의된다. 상기 제 1 수직 자성 구조제(MS1)의 자성층 또는 제 2 수직 자성 구조체(MS2)의 자성층 중 다른 하나의 자화 방향은 그것에 인가되는 외부 자계에 의해 스위치될 수 있다. 이하에서, 이러한 가변적인 자화 특성을 갖는 자성층은 자유층(FRL)으로 정의된다. 상기 자기터널접합(MTJ)는 상기 터널 배리어(TBR)에 의해 분리된 적어도 하나의 상기 자유층(FRL) 및 적어도 하나의 상기 고정층(PNL)을 구비할 수 있다.
상기 자기터널접합(MTJ)의 전기적 저항은 상기 자유층(FRL) 및 상기 고정층(PNL)의 자화 방향들에 의존적일 수 있다. 일 예로, 상기 자기터널접합(MTJ)의 전기적 저항은 상기 자유층(FRL) 및 상기 고정층(PNL)의 자화 방향들이 평행한 경우에 비해 이들이 반평행한(antiparallel) 경우에 훨씬 클 수 있다. 결과적으로, 상기 자기터널접합(MTJ)의 전기적 저항은 상기 자유층(FRL)의 자화 방향을 변경함으로써 조절될 수 있으며, 이는 본 발명에 따른 자기 메모리 장치에서의 데이터 저장 원리로서 이용될 수 있다.
상기 자기터널접합(MTJ)을 구성하는 상기 제1 및 제2 수직 자성 구조체들(MS1, MS2)은, 도 2 및 도 3에 도시된 것처럼, 기판(100) 상에 차례로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 자기터널접합(MTJ)은, 그것을 구성하는 자유 층(FRL)과 상기 기판(100) 사이의 상대적 배치 및/또는 자유층(FRL)과 고정층(PNL)의 형성 순서에 따라, 두 가지 유형으로 구분될 수 있다. 일 예로, 도 2에 도시된 것처럼, 상기 자기터널접합(MTJ)은 상기 제1 수직 자성 구조체(MS1) 및 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2)가 각각 상기 고정층(PNL) 및 상기 자유층(FRL)을 포함하도록 구성되는 제1 유형의 자기터널접합(MTJ1)이거나, 도 3에 도시된 것처럼, 상기 제1 수직 자성 구조체(MS1) 및 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2)가 각각 상기 자유층(FRL) 및 상기 고정층(PNL)을 포함하도록 구성되는 제2 유형의 자기터널접합(MTJ2)일 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 자기기억소자를 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 기판(100) 상에 제1 유전막(102)이 배치될 수 있고, 하부 콘택 플러그(104)가 상기 제1 유전막(102)을 관통할 수 있다. 상기 하부 콘택 플러그(104)의 하부면은 선택 소자의 일 단자에 전기적으로 접속될 수 있다.
상기 기판(100)은 반도체 특성을 갖는 물질들, 절연성 물질들, 절연성 물질에 의해 덮인 반도체 또는 도전체 중의 하나일 수 있다. 일 예로, 상기 기판(100)은 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 상기 제1 유전막(102)은 산화물, 질화물, 및/또는 산화질화물을 포함할 수 있다. 상기 하부 콘택 플러그(104)는 도전 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 도전 물질은, 도펀트로 도핑된 반도체(ex, 도프트 실리콘, 도프트 게르마늄, 도프트 실리콘-게르마늄 등), 금속(ex, 티타늄, 탄탈늄, 텅스텐 등) 및 도전성 금속질화물(ex, 질화티타늄, 질화탄탈늄 등) 중 적어도 하나일 수 있다.
상기 제1 유전막(102) 상에 제1 도전 구조체(CS1), 자기터널접합(MTJ), 및 제2 도전 구조체(CS2)가 차례로 적층될 수 있다. 상기 제1 도전 구조체(CS1)는 상기 하부 콘택 플러그(104)의 상면에 전기적으로 접속될 수 있다. 상기 제1 도전 구조체(CS1), 상기 자기터널접합(MTJ), 및 상기 제2 도전 구조체(CS2)는 서로 정렬된 측벽들을 가질 수 있다.
상기 제1 도전 구조체는(CS1)는 상기 제1 유전막(102) 상의 제1 전극(106), 상기 제1 전극(106) 상의 시드층(110), 및 상기 제1 전극(106)과 상기 시드층(110) 사이의 블로킹층(108)을 포함할 수 있다. 상기 자기터널접합(MTJ)은 상기 시드층(110) 상의 제1 수직 자성 구조체(MS1), 상기 제1 수직 자성 구조체(MS1) 상의 제2 수직 자성 구조체(MS2), 및 상기 제1 수직 자성 구조체(MS1)와 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2) 사이의 터널 배리어(TBR)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 수직 자성 구조체(MS1)는 상기 시드층(110)과 상기 터널 배리어(TBR) 사이에 배치될 수 있고, 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2)는 상기 터널 배리어(TBR)와 상기 제2 도전 구조체(CS2) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전 구조체(CS2)는 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2) 상의 제2 전극(114) 및 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2)와 상기 제2 전극(114) 사이의 캐핑층(112)을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(106)은 상기 하부 콘택 플러그(104)의 상면에 전기적으로 접속될 수 있다. 상기 제1 전극(106)은 정해진 결정 구조를 갖는 도전 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 제1 전극(106)은 질화티타늄 및/또는 질화탄탈늄 등과 같은 도전성 금속질화물을 포함할 수 있다.
상기 블로킹층(108)은 비정질의 금속 화합물을 포함할 수 있다. 본 명세서에서, 금속 화합물이란 금속 원소 및 상기 금속 원소와 다른 원소로 이루어진 물질을 의미한다. 상기 블로킹층(108)은 증착 시에 비정질일 수 있고, 상기 블로킹층(108)의 증착 이후에 수행되는 어닐링 공정 후에도 비정질을 유지할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 블로킹층(108)은 강자성 원소, 비금속 원소, 및 비자성 금속 원소로 이루어진 금속 화합물을 포함하는 박막일 수 있다. 상기 강자성 원소는 코발트, 철, 및 니켈 중 적어도 하나일 수 있고, 상기 비금속 원소는 보론, 질소, 및 산소 중 적어도 하나일 수 있다. 상기 비자성 금속 원소는 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 몰리브데늄(Mo), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 루테늄(Ru), 및 바나듐(V) 중 적어도 하나일 수 있다. 일 예로, 상기 블로킹층(108)은 CoFeBTa을 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 블로킹층(108)의 포화 자화(Saturation Magnetization, Ms)의 값은, 상기 자기터널접합(MTJ)을 구성하는 자성층들의 포화 자화의 값들보다 작을 수 있다. 일 예로, 상기 블로킹층(108)의 포화 자화의 값은 약 10 emu/cm3(단위 부피당 자기모멘트) 이하일 수 있다.
상기 블로킹층(108) 내의 상기 비자성 금속 원소의 비율은 약 15wt% 내지 약 50wt%일 수 있다. 상기 비자성 금속 원소의 비율이 약 15wt% 미만인 경우, 상기 블로킹층(108)의 포화 자화의 값을 낮추기 어렵고, 상기 블로킹층(108)이 상기 어닐링 공정에 의해 결정화되어 비정질을 유지하기 어렵다. 상기 비자성 금속 원소의 비율이 약 50wt%를 초과하는 경우, 상기 블로킹층(108)은 상기 어닐링 공정에 의해 결정화되어 비정질을 유지하기 어렵다.
다른 실시예에 따르면, 상기 블로킹층(108)은 비자성 금속 원소와 산소 원소로 이루어진 금속 화합물을 포함하는 박막일 수 있다. 상기 비자성 금속 원소는 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 몰리브데늄(Mo), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 루테늄(Ru), 및 바나듐(V) 중 적어도 하나일 수 있다. 일 예로, 상기 블로킹층(108)은 산화루테늄(RuOx)을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 블로킹층(108)은 비자성층일 수 있다. 즉, 상기 블로킹층(108)의 포화 자화의 값은 0 emu/cm3일 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 블로킹층(108)은 상술한 실시예들에 따른 박막들을 각각 하나씩 포함하는 다층막 구조로서 제공될 수 있다.
상기 블로킹층(108)의 두께는 약 20Å 이하일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 블로킹층(108)은 약 20Å 이하의 얇은 두께로 증착되는 경우에도, 상기 블로킹층(108)의 증착 이후에 수행되는 어닐링 공정에 의해 결정화되지 않고 비정질을 유지할 수 있다. 상기 블로킹층(108)은 상기 블로킹층(108)을 증착한 후 상기 시드층(110)을 증착하기 전에 수행되는 평탄화 공정에 의해 평탄화된 상면(U1)을 가질 수 있다.
일반적인 기술에 따르면, 상기 제1 전극(106)은 정해진 결정 구조를 가질 수 있고, 금속막을 사이에 두고 상기 시드층(110)에 인접할 수 있다. 상기 금속막은 증착 단계에서 비정질이나, 상기 증착 단계에 이후에 수행되는 어닐링 공정에 의해 결정화될 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 전극(106)의 결정 구조가 상기 금속막을 통하여 상기 시드층(110)으로 전이되어 상기 시드층(110)을 시드로 하여 형성되는 상기 자기터널접합(MTJ)의 결정 구조 및 배향에 영향을 미칠 수 있다. 그 결과, 상기 자기터널접합(MTJ)의 터널자기저항(Tunneling Magnetic Resistance, TMR) 특성 및 상기 자기터널접합(MTJ)을 구성하는 자성층들 간의 교환 결합(exchange coupling) 특성 등이 저하될 수 있다.
본 발명의 개념에 따르면, 비정질의 금속 화합물을 포함하는 상기 블로킹층(108)은 상기 블로킹층(108)의 증착 이후에 수행되는 상기 어닐링 공정에 의해 결정화되지 않고 비정질을 유지할 수 있다. 상기 블로킹층(108)이 상기 제1 전극(106)과 상기 시드층(110) 사이에 배치됨에 따라, 상기 제1 전극(106)의 결정 구조가 상기 어닐링 공정에 의해 상기 시드층(110)으로 전이되는 것이 방지될 수 있다. 즉, 상기 어닐링 공정에 의해 상기 제1 전극(106)의 결정 구조가 상기 시드층(110)을 통하여 상기 자기터널접합(MTJ)의 결정 구조 및 배향에 영향을 주는 것이 방지됨에 따라, 상기 자기터널접합(MTJ)의 터널자기저항(TMR) 특성 및 상기 자기터널접합(MTJ)을 구성하는 자성층들 간의 교환 결합(exchange coupling) 특성 등이 개선될 수 있다.
상기 시드층(110)은 상기 자기터널접합(MTJ)을 구성하는 자성층들의 결정 성장에 도움을 주는 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 시드층(110)은 조밀육방격자(HCP)를 구성하는 금속 원자들을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 시드층(110)은 루테늄(Ru) 및/또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 그러나, 다른 실시예에 따르면, 상기 시드층(110)은 면심입방격자(FCC)를 구성하는 금속원자들을 포함할 수도 있다. 일 예로, 상기 시드층(110)은 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 시드층(110)은 단일의 층 또는 서로 다른 결정구조를 갖는 복수의 층들을 포함할 수 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 자기터널접합의 일부를 구성하는 제1 수직 자성 구조체를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7을 참조하면, 상기 제1 수직 자성 구조체(MS1)는 상기 시드층(110)과 상기 터널 배리어(TBR) 사이에 차례로 배치된 제1 고정층(first pinned layer, 130), 제1 교환결합층(132), 및 제2 고정층(second pinned layer, 134)을 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 상기 제1 수직 자성 구조체(MS1)는, 도 2를 참조하여 설명한 제1 유형의 자기터널접합(MTJ1)의 일부를 구성하는 고정층(PNL)을 포함하는 다층의 자성 구조체일 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 고정층(130)은 상기 시드층(110)과 상기 제1 교환결합층(132) 사이에 배치될 수 있고, 상기 제2 고정층(134)은 상기 제1 교환결합층(132)과 상기 터널 배리어(TBR) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 고정층(130)은 내재적 수직 자화 특성을 갖는, 자성 물질(이하, 수직 자성 물질)로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 내재적 수직 자화 특성은 외부적 요인이 없을 경우, 자성층이 그것의 두께 방향에 평행한 자화 방향을 갖는 특성을 의미한다. 일 예로, 수직 자화 특성을 갖는 자성층이 기판 상에 형성된 경우, 상기 자성층의 자화 방향은 상기 기판의 상면에 실질적으로 수직할 수 있다.
상기 제1 고정층(130)의 경우, 상기 내재적 수직 자화 특성은 코발트를 포함하는 수직 자성 물질들 중의 적어도 하나를 포함하는 단층 또는 다층 구조를 통해 구현될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 고정층(130)은 코발트 백금의 합금 또는 성분 X를 포함하는 코발트 백금의 합금(여기서, 성분 X는 보론, 루테늄, 크롬, 탄탈륨, 또는 산화물 중의 적어도 하나)를 포함하는 단층 또는 다층 구조일 수 있다. 다른 실시예들에서, 상기 제1 고정층(130)은, 교대로 그리고 반복적으로 적층된 코발트 함유막들 및 귀금속막들을 포함하는, 다층막 구조로서 제공될 수 있다. 이 경우, 상기 코발트 함유막들은 코발트, 코발트 철, 코발트 니켈, 및 코발트 크롬 중의 하나로 형성되고, 상기 귀금속막들은 백금 및 팔라듐 중의 하나로 형성될 수 있다. 또 다른 실시예들에서, 상기 제1 고정층(130)은 상술한 일부 및 다른 실시예들에 따른 박막들을 각각 하나씩 포함하는 다층막 구조로서 제공될 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 제1 고정층(130)의 두께는 약 20Å 내지 약 80Å일 수 있으며, 보다 한정적으로는 약 30Å 내지 약 55Å일 수 있다. 상술한 물질들은, 본 발명의 기술적 사상에 대한 보다 나은 이해를 위해, 상기 제1 고정층(130)의 상술한 내재적 수직 자화 특성을 갖는 물질들의 예로서 언급되는 것일 뿐, 본 발명의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 상기 제1 고정층(130)은 a) 터븀(Tb)의 함량비가 10% 이상인 코발트철터븀(CoFeTb), b) 가돌리늄(Gd)의 함량비가 10% 이상인 코발트철가돌리늄(CoFeGd), c) 코발트철디스프로슘(CoFeDy), d) L10 구조의 FePt, e) L10 구조의 FePd, f) L10 구조의 CoPd, g) L10 또는 L11 구조의 CoPt, h) 조밀육방격자(Hexagonal Close Packed Lattice) 구조의 CoPt, i) 상술한 a) 내지 h)의 물질들 중의 적어도 하나를 포함하는 합금들, 또는 j) 자성층들 및 비자성층들이 교대로 그리고 반복적으로 적층된 구조 중의 하나일 수 있다. 상기 자성층들 및 비자성층들이 교대로 그리고 반복적으로 적층된 구조는 (Co/Pt)n, (CoFe/Pt)n, (CoFe/Pd)n, (Co/Pd)n, (Co/Ni)n, (CoNi/Pt)n, (CoCr/Pt)n 또는 (CoCr/Pd)n (n은 적층 횟수)의 구조일 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 고정층(130)은 상기 제1 교환결합층(132)에 접하는 코발트막 또는 코발트-리치막(cobalt-rich layer)을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 교환결합층(132)은 루테늄, 이리듐, 및 로듐 중의 적어도 하나로 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제2 고정층(134)은 상기 제1 교환결합층(132)을 통한 상기 제1 고정층(130)과의 반강자성 교환 결합을 통해 그것의 두께 방향에 평행한 자화를 가질 수 있다. 상기 제1 교환 결합층(132)은 상기 제2 고정층(134)이 상기 제1 고정층(130)의 자화 방향에 반평행한 수직 자화를 갖도록 만드는 두께로 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 제1 교환결합층(132)의 두께는 약 2Å 내지 약 10Å일 수 있다.
상기 제2 고정층(134)은 내재적 수평 자화 특성을 갖는 자성 물질로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 내재적 수평 자화 특성은 외부적 요인이 없을 경우, 자성층이 그것의 길이 방향에 평행한 자화 방향을 갖는 특성을 의미한다. 일 예로, 수평 자화 특성을 갖는 자성층이 기판 상에 형성된 경우, 상기 자성층의 자화 방향은 상기 기판의 상면과 실질적으로 평행할 수 있다. 즉, 상기 제2 고정층(134)은, 외부적 요인이 없을 경우, 그것의 가장 넓은 표면에 평행한 자화 방향을 가질 수 있다.
일부 실시예들에 따르면, 상기 제2 고정층(134)의 상기 내재적 수평 자화 특성은 코발트, 철 또는 이들의 합금들 중의 적어도 하나를 포함하는 단층 또는 다층 구조를 통해 구현될 수 있다. 일 예로, 상기 제2 고정층(134)은 CoFeB, CoHf, Co, 또는 CoZr 중의 적어도 하나를 포함하는 단층 또는 다층 구조일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제2 고정층(134)은 Co막 및 CoHf막을 포함하는 복층 구조, 또는 CoFeB막을 포함하는 복층 구조로서 제공될 수 있다. 상술한 물질들은, 본 발명의 기술적 사상에 대한 보다 나은 이해를 위해, 상기 제2 고정층(134)의 상술한 내재적 수평 자화 특성을 갖는 물질들의 예로서 언급되는 것일 뿐, 본 발명의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예들에서, 상기 제2 고정층(134)의 두께는 약 7Å 내지 약 25Å일 수 있으며, 보다 한정적으로는 약 10Å 내지 약 17Å일 수 있다.
상기 제2 고정층(134)의 상기 내재적 수평 자화 특성은 외부 요인(external factor)에 의하여 수직 자화 방향을 갖도록 변경될 수 있다. 일 예로, 상기 제2 고정층(134)은 상기 터널 배리어(TBR)와 접하도록 형성될 수 있으며, 상기 터널 배리어(TBR)에 의하여 상기 제2 고정층(134)은 외인성 수직자화 특성(extrinsic perpendicular magnetization property)을 갖는 구조(이하, 외인성 수직 구조체)가 될 수 있다.
일 예로, 상기 제2 고정층(134)은 상기 터널 배리어(TBR)와 접하도록 형성될 수 있으며, 상기 터널 배리어(TBR)와의 접합에 의한 계면 이방성(interface anisotropy)에 의하여 외인성 수직자화 특성(extrinsic perpendicular magnetization property)을 갖는 구조(이하, 외인성 수직 구조체)가 될 수 있다. 이와 같은 계면 이방성의 원인에 대한 설명은 다양한 방법으로 가능하다. 일 예로, 상기 터널 배리어(TBR)가 MgO를 포함하고 상기 제2 고정층(134)이 CoFeB를 포함하는 경우, 상기 계면 이방성은 상기 터널 배리어(TBR) 내의 산소와 상기 제2 고정층(134) 내의 철(Fe) 원소의 결합에 기인할 수 있다. 이와 같은 산소와 철의 결합은 상기 제2 고정층(134) 내의 비금속 원소, 일 예로 보론(B)이 상기 터널 배리어(TBR)과 상기 제2 고정층(134) 사이의 계면으로부터 배출되면서 촉진될 수 있다.
상기 제2 고정층(134)의 계면 이방성은 증착 이후 추가적인 열처리 공정에 의하여 유도될 수 있다. 즉, 상기 제2 고정층(134)은 증착 시에 적어도 일부가 비정질일 수 있으나, 이 후의 열처리 공정에 의하여 상기 외인성 수직 자화 특성을 갖도록 변형되며, 이 경우 상기 제2 고정층(134)의 결정 구조도 상기 터널 배리어(TBR)의 결정 구조의 영향을 받아 변형될 수 있다. 일 예로, 상기 터널 배리어(TBR)가 NaCl 결정 구조를 갖는 경우, 상기 제2 고정층(134)은 NaCl 결정 구조와 격자 배치가 유사한 BCC 결정 구조가 될 수 있다. 즉, 상기 터널 배리어(TBR)의 <001> 결정면과 상기 제2 고정층(134)의 <001> 결정면이 서로 접하여 계면을 이룰 수 있다. 이와 같은 터널 배리어(TBR)와 상기 제2 고정층(134)의 계면 결정면의 정합은 자기 터널 접합의 자기 저항비를 향상시킬 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 제1 수직 자성 구조체(MS1)는 상기 시드층(110)과 상기 터널 배리어(TBR) 사이에 차례로 배치된 제1 자유층(140), 제2 교환결합층(142), 및 제2 자유층(144)을 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 상기 제1 수직 자성 구조체(MS1)는, 도 3을 참조하여 설명한 제2 유형의 자기터널접합(MTJ2)의 일부를 구성하는 자유층(FRL)을 포함하는 다층의 자성 구조체일 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 자유층(140)은 상기 시드층(110)과 상기 제2 교환결합층(142) 사이에 배치될 수 있고, 상기 제2 자유층(144)은 상기 제2 교환결합층(142)과 상기 터널 배리어(TBR) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 자유층(144)은 내재적 수평 자화 특성을 갖는 자성 물질로 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 상기 제2 자유층(144)의 상기 내재적 수평 자화 특성은 코발트, 철 또는 이들의 합금들 중의 적어도 하나를 포함하는 단층 또는 다층 구조를 통해 구현될 수 있다. 일 예로, 상기 제2 자유층(144)은 CoFeB, CoHf, Co, 또는 CoZr 중의 적어도 하나를 포함하는 단층 또는 다층 구조일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제2 자유층(144)은 Co막 및 CoHf막을 포함하는 복층 구조 또는 CoFeB막을 포함하는 복층 구조로서 제공될 수 있다.
상기 제2 자유층(144)의 상기 내재적 수평 자화 특성은 외부 요인(external factor)에 의하여 수직 자화 방향을 갖도록 변경될 수 있다. 일 예로, 상기 제2 자유층(144)은 상기 터널 배리어(TBR)와 접하도록 형성될 수 있으며, 상기 터널 배리어(TBR)와의 접합에 의한 계면 이방성(interface anisotropy)에 의하여 외인성 수직자화 특성(extrinsic perpendicular magnetization property)을 갖는 구조(이하, 외인성 수직 구조체)가 될 수 있다.
상기 제2 교환결합층(142)은 비자성 금속층일 수 있다 일 예로, 상기 제2 교환결합층(142)은 탄탈륨, 루테늄, 이리듐, 및 로듐 중의 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 제2 자유층(144)은 상기 제2 교환 결합층(142)을 통하여 상기 제1 자유층(140)과 반강자성적으로 교환 결합될 수 있다.
상기 제1 자유층(140)은 상기 제2 자유층(144)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 제1 수직 자성 구조체(MS1)는 코발트-철-보론(CoFeB)의 합금으로 형성되는 한 쌍의 자유층들(140, 144) 및 이들 사이에 개재되고 탄탈륨으로 형성되는 제2 교환결합층(142)을 포함할 수 있다.
그러나, 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 자유층(140)은 내재적 수직 자화 특성을 갖는 자성 물질로 형성될 수 있다. 상기 내재적 수직 자화 특성은 코발트를 포함하는 수직 자성 물질들 중의 적어도 하나를 포함하는 단층 또는 다층 구조를 통해 구현될 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 자유층(140)은 코발트 백금의 합금 또는 성분 X를 포함하는 코발트 백금의 합금(여기서, 성분 X는 보론, 루테늄, 크롬, 탄탈륨, 또는 산화물 중의 적어도 하나)를 포함하는 단층 또는 다층 구조일 수 있다. 다른 실시예들에서, 상기 제1 자유층(140)은, 교대로 그리고 반복적으로 적층된 코발트 함유막들 및 귀금속막들을 포함하는, 다층막 구조로서 제공될 수 있다. 이 경우, 상기 코발트 함유막들은 코발트, 코발트 철, 코발트 니켈, 및 코발트 크롬 중의 하나로 형성되고, 상기 귀금속막들은 백금 및 팔라듐 중의 하나로 형성될 수 있다. 또 다른 실시예들에서, 상기 제1 자유층(140)은 상술한 일부 및 다른 실시예들에 따른 박막들을 각각 하나씩 포함하는 다층막 구조로서 제공될 수 있다.
도 4를 다시 참조하면, 상기 터널 배리어(TBR)는 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 마그네슘-아연(MgZn) 및 마그네슘-보론(MgB)의 산화물, 및 티타늄(Ti) 및 바나듐(V)의 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 터널 배리어(TBR)는 산화마그네슘(MgO)막일 수 있다. 이와 달리, 상기 터널 배리어(TBR)는 복수의 층들을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 터널 배리어(TBR)는 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 마그네슘-아연(MgZn) 및 마그네슘-보론(MgB)의 산화물, 및 티타늄(Ti) 및 바나듐(V)의 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 자기터널접합의 일부를 구성하는 제2 수직 자성 구조체를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9를 참조하면, 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2)는 상기 터널 배리어(TBR)와 상기 캐핑층(112) 사이에 차례로 배치된 제1 자유층(140), 제2 교환결합층(142), 및 제2 자유층(144)을 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2)는, 도 2을 참조하여 설명한 제1 유형의 자기터널접합(MTJ1)의 일부를 구성하는 자유층(FRL)을 포함하는 다층의 자성 구조체일 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 자유층(140)은 상기 캐핑층(112)과 상기 제2 교환결합층(142) 사이에 배치될 수 있고, 상기 제2 자유층(144)은 상기 터널 배리어(TBR)와 상기 제2 교환결합층(142) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 자유층(140)은 상기 제2 교환결합층(142)을 통해 상기 제2 자유층(144)과 반강자성적으로 교환 결합될 수 있다. 상기 제1 자유층(140)과 상기 제2 자유층(144)은 그 위치적 차이를 제외하고, 도 8을 참조하여 설명한 제1 및 제2 자유층들(140, 144)과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 10을 참조하면, 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2)는 상기 터널 배리어(TBR)와 상기 캐핑층(112) 사이에 차례로 배치된 제1 고정층(130), 제1 교환결합층(132), 및 제2 고정층(134)을 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2)는, 도 3을 참조하여 설명한 제2 유형의 자기터널접합(MTJ2)의 일부를 구성하는 고정층(PNL)을 포함하는 다층의 자성 구조체일 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 고정층(130)은 상기 캐핑층(112)과 상기 제1 교환결합층(132) 사이에 배치될 수 있고, 상기 제2 고정층(134)은 상기 터널 배리어(TBR)와 상기 제1 교환결합층(132) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 고정층(130)은 상기 제1 교환결합층(132)을 통해 상기 제2 고정층(134)과 반강자성적으로 교환 결합될 수 있다. 상기 제1 고정층(130)과 상기 제2 고정층(134)은 그 위치적 차이를 제외하고, 도 7을 참조하여 설명한 제1 및 제2 고정층들(130, 134)과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 4를 다시 참조하면, 상기 캐핑층(112)은 탄탈륨(Ta), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti), 질화 탄탈륨(TaN) 및 질화 티타늄(TiN) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(114)은 도전 물질을 포함할 수 있고, 일 예로, 상기 제2 전극(114)은 질화티타늄 및/또는 질화탄탈늄 등과 같은 도전성 금속질화물을 포함할 수 있다.
제2 유전막(120)이 상기 기판(100)의 전면 상에 배치되어 상기 제1 도전 구조체(CS1), 상기 자기터널접합(MTJ), 및 상기 제2 도전 구조체(CS2)를 덮을 수 있다. 상부 콘택 플러그(116)가 상기 제2 유전막(120)을 관통하여 상기 제2 전극(114)에 접속될 수 있다. 상기 제2 유전막(120)은 산화물, 질화물 및/또는 산화질화물 등을 포함할 수 있으며, 상기 상부 콘택 플러그(116)는 금속(ex, 티타늄, 탄탈늄, 구리, 알루미늄 또는 텅스텐 등) 및 도전성 금속질화물(ex, 질화티타늄 또는 질화탄탈늄 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제2 유전막(120) 상에 배선(118)이 배치될 수 있다. 상기 배선(118)은 상기 상부 콘택 플러그(116)에 접속될 수 있다. 상기 배선(118)은 금속(ex, 티타늄, 탄탈늄, 구리, 알루미늄 또는 텅스텐 등) 및 도전성 금속질화물(ex, 질화티타늄 또는 질화탄탈늄 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 배선(118)은 비트 라인일 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 자기 기억 소자를 나타내는 단면도이다. 도 4를 참조하여 설명한, 본 발명의 일 실시예에 따른 자기 기억 소자와 동일한 구성에 대하여는 동일한 참조번호가 제공되고, 설명의 간소화를 위해 중복되는 설명은 생략될 수 있다.
도 5를 참조하면, 제1 유전막(102) 상에 제1 도전 구조체(CS1), 자기터널접합(MTJ), 및 제2 도전 구조체(CS2)가 차례로 적층될 수 있다. 상기 제1 도전 구조체(CS1)는 상기 하부 콘택 플러그(104)의 상면에 전기적으로 접속될 수 있다. 상기 제1 도전 구조체(CS1), 상기 자기터널접합(MTJ), 및 상기 제2 도전 구조체(CS2)는 서로 정렬된 측벽들을 가질 수 있다.
상기 제1 도전 구조체는(CS1)는 상기 제1 유전막(102) 상의 제1 전극(106), 상기 제1 전극(106) 상의 시드층(110)을 포함할 수 있다. 상기 자기터널접합(MTJ)은 상기 시드층(110) 상의 제1 수직 자성 구조체(MS1), 상기 제1 수직 자성 구조체(MS1) 상의 제2 수직 자성 구조체(MS2), 및 상기 제1 수직 자성 구조체(MS1)와 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2) 사이의 터널 배리어(TBR)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 수직 자성 구조체(MS1)는 상기 시드층(110)과 상기 터널 배리어(TBR) 사이에 배치될 수 있고, 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2)는 상기 터널 배리어(TBR)와 상기 제2 도전 구조체(CS2) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전 구조체(CS2)는 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2) 상의 제2 전극(114), 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2)와 상기 제2 전극(114) 사이의 캐핑층(112), 및 상기 제2 전극(114)과 상기 캐핑층(112) 사이의 블로킹층(108)을 포함할 수 있다.
상기 블로킹층(108)은 비정질의 금속 화합물을 포함할 수 있다. 상기 블로킹층(108)은 증착 시에 비정질일 수 있고, 상기 증착 이후에 수행되는 어닐링 공정에 의해 결정화되지 않고 비정질을 유지할 수 있다. 상기 블로킹층(108)은 도 4를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 자기 기억 소자에 포함된 블로킹층(108)과 동일하다.
일반적인 기술에 따르면, 상기 제2 전극(114)은 정해진 결정 구조를 가질 수 있고, 상기 캐핑층(112)에 접할 수 있다. 상기 제2 전극(114)의 결정 구조는 상기 제2 전극(114)의 증착 이후에 수행되는 어닐링 공정에 의해 상기 캐핑층(112) 및 상기 자기터널접합(MTJ)으로 전이될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 전극(114)의 결정 구조는 상기 자기터널접합(MTJ)의 결정 구조 및 배향에 영향을 미칠 수 있고, 그 결과, 상기 자기터널접합(MTJ)의 터널자기저항(Tunneling Magnetic Resistance, TMR) 특성 및 상기 자기터널접합(MTJ)을 구성하는 자성층들 간의 교환 결합(exchange coupling) 특성 등이 저하될 수 있다.
본 발명의 개념에 따르면, 비정질의 금속 화합물을 포함하는 상기 블로킹층(108)은 상기 제2 전극(114)의 증착 이후에 수행되는 상기 어닐링 공정에 의해 결정화되지 않고 비정질을 유지할 수 있다. 상기 블로킹층(108)이 상기 제2 전극(114)과 상기 캐핑층(112) 사이에 배치됨에 따라, 상기 어닐링 공정에 의해 상기 제2 전극(114)의 결정 구조가 상기 캐핑층(112)을 통하여 상기 자기터널접합(MTJ)의 결정 구조 및 배향에 영향을 주는 것이 방지될 수 있고, 이에 따라, 상기 자기터널접합(MTJ)의 터널자기저항(TMR) 특성 및 상기 자기터널접합(MTJ)을 구성하는 자성층들 간의 교환 결합(exchange coupling) 특성 등이 개선될 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 자기 기억 소자를 나타내는 단면도이다. 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한, 본 발명의 실시예들에 따른 자기 기억 소자와 동일한 구성에 대하여는 동일한 참조번호가 제공되고, 설명의 간소화를 위해 중복되는 설명은 생략될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 제1 유전막(102) 상에 제1 도전 구조체(CS1), 자기터널접합(MTJ), 및 제2 도전 구조체(CS2)가 차례로 적층될 수 있다. 상기 제1 도전 구조체는(CS1)는 상기 제1 유전막(102) 상의 제1 전극(106), 상기 제1 전극(106) 상의 시드층(110), 및 상기 제1 전극(106)과 상기 시드층(110) 사이의 제1 블로킹층(108a)을 포함할 수 있다. 상기 자기터널접합(MTJ)은 상기 시드층(110) 상의 제1 수직 자성 구조체(MS1), 상기 제1 수직 자성 구조체(MS1) 상의 제2 수직 자성 구조체(MS2), 및 상기 제1 수직 자성 구조체(MS1)와 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2) 사이의 터널 배리어(TBR)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 수직 자성 구조체(MS1)는 상기 시드층(110)과 상기 터널 배리어(TBR) 사이에 배치될 수 있고, 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2)는 상기 터널 배리어(TBR)와 상기 제2 도전 구조체(CS2) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전 구조체(CS2)는 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2) 상의 제2 전극(114), 상기 제2 수직 자성 구조체(MS2)와 상기 제2 전극(114) 사이의 캐핑층(112), 및 상기 제2 전극(114)과 상기 캐핑층(112) 사이의 제2 블로킹층(108b)을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 블로킹층들(108a, 108b)은 각각 비정질의 금속 화합물을 포함할 수 있다. 상기 블로킹층들(108a, 108b)의 각각은 증착 시에 비정질일 수 있고, 상기 증착 이후에 수행되는 어닐링 공정에 의해 결정화되지 않고 비정질을 유지할 수 있다. 상기 제1 및 제2 블로킹층들(108a, 108b)의 각각은 도 4를 참조하여 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 자기 기억 소자에 포함된 블로킹층(108)과 동일하다. 상기 제1 블로킹층(108a)은 상기 제1 블로킹층(108a)을 증착한 후 상기 시드층(110)을 증착하기 전에 수행되는 평탄화 공정에 의해 평탄화된 상면(U1a)을 가질 수 있다.
본 발명의 개념에 따르면, 비정질의 금속 화합물을 포함하는 상기 블로킹층은 상기 자기터널접합(MTJ)의 증착 이후에 수행되는 어닐링 공정에 의해 결정화되지 않고 비정질을 유지할 수 있다. 상기 블로킹층이 상기 제1 전극(106)과 상기 시드층(110) 사이에 배치되는 경우, 상기 자기터널접합(MTJ)의 증착 이후에 수행되는 어닐링 공정에 의해 상기 제1 전극(106)의 결정 구조가 상기 시드층(110)을 통하여 상기 자기터널접합(MTJ)의 결정 구조 및 배향에 영향을 주는 것이 방지될 수 있다. 또한, 상기 블로킹층이 상기 제2 전극(114)과 상기 캐핑층(112) 사이에 배치되는 경우, 상기 어닐링 공정에 의해 상기 제2 전극(114)의 결정 구조가 상기 캐핑층(112)을 통하여 상기 자기터널접합(MTJ)의 결정 구조 및 배향에 영향을 주는 것이 방지될 수 있다. 즉, 상기 블로킹층에 의해 상기 제1 및 제2 전극들(106, 114)의 결정 구조들이 각각 상기 자기 터널 접합(MTJ)의 결정 구조 및 배향에 영향을 미치는 것이 방지됨으로써, 상기 자기터널접합(MTJ)의 터널자기저항(TMR) 특성 및 상기 자기터널접합(MTJ)을 구성하는 자성층들 간의 교환 결합(exchange coupling) 특성 등이 개선될 수 있다. 이에 따라, 우수한 신뢰성을 갖는 자기 기억 소자가 제공될 수 있다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 장치를 포함하는 전자 장치들을 도식적으로 설명하기 위한 도면들이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 장치를 포함하는 전자 장치(1300)는 PDA, 랩톱(laptop) 컴퓨터, 휴대용 컴퓨터, 웹 태블릿(web tablet), 무선 전화기, 휴대폰, 디지털 음악 재생기(digital music player), 유무선 전자 기기 또는 이들 중의 적어도 둘을 포함하는 복합 전자 장치 중의 하나일 수 있다. 전자 장치(1300)는 버스(1350)를 통해서 서로 결합한 제어기(1310), 키패드, 키보드, 화면(display) 같은 입출력 장치(1320), 메모리(1330), 무선 인터페이스(1340)를 포함할 수 있다. 제어기(1310)는 예를 들면 하나 이상의 마이크로프로세서, 디지털 신호 프로세서, 마이크로 컨트롤러, 또는 이와 유사한 것들을 포함할 수 있다. 메모리(1330)는 예를 들면 제어기(1310)에 의해 실행되는 명령어를 저장하는데 사용될 수 있다. 메모리(1330)는 사용자 데이터를 저장하는 데 사용될 수 있으며, 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 장치를 포함할 수 있다. 전자 장치(1300)는 RF 신호로 통신하는 무선 통신 네트워크에 데이터를 전송하거나 네트워크에서 데이터를 수신하기 위해 무선 인터페이스(1340)를 사용할 수 있다. 예를 들어 무선 인터페이스(1340)는 안테나, 무선 트랜시버 등을 포함할 수 있다. 전자 장치(1300)는 CDMA, GSM, NADC, E-TDMA, WCDMA, CDMA2000, Wi-Fi, Muni Wi-Fi, Bluetooth, DECT, Wireless USB, Flash-OFDM, IEEE 802.20, GPRS, iBurst, WiBro, WiMAX, WiMAX-Advanced, UMTS-TDD, HSPA, EVDO, LTE-Advanced, MMDS 등과 같은 통신 시스템의 통신 인터페이스 프로토콜을 구현하는데 이용될 수 있다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 장치들은 메모리 시스템(memory system)을 구현하기 위해 사용될 수 있다. 메모리 시스템(1400)은 대용량의 데이터를 저장하기 위한 메모리 소자(1410) 및 메모리 컨트롤러(1420)를 포함할 수 있다. 메모리 컨트롤러(1420)는 호스트(1430)의 읽기/쓰기 요청에 응답하여 메모리 소자(1410)로부터 저장된 데이터를 독출 또는 기입하도록 메모리 소자(1410)를 제어한다. 메모리 컨트롤러(1420)는 호스트(1430), 가령 모바일 기기 또는 컴퓨터 시스템으로부터 제공되는 어드레스를 메모리 소자(1410)의 물리적인 어드레스로 맵핑하기 위한 어드레스 맵핑 테이블(Address mapping table)을 구성할 수 있다. 메모리 소자(1410)는 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 장치를 포함할 수 있다.
상술된 실시예들에서 개시된 반도체 장치들은 다양한 형태들의 반도체 패키지(semiconductor package)로 구현될 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 장치들은 PoP(Package on Package), Ball grid arrays(BGAs), Chip scale packages(CSPs), Plastic Leaded Chip Carrier(PLCC), Plastic Dual In-Line Package(PDIP), Die in Waffle Pack, Die in Wafer Form, Chip On Board(COB), Ceramic Dual In-Line Package(CERDIP), Plastic Metric Quad Flat Pack(MQFP), Thin Quad Flatpack(TQFP), Small Outline(SOIC), Shrink Small Outline Package(SSOP), Thin Small Outline(TSOP), Thin Quad Flatpack(TQFP), System In Package(SIP), Multi Chip Package(MCP), Wafer-level Fabricated Package(WFP), Wafer-Level Processed Stack Package(WSP) 등의 방식으로 패키징될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 반도체 장치가 실장된 패키지는 상기 반도체 장치를 제어하는 컨트롤러 및/또는 논리 소자 등을 더 포함할 수도 있다.
본 발명의 실시예들에 대한 이상의 설명은 본 발명의 설명을 위한 예시를 제공한다. 따라서 본 발명은 이상의 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 상기 실시예들을 조합하여 실시하는 등 여러 가지 많은 수정 및 변경이 가능함은 명백하다.
CS1, CS2: 도전 구조체들 MS1, MS2: 수직 자성 구조체들
TBR: 터널 배리어 MTJ, MTJ1, MTJ2: 자기터널접합들
UMC: 단위 메모리 셀 SW: 선택 소자
L1, L2, 118: 배선들 100: 기판
FRL: 자유층 PNL: 고정층
102: 제1 유전막 104: 하부 콘택 플러그
106: 제1 전극 110: 시드층
108, 108a, 108b: 블로킹층들 112: 캐핑층
114: 제2 전극 116: 상부 콘택 플러그
120: 제2 유전막 130: 제1 고정층
132: 제1 교환결합층 134: 제2 고정층
140: 제1 자유층 142: 제2 교환결합층
144: 제2 자유층
TBR: 터널 배리어 MTJ, MTJ1, MTJ2: 자기터널접합들
UMC: 단위 메모리 셀 SW: 선택 소자
L1, L2, 118: 배선들 100: 기판
FRL: 자유층 PNL: 고정층
102: 제1 유전막 104: 하부 콘택 플러그
106: 제1 전극 110: 시드층
108, 108a, 108b: 블로킹층들 112: 캐핑층
114: 제2 전극 116: 상부 콘택 플러그
120: 제2 유전막 130: 제1 고정층
132: 제1 교환결합층 134: 제2 고정층
140: 제1 자유층 142: 제2 교환결합층
144: 제2 자유층
Claims (10)
- 터널 배리어를 사이에 두고 서로 이격된 제1 수직 자성 구조체 및 제2 수직 자성 구조체;
상기 제1 수직 자성 구조체를 사이에 두고 상기 터널 배리어로부터 이격된 전극; 및
상기 제1 수직 자성 구조체와 상기 전극 사이의 블로킹층(blocking layer)을 포함하되,
상기 블로킹층은 비정질의 금속 화합물을 포함하는 자기 기억 소자. - 청구항 1에 있어서,
상기 블로킹층은 상기 블로킹층의 증착 단계에서 비정질이고, 상기 블로킹층의 증착 이후에 수행되는 어닐링 공정에 의해 결정화되지 않고 비정질을 유지하는 자기 기억 소자. - 청구항 1에 있어서,
상기 블로킹층은 강자성 원소, 비금속 원소, 및 비자성 금속 원소를 포함하는 자기 기억 소자. - 청구항 3에 있어서,
상기 강자성 원소는 코발트, 철, 및 니켈 중 적어도 하나이고,
상기 비금속 원소는 보론 및 질소 중 적어도 하나이고,
상기 비자성 금속 원소는 Ta, W, Nb, Ti, Cr, Zr, Hf, Mo, Al, Mg, Ru, 및 V 중 적어도 하나인 자기 기억 소자. - 청구항 4에 있어서,
상기 블로킹층은 CoFeBTa인 자기 기억 소자. - 청구항 3에 있어서,
상기 블로킹층 내의 상기 비자성 금속 원소의 비율은 15wt% 내지 50wt%인 자기 기억 소자. - 청구항 1에 있어서,
상기 블로킹층의 두께는 20Å 이하인 자기 기억 소자. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 수직 자성 구조체와 상기 블로킹층 사이의 시드층을 더 포함하고,
상기 블로킹층은 상기 시드층의 일면에 접하는 자기 기억 소자. - 청구항 1에 있어서,
상기 전극은 제1 전극이고, 상기 블로킹층은 제1 블로킹층이고,
상기 제2 수직 자성 구조체를 사이에 두고 상기 터널 배리어로부터 이격된 제2 전극; 및
상기 제2 수직 자성 구조체와 상기 제2 전극 사이의 제2 블로킹층(blocking layer)을 더 포함하되,
상기 제2 블로킹층은 비정질의 금속 화합물을 포함하는 자기 기억 소자. - 청구항 9에 있어서,
상기 제1 수직 자성 구조체와 상기 제1 블로킹층 사이의 시드층; 및
상기 제2 수직 자성 구조체와 상기 제2 블로킹층 사이의 캐핑층을 더 포함하되,
상기 제1 블로킹층은 상기 시드층의 일면에 접하고, 상기 제2 블로킹층은 상기 캐핑층의 일면에 접하는 자기 기억 소자.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130140135A KR102124361B1 (ko) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | 수직 자기터널접합을 포함하는 자기 기억 소자 |
| US14/473,334 US9397286B2 (en) | 2013-11-18 | 2014-08-29 | Magnetic memory devices having perpendicular magnetic tunnel structures therein |
| CN201410659744.4A CN104658593B (zh) | 2013-11-18 | 2014-11-18 | 具有垂直磁隧道结构的磁存储器装置 |
| US15/185,693 US9691967B2 (en) | 2013-11-18 | 2016-06-17 | Magnetic memory devices having perpendicular magnetic tunnel structures therein |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130140135A KR102124361B1 (ko) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | 수직 자기터널접합을 포함하는 자기 기억 소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150057159A true KR20150057159A (ko) | 2015-05-28 |
| KR102124361B1 KR102124361B1 (ko) | 2020-06-19 |
Family
ID=53172450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130140135A KR102124361B1 (ko) | 2013-11-18 | 2013-11-18 | 수직 자기터널접합을 포함하는 자기 기억 소자 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9397286B2 (ko) |
| KR (1) | KR102124361B1 (ko) |
| CN (1) | CN104658593B (ko) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102124361B1 (ko) | 2020-06-19 |
| CN104658593B (zh) | 2018-08-28 |
| US9397286B2 (en) | 2016-07-19 |
| US20150137287A1 (en) | 2015-05-21 |
| US20160301000A1 (en) | 2016-10-13 |
| CN104658593A (zh) | 2015-05-27 |
| US9691967B2 (en) | 2017-06-27 |
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