JP2016157841A - 周辺露光装置、周辺露光方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 title claims abstract description 123
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 126
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 22
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 156
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 54
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 42
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 description 8
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- PXFBZOLANLWPMH-UHFFFAOYSA-N 16-Epiaffinine Natural products C1C(C2=CC=CC=C2N2)=C2C(=O)CC2C(=CC)CN(C)C1C2CO PXFBZOLANLWPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/2026—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
- G03F7/2028—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
30 現像処理装置
31 下部反射防止膜形成装置
32 レジスト塗布装置
33 上部反射防止膜形成装置
40 熱処理装置
42 周辺露光装置
50 検査装置
120 ウェハチャック
121 チャック駆動部
130 露光部
132 露光駆動部
134 位置検出センサ
160 撮像部
200 制御部
P1 受渡位置
P2 周辺露光位置
DM ダミーショット領域
IM 基板画像
N ノッチ部
SH ショット
W ウェハ
Claims (9)
- レジスト膜が塗布された基板の周縁部を露光する周辺露光装置であって、
基板の表面を撮像する撮像部と、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板の周縁部を露光する露光部と、
前記基板保持部を移動及び回転させる第1の移動機構と、
前記露光部を移動させる第2の移動機構と、
前記撮像部で撮像された、既にパターン露光が行われた基板の基板画像から、基板上のパターンのショットの配列情報を取得し、当該取得した配列情報に基づいて前記基板の周縁部を露光するように、前記第1の移動機構及び前記第2の移動機構を制御する制御部と、を有することを特徴とする、周辺露光装置。 - 前記制御部では、前記基板画像から基板の中心位置及び基板のノッチ位置を検出し、当該基板の中心位置と基板のノッチ位置を結ぶ直線と、前記基板上のパターンのショットの配列方向とのなす角を求め、当該求められた角度に応じて前記基板を回転させるべく前記第1の移動機構を制御することを特徴とする、請求項1に記載の周辺露光装置。
- 前記制御部では、
前記基板画像から1のショットの寸法を算出すると共に、前記基板の外周端部と前記ショットが重なるか否かを判定し、
前記基板の外周端部と前記ショットが重なる領域に存在するショットの座標を算出し、
当該算出された座標に基づいて、前記第1の移動機構または前記第2の移動機構の少なくともいずれかを制御することを特徴とする、請求項1または2のいずれか一項に記載の周辺露光装置。 - 前記撮像部は、複数の前記周辺露光装置に対して共通で設けられていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の周辺露光装置。
- 周辺露光装置を用いた周辺露光方法であって、
前記周辺露光装置は、
基板の表面を撮像する撮像部と、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板の周縁部を露光する露光部と、
前記基板保持部を移動及び回転させる第1の移動機構と、
前記露光部を移動させる第2の移動機構と、
を有し、
前記周辺露光方法は、前記撮像で撮像された、既にパターン露光が行われた基板の基板画像から、基板上のパターンのショットの配列情報を取得し、当該取得した配列情報に基づいて前記基板の周縁部を露光するように、前記基板保持部及び前記露光部を移動させることを特徴とする、周辺露光方法。 - 前記基板画像から基板の中心位置及び基板のノッチ位置を検出し、
当該基板の中心位置と基板のノッチ位置を結ぶ直線と、前記基板上のパターンのショットの配列方向とのなす角を求め、
当該求められた角度に応じて前記基板保持部を回転させることを特徴とする、請求項5に記載の周辺露光方法。 - 前記基板画像から1のショットの寸法を算出すると共に、前記基板の外周端部と前記ショットが重なるか否かを判定し、
前記基板の外周端部と前記ショットが重なる領域に存在するショットの座標を算出し、
当該算出された座標に基づいて、前記基板保持部または露光部の少なくともいずれかを移動させることを特徴とする、請求項5または6のいずれか一項に記載の周辺露光方法。 - 請求項5〜7のいずれかに一項に記載の周辺露光方法を、種変露光装置によって実行させるように、当該周辺露光装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項8に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015035309A JP6308958B2 (ja) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
US15/015,254 US9810989B2 (en) | 2015-02-25 | 2016-02-04 | Edge exposure apparatus, edge exposure method and non-transitory computer storage medium |
KR1020160016401A KR102560788B1 (ko) | 2015-02-25 | 2016-02-12 | 주변 노광 장치, 주변 노광 방법, 프로그램, 및 컴퓨터 기억 매체 |
TW105105198A TWI637241B (zh) | 2015-02-25 | 2016-02-23 | 邊緣曝光裝置、邊緣曝光方法、程式及電腦記錄媒體 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015035309A JP6308958B2 (ja) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016157841A true JP2016157841A (ja) | 2016-09-01 |
JP2016157841A5 JP2016157841A5 (ja) | 2017-01-12 |
JP6308958B2 JP6308958B2 (ja) | 2018-04-11 |
Family
ID=56693581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015035309A Active JP6308958B2 (ja) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9810989B2 (ja) |
JP (1) | JP6308958B2 (ja) |
KR (1) | KR102560788B1 (ja) |
TW (1) | TWI637241B (ja) |
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-
2015
- 2015-02-25 JP JP2015035309A patent/JP6308958B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-04 US US15/015,254 patent/US9810989B2/en active Active
- 2016-02-12 KR KR1020160016401A patent/KR102560788B1/ko active IP Right Grant
- 2016-02-23 TW TW105105198A patent/TWI637241B/zh active
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TW201636739A (zh) | 2016-10-16 |
KR102560788B1 (ko) | 2023-07-26 |
JP6308958B2 (ja) | 2018-04-11 |
US9810989B2 (en) | 2017-11-07 |
TWI637241B (zh) | 2018-10-01 |
KR20160103927A (ko) | 2016-09-02 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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