JP7379104B2 - 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents
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Description
図1に示されるように、基板処理システム1(基板処理装置)は、塗布現像装置2と、露光装置3と、コントローラ10(制御ユニット)と、操作部19とを備える。
続いて、図5を参照して、液処理用のユニットU1についてさらに詳しく説明する。ユニットU1は、図5に示されるように、回転保持部20と、液供給部30と、液供給部40とを備える。
続いて、図6及び図7を参照して、撮像用のユニットU3についてさらに詳しく説明する。ユニットU3は、図6及び図7に示されるように、筐体50と、回転保持サブユニット60と、表面撮像サブユニット70と、周縁撮像サブユニット80と、裏面撮像サブユニット90とを有する。これらのサブユニットは、筐体50内に配置されている。筐体50のうち一端壁には、ウエハWを筐体50の内部に搬入及び筐体50の外部に搬出するための搬入出口51が形成されている。
コントローラ10は、図8に示されるように、機能モジュールとして、基板検査部100(基板検査装置)と、動作指令保持部111と、膜形成制御部112と、エッジ位置調整部113とを含む。これらの機能モジュールは、コントローラ10の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラ10を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路(例えば論理回路)、又は、これを集積した集積回路(ASIC:application specific integrated circuit)により実現されるものであってもよい。
続いて、図10~図17を参照して、ウエハWに複数の被膜を形成する方法、及び形成された複数の被膜それぞれのエッジの状態を検査する方法(エッジ検査処理)を含む基板処理方法について説明する。
続いて、図14を参照して、ウエハWに形成された複数の被膜それぞれのエッジの検査方法(基板検査方法)について説明する。まず、コントローラ10の入力情報取得部103が、操作部19を介してオペレータからの入力情報を取得する(ステップS21)。ステップS21において取得される入力情報には、画像データから被膜R1,R2,R3のエッジE1,E2,E3をそれぞれ検出する際に用いられる検査レシピ及びサーチ範囲が含まれる。
以上の例によれば、複数の選択肢の中から一つの選択肢が特定されたパラメータが複数組み合わされて検査レシピが構成されている。エッジをそれぞれ含む複数の被膜が形成された基板の撮像画像(画像データ)に基づいて、複数のエッジの中から対象エッジを検出しようとしても、単純にコントラス比を用いてエッジを検出する場合には、対象エッジ以外のエッジを検出することもある。以上の例によれば、検査レシピが複数のパラメータの選択肢の組み合わせで構成されるので、対象エッジに適した検査レシピを設定することができる。つまり、検査画像データに複数のエッジが含まれている場合に、対象エッジだけを検出することができるパラメータが組み合わされた検査レシピを設定することができる。その結果、複数のエッジのうちの検査対象のエッジを検査画像データからより確実に検出することが可能となる。
本明細書における開示はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲において、以上の例に対して種々の省略、置換、変更などが行われてもよい。
t=(L90-L270)/2
u=(L180-L0)/2
とそれぞれ定義した場合に、下記の式1,2により偏心量A及び偏心角αを算出する。なお、周縁算出部141は、0°から所定角度ずれた位置を含み、互いに90°間隔で離間する4箇所の測定位置での差分を更に考慮して、偏心量A及び偏心角αを算出してもよい。
例1.本開示の一つの例に係る基板検査装置は、複数の被膜(R1~R3)が形成されている基板(W)の周縁部(Wd)の撮像画像から得られる検査画像データと、検査レシピ(IR1~IR3)とを記憶するように構成された記憶部(102)と、記憶部(102)に記憶されている検査レシピ(IR1~IR3)を用いて、記憶部(102)に記憶されている検査画像データに基づいて、複数の被膜(R1~R3)のうち検査対象被膜のエッジである対象エッジ(E1~E3)を検出するように構成されたエッジ検出部(105)とを備える。複数の被膜(R1~R3)のそれぞれのエッジ(E1~E3)は基板(W)の周縁(WE)に沿って延びている。検査レシピ(IR1~IR3)は、複数の選択肢の中から一つの選択肢が特定されたパラメータが複数組み合わされて構成されている。この場合、複数のパラメータの選択肢の組み合わせで検査レシピが構成されるので、対象エッジに適した検査レシピを構成することができる。つまり、検査画像データに複数のエッジが含まれている場合に、対象エッジだけを検出することができるパラメータが組み合わされた検査レシピを設定することができる。その結果、複数のエッジのうちの検査対象のエッジを検査画像データからより確実に検出することが可能となる。
Claims (18)
- 複数の被膜が形成されている基板の周縁部の撮像画像から得られる検査画像データと、検査レシピとを記憶するように構成された記憶部と、
前記記憶部に記憶されている前記検査レシピを用いて、前記記憶部に記憶されている前記検査画像データに基づいて、前記複数の被膜のうち検査対象被膜のエッジである対象エッジを検出するように構成されたエッジ検出部とを備え、
前記複数の被膜のそれぞれのエッジは前記基板の周縁に沿って延びており、
前記検査レシピは、前記検査画像データから前記対象エッジを抽出する際の条件を規定する複数のパラメータを含み、
前記複数のパラメータのそれぞれは、複数の選択肢の中から一つの選択肢が特定されることで定められる、基板検査装置。 - 前記複数のパラメータのそれぞれは、オペレータからの操作入力によって前記一つの選択肢が特定されることで定められる、請求項1に記載の基板検査装置。
- 前記記憶部は、前記エッジ検出部によるエッジ検出が行われる領域として予め設定された検出領域を記憶するように構成されており、
前記エッジ検出部は、前記記憶部に記憶されている前記検査レシピ及び前記検出領域を用いて、前記対象エッジのうち前記検出領域内に位置する部分を検出するように構成されている、請求項1又は2に記載の基板検査装置。 - エッジ補正部を更に備え、
前記記憶部は、前記エッジ検出部によるエッジ検出が行われる領域として予め設定された検出領域を記憶するように構成されており、
前記エッジ補正部は、前記エッジ検出部による検出結果から前記検出領域外のデータを除外する補正処理を行うように構成されている、請求項1又は2に記載の基板検査装置。 - 前記エッジ検出部によって検出された前記対象エッジのデータ系列を平滑化して算出される基準線と、前記データ系列に含まれる各データとの差分を算出し、前記各データのうち当該差分が所定の閾値よりも大きいデータを除外する補正処理を行うように構成されたエッジ補正部を更に備える、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板検査装置。
- 複数の被膜が形成されている基板の周縁部の撮像画像から得られる検査画像データと、検査レシピとを記憶するように構成された記憶部と、
前記記憶部に記憶されている前記検査レシピを用いて、前記記憶部に記憶されている前記検査画像データに基づいて、前記複数の被膜のうち検査対象被膜のエッジである対象エッジを検出するように構成されたエッジ検出部とを備え、
前記複数の被膜のそれぞれのエッジは前記基板の周縁に沿って延びており、
前記検査レシピは、複数の選択肢の中から一つの選択肢が特定されたパラメータが複数組み合わされて構成されており、
前記複数の被膜は、前記検査対象被膜よりも前に形成された前工程被膜を含み、
前記記憶部は、前記検査対象被膜の形成前で且つ前記前工程被膜の形成後における前記基板の周縁部を撮像して得られた前工程画像データを記憶するように構成されており、
前記エッジ検出部は、前記検査画像データに含まれる複数の被膜それぞれのエッジを示す情報と前記前工程画像データに含まれる前記前工程被膜のエッジを示す情報との比較により、前記対象エッジを検出するように構成されている、基板検査装置。 - 前記記憶部は、前記撮像画像に含まれる前記複数の被膜のエッジに交差する交差方向において前記対象エッジを探索する範囲を規定するサーチ範囲を記憶するように構成されており、
前記エッジ検出部は、前記記憶部に記憶されている前記検査レシピを用いて、前記記憶部に記憶されている前記検査画像データ及び前記サーチ範囲に基づいて、前記サーチ範囲内から前記対象エッジを検出するように構成されており、
前記サーチ範囲の大きさは、前記対象エッジの前記交差方向における変動範囲に応じて設定されている、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板検査装置。 - 前記検査レシピは、前記検査画像データの色属性を変換するための変換条件を示す変換パラメータと、前記対象エッジを探索する向きを示すサーチ方向パラメータと、前記複数の被膜のエッジから一つの前記対象エッジを選択するための優先順位を示す優先順位パラメータと、前記対象エッジに含まれる外乱による影響を除去するフィルタ処理の使用有無を示すフィルタパラメータとからなる群より選択される少なくとも一つを含む、請求項1~7のいずれか一項に記載の基板検査装置。
- 前記基板の理論上の周縁の位置を算出するように構成された周縁算出部と、
前記周縁算出部において得られた前記基板の理論上の周縁の位置データと前記エッジ検出部において得られた前記対象エッジの位置データとに基づいて、前記基板の理論上の周縁と前記対象エッジとの幅を算出するように構成された幅算出部とを更に備える、請求項1~8のいずれか一項に記載の基板検査装置。 - 前記周縁算出部は、基準基板の中心を基準として得られる前記基準基板の理論上の周縁の位置を前記基板の理論上の周縁の位置として算出するように構成されている、請求項9に記載の基板検査装置。
- 前記周縁算出部は、
前記基準基板の周縁部の撮像画像から得られる基準画像データに基づいて、前記基準基板上に予め設定された参照位置の位置データを算出する処理と、
前記基板の半径の設計寸法と、前記基準基板の中心から前記参照位置までの距離との差分を算出する処理と、
前記参照位置の位置データと前記差分とに基づいて、前記基準基板の理論上の周縁の位置データを算出する処理とを実行するように構成されている、請求項10に記載の基板検査装置。 - 前記周縁算出部は、
前記検査画像データに基づいて、前記基板の周縁の位置データを算出する処理と、
前記基板の周縁の位置データに基づいて、前記基板の偏心状態を算出する処理と、
前記基板の偏心状態を考慮して、前記基板の理論上の周縁の位置データを算出する処理とを実行するように構成されている、請求項9~11のいずれか一項に記載の基板検査装置。 - 前記周縁算出部は、前記検査画像データに基づいて、前記基板の周縁の位置データを算出するように構成されており、
前記幅算出部は、前記周縁算出部において得られた前記基板の周縁の位置データと前記エッジ検出部において得られた前記対象エッジの位置データとに基づいて、前記基板の周縁と前記対象エッジとの幅を算出するように構成されている、請求項9~12のいずれか一項に記載の基板検査装置。 - 複数の被膜を基板に形成するように構成された被膜形成ユニットと、
前記基板の周縁部を撮像して撮像画像を取得するように構成された撮像ユニットと、
前記複数の被膜のうち検査対象被膜のエッジである対象エッジを検査するように構成された制御ユニットとを備え、
前記制御ユニットは、
前記撮像画像から得られる検査画像データと、検査レシピとを記憶するように構成された記憶部と、
前記記憶部に記憶されている前記検査レシピを用いて、前記記憶部に記憶されている前記検査画像データに基づいて、前記対象エッジを検出するように構成されたエッジ検出部とを有し、
前記複数の被膜のそれぞれのエッジは前記基板の周縁に沿って延びており、
前記検査レシピは、前記検査画像データから前記対象エッジを抽出する際の条件を規定する複数のパラメータを含み、
前記複数のパラメータのそれぞれは、複数の選択肢の中から一つの選択肢が特定されることで定められる、基板処理装置。 - 複数の被膜を基板に形成するように構成された被膜形成ユニットと、
前記基板の周縁部を撮像して撮像画像を取得するように構成された撮像ユニットと、
前記複数の被膜のうち検査対象被膜のエッジである対象エッジを検査するように構成された制御ユニットとを備え、
前記制御ユニットは、
前記撮像画像から得られる検査画像データと、第1の検査レシピと、第2の検査レシピとを記憶するように構成された記憶部と、
前記記憶部に記憶されている前記第1の検査レシピを用いて、前記記憶部に記憶されている前記検査画像データに基づいて、前記複数の被膜のうち一の検査対象被膜のエッジである第1の対象エッジを検出するように構成されていると共に、前記記憶部に記憶されている前記第2の検査レシピを用いて、前記記憶部に記憶されている前記検査画像データに基づいて、前記複数の被膜のうち他の検査対象被膜のエッジである第2の対象エッジを検出するように構成されたエッジ検出部とを有し、
前記複数の被膜のそれぞれのエッジは前記基板の周縁に沿って延びており、
前記第1及び第2の検査レシピはそれぞれ、前記検査画像データから対象エッジを抽出する際の条件を規定する複数のパラメータを含み、
前記複数のパラメータのそれぞれは、複数の選択肢の中から一つの選択肢が特定されることで定められ、
前記第1の検査レシピを構成するパラメータの組み合わせは、前記第2の検査レシピを構成するパラメータの組み合わせと異なる、基板処理装置。 - 前記被膜形成ユニットは、前記第1の対象エッジを形成する処理液を吐出する第1のノズルと、前記第2の対象エッジを形成する処理液を吐出する第2のノズルとを有し、
前記制御ユニットは、前記第1及び第2の対象エッジの検出結果に基づいて、前記第1及び第2の対象エッジを含む前記複数の被膜が形成された後に、前記被膜形成ユニットにおいて別の基板に形成される複数の被膜に含まれる前記第1及び第2の対象エッジに対応するエッジの位置が目標値に近づくように、前記処理液を吐出する際の前記第1及び第2のノズルと前記別の基板との相対位置をそれぞれ調整するように構成されたエッジ位置調整部を更に有する、請求項15に記載の基板処理装置。 - 複数の被膜が形成されている基板の周縁部の撮像画像から検査画像データを生成することと、
検査レシピを用いて、前記検査画像データに基づいて前記複数の被膜のうち検査対象被膜のエッジである対象エッジを検出することとを含み、
前記複数の被膜のそれぞれのエッジは前記基板の周縁に沿って延びており、
前記検査レシピは、前記検査画像データから前記対象エッジを抽出する際の条件を規定する複数のパラメータを含み、
前記複数のパラメータのそれぞれは、複数の選択肢の中から一つの選択肢が特定されることで定められる、基板検査方法。 - 請求項17に記載の基板検査方法を基板検査装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040169869A1 (en) | 2003-02-28 | 2004-09-02 | Koung-Su Shin | Method and apparatus for inspecting an edge exposure area of a wafer |
JP2006300775A (ja) | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Olympus Corp | 外観検査装置 |
JP2011095214A (ja) | 2009-11-02 | 2011-05-12 | Nikon Corp | 基板検査装置 |
JP2012216754A (ja) | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板検査装置および基板検査方法 |
JP2016161474A (ja) | 2015-03-04 | 2016-09-05 | 株式会社キーエンス | 光学式変位計測システム、測定シミュレーション方法および測定シミュレーションプログラム |
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KR100512006B1 (ko) * | 2001-03-06 | 2005-09-02 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 주연 부위의 노광 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
DE10332155A1 (de) * | 2002-07-16 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Verfahren und Vorrichtung zur quantitativen Qualitätsprüfung von Substraten, insbesondere Wafern |
JP5349742B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2013-11-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表面検査方法及び表面検査装置 |
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JP5355922B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-11-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置 |
TWI512865B (zh) * | 2008-09-08 | 2015-12-11 | Rudolph Technologies Inc | 晶圓邊緣檢查技術 |
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US10330608B2 (en) * | 2012-05-11 | 2019-06-25 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for wafer surface feature detection, classification and quantification with wafer geometry metrology tools |
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---|---|---|---|---|
US20040169869A1 (en) | 2003-02-28 | 2004-09-02 | Koung-Su Shin | Method and apparatus for inspecting an edge exposure area of a wafer |
JP2006300775A (ja) | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Olympus Corp | 外観検査装置 |
JP2011095214A (ja) | 2009-11-02 | 2011-05-12 | Nikon Corp | 基板検査装置 |
JP2012216754A (ja) | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板検査装置および基板検査方法 |
JP2016161474A (ja) | 2015-03-04 | 2016-09-05 | 株式会社キーエンス | 光学式変位計測システム、測定シミュレーション方法および測定シミュレーションプログラム |
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