TW201636739A - 邊緣曝光裝置、邊緣曝光方法、程式及電腦記錄媒體 - Google Patents

Abstract

本發明之課題，係藉由邊緣曝光裝置而適當地進行仿真照射。其解決手段係提供一種邊緣曝光裝置42，使塗布有光阻膜之基板的周緣部曝光，該邊緣曝光裝置42具有：攝影部，拍攝基板W之表面；基板保持部，保持基板W；曝光部130，使基板保持部所保持之基板的周緣部曝光；夾頭驅動部，使基板保持部移動及旋轉；曝光驅動部，使曝光部130移動；以及控制部200，從攝影部所拍攝之基板影像，取得基板W上之圖案之射域的配列資訊，並根據該取得之配列資訊而控制夾頭驅動部及曝光驅動部，以使基板W之周緣部曝光。

Description

邊緣曝光裝置、邊緣曝光方法、程式及電腦記錄媒體

本發明係有關於對基板之周緣部進行邊緣曝光處理之邊緣曝光裝置、邊緣曝光方法、程式及電腦記錄媒體。

例如於半導體元件製造中之光微影處理，係依序進行以下處理，而在晶圓上形成既定光阻圖案：在例如作為基板的半導體晶圓(以下稱為「晶圓」。)上塗布光阻液以形成光阻膜之光阻塗布處理、在光阻膜的周緣部選擇性進行曝光之邊緣曝光處理、在周緣部已曝光的光阻膜上使既定圖案曝光之曝光處理、使曝光過的光阻膜顯影之顯影處理。這些一連串之處理，係藉由內建了處理晶圓之各種處理裝置及搬送晶圓之搬送機構等的基板處理系統及曝光裝置所進行。

走筆至此，於邊緣曝光，係在將晶圓保持在旋轉夾頭之狀態下，對光阻膜之周緣部照射光線，再使旋轉夾頭繞鉛直軸旋轉，藉此而使晶圓周緣部以既定寬度環狀曝光。然而，由於在曝光裝置係進行四方形圖案之曝光，因此在晶圓的周緣部，就會存在著邊緣曝光與圖案曝光兩者皆未做到的區域。因此，在曝光裝置，就要對此未進行曝光之區域，進行所謂仿真照射(dummy shot)之曝光處理。

然而，在曝光裝置進行不會用於實際製品之仿真照射，意味著曝光裝置之產能降低。因此，於專利文獻1，提議在邊緣曝光裝置進行仿真照射。具體而言，係在邊緣曝光裝置檢測出晶圓之定向平面(orientation flat)或凹口(notch)以識別晶圓位置，同時進行晶圓之位置調整。然後，藉由使光源在X方向及Y方向進行掃描，而對晶圓W之周緣部施行四方形的仿真照射。 [習知技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平10－256121號公報

[發明所欲解決的問題] 一般而言，圖案之射域(shot)之配列方向，和連接凹口與晶圓中心的直線或定向平面之間，係成正交或是平行的關係。因此，在專利文獻1中，係沿著與定向平面平行或正交的方向，進行邊緣曝光處理。

然而，在曝光裝置所曝光之圖案的射域，未必是與定向平面、或連接凹口與晶圓中心的直線，以平行、正交之狀態配列。在此情況，為了提供仿真照射而使光源掃描所需的資訊，光是依靠在邊緣曝光裝置所檢測出的定向平面或凹口位置會不夠。

本發明係有鑑於此而研發者，其目的在於，藉由邊緣曝光裝置而適當地進行仿真照射。 [解決問題之技術手段]

一種邊緣曝光裝置，使塗布有光阻膜之基板的周緣部曝光，該邊緣曝光裝置具有：攝影部，拍攝基板之表面；基板保持部，保持基板；曝光部，使該基板保持部所保持之基板的周緣部曝光；第1移動機構，使該基板保持部移動及旋轉；第2移動機構，使該曝光部移動；以及控制部，從該攝影部所拍攝之已進行過圖案曝光之基板的基板影像，取得基板上之圖案之射域的配列資訊，並根據該取得之配列資訊而控制該第1移動機構及該第2移動機構，以使該基板之周緣部曝光。

若藉由本發明，由於具有控制部，其從進行過圖案曝光之基板的基板影像取得基板上之圖案之射域的配列資訊，並根據該取得之配列資訊而控制第1移動機構及第2移動機構；因此即便是在曝光裝置所要曝光之圖案之射域的配列，並非與定向平面、或連接凹口與晶圓中心的直線呈平行、正交之狀態的情況下，也能根據所取得之配列資訊，而對周緣部進行適當的仿真照射。

亦可係該控制部從該基板影像檢測基板之中心位置及基板之凹口位置；求取連接該基板之中心位置與基板之凹口位置之直線，和該基板上之圖案之射域的配列方向所夾之角度；再依該求取出之角度以控制該第1移動機構，以使該基板旋轉。

亦可係該控制部，從該基板影像計算出1個射域之尺寸，同時判定該基板之外周端部和該射域是否重疉；計算出存在於該基板之外周端部和該射域所重疊而成之區域的射域之座標；根據該計算出之座標，控制該第1移動機構或該第2移動機構中之至少任一。

亦可係對於複數之該邊緣曝光裝置，共通設置該攝影部。

於另一觀點之本發明，係一種邊緣曝光方法，其使用邊緣曝光裝置，該邊緣曝光裝置具有拍攝基板之表面的攝影部、保持基板的基板保持部、使該基板保持部所保持之基板的周緣部曝光的曝光部、使該基板保持部移動及旋轉的第1移動機構、以及使該曝光部移動的第2移動機構；該邊緣曝光方法，係從該攝影部所拍攝之已進行過圖案曝光之基板的基板影像，取得基板上之圖案之射域的配列資訊，並根據該取得之配列資訊而使該基板保持部及該曝光部移動，以使該基板之周緣部曝光。

亦可係從該基板影像檢測基板之中心位置及基板之凹口位置；求取連接該基板之中心位置與基板之凹口位置之直線，和該基板上之圖案之射域的配列方向所夾之角度；依該求取出之角度以使該基板保持部旋轉。

亦可係從該基板影像計算出1個射域之尺寸，同時判定該基板之外周端部與該射域是否重疉；計算出存在於該基板之外周端部和該射域所重疊而成之區域的射域之座標；根據該計算出之座標，使該基板保持部或曝光部中之至少任一移動。

藉由又一觀點之本發明，係提供一種程式，在控制邊緣曝光裝置之控制部的電腦上動作，以使該邊緣曝光裝置執行該邊緣曝光方法。

藉由再一觀點之本發明，係提供一種電腦記錄媒體，儲存有該程式，且可供讀取。 [發明之效果]

依據本發明，可以藉由邊緣曝光裝置而適當地進行仿真照射。

以下針對本發明之實施形態，進行說明。圖1係繪示本實施形態之具備邊緣曝光裝置之基板處理系統1的結構概略之說明圖。圖2及圖3分別係示意顯示基板處理系統1之內部結構概略的正視圖與後視圖。又，本實施形態之基板處理系統1，係對晶圓W進行塗布顯影處理的塗布顯影處理系統。

基板處理系統1如圖1所示，具有將以下各站連接成一體的結構：將容納複數枚晶圓W之卡匣C搬入搬出之卡匣站10、對晶圓W施行既定處理之具備複數之各種處理裝置的處理站11、在與處理站11相鄰之曝光裝置12之間進行晶圓W移交的介面站13。

於卡匣站10設有卡匣載置台20。於卡匣載置台20，設有複數之卡匣載置板21，其在對基板處理系統1外部進行卡匣C之搬入搬出之際，載置卡匣C。

於卡匣站10，如圖1所示，設有能在X方向延伸之搬送路22上移動自如的晶圓搬送裝置23。晶圓搬送裝置23亦可在上下方向及繞鉛直軸方向(θ方向)上移動自如，能在各卡匣載置板21上的卡匣C、和後述之處理站11的第3區塊G3的移交裝置之間，搬送晶圓W。

於處理站11，設有具備各種裝置之例如4個的複數區塊G1、G2、G3、G4。例如在處理站11之正面側(圖1之X方向負方向側)，設有第1區塊G1；於處理站11之背面側(圖1之X方向正方向側)，設有第2區塊G2。再者，於處理站11之卡匣站10側(圖1之Y方向負方向側)，設有第3區塊G3；於處理站11之介面站13側(圖1之Y方向正方向側)，設有第4區塊G4。

例如於第1區塊G1，如圖2所示，由下依序配置複數個液處理裝置，例如對晶圓W進行顯影處理之顯影處理裝置30、在晶圓W之光阻膜的下層形成防止反射膜(以下稱為「下部防止反射膜」)之下部防止反射膜形成裝置31、在晶圓W塗布光阻液而形成光阻膜之光阻塗布裝置32、在晶圓W之光阻膜的上層形成防止反射膜(以下稱為「上部防止反射膜」)之上部防止反射膜形成裝置33。

例如顯影處理裝置30、下部防止反射膜形成裝置31、光阻塗布裝置32、上部防止反射膜形成裝置33，分別係在水平方向上並排3個而配置。又，這些顯影處理裝置30、下部防止反射膜形成裝置31、光阻塗布裝置32、上部防止反射膜形成裝置33之數量及配置，可任意選擇。

於這些顯影處理裝置30、下部防止反射膜形成裝置31、光阻塗布裝置32、上部防止反射膜形成裝置33，係例如在晶圓W上進行塗布既定塗布液之旋轉塗布。於旋轉塗布，係例如由塗布噴嘴對晶圓W上釋出塗布液，同時使晶圓W旋轉，而使塗布液在晶圓W表面擴散。

例如於第2區塊G2，如圖3所示，係在上下方向與水平方向上排列配置進行晶圓W之加熱或冷却等熱處理之熱處理裝置40、用以提高光阻液與晶圓W間之固定性的密著(adhesion)裝置41、使晶圓W外周部曝光之邊緣曝光裝置42。這些熱處理裝置40、密著裝置41、邊緣曝光裝置42之數量及配置，可以任意選擇。又，關於邊緣曝光裝置42之結構，容待後述。

例如在第3區塊G3，由下依序設置檢查裝置50、以及複數之移交裝置51、52、53、54、55、56。再者，於第4區塊G4，由下依序設置複數之移交裝置60、61、62。關於檢查裝置50之結構，容待後述。

如圖1所示，第1區塊G1～第4區塊G4所圍出的區域，形成晶圓搬送區域D。於晶圓搬送區域D配置有複數之晶圓搬送裝置70，其具有可在例如Y方向、X方向、θ方向及上下方向移動自如的搬送臂。晶圓搬送裝置70可在晶圓搬送區域D內移動，而對周圍之第1區塊G1、第2區塊G2、第3區塊G3及第4區塊G4內的既定裝置搬送晶圓W。

再者，於晶圓搬送區域D，設有在第3區塊G3與第4區塊G4之間直線性搬運晶圓W的往返搬送裝置80。

往返搬送裝置80，係例如在圖3之Y方向上可直線性地移動自如。往返搬送裝置80係在支持晶圓W之狀態下，在Y方向上移動，而可在第3區塊G3之移交裝置52與第4區塊G4之移交裝置62之間搬送晶圓W。

如圖1所示，於比鄰第3區塊G3之X方向正方向側，設有晶圓搬送裝置90。晶圓搬送裝置90具有可在例如X方向、θ方向及上下方向上移動自如之搬送臂。晶圓搬送裝置90係以支持著晶圓W之狀態而上下移動，可以對第3區塊G3內之各移交裝置搬送晶圓W。

在介面站13，設有晶圓搬送裝置100與移交裝置101。晶圓搬送裝置100具有可在例如Y方向、θ方向及上下方向移動自如之搬送臂。晶圓搬送裝置100，能例如由搬送臂支持晶圓W，而在第4區塊G4內之各移交裝置、移交裝置101及曝光裝置12之間搬送晶圓W。

接著，針對邊緣曝光裝置42之結構，進行說明。邊緣曝光裝置42具有圖4及圖5所示之罩殼110。於罩殼110之側面，形成有未圖示之搬入搬出口，以將晶圓W搬入搬出。於罩殼110之內部，設有作為吸附保持晶圓W之基板保持部的晶圓夾頭120。晶圓夾頭120具有水平之頂面，於該頂面設有例如用以吸住晶圓W的吸附口(未圖示)。藉由此吸附口所造成之吸附，而可以將晶圓W吸附保持在晶圓夾頭120上。

於晶圓夾頭120，如圖5所示，安裝有作為第1移動機構之夾頭驅動部121。於罩殼110之底面，設有導軌122，其由罩殼110內之一端側(圖5中之X方向負方向側)延伸至另一端側(圖5中之X方向正方向側)。夾頭驅動部121就設在導軌122上。

於夾頭驅動部121，例如內建有馬達(未圖示)，而構成為在使晶圓夾頭120旋轉之同時，能沿著導軌122，而在與邊緣曝光裝置42的外部之間進行晶圓W移交之移交位置P1、以及對晶圓W周緣部進行邊緣曝光處理之邊緣曝光位置P2之間，移動自如。

於罩殼110之內部，設有曝光部130，其對晶圓夾頭120所保持之晶圓W上的光阻膜之周緣部照射光線，進行曝光。於曝光部130，設有光源131，以作為對該曝光部130供給光線之光源。於光源131之內部，設有超高壓水銀燈(未圖示)、及對來自超高壓水銀燈之光線進行集光之集光鏡(未圖示)。再者，於曝光部130，設有未圖示之四方形狹縫，並構成為從曝光部130照射通過此狹縫的四方形光線。又，產生四方形光線之狹縫開口，係設定成與後述之圖案之射域SH的尺寸相同、或比其小。此等曝光部130與光源131，係配置於比邊緣曝光位置P2更為偏向X方向正方向側，亦即係配置於罩殼110之X方向正方向側的端部。

光源131，係例如其底面受到作為第2移動機構之曝光驅動部132所支持。再者，於曝光驅動部132之底面，設有導軌133，其係沿著與導軌122正交之方向(圖5中的Y方向)延伸。於曝光驅動部132，內建有例如馬達(未圖示)，而構成為沿著導軌133移動自如。藉此，曝光部130係沿著Y方向，而可在晶圓W之一端部至另一端部上移動自如。

於罩殼110內部之邊緣曝光位置P2，設有位置檢測感測器134，以檢測晶圓夾頭120所保持之晶圓W的周緣部之位置。位置檢測感測器134具有例如CCD攝影機(未圖示)，在邊緣曝光位置P2，檢測距離晶圓夾頭120所保持之晶圓W之中心的偏心量、或晶圓W之凹口部N的位置。再者，可以一邊以位置檢測感測器134檢測凹口部N的位置，一邊以夾頭驅動部121使晶圓夾頭120旋轉，而調整晶圓W之凹口部N的位置。

此等夾頭驅動部121、曝光驅動部132、曝光部130、位置檢測感測器134這些邊緣曝光裝置42內的各機器，係與後述之控制部200連接，而由控制部200控制其動作。

接著，針對檢查裝置50的結構進行說明。

檢查裝置50具有圖6所示外殼150。如圖7所示，於外殼150內設有保持晶圓W之晶圓夾頭151。於外殼150之底面，設有導軌152，其由外殼150內之一端側(圖5中之X方向負方向側)延伸至另一端側(圖5中之X方向正方向側)。導軌152上設有驅動部153，其使晶圓夾頭151旋轉，並沿著導軌152而移動自如。

於外殼150內之另一端側(圖7之X方向正方向側)的側面，設有攝影部160。就攝影部160而言，可以使用例如廣角型的CCD攝影機。於外殼150之上部中央附近，設有半鏡161。半鏡161係在與攝影部160相向之位置，設置成其鏡面係由朝向鉛直下方之狀態偏向攝影部160之方向而往上方斜向45度之狀態。於半鏡161上，設有照明裝置162。半鏡161與照明裝置162，係固定於外殼150內部之天花板面。來自照明裝置162之照明，係通過半鏡161而朝向下方照射。因此，藉由位於照明裝置162下方之物體所反射的光，會進一步由半鏡161反射，而為攝影部160所捕捉。亦即，攝影部160可以拍攝照明裝置162之照射區域內的物體。然後所拍攝之晶圓W的影像(基板影像)，就會輸入至後述之控制部200。

又，於本實施形態，配置於檢查裝置50內的攝影部160，係作為本發明之邊緣曝光裝置42的攝影部而發揮功能，該攝影部160，亦可如本實施形態般配置於邊緣曝光裝置42的外部。

於上述之基板處理系統1，如圖1所示，設有控制部200。控制部200係例如電腦，具有程式儲存部(未圖示)。於程式儲存部，儲存有程式，其執行在基板處理系統1之晶圓W處理或搬送、晶圓W之邊緣曝光等。又，前述程式，亦可係記錄於例如可供電腦讀取之硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等可供電腦讀取的記錄媒體H，而由該記錄媒體H安裝至控制部200。

接著，針對使用如上構成之基板處理系統1所進行之晶圓W的處理方法，加以說明。

首先，將容納著複數晶圓W之卡匣C，搬入基板處理系統1的卡匣站10。此卡匣C內之各晶圓W已進行過圖案曝光，例如已藉由基板處理系統1外部之各種處理裝置，而形成了既定圖案。卡匣C內的晶圓W，藉由晶圓搬送裝置23，而首先搬送至處理站11的檢查裝置50。

於檢查裝置50，以攝影部160依序拍攝晶圓W表面，而取得晶圓W表面的影像(基板影像)。以攝影部160所拍攝之基板影像，就輸入至控制部200。

於控制部200，根據基板影像，取得形成在晶圓W上之圖案的資訊。具體而言，若於晶圓W上配列有圖8所示圖案之射域SH的情況下，控制部200會從晶圓W之基板影像IM，取得晶圓W之中心位置CT、1個射域SH的尺寸、凹口部N之位置、及射域SH之配列方向。在此，射域SH之配列方向，係以計算如下的角度θ而求得：連接晶圓W之中心位置CT與凹口部N之位置的直線，和射域SH之配列方向所夾之角度。又，於圖8，係以例如在直徑300mm之晶圓W上，以一邊為15mm之正方形來形成射域SH的情況為例，進行描繪。

接著會將晶圓W搬送至第2區塊G2之熱處理裝置40，進行溫度調節處理。之後，將晶圓W搬送到第1區塊G1之下部防止反射膜形成裝置31，在晶圓W上形成下部防止反射膜。之後將晶圓W搬送到第2區塊G2之熱處理裝置40，進行加熱處理，調節溫度。

接著將晶圓W搬送至密著裝置41，進行密著處理。之後將晶圓W搬送至第1區塊G1之光阻塗布裝置32，在晶圓W上形成光阻膜。

一旦在晶圓W上形成了光阻膜，接著就將晶圓W搬送至第1區塊G1之上部防止反射膜形成裝置33，在晶圓W上形成上部防止反射膜。之後，將晶圓W搬送至第2區塊G2的熱處理裝置40，進行加熱處理。之後，藉由晶圓搬送裝置70而將晶圓W搬送至邊緣曝光裝置42，以進行邊緣曝光處理。

針對邊緣曝光裝置42之邊緣曝光處置，進行詳述。搬送至邊緣曝光裝置42的晶圓W，首先會在移交位置P1移交至晶圓夾頭120。此時，係以在控制部200從基板影像IM所取得之晶圓W中心位置CT、與晶圓夾頭120之旋轉中心一致之方式，由晶圓搬送裝置70接收晶圓W。之後，藉由夾頭驅動部121，將晶圓夾頭120從移交位置P1移動至邊緣曝光位置P2側。

一旦晶圓夾頭120所保持之晶圓W移動至邊緣曝光位置P2，就以夾頭驅動部121旋轉晶圓W，並以位置檢測感測器134來確認晶圓W之凹口部N的位置。一旦確認了凹口部N的位置，接著就以控制部200使晶圓夾頭120旋轉，以使晶圓夾頭120所保持之晶圓W之凹口部N的位置，如例如圖9所示，從導軌122之延伸方向偏離角度θ。藉此，例如圖10所示，射域SH之配列方向與導軌133之延伸方向，亦即曝光部130之移動方向，會成平行；而藉由使曝光部130在導軌133上移動，就可以使曝光部130沿著射域SH之端部移動。

之後，由曝光部130對晶圓W之周緣部照射光線，進行仿真照射。此仿真照射係根據基板影像IM，而基於控制部200所製作之程序配方所進行。針對程序配方之製作，具體說明如下。

於程序配方之製作，係在從檢查裝置50所拍攝之基板影像IM而求取出尺寸的射域SH如圖11所示般覆蓋基板影像IM之整面的情況下，控制部200判定基板影像IM之外周端部，亦即晶圓W之外周端部是否與射域SH重疊。然後，如圖11之斜線所示，將與外周端部重疊之部分判定為仿真照射區域DM，計算出各仿真照射區域DM的座標。又，於圖11，係將例如在圖12以斜線所示之不與晶圓W之外周端部重疊之區域A，也標示為仿真照射區域DM，但就邊緣曝光處理之目的，亦即去除不需要之部分的光阻而言，於圖12以斜線所示區域A由於並未形成圖案之射域SH，因此有必要進行仿真照射。因此，控制部200也會將該區域A判定為仿真照射區域DM。亦即，於圖12以斜線所示之區域A，係既不與例如外周端部重疊之部分、亦不屬於任一射域SH之區域，此種區域A也會判定成仿真照射區域DM。

於控制部200，在計算出各仿真照射區域DM之座標後，會決定對各仿真照射區域DM進行邊緣曝光處理之順序。具體而言，例如圖12以虛線所示之STEP1～STEP4般，對於可藉由使曝光部130沿著導軌133、使晶圓夾頭120沿著導軌122分別移動而得以曝光之仿真照射區域DM，會製作程序配方使其先施行曝光。此時，例如圖13所示，於各STEP1～STEP4進行仿真照射之仿真照射區域DM的曝光開始位置及曝光結束位置的座標，會根據基板影像IM而計算出。又，於圖13，為便於表列，係記載各仿真照射區域DM之右上頂點的座標。

對於圖12以STEP5～STEP7所示之仿真照射區域DM，由於較佳係例如使晶圓W順時針旋轉90度再進行邊緣曝光處理，因此曝光順序會設在STEP4之後。關於此STEP5～STEP7，亦同樣地計算出仿真照射區域DM之曝光開始位置及曝光結束位置的座標。然後，亦依序計算出STEP7以後之仿真照射區域DM之曝光開始位置及曝光結束位置的座標，以製作邊緣曝光處理之程序配方。此程序配方之製作，係於以檢查裝置50取得了基板影像IM之晶圓W要搬入邊緣曝光裝置42前，就事先進行。又，若從位置檢測感測器134之檢出結果，發現晶圓夾頭120之旋轉中心係與晶圓W之中心位置CT錯位而導致偏心之狀態的情況下，亦可對圖13所示之X座標、Y座標，分別加入對X方向之偏心量ΔX及對Y方向之偏心量ΔY，進行補正。

又，於本實施形態，雖係如圖11或圖12所示，以使仿真照射區域DM沿著X方向及Y方向配列的方式，而在使凹口部N傾斜角度θ之狀態下，計算曝光開始位置及曝光結束位置之座標，但該座標之計算方法並不限於本實施形態之內容。例如，亦可係根據下述狀態的基板影像IM而計算出該座標：連接晶圓W之中心位置CT與凹口部N之位置的直線，和圖12之Y方向成平行。在此情況下，係使例如圖13所示之座標，以圖14所示行列式進行仿射轉換，而可求得考慮到角度θ之座標(X_θ ，Y_θ )。又，如圖14內之ΔX及ΔY係上述之偏心量。

然後，在邊緣曝光裝置42，根據控制部200所製作之程序配方而操作夾頭驅動部121及曝光驅動部132，進行程序配方所指定之仿真照射區域DM之邊緣曝光處理。

之後晶圓W就從邊緣曝光裝置42搬送至第4區塊G4之移交裝置62。之後以介面站13之晶圓搬送裝置100而將晶圓W搬送至曝光裝置12，進行曝光處理。

接著以晶圓搬送裝置100，將晶圓W從曝光裝置12搬送至第4區塊G4的移交裝置60。之後，以晶圓搬送裝置70將晶圓W搬送至熱處理裝置40，進行曝光後烘烤處理。之後，以晶圓搬送裝置70將晶圓W搬送至顯影處理裝置30，進行顯影。顯影結束後，以晶圓搬送裝置70將晶圓W搬送至熱處理裝置40，進行硬烤處理。

之後將晶圓W搬送至卡匣站10的卡匣C。如此這般，結束一連串之光微影製程。

若藉由上述實施形態，能以攝影部160拍攝進行過圖案曝光之晶圓W而取得基板影像IM，再由該基板影像IM取得晶圓W上之圖案的射域SH之配列資訊。然後，藉由控制部200，根據該取得之射域SH的配列資訊而製作邊緣曝光處理的程序配方，再根據程序配方以控制夾頭驅動部121及曝光驅動部132。因此即便以曝光裝置12曝光之圖案的射域SH之配列，並非和連接凹口部N和晶圓W之中心位置CT的直線成平行、正交之狀態，換言之，即使晶圓W上之射域SH的配列，係相對於晶圓W之凹口部N的位置而傾斜了角度θ的情況下，亦可以根據所取得之配列資訊，而在邊緣曝光裝置42進行適當的仿真照射。

再者，由於以上之實施形態，係對複數之邊緣曝光裝置42，共通設置1個檢查裝置50，亦即1個攝影部160；並藉由1個攝影部160而取得晶圓W上之圖案的射域SH之配列資訊；因此不需要對各邊緣曝光裝置42個別設置攝影部160。因此，可以降低基板處理系統1之設備費用。又，攝影部160之設置數量並不限於本實施形態的內容，可以任意設定。

更進一步而言，由於在將晶圓W搬入邊緣曝光裝置42前，就預先根據以檢查裝置50取得之基板影像IM，而由控制部200製作程序配方，因此在晶圓W搬入邊緣曝光裝置42後，可以立刻進行邊緣曝光處理。因此，也不會使邊緣曝光裝置42的產能降低。

於上述之實施形態，檢查裝置50係配置於處理站11之第3區塊G3，但只要該檢查裝置50係配置在晶圓W搬入邊緣曝光裝置42前就可以進行晶圓W之攝影的位置，則可以任意地選擇設置場所。例如亦可將檢查裝置50配置於第2區塊G2。同樣地，對於邊緣曝光裝置42亦同，只要是可以在將晶圓W搬入曝光裝置12前進行邊緣曝光處理，其配置可以任意選擇，例如亦可配置於第3區塊G3或第4區塊G4。

以上，參照隨附圖式說明了本發明之較佳實施形態，但本發明並不限於該例。所屬技術領域中具有通常知識者了解，可以在申請專利範圍所記載之思想的範疇內思及各種變更例或修正例，而該等亦當然屬於本發明之技術範圍內。本發明並不限於此例，可採各種態樣。即使基板係晶圓以外之FPD(平面顯示器)、光罩用的倍縮光罩等其他基板的情況下，亦可適用本發明。

1‧‧‧基板處理系統
10‧‧‧卡匣站
11‧‧‧處理站
12‧‧‧曝光裝置
13‧‧‧介面站
20‧‧‧卡匣載置台
21‧‧‧卡匣載置板
22‧‧‧搬送路
23‧‧‧晶圓搬送裝置
30‧‧‧顯影處理裝置
31‧‧‧下部防止反射膜形成裝置
32‧‧‧光阻塗布裝置
33‧‧‧上部防止反射膜形成裝置
40‧‧‧熱處理裝置
41‧‧‧密著裝置
42‧‧‧邊緣曝光裝置
50‧‧‧檢查裝置
51、52、53‧‧‧移交裝置
54、55、56‧‧‧移交裝置
60、61、62‧‧‧移交裝置
70‧‧‧晶圓搬送裝置
80‧‧‧往返搬送裝置
90‧‧‧晶圓搬送裝置
100‧‧‧晶圓搬送裝置
101‧‧‧移交裝置
110‧‧‧罩殼
120‧‧‧晶圓夾頭
121‧‧‧夾頭驅動部
122‧‧‧導軌
130‧‧‧曝光部
131‧‧‧光源
132‧‧‧曝光驅動部
133‧‧‧導軌
134‧‧‧位置檢測感測器
150‧‧‧外殼
151‧‧‧晶圓夾頭
152‧‧‧導軌
153‧‧‧驅動部
160‧‧‧攝影部
161‧‧‧半鏡
162‧‧‧照明裝置
200‧‧‧控制部
C‧‧‧卡匣
D‧‧‧晶圓搬送區域
W‧‧‧晶圓
H‧‧‧記錄媒體
G1‧‧‧第1區塊
G2‧‧‧第2區塊
G3‧‧‧第3區塊
G4‧‧‧第4區塊
P1‧‧‧移交位置
P2‧‧‧邊緣曝光位置
N‧‧‧凹口部
IM‧‧‧基板影像
SH‧‧‧射域
CT‧‧‧中心位置
DM‧‧‧仿真照射區域
A‧‧‧(重疊之)區域

[圖1]繪示本實施形態之基板處理系統的結構概略之俯視圖。 [圖2]繪示本實施形態之基板處理系統的結構概略之正視圖。 [圖3]繪示本實施形態之基板處理系統的結構概略之後視圖。 [圖4]繪示邊緣曝光裝置的結構概略之橫剖面圖。 [圖5]繪示邊緣曝光裝置的結構概略之縱剖面圖。 [圖6]繪示檢查裝置的結構概略之橫剖面圖。 [圖7]繪示檢查裝置的結構概略之縱剖面圖。 [圖8]繪示晶圓上之圖案的射域配列之俯視說明圖。 [圖9]繪示在邊緣曝光裝置內使晶圓以既定角度旋轉之狀態的橫剖面說明圖。 [圖10]繪示晶圓上的圖案之射域與曝光部之間之位置關係的俯視說明圖。 [圖11]繪示仿真照射區域的俯視說明圖。 [圖12]繪示仿真照射區域的俯視說明圖。 [圖13]繪示邊緣曝光處理的程序配方之說明圖。 [圖14]用以進行仿射轉換(affine transformation)的行列式。

50‧‧‧檢查裝置

150‧‧‧外殼

152‧‧‧導軌

160‧‧‧攝影部

162‧‧‧照明裝置

200‧‧‧控制部

H‧‧‧記錄媒體

N‧‧‧凹口部

W‧‧‧基板(晶圓)

Claims (9)

1. 一種邊緣曝光裝置，使塗布有光阻膜之基板的周緣部曝光，該邊緣曝光裝置包括： 攝影部，拍攝基板之表面； 基板保持部，保持基板； 曝光部，使該基板保持部所保持之基板的周緣部曝光； 第1移動機構，使該基板保持部移動及旋轉； 第2移動機構，使該曝光部移動；以及 控制部，從該攝影部所拍攝之已進行過圖案曝光之基板的基板影像，取得基板上之圖案之射域的配列資訊，並根據該取得之配列資訊而控制該第1移動機構及該第2移動機構，以使該基板之周緣部曝光。
2. 如申請專利範圍第1項之邊緣曝光裝置，其中，該控制部從該基板影像檢測基板之中心位置及基板之凹口位置；求取連接該基板之中心位置與基板之凹口位置之直線，和該基板上之圖案之射域的配列方向所夾之角度；再依該求取出之角度來控制該第1移動機構，以使該基板旋轉。
3. 如申請專利範圍第1或2項之邊緣曝光裝置，其中， 該控制部， 從該基板影像計算出1個射域之尺寸，同時判定該基板之外周端部和該射域是否重疉； 計算出存在於該基板之外周端部和該射域所重疊而成之區域的射域之座標； 根據該計算出之座標，控制該第1移動機構或該第2移動機構中之至少任一者。
4. 如申請專利範圍第1或2項之邊緣曝光裝置，其中， 對於複數之該邊緣曝光裝置，共通設置該攝影部。
5. 一種邊緣曝光方法，其使用邊緣曝光裝置， 該邊緣曝光裝置包括 攝影部，拍攝基板之表面、 基板保持部，保持基板、 曝光部，使該基板保持部所保持之基板的周緣部曝光、 第1移動機構，使該基板保持部移動及旋轉、以及 第2移動機構，使該曝光部移動； 該邊緣曝光方法，係從該攝影部所拍攝之已進行過圖案曝光之基板的基板影像，取得基板上之圖案之射域的配列資訊，並根據該取得之配列資訊而使該基板保持部及該曝光部移動，以使該基板之周緣部曝光。
6. 如申請專利範圍第5項之邊緣曝光方法，其中， 從該基板影像檢測基板之中心位置及基板之凹口位置； 求取連接該基板之中心位置與基板之凹口位置之直線，和該基板上之圖案之射域的配列方向所夾之角度； 依該求取出之角度使該基板保持部旋轉。
7. 如申請專利範圍第5或6項之邊緣曝光方法，其中， 從該基板影像計算出1個射域之尺寸，同時判定該基板之外周端部與該射域是否重疉； 計算出存在於該基板之外周端部和該射域所重疊而成之區域的射域之座標； 根據該計算出之座標，使該基板保持部或曝光部中之至少任一者移動。
8. 一種程式，在控制該邊緣曝光裝置之控制部的電腦上動作，以使該邊緣曝光裝置執行申請專利範圍第5至7項中任一項之邊緣曝光方法。
9. 一種可讀取之電腦記錄媒體，儲存有申請專利範圍第8項之程式。