JP2016152679A - スイッチング電源回路および力率改善回路 - Google Patents
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Abstract
Description
過電圧保護用のOVPコンパレータ18は、反転入力端子側に基準電圧Vovpを受け、非反転入力端子側にFB端子が接続されている。過電圧保護用のOVPコンパレータ18は、電源出力電圧が反映されるFB端子電圧が基準電圧Vovpを超えた場合に、出力がH(High)レベルとなってRSフリップフロップ15をリセットする。
レベル変換回路20は、図9に示したように、4つの直列接続された抵抗R21〜R24から構成され、一端が正の基準電圧Vref2に接続され、他端がIS端子に接続されている。このIS端子には、インダクタ電流検出回路を構成する電流検出抵抗R3が接続されており、この電流検出抵抗R3に電流が流れると、インダクタ電流を検出した負電圧のインダクタ電流検出電圧が供給される。
ワンショット回路41では、RSフリップフロップ15の出力信号S0が供給され、その出力信号S0が時刻t0以前から時刻t1までの間でLレベルとなっていて、MOSFET31は、スイッチング素子4と同様にオフ状態となっている。そのとき、コンデンサC4には、定電流源32からの充電電流が流れているため、時刻t0においては、既にコンデンサC4は、所定の電圧レベル(Hレベル)まで充電されている。そのため、時刻t0からt1の期間では、出力信号S0が入力されたインバータ33からはHレベルがNAND回路35に出力され、インバータ34からはLレベルがNAND回路35に出力される。これにより、NAND回路35は、Hレベルを出力し、インバータ36は、Lレベルを出力することから、トランスファゲート42はオフ(遮断)状態となっている。
Vzero=Vref2・(R23+R24)/(R21+R22+R23+R24)
このとき、軽負荷時のインダクタ電流検出電圧波形のボトムピーク値は、絶対値が小さな負電圧となるため、基準電位信号S7の波形のボトムが図12の(B)のものより上側に位置し、基準電位信号S7の最小値がゼロ電流検出レベルより大きくなる。したがって、このような軽負荷時では、第2のセットパルスS8は出力されず、ZCDコンパレータ16がインダクタ電流ゼロを検出して第1のセットパルスを出力するタイミングでスイッチング素子4がオンする。この場合、インダクタ電流がゼロとなったタイミングでスイッチング素子4がオフからオンに変化するので、力率改善回路100は、電流臨界制御方式で動作する。
この図13には、インダクタ電流の最大値を接続した包絡線と最小値を接続した包絡線とを示している。図12において説明したように、従来の力率改善回路100では、インダクタ電流検出電圧を用いて負荷の軽重を判断し、電流臨界制御方式と電流連続制御方式を切り替えるようにしている。このため、交流入力電圧波形とほぼ同相で変化するインダクタ電流の最大値を接続した包絡線波形の瞬時値が小さい領域(すなわち、時刻t11と時刻t12の中間領域、時刻t12と時刻t13の中間領域)では電流臨界制御方式となり、最大値を接続した包絡線波形の瞬時値が大きい領域では電流連続制御方式となることがわかる。
図1は本発明の実施の形態に係るスイッチング電源回路を示す回路図、図2は電流連続制御設定回路の構成例を示す回路図である。なお、以下では、従来例である図8および図9に示す回路の対応する構成要素、端子名、信号名などは、同一の符号を用いて重複する説明を省略する。
ワンショット回路141は、ゲート端子にRSフリップフロップ15の出力信号S0がインバータ130により反転されて供給されるMOSFET131を有している。MOSFET131のドレイン端子は、定電流源132に接続され、MOSFET131のソース端子は、グランドに接続されている。MOSFET131のドレイン端子と定電流源132との接続点は、コンデンサC104の一方の端子とインバータ134の入力端子とに接続されている。コンデンサC104の他方の端子は、グランドに接続されている。MOSFET131のゲート端子は、また、インバータ133の入力端子に接続されている。インバータ133,134の出力端子は、NAND回路135の入力端子に接続され、NAND回路135の出力端子は、インバータ136の入力端子に接続されている。NAND回路135の出力端子は、また、トランスファゲート142の反転入力端子に接続され、インバータ136の出力端子は、トランスファゲート142の非反転入力端子に接続されている。ここで、トランスファゲート142は、NAND回路135の出力信号S104がLレベル、インバータ136の出力信号S105がHレベルの場合に、オン状態となり、電流連続制御設定回路30からのピークホールド信号S9をホールド回路143に供給する。
電流ピーク値をホールドしたピークホールド信号S9は、IS端子が負電圧検出であるため交流入力電圧が高い場合に低い電圧値となり、交流入力電圧が低い場合に高い電圧値となっている。図には、ピークホールド信号S9の階段状の推移とインダクタ電流を表す点線とを示しているが、理解し易いようにスイッチング周期を長く拡大して示している。実際はもっと短いスイッチング周期となり、ピークホールド信号S9の電圧変化も細かい変化となる。
セレクタ回路70は、OR回路14bを有し、その一方の入力端子にZCDコンパレータ16の出力である電流臨界制御用のターンオン信号(第1のセットパルス)を受け、他方の入力端子には、AND回路71の出力端子が接続されている。AND回路71は、その入力端子に第2のセットパルスS8および位相角検出回路60からの信号S11を受けている。OR回路14bの出力端子は、RSフリップフロップ(RSFF)15のセット端子に接続される。
負荷を重くしていくと、従来例は、図7の(A)に細線で示したように、基準電位信号S7が下がってくるが、まだ0Vより上にあるため、全領域で臨界制御を行う。ターンオンした電流は、図中、太線で示したように、負電圧検出の電流ピークのラインまで流れた時点でターンオフし、0Aまで電流が減少したら、次のターンオンとなる。一方、本実施の形態では、図7の(B)に示すように、基準電位信号S7が低下しても、基準電位信号S7が(Vzeroに対して)マイナスになる領域が位相角45度から135度までの範囲であれば、位相角45度から135度までの高位相角の部分で連続制御がマスキングされている。このため、高位相角の部分で連続制御が臨界制御より先に生成されていても、位相角45度から135度までの部分では、臨界制御のまま制御が継続する。そのため、電流ピークの曲率を従来例より緩やかにすることが可能となる。なお、基準電位信号S7の曲率を緩くするには、レベル変換回路20の基準電圧Vref2を低く設定し、抵抗比(R21+R22)/(R21+R22+R23+R24)を小さく設定すればよい。但し、このようにして基準電位信号S7の曲率を緩くすると、基準電位信号S7が負になりやすくなる(負となる領域が大きくなる)。なお、図7の(B),(D),(E)は、このようにして基準電位信号S7の曲率を緩くすることにより、電流ピークの曲率を緩くして力率を向上させた場合の例を示している。
2 コンデンサ
3 インダクタ
4 スイッチング素子
5 ダイオード
6 コンデンサ
7 電源出力端子
10 力率改善回路
11 エラーアンプ
12 PWMコンパレータ
13 発振器
14a,14b OR回路
15 RSフリップフロップ
16 ZCDコンパレータ
18 OVPコンパレータ
19 OCPコンパレータ
20 レベル変換回路
30 電流連続制御設定回路
31 MOSFET
32 定電流源
33,34 インバータ
35 NAND回路
36 インバータ
40 ピークホールド回路
41 ワンショット回路
42 トランスファゲート
43 ホールド回路
50 セットパルス生成回路
51 増幅回路
52 比較回路
60 位相角検出回路
61,62 Dフリップフロップ
63 発振器
64 ワンショット回路
65 カウンタ
66 ラッチ回路
67 ダウンカウンタ
68,69 NOR回路
70 セレクタ回路
71 AND回路
72 RSフリップフロップ
73 AND回路
74 OR回路
75 インバータ
76 RSフリップフロップ
77 AND回路
78 OR回路
79 インバータ
80 ワンショット回路
81 Dフリップフロップ
100 力率改善回路
110 ピーク値監視回路
130 インバータ
131 MOSFET
132 定電流源
133,134 インバータ
135 NAND回路
136 インバータ
140 ピークホールド回路
141 ワンショット回路
142 トランスファゲート
143 ホールド回路
151 増幅回路
152 比較回路
200 AND回路
201 Dフリップフロップ
202,203 インバータ
204 カウンタ
205 デコーダ
208 RSフリップフロップ
209 OR回路
210,211 AND回路
212 ワンショット回路
213 AND回路
C1〜C4,C103,C104 コンデンサ
R1 タイミング抵抗
R3 電流検出抵抗
R4〜R9,R21〜R24,R107 抵抗
S0 出力信号(OUT端子の信号)
S1 第1の電流レベル信号
S2 第2の電流レベル信号
S4,S5 ワンショットパルス
S6 ピークレベル信号
S7 基準電位信号
S8 第2のセットパルス(連続制御用のターンオン信号)
S9 ピークホールド信号
S10 信号(生成順判定信号)
S11 信号(連続制御決定信号)
S100 信号(ピークホールド信号S9の変化を表す信号)
Claims (6)
- 交流電源を全波整流して脈流出力を得る整流回路と、該整流回路に接続されたインダクタと、スイッチング素子と、出力コンデンサとを有し、前記交流電源から所定の大きさの直流出力電圧を生成して負荷に供給するスイッチング電源回路において、
前記交流電源の位相角を検出する位相角検出回路と、
前記インダクタに流れる電流を検出してインダクタ電流検出電圧を出力するインダクタ電流検出回路と、
前記インダクタ電流検出電圧を互いに異なる電圧レベルの第1、第2の電流レベル信号に変換するレベル変換回路と、
前記第1の電流レベル信号から全波整流された交流入力電圧波形とほぼ同相で変化する基準電位信号を生成して前記第2の電流レベル信号の電圧レベルと比較することにより前記スイッチング素子のオンタイミングを規定するセットパルスを生成する連続制御設定回路と、
前記インダクタに流れる電流がゼロとなることを検出するゼロ電流検出回路と、
前記連続制御設定回路で規定される前記スイッチング素子のオンタイミングと前記インダクタに流れる電流がゼロとなることを前記ゼロ電流検出回路が検出するタイミングのいずれが早いタイミングの信号であるかを判定し、該判定の結果を用いて前記連続制御設定回路で規定される前記スイッチング素子のオンタイミングと前記インダクタに流れる電流がゼロとなることを前記ゼロ電流検出回路が検出するタイミングのいずれかを選択するオンタイミング選択回路と、
を備え、
前記位相角検出回路は、あらかじめ指定した位相角の時点で前記オンタイミング選択回路による前記判定の結果に基づいて前記連続制御設定回路が規定するオンタイミングの有効・無効を設定し、
前記オンタイミング選択回路は、前記連続制御設定回路が規定するオンタイミングの有効を前記位相角検出回路が設定しているときだけ、前記連続制御設定回路が生成するオンタイミングを規定する前記セットパルスで前記スイッチング素子をオンに切り替えるようにしたことを特徴とするスイッチング電源回路。 - 前記位相角検出回路は、前記インダクタ電流検出電圧のスイッチング周期ごとのピーク電流値に相当する電圧値をホールドし、そのホールド値の変化から前記位相角を検出することを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源回路。
- 前記連続制御設定回路は、前記第1の電流レベル信号の電圧レベルを前記スイッチング素子のオフタイミングごとにホールドしてピークレベル信号を生成するピークホールド回路と、前記ピークレベル信号の電圧レベルを変換して前記基準電位信号を生成するとともに、前記基準電位信号と前記第2の電流レベル信号の電圧レベルを比較することにより、前記スイッチング素子のオンタイミングを規定するセットパルスを生成するセットパルス生成回路とを有していることを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源回路。
- 前記オンタイミング選択回路は、前記ゼロ電流検出回路が検出するタイミングのターンオン信号と前記連続制御設定回路で規定される前記セットパルスおよび前記オンタイミング選択回路による前記判定の結果を示す信号の論理積信号とを入力して前記スイッチング素子をオンに切り替えるOR回路と、前記ターンオン信号を保持する第1のフリップフロップおよび前記セットパルスを保持する第2のフリップフロップと、前記スイッチング素子のオフタイミングにて前記第2のフリップフロップの出力を保持することにより前記ターンオン信号および前記セットパルスのいずれが先に生成されたかを表す信号を前記位相角検出回路に出力する第3のフリップフロップと、を有し、第1のフリップフロップが前記ターンオン信号を保持しているとき前記第2のフリップフロップをリセットし、前記第2のフリップフロップが前記セットパルスを保持しているとき前記第1のフリップフロップをリセットしていることを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源回路。
- 前記第3のフリップフロップが前記第2のフリップフロップの出力を保持した後に、第1のフリップフロップおよび前記第2のフリップフロップをリセットするパルスを生成するワンショット回路を有していることを特徴とする請求項4記載のスイッチング電源回路。
- 交流電源を全波整流して脈流出力を得る整流回路と、該整流回路に接続されたインダクタと、スイッチング素子と、出力コンデンサと、前記インダクタに流れる電流を検出してインダクタ電流検出電圧を出力するインダクタ電流検出回路とを有し、前記交流電源から所定の大きさの直流出力電圧を生成して負荷に供給するスイッチング電源回路の力率改善回路において、
前記交流電源の位相角を検出する位相角検出回路と、
前記インダクタ電流検出電圧を互いに異なる電圧レベルの第1、第2の電流レベル信号に変換するレベル変換回路と、
前記第1の電流レベル信号から全波整流された交流入力電圧波形とほぼ同相で変化する基準電位信号を生成して前記第2の電流レベル信号の電圧レベルと比較することにより前記スイッチング素子のオンタイミングを規定するセットパルスを生成する連続制御設定回路と、
前記インダクタに流れる電流がゼロとなることを検出するゼロ電流検出回路と、
前記連続制御設定回路で規定される前記スイッチング素子のオンタイミングと前記インダクタに流れる電流がゼロとなることを前記ゼロ電流検出回路が検出するタイミングのいずれが早いタイミングの信号であるかを判定し、該判定の結果を用いて前記連続制御設定回路で規定される前記スイッチング素子のオンタイミングと前記インダクタに流れる電流がゼロとなることを前記ゼロ電流検出回路が検出するタイミングのいずれかを選択するオンタイミング選択回路と、
を備え、
前記位相角検出回路は、あらかじめ指定した位相角の時点で前記オンタイミング選択回路による前記判定の結果に基づいて前記連続制御設定回路が規定するオンタイミングの有効・無効を設定し、
前記オンタイミング選択回路は、前記連続制御設定回路が規定するオンタイミングの有効を前記位相角検出回路が設定しているときだけ、前記連続制御設定回路が生成するオンタイミングを規定する前記セットパルスで前記スイッチング素子をオンに切り替えるようにしたことを特徴とする力率改善回路。
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