JP2016136624A - 静電チャック - Google Patents
静電チャック Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016136624A JP2016136624A JP2016005348A JP2016005348A JP2016136624A JP 2016136624 A JP2016136624 A JP 2016136624A JP 2016005348 A JP2016005348 A JP 2016005348A JP 2016005348 A JP2016005348 A JP 2016005348A JP 2016136624 A JP2016136624 A JP 2016136624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support plate
- heater
- heater element
- electrostatic chuck
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】処理対象物を載置する第1主面と、第1主面とは反対側の第2主面と、を有し、セラミック誘電体基板と、セラミック誘電体基板とは離れた位置に設けられセラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、セラミック誘電体基板とベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、を備え、ヒータプレートは、金属を含む第1の支持板と、金属を含む第2の支持板と、第1の支持板と第2の支持板との間に設けられ電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、第1の支持板とヒータエレメントとの間に設けられた第1の樹脂層と、第2の支持板とヒータエレメントとの間に設けられた第2の樹脂層と、を有することを特徴とする静電チャックが提供される。
【選択図】図5
Description
ヒータが静電チャックに内蔵される場合には、ヒータの内蔵方法(例えば接着方法)の信頼性が重要な要素の1つである。
図1は、本実施形態にかかる静電チャックを表す模式的斜視図である。
図2は、本実施形態にかかる静電チャックを表す模式的断面図である。
図1では、説明の便宜上、静電チャックの一部において断面図を表している。図2(a)は、例えば図1に表した切断面A1−A1における模式的断面図である。図2(b)は、図2(a)に表した領域B1の模式的拡大図である。
セラミック誘電体基板100は、ベースプレート300と離れた位置に設けられている。ヒータプレート200は、ベースプレート300と、セラミック誘電体基板100と、の間に設けられている。
図4は、本実施形態のヒータプレートを表す模式的斜視図である。
図5は、本実施形態のヒータプレートを表す模式的分解図である。
図6は、本実施形態のヒータプレートの変形例を表す模式的分解図である。
図3は、本実施形態のヒータプレートを上面(セラミック誘電体基板100の側の面)から眺めた模式的斜視図である。図4(a)は、本実施形態のヒータプレートを下面(ベースプレート300の側の面)から眺めた模式的斜視図である。図4(b)は、図4(a)に表した領域B2における模式的拡大図である。
これに対して、本実施形態では、第1の支持板210は、ヒータエレメント230およびバイパス層250を高周波から遮断する。これにより、第1の支持板210は、ヒータエレメント230が異常温度に発熱することを抑制することができる。
図7は、本実施形態の製造方法の一例を例示する模式的断面図である。
図8は、本実施形態の製造方法の他の一例を例示する模式的断面図である。
図7(a)は、バイパス層とヒータエレメントとを接合する前の状態を表す模式的断面図である。図7(b)は、バイパス層とヒータエレメントとを接合した後の状態を表す模式的断面図である。図8は、バイパス層と給電端子との接合工程の一例を例示する模式的断面図である。
なお、製造後のヒータプレート200に対しては、検査などが適宜行われる。
図10は、本実施形態にかかる静電チャックを表す電気回路図である。
図10(a)は、第1の支持板と第2の支持板とが電気的に接合された例を表す電気回路図である。図10(b)は、第1の支持板と第2の支持板とが電気的に接合されていない例を表す電気回路図である。
図11は、本実施形態のヒータプレートの具体例を例示する模式的平面図である。
図12及び13は、本具体例のヒータエレメントを例示する模式的平面図である。
図14は、本具体例のバイパス層を例示する模式的平面図である。
図15は、本具体例のヒータプレートの一部を模式的に表す拡大図である。
図11(a)は、本具体例のヒータプレートを上面から眺めた模式的平面図である。図11(b)は、本具体例のヒータプレートを下面から眺めた模式的平面図である。図12(a)は、ヒータエレメントの領域の一例を例示する模式的平面図である。図12(b)及び図13は、ヒータエレメントの領域の他の一例を例示する模式的平面図である。
複数のバイパス層250のうちの少なくともいずれかが切り欠き部253を有するため、第2の支持板270は、第1の支持板210と接触可能である。
接合部255c、255dは、ヒータプレート200の中心203を中心とし接合部255e、255fを通る円とは異なる円の上に存在する。接合部255c、255dは、ヒータプレート200の中心203を中心とし接合部255g、255hを通る円とは異なる円の上に存在する。
接合部255e、255fは、ヒータプレート200の中心203を中心とし接合部255g、255hを通る円とは異なる円の上に存在する。
図16(a)は、本発明者が第2の支持板270の面271の形状を測定した結果の一例を例示するグラフ図である。図16(b)は、本実施形態のヒータプレート200の表面の形状を説明する模式的断面図である。
図17(a)〜図17(c)に示すヒータプレート200においても、図16(b)に関する説明と同様に、第1〜第4の凹凸が生ずる。
図17(a)に示したように、凹部211aと、凹部271aと、の間のZ方向の距離D1aは、凸部211bと、凸部271bと、の間のZ方向の距離D2aよりも短い。
図18(a)は、本実施形態の変形例にかかる静電チャックを表す模式的断面図である。図18(b)は、本変形例のヒータプレートを表す模式的断面図である。図18(a)および図18(b)は、例えば図1に表した切断面A1−A1における模式的断面図に相当する。
図19(a)は、第1の支持板が複数の支持部に分割された一例を表す。図19(b)及び図20は、第1の支持板が複数の支持部に分割された他の一例を表す。
図22(a)は、本具体例の給電端子を表す模式的平面図である。図22(b)は、本具体例の給電端子の接合方法を例示する模式的平面図である。
図23に表したように、この例では、バイパス層250が、第1の支持板210とヒータエレメント230との間に設けられる。より詳しくは、バイパス層250が、第1の支持板210と第1の樹脂層220との間に設けられ、第3の樹脂層260が、第1の支持板210とバイパス層250との間に設けられる。
本実施形態にかかるウェーハ処理装置500は、処理容器501と、上部電極510と、図1〜図23に関して前述した静電チャック(例えば、静電チャック10)と、を備えている。処理容器501の天井には、処理ガスを内部に導入するための処理ガス導入口502が設けられている。処理容器501の底板には、内部を減圧排気するための排気口503が設けられている。また、上部電極510および静電チャック10には高周波電源504が接続され、上部電極510と静電チャック10とを有する一対の電極が、互いに所定の間隔を隔てて平行に対峙するようになっている。
図25に表したように、高周波電源504は、第1の支持板210と上部電極510との間、及び、第2の支持板270と上部電極510との間のみに電気的に接続してもよい。この場合にも、高周波電圧を印加する場所を処理対象物Wに近付け、効率的にプラズマを発生させることができる。
図26に表したように、この例では、高周波電源504が、ヒータエレメント230と電気的に接続されている。このように、高周波電圧は、ヒータエレメント230と上部電極510との間に印加してもよい。この場合にも、高周波電圧を印加する場所を処理対象物Wに近付け、効率的にプラズマを発生させることができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
Claims (23)
- 処理対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有し、セラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板とは離れた位置に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、
を備え、
前記ヒータプレートは、
金属を含む第1の支持板と、
金属を含む第2の支持板と、
前記第1の支持板と前記第2の支持板との間に設けられ電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、
前記第1の支持板と前記ヒータエレメントとの間に設けられた第1の樹脂層と、
前記第2の支持板と前記ヒータエレメントとの間に設けられた第2の樹脂層と、
を有することを特徴とする静電チャック。 - 前記第1の支持板は、前記第2の支持板と電気的に接合されたことを特徴とする請求項1記載の静電チャック。
- 前記第1の支持板が前記第2の支持板と接合された領域の面積は、前記第1の支持板の上面の面積よりも狭く、前記第2の支持板の下面の面積よりも狭いことを特徴とする請求項2記載の静電チャック。
- 前記第1の支持板が前記第2の支持板と接合された領域の面積は、前記第1の支持板の上面の面積から前記ヒータエレメントの面積を引いた差分の面積よりも狭く、前記第2の支持板の下面の面積から前記ヒータエレメントの面積を引いた差分の面積よりも狭いことを特徴とする請求項3記載の静電チャック。
- 前記第1の支持板の上面は、第1の凹凸を有し、
前記第2の支持板の下面は、第2の凹凸を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の静電チャック。 - 第1の凹凸は、前記ヒータエレメントの形状にならい、
第2の凹凸は、前記ヒータエレメントの形状にならったことを特徴とする請求項5記載の静電チャック。 - 前記第1の凹凸の凹部と、前記第2の凹凸の凹部と、の間の距離は、前記第1の凹凸の凸部と、前記第2の凹凸の凸部と、の間の距離よりも短いことを特徴とする請求項6記載の静電チャック。
- 前記第1の凹凸の高さは、前記第2の凹凸の高さとは異なることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1つに記載の静電チャック。
- 前記第1の凹凸の高さは、前記第2の凹凸の高さよりも低いことを特徴とする請求項8記載の静電チャック。
- 前記第1の凹凸の高さは、前記第2の凹凸の高さよりも高いことを特徴とする請求項8記載の静電チャック。
- 前記ヒータエレメントは、帯状のヒータ電極を有し、
前記ヒータ電極は、複数の領域において互いに独立した状態で設けられたことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1つに記載の静電チャック。 - 前記ヒータエレメントは、複数設けられ、
前記複数の前記ヒータエレメントは、互いに異なる層に独立した状態で設けられたことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1つに記載の静電チャック。 - 前記ヒータエレメントと、前記第2の支持板と、の間に設けられ導電性を有するバイパス層をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1つに記載の静電チャック。
- 前記ヒータエレメントは、前記バイパス層と電気的に接合され、前記第1の支持板および前記第2の支持板とは電気的に絶縁されたことを特徴とする請求項13記載の静電チャック。
- 前記バイパス層の厚さは、前記第1の樹脂層の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項13または14に記載の静電チャック。
- 前記バイパス層の厚さは、前記ヒータエレメントの厚さよりも厚いことを特徴とする請求項13〜15のいずれか1つに記載の静電チャック。
- 前記バイパス層は、前記ヒータエレメントと、前記ベースプレートと、の間に設けられたことを特徴とする請求項13〜16のいずれか1つに記載の静電チャック。
- 前記ヒータエレメントと、前記セラミック誘電体基板と、の間に設けられた導電性を有するバイパス層をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜17のいずれか1つに記載の静電チャック。
- 前記第1の支持板の上面の面積は、前記第2の支持板の下面の面積よりも広いことを特徴とする請求項1〜18のいずれか1つに記載の静電チャック。
- 前記第1の支持板は、複数の支持部を有し、
前記複数の支持部は、互いに独立した状態で設けられたことを特徴とする請求項1〜19のいずれか1つに記載の静電チャック。 - 前記ヒータプレートから前記ベースプレートに向かって設けられ、前記ヒータプレートに電力を供給する給電端子をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜20のいずれか1つに記載の静電チャック。
- 前記給電端子は、
外部から電力を供給するソケットと接続されるピン部と、
前記ピン部よりも細い導線部と、
前記導線部と接続された支持部と、
前記支持部と接続され前記ヒータエレメントと接合された接合部と、
を有することを特徴とする請求項21記載の静電チャック。 - 前記ヒータプレートから前記ベースプレートに向かって設けられ、前記ヒータプレートに電力を供給する給電端子をさらに備え、
前記給電端子は、
外部から電力を供給するソケットと接続されるピン部と、
前記ピン部よりも細い導線部と、
前記導線部と接続された支持部と、
前記支持部と接続され前記バイパス層と接合された接合部と、
を有し、前記バイパス層を介して前記電力を前記ヒータエレメントに供給することを特徴とする請求項13〜17のいずれか1つに記載の静電チャック。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201680005123.1A CN107112274B (zh) | 2015-01-16 | 2016-01-15 | 静电吸盘 |
KR1020177017977A KR102000004B1 (ko) | 2015-01-16 | 2016-01-15 | 정전척 |
TW105101205A TWI605539B (zh) | 2015-01-16 | 2016-01-15 | Electrostatic chuck |
PCT/JP2016/051182 WO2016114399A1 (ja) | 2015-01-16 | 2016-01-15 | 静電チャック |
US15/647,369 US10607874B2 (en) | 2015-01-16 | 2017-07-12 | Electrostatic chuck |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015007208 | 2015-01-16 | ||
JP2015007208 | 2015-01-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016136624A true JP2016136624A (ja) | 2016-07-28 |
JP6635295B2 JP6635295B2 (ja) | 2020-01-22 |
Family
ID=56512647
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015190103A Active JP5962833B2 (ja) | 2015-01-16 | 2015-09-28 | 静電チャック |
JP2016005348A Active JP6635295B2 (ja) | 2015-01-16 | 2016-01-14 | 静電チャック |
JP2016124456A Pending JP2016192566A (ja) | 2015-01-16 | 2016-06-23 | 静電チャック |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015190103A Active JP5962833B2 (ja) | 2015-01-16 | 2015-09-28 | 静電チャック |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016124456A Pending JP2016192566A (ja) | 2015-01-16 | 2016-06-23 | 静電チャック |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10607874B2 (ja) |
JP (3) | JP5962833B2 (ja) |
KR (1) | KR102000004B1 (ja) |
CN (1) | CN107112274B (ja) |
TW (1) | TWI605539B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180078881A (ko) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR101935944B1 (ko) | 2018-10-15 | 2019-01-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
JPWO2021214854A1 (ja) * | 2020-04-21 | 2021-10-28 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010038641A (ko) * | 1999-10-26 | 2001-05-15 | 이대구 | 플라스틱제품 제조방법 |
KR20020091993A (ko) * | 2001-06-01 | 2002-12-11 | 태 선 김 | 목분/황토를 주성분으로 하는 합성수지제 자재 |
KR102513443B1 (ko) * | 2016-03-15 | 2023-03-24 | 삼성전자주식회사 | 정전 척 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 |
DE112017003491B4 (de) | 2016-07-11 | 2022-01-20 | Denso Corporation | Motorsteuerungsvorrichtung, Motorantriebssystem und Motorsteuerungsverfahren |
JP6911561B2 (ja) | 2016-07-11 | 2021-07-28 | 株式会社デンソー | モータ制御装置、モータ駆動システム、及び、モータ制御方法 |
WO2018012420A1 (ja) | 2016-07-11 | 2018-01-18 | 株式会社デンソー | モータ制御装置、モータ駆動システム、及び、モータ制御方法 |
JP6195029B1 (ja) * | 2016-07-20 | 2017-09-13 | Toto株式会社 | 静電チャック |
JP6657426B2 (ja) * | 2016-12-26 | 2020-03-04 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
JP6831269B2 (ja) * | 2017-02-28 | 2021-02-17 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックヒータ |
US10246777B2 (en) * | 2017-06-12 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Heater block having continuous concavity |
KR102435888B1 (ko) * | 2017-07-04 | 2022-08-25 | 삼성전자주식회사 | 정전 척, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
TWI829367B (zh) * | 2017-11-16 | 2024-01-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理裝置、溫度控制方法及溫度控制程式 |
US11236422B2 (en) * | 2017-11-17 | 2022-02-01 | Lam Research Corporation | Multi zone substrate support for ALD film property correction and tunability |
CN111712910B (zh) * | 2018-02-16 | 2023-11-07 | 日本特殊陶业株式会社 | 保持装置 |
US20210265190A1 (en) * | 2018-06-26 | 2021-08-26 | Kyocera Corporation | Sample holder |
JP7456951B2 (ja) | 2018-07-05 | 2024-03-27 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板処理システムにおける基板支持体の動的温度制御 |
JP7329917B2 (ja) * | 2018-11-30 | 2023-08-21 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置 |
KR102233315B1 (ko) * | 2019-11-08 | 2021-03-29 | 주식회사 테라온 | 웨이퍼 척, 그 히터 및 그 제조 방법 |
KR102440417B1 (ko) * | 2020-05-07 | 2022-09-13 | 주식회사 유진테크 | 다구역 온도 제어를 위한 히터 시스템 및 그 히터 시스템을 포함하는 기판 지지 어셈블리 |
CN113707591A (zh) * | 2020-05-22 | 2021-11-26 | 细美事有限公司 | 静电卡盘和其制造方法以及基板处理装置 |
KR20220006952A (ko) * | 2020-07-09 | 2022-01-18 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법 |
CN112259490A (zh) * | 2020-10-12 | 2021-01-22 | 北京巨瓷科技有限公司 | 具有加热功能的静电吸盘及其制备方法 |
CN114496886A (zh) | 2020-11-13 | 2022-05-13 | 新光电气工业株式会社 | 基板固定装置、静电吸盘和静电吸盘的制造方法 |
JP2022165477A (ja) * | 2021-04-20 | 2022-11-01 | 日新イオン機器株式会社 | ウエハ支持装置 |
JP2023003003A (ja) * | 2021-06-23 | 2023-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板支持部及び基板処理装置 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62133721A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-16 | Anelva Corp | 基体ホルダ− |
JPH08125001A (ja) * | 1994-10-26 | 1996-05-17 | Fuji Electric Co Ltd | 静電チャック |
JPH1064984A (ja) * | 1996-08-16 | 1998-03-06 | Sony Corp | ウエハステージ |
JP2000031253A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Komatsu Ltd | 基板処理装置及び方法 |
JP2000243821A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
JP2001237301A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミック基板 |
JP2007067036A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
JP2008004673A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバ用チャック |
JP2010040644A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 静電チャック装置 |
WO2013163220A1 (en) * | 2012-04-24 | 2013-10-31 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with advanced rf and temperature uniformity |
JP2014112672A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-19 | Lam Research Corporation | 温度制御素子アレイを備えるesc用の電力切替システム |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5376213A (en) * | 1992-07-28 | 1994-12-27 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JPH10255960A (ja) * | 1997-03-06 | 1998-09-25 | Star Shoji Kk | 面状ヒータのシールド構造 |
US6077357A (en) * | 1997-05-29 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Orientless wafer processing on an electrostatic chuck |
US6490146B2 (en) * | 1999-05-07 | 2002-12-03 | Applied Materials Inc. | Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method |
EP1124404B1 (en) * | 1999-11-19 | 2005-08-10 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater |
US20010035403A1 (en) * | 2000-05-18 | 2001-11-01 | Albert Wang | Method and structure for producing flat wafer chucks |
US20040175549A1 (en) * | 2001-07-19 | 2004-09-09 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic connection body, method of connecting the ceramic bodies, and ceramic structural body |
WO2004049762A1 (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-10 | Ibiden Co., Ltd. | 金属ヒータ |
KR100752800B1 (ko) | 2003-03-12 | 2007-08-29 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체처리용의 기판유지구조 및 플라즈마 처리장치 |
JP4219734B2 (ja) * | 2003-05-19 | 2009-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持機構およびプラズマ処理装置 |
JP2006040993A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Nikon Corp | 静電チャック |
US8226769B2 (en) * | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
JP5245268B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2013-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び熱処理装置 |
US7501605B2 (en) * | 2006-08-29 | 2009-03-10 | Lam Research Corporation | Method of tuning thermal conductivity of electrostatic chuck support assembly |
US8822876B2 (en) * | 2010-10-15 | 2014-09-02 | Applied Materials, Inc. | Multi-zoned plasma processing electrostatic chuck with improved temperature uniformity |
JP5441021B1 (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-12 | Toto株式会社 | 静電チャック |
-
2015
- 2015-09-28 JP JP2015190103A patent/JP5962833B2/ja active Active
-
2016
- 2016-01-14 JP JP2016005348A patent/JP6635295B2/ja active Active
- 2016-01-15 KR KR1020177017977A patent/KR102000004B1/ko active IP Right Grant
- 2016-01-15 CN CN201680005123.1A patent/CN107112274B/zh active Active
- 2016-01-15 TW TW105101205A patent/TWI605539B/zh active
- 2016-06-23 JP JP2016124456A patent/JP2016192566A/ja active Pending
-
2017
- 2017-07-12 US US15/647,369 patent/US10607874B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62133721A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-16 | Anelva Corp | 基体ホルダ− |
JPH08125001A (ja) * | 1994-10-26 | 1996-05-17 | Fuji Electric Co Ltd | 静電チャック |
JPH1064984A (ja) * | 1996-08-16 | 1998-03-06 | Sony Corp | ウエハステージ |
JP2000031253A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Komatsu Ltd | 基板処理装置及び方法 |
JP2000243821A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Kyocera Corp | ウエハ支持部材 |
JP2001237301A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミック基板 |
JP2007067036A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
JP2008004673A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバ用チャック |
JP2010040644A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 静電チャック装置 |
WO2013163220A1 (en) * | 2012-04-24 | 2013-10-31 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with advanced rf and temperature uniformity |
JP2014112672A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-19 | Lam Research Corporation | 温度制御素子アレイを備えるesc用の電力切替システム |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180078881A (ko) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR101935944B1 (ko) | 2018-10-15 | 2019-01-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
JPWO2021214854A1 (ja) * | 2020-04-21 | 2021-10-28 | ||
WO2021214854A1 (ja) * | 2020-04-21 | 2021-10-28 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP7116249B2 (ja) | 2020-04-21 | 2022-08-09 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
TWI789709B (zh) * | 2020-04-21 | 2023-01-11 | 日商日立全球先端科技股份有限公司 | 電漿處理裝置及電漿處理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107112274B (zh) | 2020-09-29 |
KR102000004B1 (ko) | 2019-07-15 |
US10607874B2 (en) | 2020-03-31 |
CN107112274A (zh) | 2017-08-29 |
TWI605539B (zh) | 2017-11-11 |
JP2016192566A (ja) | 2016-11-10 |
KR20170091689A (ko) | 2017-08-09 |
TW201633451A (zh) | 2016-09-16 |
US20170309510A1 (en) | 2017-10-26 |
JP5962833B2 (ja) | 2016-08-03 |
JP6635295B2 (ja) | 2020-01-22 |
JP2016136611A (ja) | 2016-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5962833B2 (ja) | 静電チャック | |
JP6195029B1 (ja) | 静電チャック | |
JP6341457B1 (ja) | 静電チャック | |
JP6226092B2 (ja) | 静電チャック | |
JP6238098B1 (ja) | 静電チャック | |
JP6238097B1 (ja) | 静電チャック | |
WO2018016588A1 (ja) | 静電チャック | |
WO2016114399A1 (ja) | 静電チャック | |
WO2017159590A1 (ja) | 静電チャック | |
US11776836B2 (en) | Electrostatic chuck and semiconductor manufacturing apparatus | |
WO2018016587A1 (ja) | 静電チャック | |
US11756820B2 (en) | Electrostatic chuck and semiconductor manufacturing apparatus | |
US20220102184A1 (en) | Electrostatic chuck and semiconductor manufacturing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191023 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191204 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6635295 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |