JP2016099629A5 - - Google Patents
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Claims (2)
- ゲートラインにゲート信号を提供し、発光ラインに発光制御信号を提供する走査駆動部と、
データラインにデータ信号を提供するデータ駆動部と、
複数の画素を含む有機発光表示パネルと、を含み、
前記画素の各々は、有機発光素子及び前記有機発光素子を制御する回路部を含み、
前記回路部は、前記ゲートラインのうちで対応するゲートラインに印加されたゲート信号に応答して、前記データラインのうちで対応するデータラインに印加されたデータ信号を出力する第1トランジスタ、及び、前記有機発光素子に流れる駆動電流を制御する第2トランジスタを含み、
前記第2トランジスタは、
ベース基板上に配置され、チャンネル領域、及び、前記チャンネル領域を挟み込むように配置された、第1イオンドーピング領域及び第2イオンドーピング領域を含むポリシリコン層と、
前記チャンネル領域上に、絶縁されるように重畳する第1ゲート電極と、
前記第1ゲート電極から絶縁され、前記チャンネル領域に重畳する第2ゲート電極と、
前記第2ゲート電極上に配置される層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に配置され前記第1イオンドーピング領域に連結されたソース電極と、
前記層間絶縁層上に配置され前記第2イオンドーピング領域に連結されたドレーン電極と、を含み、
前記チャンネル領域は、前記第1イオンドーピング領域及び前記第2イオンドーピング領域より大きさが大きいグレイン(Grain)を有する有機発光表示装置。 - ベース基板の一面上に非晶質シリコン層、前記非晶質シリコン層に絶縁されるように重畳する第1ゲート電極、及び前記第1ゲート電極に絶縁されるように重畳する第2ゲート電極を形成する段階と、
前記ベース基板の他面から前記非晶質シリコンにレーザーを照射して前記非晶質シリコン層からポリシリコン層を形成する段階と、
前記第2ゲート電極上に層間絶縁層を形成する段階と、
前記第2ゲート電極をマスクとして利用して前記ポリシリコン層の一部分をイオンドーピングして第1イオンドーピング領域及び第2イオンドーピング領域を形成する段階と、
前記第1イオンドーピング領域に連結されたソース電極及び前記第2イオンドーピング領域に連結されたドレーン電極を形成する段階と、
前記ドレーン電極に連結された有機発光素子を形成する段階と、を含む有機発光表示装置製造方法。
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US9673267B2 (en) * | 2013-03-26 | 2017-06-06 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device having a capacitor with stacked storage electrodes and method for manufacturing the same |
US9412799B2 (en) * | 2013-08-26 | 2016-08-09 | Apple Inc. | Display driver circuitry for liquid crystal displays with semiconducting-oxide thin-film transistors |
US9818765B2 (en) * | 2013-08-26 | 2017-11-14 | Apple Inc. | Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors |
JP6471379B2 (ja) * | 2014-11-25 | 2019-02-20 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及びレーザアニール装置 |
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