JP2016085124A5 - - Google Patents
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Claims (20)
- 基板上の互いに異なる領域に、第1センサ部と、第2センサ部と、濃度測定部とを有し、
前記第1センサ部は、
(a1)半導体層、
(b1)前記半導体層上に形成された第1ゲート絶縁膜、
(c1)前記第1ゲート絶縁膜上に形成された第1結晶膜、
(d1)前記第1結晶膜上に形成され、その表面が露出した第1触媒ゲート電極、
を備え、
前記第2センサ部は、
(a2)前記半導体層、
(b2)前記半導体層上に形成された第2ゲート絶縁膜、
(c2)前記第2ゲート絶縁膜上に形成された第2結晶膜、
(d2)前記第2結晶膜上に形成され、その表面が露出していない第2触媒ゲート電極、
を備え、
前記濃度測定部において、
(i)前記第1センサ部のしきい値電圧と前記第2センサ部のしきい値電圧との第1差分の時間変化を求め、
(ii)前記第1差分の初期値、および前記第1差分の時間変化の微分信号から、ガス濃度に由来する第1微分信号と、前記ガス濃度以外に由来する第2微分信号とを分離し、
(iii)前記第1微分信号から、前記ガス濃度に由来する前記第1センサ部のしきい値電圧と前記第2センサ部のしきい値電圧との第2差分の時間変化を求め、
(iv)前記第2差分から、前記ガス濃度を求めて、
前記ガス濃度を測定する、ガスセンサ。 - 請求項1記載のガスセンサにおいて、
前記第1結晶膜および前記第2結晶膜は、TiOxナノ結晶と酸素ドープTiとの混合層からなり、
前記第1触媒ゲート電極および前記第2触媒ゲート電極は、Ptからなる、ガスセンサ。 - 請求項1記載のガスセンサにおいて、
前記第1ゲート絶縁膜および前記第2ゲート絶縁膜の厚さが、3nmから72nmである、ガスセンサ。 - 請求項1記載のガスセンサにおいて、
前記第1触媒ゲート電極および前記第2触媒ゲート電極の幅が、150μmから30mmである、ガスセンサ。 - 基板上の互いに異なる領域に、第1センサ部と、第2センサ部とを有し、別途演算部を有し、
前記第1センサ部は、
(a1)半導体層、
(b1)前記半導体層上に形成された第1ゲート絶縁膜、
(c1)前記第1ゲート絶縁膜上に形成された第1結晶膜、
(d1)前記第1結晶膜上に形成され、その表面が露出した第1触媒ゲート電極、
(e1)前記半導体層に形成された第1ソース領域および第1ドレイン領域、
を備え、
前記第2センサ部は、
(a2)前記半導体層、
(b2)前記半導体層上に形成された第2ゲート絶縁膜、
(c2)前記第2ゲート絶縁膜上に形成された第2結晶膜、
(d2)前記第2結晶膜上に形成され、その表面が露出していない第2触媒ゲート電極、
(e2)前記半導体層に形成された第2ソース領域および第2ドレイン領域、
を備え、
前記第1センサ部または前記第2センサ部へ照射される放射線の放射線積算線量(G)は、式(I)で表され、
1+(G/G0)η=A×μ0×S 式(I)
ここで、
G0は、前記放射線の照射により移動度が劣化する範囲における放射線積算線量の幾何平均、
ηは、前記放射線の照射により移動度が劣化する範囲における移動度と放射線積算線量との関係から決まる値、
Aは、前記第1センサ部または前記第2センサ部の移動度とサブスレッショルド領域のS値との関係から決まる値、
μ0は、前記放射線を照射する前の移動度、
Sは、前記放射線の照射による前記第1センサ部または前記第2センサ部のサブスレッショルド領域のS値、
であり、
前記演算部において、前記第1センサ部または前記第2センサ部で求めた前記S値を前記式(I)に代入することにより、前記放射線積算線量(G)を求める、ガスセンサ。 - 請求項5記載のガスセンサにおいて、
前記ηは、1/3である、ガスセンサ。 - 請求項5記載のガスセンサにおいて、
S値測定用参照型FETを、さらに前記基板上に有し、
前記S値測定用参照型FETは、
(a3)前記半導体層、
(b3)前記半導体層上に形成された第3ゲート絶縁膜、
(c3)前記第3ゲート絶縁膜上に形成された第3結晶膜、
(d3)前記第3結晶膜上に形成され、その表面が露出していない第3触媒ゲート電極、
(e3)前記半導体層に形成された第3ソース領域および第3ドレイン領域、
を備え、
前記S値測定用参照型FETを用いて、
互いに異なる第1ソース・ドレイン電流と第2ソース・ドレイン電流とをサブスレッショルド領域に設定し、前記第1ソース・ドレイン電流で測定した第1ゲート電圧と、前記第2ソース・ドレイン電流で測定した第2ゲート電圧とから、前記S値を求める、ガスセンサ。 - 請求項5記載のガスセンサにおいて、
前記S値測定用参照型FETを用いて、
一定のソース・ドレイン電流に交流電流を印加して、ゲート電圧の変化を測定することにより、前記S値を求める、ガスセンサ。 - 請求項7または8記載のガスセンサにおいて、
前記S値測定用参照型FETは、前記第1センサ部および前記第2センサ部と同一チップ内に形成されている、ガスセンサ。 - 基板上の互いに異なる領域に、第1センサ部と、第2センサ部とを有し、別途演算部を有し、
前記第1センサ部は、
(a1)半導体層、
(b1)前記半導体層上に形成された第1ゲート絶縁膜、
(c1)前記第1ゲート絶縁膜上に形成された第1結晶膜、
(d1)前記第1結晶膜上に形成され、その表面が露出した第1触媒ゲート電極、
(e1)前記半導体層に形成された第1ソース領域および第1ドレイン領域、
を備え、
前記第2センサ部は、
(a2)前記半導体層、
(b2)前記半導体層上に形成された第2ゲート絶縁膜、
(c2)前記第2ゲート絶縁膜上に形成された第2結晶膜、
(d2)前記第2結晶膜上に形成され、その表面が露出していない第2触媒ゲート電極、
(e2)前記半導体層に形成された第2ソース領域および第2ドレイン領域、
を備え、
前記第1センサ部または前記第2センサ部を用いて、
互いに異なる第1ソース・ドレイン電流と第2ソース・ドレイン電流とをサブスレッショルド領域または飽和領域に設定し、前記第1ソース・ドレイン電流で測定した第1ゲート電圧と、前記第2ソース・ドレイン電流で測定した第2ゲート電圧とから、前記サブスレッショルド領域のS値またはしきい値電圧を求める、ガスセンサ。 - 請求項5記載のガスセンサにおいて、
前記第1センサ部または前記第2センサ部を用いて、
一定のソース・ドレイン電流に交流電流を印加して、ゲート電圧の変化を測定することにより、前記S値を求める、ガスセンサ。 - 請求項5記載のガスセンサにおいて、
前記第1結晶膜および前記第2結晶膜は、TiOxナノ結晶と酸素ドープTiとの混合層からなり、
前記第1触媒ゲート電極および前記第2触媒ゲート電極は、Ptからなる、ガスセンサ。 - 請求項7記載のガスセンサにおいて、
前記第1ゲート絶縁膜および前記第2ゲート絶縁膜の厚さが、3nmから72nmであり、前記第3ゲート絶縁膜の厚さが、9nmから540nmである、ガスセンサ。 - 請求項7記載のガスセンサにおいて、
前記第1触媒ゲート電極、前記第2触媒ゲート電極、および前記第3触媒ゲート電極の幅が、150μmから30mmである、ガスセンサ。 - 以下の工程を含むガスセンサの製造方法:
(a)半導体層上の互いに異なる領域に、第1ゲート絶縁膜および第2ゲート絶縁膜を形成する工程;
(b)前記第1ゲート絶縁膜上に第1結晶膜を形成し、前記第2ゲート絶縁膜上に第2結晶膜を形成する工程;
(c)前記第1結晶膜上に第1触媒ゲート電極を形成し、前記第2結晶膜上に第2触媒ゲート電極を形成する工程;
(d)前記第1触媒ゲート電極および前記第2触媒ゲート電極を覆う保護膜を形成する工程;
(e)前記第2触媒ゲート電極上の前記保護膜をウェットエッチングにより除去して、前記第1ゲート絶縁膜、前記第1結晶膜、およびその表面が前記保護膜に覆われた前記第1触媒ゲート電極を備える第1センサ部、並びに前記第2ゲート絶縁膜、前記第2結晶膜、およびその表面が前記保護膜から露出した前記第2触媒ゲート電極を備える第2センサ部を形成する工程;
(f)前記第1センサ部および前記第2センサ部に、10Gyから100kGyの放射線を照射する工程。 - 請求項15記載のガスセンサの製造方法において、
前記(d)工程は、
下層から第1酸化シリコン系の薄膜、窒化シリコン系の薄膜、および第2酸化シリコン系の薄膜を順次積層することにより、3層構造の前記保護膜を形成する、ガスセンサの製造方法。 - 請求項16記載のガスセンサの製造方法において、
前記(e)工程は、さらに以下の下位工程を含む:
(e1)前記第2酸化シリコン系の薄膜を、フッ酸系溶液を用いたウェットエッチングで除去する工程;
(e2)前記窒化シリコン系の薄膜を、熱リン酸系溶液を用いたウェットエッチングで除去する工程;
(e3)前記第1酸化シリコン系の薄膜を、フッ酸系溶液を用いたウェットエッチングで除去する工程。 - 請求項15記載のガスセンサの製造方法において、
前記第1ゲート絶縁膜および前記第2ゲート絶縁膜の厚さは、3nmから72nmである、ガスセンサの製造方法。 - 請求項15記載のガスセンサの製造方法において、
前記第1触媒ゲート電極および前記第2触媒ゲート電極の幅は、150μmから30mmである、ガスセンサの製造方法。 - 第1センサ部と、第2センサ部とを基板上に有し、
前記第1センサ部は、
(a1)半導体層、
(b1)前記半導体層上に形成された第1ゲート絶縁膜、
(c1)前記第1ゲート絶縁膜上に形成された第1結晶膜、
(d1)前記第1結晶膜上に形成され、その表面が露出した第1触媒ゲート電極、
を備え、
前記第2センサ部は、
(a2)前記半導体層、
(b2)前記半導体層上に形成された第2ゲート絶縁膜、
(c2)前記第2ゲート絶縁膜上に形成された第2結晶膜、
(d2)前記第2結晶膜上に形成され、その表面が露出していない第2触媒ゲート電極、
を備え、
水素ガスが存在しないとみなされる環境下での前記第1センサ部のしきい値電圧(Vth(s))と、前記第2センサ部のしきい値電圧(Vth(ref))との差分(ΔVth(ref-s)=Vth(ref)−Vth(s))の初期値の絶対値が30mV以下である、ガスセンサ。
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