JP2016068383A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 可とう性基材と、前記基材の少なくとも片面に接して設けられた有機層と、前記有機層上に接して設けられた薄膜層とを有し、
   前記有機層がアクリレート樹脂を含有し、
   前記薄膜層が珪素原子、酸素原子および炭素原子を含有し、
   前記薄膜層の膜厚方向における、前記薄膜層の表面からの距離と、前記距離に位置する点の前記薄膜層に含まれる珪素原子、酸素原子および炭素原子の合計数に対する珪素原子数の比率（珪素の原子数比）、酸素原子数の比率（酸素の原子数比）、炭素原子数の比率（炭素の原子数比）との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線および炭素分布曲線において、下記の条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）：
   （ｉ）珪素の原子数比、酸素の原子数比および炭素の原子数比が、前記薄膜層の膜厚方向における９０％以上の領域において、下記式（１）で表される条件を満たすこと、
   （酸素の原子数比）＞（珪素の原子数比）＞（炭素の原子数比）・・・（１）
   （ｉｉ）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有すること、
   （ｉｉｉ）前記炭素分布曲線における炭素の原子数比の最大値および最小値の差の絶対値が０．０５以上であること
   を全て満たす積層フィルム。
2. 前記有機層はフィラー成分を含んでいてもよく、前記有機層の全体重量から、前記有機層中に含まれるフィラー成分を除いた重量Ｗ_０に対する、前記アクリレート樹脂成分の重量Ｗ_１を重量比Ｗ_１／Ｗ_０で表した場合、下記式（２）の範囲にある請求項１に記載された積層フィルム。
   ０．６０≦Ｗ_１／Ｗ_０≦１．００ （２）
3. 前記有機層の全体重量から、前記有機層中に含まれるフィラー成分を除いた重量Ｗ_０に対する、有機珪素化合物成分の重量Ｗ_２を重量比Ｗ_２／Ｗ_０で表した場合、下記式（３）の範囲にある請求項１または２に記載された積層フィルム。
   Ｗ_２／Ｗ_０≦０．１０ （３）
4. 前記薄膜層表面に対して赤外分光測定を行った場合、９５０〜１０５０ｃｍ^−１に存在するピーク強度（Ｉ_１）と、１２４０〜１２９０ｃｍ^−１に存在するピーク強度（Ｉ_２）との強度比が下記式（４）の範囲にある請求項１〜３のいずれか一項に記載された積層フィルム。
   ０．０１≦Ｉ_２／Ｉ_１＜０．０５ （４）
5. 前記薄膜層表面に対して赤外分光測定を行った場合、９５０〜１０５０ｃｍ^−１に存在するピーク強度（Ｉ_１）と、７７０〜８３０ｃｍ^−１に存在するピーク強度（Ｉ_３）との強度比が下記式（５）の範囲にある請求項１〜４のいずれか一項に記載された積層フィルム。
   ０．２５≦Ｉ_３／Ｉ_１≦０．５０ （５）
6. 前記薄膜層表面に対して赤外分光測定を行った場合、７７０〜８３０ｃｍ^−１に存在するピーク強度（Ｉ_３）と、８７０〜９１０ｃｍ^−１に存在するピーク強度（Ｉ_４）との強度比が下記式（６）の範囲にある請求項１〜５のいずれか一項に記載された積層フィルム。
   ０．７０≦Ｉ_４／Ｉ_３＜１．００ （６）
7. 前記有機層の薄膜層と接する側の平均表面粗さが０．１〜５．０ｎｍである請求項１〜６のいずれか一項に記載された積層フィルム。
8. 前記薄膜層がプラズマＣＶＤ法により形成されたものである請求項１〜７のいずれか一項に記載された積層フィルム。
9. 前記薄膜層が、真空チャンバー内を１×１０ ^−３ Ｐａ以下にした後、プラズマＣＶＤ法により形成されたものである請求項１〜８のいずれか一項に記載された積層フィルム。
10. 可とう性基材と、前記基材の少なくとも片面に接して設けられた有機層と、前記有機層上に接して設けられた薄膜層とを有し、
    前記有機層がアクリレート樹脂を含有し、
    前記薄膜層が真空チャンバー内の圧力０．１Ｐａ〜５０ＰａでプラズマＣＶＤ法により形成された薄膜層であり、
    前記薄膜層が珪素原子、酸素原子および炭素原子を含有し、
    前記薄膜層の膜厚方向における、前記薄膜層の表面からの距離と、前記距離に位置する点の前記薄膜層に含まれる珪素原子、酸素原子および炭素原子の合計数に対する珪素原子数の比率（珪素の原子数比）、酸素原子数の比率（酸素の原子数比）、炭素原子数の比率（炭素の原子数比）との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線および炭素分布曲線において、下記の条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）：
    （ｉ）珪素の原子数比、酸素の原子数比および炭素の原子数比が、前記薄膜層の膜厚方向における９０％以上の領域において、下記式（１）で表される条件を満たすこと、
    （酸素の原子数比）＞（珪素の原子数比）＞（炭素の原子数比）・・・（１）
    （ｉｉ）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有すること、
    （ｉｉｉ）前記炭素分布曲線における炭素の原子数比の最大値および最小値の差の絶対値が０．０５以上であること
    を全て満たす積層フィルムの製造方法。
11. 請求項１〜９のいずれか一項に記載された積層フィルムを基板として用いたフレキシブル電子デバイス。