JP2016064647A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 可とう性基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成される薄膜層とを備える積層フィルムであって、
   前記薄膜層は、珪素原子（Ｓｉ）、酸素原子（Ｏ）および炭素原子（Ｃ）を含有し、前記薄膜層の表面に対してＸ線光電子分光測定を行った場合、ワイドスキャンスペクトルから得られるＳｉの２ｐ、Ｏの１ｓ、Ｎの１ｓ、およびＣの１ｓのそれぞれのバインディングエネルギーに相当するピークを用いて算出した珪素原子に対する炭素原子の原子数比が下記式（１）の範囲にあって、
   前記薄膜層表面を赤外分光測定のＡＴＲ法で測定したとき、９５０〜１０５０ｃｍ^−１に存在するピーク強度（Ｉ_１）と、１２４０〜１２９０ｃｍ^−１に存在するピーク強度（Ｉ_２）との強度比が下記式（２）の範囲にある積層フィルム。
   ０．０１＜Ｃ／Ｓｉ≦０．２０ （１）
   ０．０１≦Ｉ_２／Ｉ_１＜０．０５ （２）
2. 前記薄膜層表面を赤外分光測定のＡＴＲ法で測定したとき、９５０〜１０５０ｃｍ^−１に存在するピーク強度（Ｉ_１）と、７７０〜８３０ｃｍ^−１に存在するピーク強度（Ｉ_３）との強度比が下記式（３）の範囲にある請求項１に記載された積層フィルム。
   ０．２５≦Ｉ_３／Ｉ_１≦０．５０ （３）
3. 前記薄膜層表面を赤外分光測定のＡＴＲ法で測定したとき、７７０〜８３０ｃｍ^−１に存在するピーク強度（Ｉ_３）と、８７０〜９１０ｃｍ^−１に存在するピーク強度（Ｉ_４）との強度比が下記式（４）の範囲にある請求項１または２に記載された積層フィルム。
   ０．７０≦Ｉ_４／Ｉ_３＜１．００ （４）
4. 前記薄膜層の膜厚方向における、前記薄膜層の表面からの距離と、前記薄膜層に含まれる珪素原子、酸素原子および炭素原子の合計数に対する珪素の原子数比、酸素の原子数比、炭素の原子数比との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線および炭素分布曲線において、下記の条件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を全て満たす請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層フィルム。
   （ｉ）珪素の原子数比、酸素の原子数比および炭素の原子数比が、前記薄膜層の膜厚方向における９０％以上の領域において、下記式（５）で表される条件を満たす、
   酸素の原子数比＞珪素の原子数比＞炭素の原子数比 （５）
   （ｉｉ）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有する、および
   （ｉｉｉ）前記炭素分布曲線における炭素の原子数比の最大値および最小値の差の絶対値が０．０５以上である。
5. 前記珪素分布曲線における珪素の原子数比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％未満である、請求項４に記載にされた積層フィルム。
6. 前記薄膜層が、プラズマＣＶＤ法により形成されたものである請求項１〜５のいずれか一項に記載された積層フィルムの製造方法。
7. 前記薄膜層が、グロー放電プラズマを用いて形成されたものである請求項１〜６のいずれか一項に記載された積層フィルムの製造方法。
8. 薄膜層が、表面活性化処理されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載された積層フィルムの製造方法。
9. 請求項１〜５のいずれか一項に記載された積層フィルムを基板として用いたフレキシブル電子デバイス。
10. 請求項１〜５のいずれか一項に記載された積層フィルムを基板として用いたフレキシブル電子デバイスの製造方法。