JP2016063183A

JP2016063183A - 電子部品の回路基板構造

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Inventors: 信之幸谷; Nobuyuki Koya
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Publication date: 2016-04-25
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Abstract

【課題】電子部品にて発生した熱を効率よく放熱する電子部品の回路基板構造を提供する。
【解決手段】導電パターン１４が設けられた回路基板６と、電子部品４（半導体チップ、ＩＣチップなど）を備える。電子部品４は、電子部品本体（チップ本体１０、パッケージ本体）と、電子部品本体に設けられた複数のチップ電極１２とを有し、これらチップ電極１２が回路基板６の導電パターン１４に電気的に接続され、電子部品本体と回路基板６との間に封止材１６が充填される。回路基板６には貫通開口２０が設けられ、電子部品本体（チップ本体１０など）における複数のチップ電極１２の内側に流入防止部材１８が設けられ、更に、貫通開口２０内には、電子部品４にて発生した熱を外部に伝達するための高熱伝導部材２２が設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明は、回路基板に実装した電子部品からの熱を放熱するようにした回路基板構造に関する。

回路基板に実装された電子部品を放熱する構造としてグランド層を利用したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この回路基板構造では、複数（例えば、２枚）の回路基板が積層され、例えば、上側の回路基板の表面に電子部品が実装され、積層された回路基板の間に中間グランド層が設けられ、また下側の回路基板の裏面に下グランド層が設けられている。そして、電子部品と中間グランド層とがビア（ＶＩＡ）を介して接続され、また中間グランド層と下グランド層とが、下側の回路基板の貫通孔内に設けられた金属層を介して接続されている。

このような回路基板構造では、電子部品にて発生した熱は、ビアを介して中間グランド層に伝達され、更に金属層を介して下グランド層に伝達され、この下グランド層から放熱され、下グランド層の領域を大きくすることによって、広範囲に放熱することができる。

特開２０１４−１４６６８２号公報

しかしながら、このような従来の回路基板構造では、電子部品からの熱がビアを介して伝達するために、熱伝達効率が充分ではく、電子部品にて発生した熱を充分に熱伝達して放熱することができない。

例えば、電子部品が液晶表示装置の駆動用ドライバである場合、近年の液晶表示装置の高解像化により４Ｋ（３８４０Ｘ２１６０ピクセル）のものが商品化され、更には８Ｋのものが商品化されようとしている。このような高解像度の液晶表示装置では、画像処理すべき信号が多く、またこれらの信号を高速処理しなければならず、液晶駆動用ドライバの発熱量が従来に比して大きくなっている。加えて、パソコンでは更なる薄型化の傾向にあり、パソコン側で充分な放熱空間を確保することが難しく、液晶駆動用ドライバの放熱処理が大きな課題になりつつある。このような放熱処理の問題は、薄型テレビ、スマートフォンなどの他の電子機器においても生じている。

本発明の目的は、電子部品にて発生した熱を効率よく放熱することができる電子部品の回路基板構造を提供することである。

本発明の請求項１に記載の電子部品の回路基板構造では、片側表面に所定の導電パターンが設けられた回路基板と、前記回路基板に実装される電子部品とを備え、前記電子部品は、電子部品本体と、前記電子部品本体の一面に設けられた複数のチップ電極とを有し、前記電子部品本体の前記複数のチップ電極が前記回路基板の前記所定の導電パターンに電気的に接続され、前記電子部品本体の前記一面と前記回路基板の前記片側表面との間に封止材が充填される電子部品の回路基板構造において、
前記回路基板における前記電子部品の実装部位に対応して貫通開口が設けられ、また前記電子部品本体における前記複数のチップ電極の内側に、前記封止材が前記回路基板の前記貫通開口側に流入するのを防止するための流入防止部材が設けられ、更に、前記回路基板の前記貫通開口内には、前記電子部品にて発生した熱を伝達するための高熱伝導部材が設けられていることを特徴とする。

また、本発明の請求項２に記載の電子部品の回路基板構造では、前記流入防止部材は、前記電子部品本体の前記一面に、前記回路基板の前記貫通開口に対応して環状に設けられ、前記回路基板に前記電子部品を実装した状態において前記貫通高開口の外周側に位置し、前記流入防止部材の内側に位置する前記貫通開口内に高熱伝導樹脂が充填されることを特徴とする。

また、本発明の請求項３に記載の電子部品の回路基板構造では、前記流入防止部材は、前記電子部品本体の前記一面に、前記回路基板の前記貫通開口に対応してプレート状に設けられ、前記回路基板に前記電子部品を実装した状態において前記貫通開口を覆い、前記流入防止部材に覆われた前記貫通開口内に高熱伝導樹脂が充填されることを特徴とする。

また、本発明の請求項４に記載の電子部品の回路基板構造では、前記流入防止部材は、前記電子部品本体の前記一面に設けられたベース部と、前記ベース部から突出する突出部とを有し、前記回路基板に前記電子部品を実装した状態において、前記流入防止部材の前記ベース部が前記回路基板の前記貫通開口を覆い、前記流入防止部材の前記突出部が前記貫通開口内に位置し、前記流入防止部材の前記突出部を覆うように前記高熱伝導樹脂が充填されることを特徴とする。

また、本発明の請求項５に記載の電子部品の回路基板構造では、前記高熱伝導樹脂に関連して放熱部材が配設され、前記回路基板の前記貫通開口に充填された前記高熱伝導樹脂に接触するように前記放熱部材が設けられ、前記電子部品にて発生した熱は、前記高熱伝導部材を介して前記放熱部材に伝達されることを特徴とする。

また、本発明の請求項６に記載の電子部品の回路基板構造では、前記放熱部材は、前記回路基板の他側表面に設けられた放熱ベース部と、前記放熱ベース部から突出する熱伝導突出部とを有し、前記回路基板に前記放熱部材を装着した状態において、前記放熱部材の前記放熱ベース部が前記回路基板の前記貫通開口を覆い、前記放熱部材の前記熱伝導突出部が前記貫通開口内に位置し、前記放熱部材の前記放熱突出部を覆うように前記高熱伝導樹脂が充填されることを特徴とする。

また、本発明の請求項７に記載の電子部品の回路基板構造は、片側表面に所定の導電パターンが設けられた回路基板と、前記回路基板に実装される電子部品とを備え、前記電子部品は、電子部品本体と、前記電子部品本体の一面に設けられた複数のチップ電極とを有し、前記電子部品本体の前記複数のチップ電極が前記回路基板の前記所定の導電パターンに電気的に接続され、前記電子部品本体の前記一面と前記回路基板の前記片側表面との間に封止材が充填される電子部品の回路基板構造において、
前記回路基板の他側表面における前記電子部品の実装部位に対応して収容凹部が設けられ、前記回路基板の前記収容凹部内には、前記電子部品にて発生した熱を伝達するための高熱伝導部材が設けられていることを特徴とする。

また、本発明の請求項８に記載の電子部品の回路基板構造では、前記回路基板の前記収容凹部は、前記回路基板の肉厚を薄くすることにより形成され、前記収容凹部に高熱伝導樹脂が充填されることを特徴とする。

また、本発明の請求項９に記載の電子部品の回路基板構造では、前記回路基板の前記収容凹部は、前記回路基板に設けた貫通開口を塞ぐように閉塞部材を設けることにより形成され、前記収容凹部に高熱伝導樹脂が充填されることを特徴とする。

また、本発明の請求項１０に記載の電子部品の回路基板構造は、片側表面に所定の導電パターンが設けられた回路基板と、前記回路基板に実装される電子部品とを備え、前記電子部品は、電子部品本体と、前記電子部品本体の一面に設けられた複数のチップ電極とを有し、前記電子部品本体の前記複数のチップ電極が前記回路基板の前記所定の導電パターンに電気的に接続され、前記電子部品本体の前記一面と前記回路基板の前記片側表面との間に封止材が充填される電子部品の回路基板構造において、
前記電子部品本体の前記一面には、熱を伝導するための熱伝導チップが設けられ、前記回路基板の前記片面表面には、熱を伝導するための熱伝導パターンが設けられ、前記電子部品本体の前記熱伝導チップと前記回路基板の前記熱伝導パターンとが熱的に接続されており、
更に、前記回路基板の前記熱伝導パターンの一部には貫通開口が設けられ、熱を伝達するための高熱伝導樹脂が前記貫通開口を通して充填され、充填した前記高熱伝導樹脂が前記回路基板の他側表面に拡がっていることを特徴とする。

また、本発明の請求項１１に記載の電子部品の回路基板構造では、前記回路基板の前記熱伝導パターンは、前記電子部品本体の前記一面側からの熱を受ける受熱部と、前記受熱部から外側に延びる延長部とを有し、前記延長部に前記貫通開口が設けられていることを特徴とする。

また、本発明の請求項１２に記載の電子部品の回路基板構造では、前記電子部品本体の他面側には放熱部材が配設され、前記放熱部材は、前記電子部品本体の前記他面に接触する放熱本体部と、前記回路基板の前記貫通開口に充填された前記高熱伝導樹脂に接触する接触接続部とを備え、前記熱伝導パターンからの熱は、充填された熱伝導樹脂を介して前記回路基板の前記他側表面側から放熱されるとともに、充填された前記熱伝導樹脂及び前記放熱部材を介して前記回路基板の前記片側表面側から放熱されることを特徴とする。

更に、本発明の請求項１３に記載の電子部品の回路基板構造では、前記電子部品本体の他面側には、これを覆うように高熱伝導樹脂層が設けられ、前記高熱伝導樹脂層が前記回路基板の前記貫通開口に充填された前記高熱伝導樹脂に結合されていることを特徴とする。

本発明の請求項１に記載の電子部品の回路基板構造によれば、回路基板における電子部品の実装部位に対応して貫通開口が設けられ、この貫通開口内に高熱伝導部材が設けられているので、電子部品にて発生した熱はこの高熱伝導部材を介して回路基板の他面側に伝達され、この他面側から放熱することができる。このとき、回路基板の貫通開口を大きくすると、貫通開口内の高熱伝導部材の断面積（熱伝導領域として機能する）も大きくすることができ、これによって、電子部品にて発生した熱の熱伝導効率を高めて放熱効果を向上させることができる。加えて、電子部品の電子部品本体における複数のチップ電極の内側に流入防止部材が設けられているので、電子部品と回路基板との間に封止材を封入したときにこの封止材が貫通開口側に流入することがなく、封入材によってこの貫通開口の一部が塞がれることを防ぐことができ、その結果、電子部品からの熱伝導効率の低下を抑えることができる。尚、この電子部品とは、半導体チップ又はこの半導体チップを内蔵したＩＣなどであるが、サイズの小さい電子部品、特に半導体チップに好適である。

また、本発明の請求項２に記載の電子部品の回路基板構造によれば、流入防止部材が電子部品本体の一面に回路基板の貫通開口に対応して環状に設けられ、回路基板に電子部品を実装した状態において貫通開口の外周側に位置するので、電子部品と回路基板との間に封止材を封入したときにこの流入防止部材によって貫通開口側に流入するのを防止することができる。また、流入防止部材の内側に位置する貫通開口内に高熱伝導部材としての高熱伝導樹脂が充填されるので、電子部品にて発生した熱をこの高熱伝導樹脂を介して伝達することができる。

また、本発明の請求項３に記載の電子部品の回路基板構造によれば、流入防止部材が電子部品本体の一面に回路基板の貫通開口に対応してプレート状に設けられ、回路基板に電子部品を実装した状態においてこの貫通開口を覆うので、電子部品と回路基板との間に封止材を封入したときにこの封止材が貫通開口内に流入するのを防止することができる。また、回路基板の貫通開口内に高熱伝導部材としての高熱伝導樹脂が充填されるので、電子部品にて発生した熱を流入防止部材及び高熱伝導樹脂を介して伝達することができる。

また、本発明の請求項４に記載の電子部品の回路基板構造によれば、流入防止部材はベース部とこのベース部から突出する突出部とを有し、回路基板に電子部品を実装した状態において流入防止部材のベース部が回路基板の貫通開口を覆うので、封止材が貫通開口に流入するのを防止することができる。また、流入防止部材の突出部が貫通開口内に位置し、この突出部を覆うように高熱伝導樹脂が充填されるので、電子部品からの熱を流入防止部材（ベース部及び突出部）及び高熱伝導樹脂を介して効果的に伝達することができる。

また、本発明の請求項５に記載の電子部品の回路基板構造によれば、回路基板の貫通開口に充填された高熱伝導樹脂に接触するように放熱部材が設けられているので、電子部品にて発生した熱を高熱伝導部材を介して放熱部材から放熱することができ、放熱効果を高めることができる。

また、本発明の請求項６に記載の電子部品の回路基板構造によれば、放熱部材は、回路基板の貫通開口を覆う放熱ベース部と、この貫通開口内に位置する熱伝導突出部とを有し、この熱伝導突出部を覆うように高熱伝導樹脂が充填されるので、電子部品にて発生した熱を高熱伝導樹脂及び放熱部材（熱伝導突出部及び放熱ベース部）を介して放熱することができ、放熱効果を更に高めることができる。

また、本発明の請求項７に記載の電子部品の回路基板構造によれば、回路基板の他側表面における電子部品の実装部位に対応して収容凹部が設けられ、この収容凹部内に高熱伝導部材が設けられているので、電子部品に発生した熱は充填材、回路基板及び高熱伝導部材を介して回路基板の他端側に伝達され、この他端側から放熱することができる。

また、本発明の請求項８に記載の電子部品の回路基板構造によれば、回路基板の収容凹部は肉厚を薄くすることにより形成されるので、回路基板を介しての熱伝達が効果的に行われる。また、回路基板の収容凹部に高熱伝導部材としての高熱伝導樹脂が充填されるので、この高熱伝導樹脂を介して熱を伝達することができる。

また、本発明の請求項９に記載の電子部品の回路基板構造によれば、回路基板の収容凹部は、この回路基板に設けた貫通開口を塞ぐように閉塞部材を設けることにより形成されるので、この収容凹部には回路基板が存在せず、電子部品にて発生した熱の伝達をより効果的に行うことができる。また、このように閉塞部材を設けることにより、回路基板と電子部品との間に充填される充填材の層を薄くすることができ、これによっても熱伝達効率を高めることができる。尚、この閉塞部材は、例えば、導電パターンと同じ材料から形成することができる。

また、本発明の請求項１０に記載の電子部品の回路基板構造によれば、電子部品本体の一面に熱伝導チップが設けられ、回路基板の前記片面表面に熱伝導パターンが設けられ、この熱伝導チップと熱伝導パターンとが熱的に接続されているので、電子部品本体に発生した熱を熱伝導チップ及び熱伝導パターンを介して伝達することができる。また、回路基板の熱伝導パターンの一部に貫通開口が設けられ、この貫通開口に充填した高熱伝導樹脂が回路基板の他側表面に拡がっているので、熱伝導パターンに伝達された熱は、高熱伝導樹脂を介して回路基板の他側表面側から放熱され、このように構成しても電子部品に発生した熱を効果的に放熱することができる。

また、本発明の請求項１１に記載の電子部品の回路基板構造によれば、回路基板の熱伝導パターンは、電子部品本体の一面側からの熱を受ける受熱部と、受熱部から外側に延びる延長部とを有し、延長部に貫通開口が設けられているので、電子部品本体から受熱部に伝達された熱は、延長部を通して貫通開口に充填された高熱伝導樹脂に伝導され、この高熱伝導樹脂を介して放熱することができる。また、熱伝導パターンは受熱部と延長部とを有しているので、高熱伝導樹脂を充填する貫通開口を回路基板の適宜の部位に配設することができ、これによって、回路基板の回路設計を容易に行うことができる。

また、本発明の請求項１２に記載の電子部品の回路基板構造によれば、電子部品本体の他面側に放熱部材が配設され、この放熱部材は、電子部品本体に接触する放熱本体部と、回路基板の貫通開口に充填された高熱伝導樹脂に接触する接触接続部とを備えているので、熱伝導パターンを通して伝達された熱を、熱伝導樹脂を介して回路基板の他側表面から放熱することができるとともに、この熱伝導樹脂及び放熱部材を介して回路基板の片側表面側からも放熱することができ、加えて電子部品本体からの熱を放熱部材の放熱本体部を介して直接的に放熱することができ、これによって、電子部品の放熱効果を更に高めることができる。

更に、本発明の請求項１３に記載の電子部品の回路基板構造によれば、電子部品本体の他面側には、これを覆うように高熱伝導樹脂層が設けられ、高熱伝導樹脂層が回路基板の貫通開口に充填された高熱伝導樹脂に結合されているので、熱伝導パターンを通して伝達された熱を、熱伝導樹脂を介して回路基板の他側表面から放熱することができるとともに、この熱伝導樹脂及び高熱伝導樹脂層を介して回路基板の片側表面側からも放熱することができ、更に電子部品本体からの熱を高熱伝導樹脂層を介して直接的に放熱することができ、このように構成しても電子部品の放熱効果を更に高めることができる。

本発明に従う電子部品の回路基板構造の第１の実施形態を示す断面図。図１の回路基板構造における電子部品を示す底面図。本発明に従う電子部品の回路基板構造の第２の実施形態を示す断面図。図２の回路基板構造における電子部品を示す底面図。本発明に従う電子部品の回路基板構造の第３の実施形態を示す断面図。図５の回路基板構造における電子部品を示す底面図。本発明に従う電子部品の回路基板構造の第４の実施形態を示す断面図。本発明に従う電子部品の回路基板構造の第５の実施形態を示す断面図。本発明に従う電子部品の回路基板構造の第６の実施形態を示す断面図。図９の回路基板構造における電子部品を示す底面図。本発明に従う電子部品の回路基板構造の第７の実施形態を示す断面図。図１１の回路基板構造における電子部品を示す底面図。本発明に従う電子部品の回路基板構造の第８の実施形態を示す断面図。図１４（ａ）は、図１３の回路基板構造における回路基板を示す平面図、図１４（ｂ）は、その電子部品を示す底面図。本発明に従う電子部品の回路基板構造の第９の実施形態を示す断面図。本発明に従う電子部品の回路基板構造の第１０の実施形態を示す断面図。

以下、添付図面を参照して、本発明に従う電子部品の回路基板構造の各種実施形態について説明する。

〈第１の実施形態〉
図１及び図２を参照して、電子部品の回路基板構造の第１の実施形態について説明する。図示の電子部品の回路基板構造２は、例えば、電子部品４と、この電子部品４が実装される回路基板６とから構成されている。この実施形態では、電子部品４は半導体チップであり、矩形状のチップ本体１０を備え、このチップ本体１０が電子部品本体となる。この電子部品４は、ＩＣチップでもよく、この場合、電子部品本体は、半導体チップを内蔵するパッケージ本体となる。このような電子部品としては、種々の半導体チップ、ＩＣチップでよく、例えば画像処理用チップ、液晶駆動用ドライバなどに広く適用することができる。

このチップ本体１０の一面（この形態では、底面）には複数のチップ電極１２が設けられ、この形態では、これらチップ電極１２がチップ本体１０の両側部に（図２において左側部及び右側部）に間隔をおいて設けられている。尚、これらチップ電極１２は、チップ本体１０の底面の適宜の箇所に設けることができ、例えばチップ本体１０の底面の三つの側部、或いは四つの側部（即ち、全周側部）に設けるようにしてもよい。

また、回路基板６は、例えばポリイミド樹脂などから形成されるフレキシブル基板から構成され、その片側表面（図１において下側表面）に所要の導電パターン１４が設けられ、これら導電パターン１４がチップ本体１０の対応するチップ電極１２に電気的に接続される。このような電気的接続は、融着又は導電物質で接合することができる。尚、回路基板６は、ポリイミド樹脂の以外の材料のもでもよく、例えばガラス繊維入りのエポキシ樹脂を用いたものでもよい。

チップ本体１０と回路基板６との間には、封止材１６が充填されている。この封止材１６としては、例えばエポキシ樹脂を用いることができるが、他の合成樹脂を用いるようにしてもよい。この封止材１６は、図１に示すように、チップ本体１０のチップ電極１２と回路基板６の導電パターン１４との接合部を封止するとともに、チップ本体１０と回路基板６との間の外周部を封止するように設けられ、このように封止材１６を設けることにより、外部からの湿気や汚れなどの進入を防止することができる。

このように封止材１６をモールドすることに関連して、チップ本体１０の底面に流入防止部材１８が設けられる。この流入防止部材１８は、複数のチップ電極１２の内側において環状に設けられ、充填した封止材１６が内側に流入するのを防止する。このような流入防止部材１８は、チップ電極１２を形成する際に、チップ電極１２と同じ材料で同時に形成するのが望ましく、このように形成することによって、製造工程の簡素化を図ることができる。尚、この流入防止部材１８は、チップ電極１２と別の材料で形成するようにしてもよい。

この回路基板構造２では、電子部品４で発生した熱を放熱するために、更に、次の通りに構成されている。即ち、回路基板６の所定部位（即ち、電子部品４が実装される部位）に対応して貫通開口２０が設けられ、この貫通開口２０内に高熱伝導部材２２が配設されている。この形態では、貫通開口２０は、チップ本体１０の外径形状に対応して矩形状に形成され、その大きさは、チップ本体１０に設けられた流入防止部材１８よりも小さく、この流入防止部材１８の内側に回路基板６の貫通開口２０が位置するように構成される。

高熱伝導部材２２は、例えば高熱伝導樹脂を回路基板６の貫通開口２０内に充填することによって形成され、充填した高熱伝導樹脂が貫通開口２０から流出して回路基板６の他側表面（図１において上側の表面）に所定範囲にわたって拡がるようにするのが望ましい。このようにして形成した高熱伝導部材２２（高熱伝導樹脂層）は、貫通開口２０内に位置する熱伝導部２４と、回路基板６の他側表面に拡がる放熱部２６とを有する。高熱伝導部材２２の熱伝導部２４は、チップ本体１０の底面に接触し、電子部品４（例えば、半導体チップ）にて発生した熱を回路基板６側に伝導し、その放熱部２６は、熱伝導部２４を介して伝達された熱を外部に、例えば周囲空間に、或いはこれに接触するフレームなどを介して外部空間などに放熱する。尚、このような高熱伝導樹脂としては、例えば、金属やシリカなどのフィラーを含有したシリコーン樹脂やエポキシ樹脂を用いることができる。

このような回路基板構造２においては、貫通開口２０の断面積（この形態では、矩形状の領域）が大きいほど電子部品４からの熱を回路基板６側に伝達することができ、その放熱効果を高めることができる。例えば、電子部品４のチップ本体１０の底面の１辺の長さＬ１が４０ｍｍ程度である場合、この貫通開口２０の１辺の長さＬ２を０．５ｍｍ〜２５ｍｍ程度とすることができる。

電子部品４の回路基板６への実装は、例えば、次のようにして行うことができる。ます、電子部品４を回路基板６の所定位置に位置付け、そのチップ本体１０の複数のチップ電極１２を回路基板６の対応する導電パターン１４に電気的に接続する。

次に、電子部品４と回路基板６との間の間隙に外周側から封止材１６を所要の通りに充填する。この封止材１６の充填は、一箇所又は間隔をおいた複数箇所から充填することができ、このように充填することによって、チップ本体１０のチップ電極１２と回路基板６の導電パターン１４との接合部を封止するとともに、チップ本体１０と回路基板６との間の外周部を封止することができる。このとき、チップ本体１０の底面に流入防止部材２０が環状に設けられているので、充填した封止材１６がこれを乗り越えて回路基板６の貫通開口２０側に流入することが防止される。

その後、回路基板６の他側表面（図１において上側）から貫通開口２０内に高熱伝導樹脂を所要の通りに充填する。かくすると、充填した高熱伝導樹脂が貫通開口２０内を流れて電子部品４と回路基板６との間の空間及び貫通開口２０内を満たし、その一部が回路基板６の他側表面に流れて拡がる。このとき、充填した高熱伝導樹脂は、チップ本体１０の流入防止部材１８を越えて外側に流れることはない。

このようにして図１に示す通りの回路基板構造２を製作することができ、このような回路基板構造２においては、電子部品４にて発生した熱は、高熱伝導部材２２の熱伝導部２４を介して回路基板６側にその放熱部２６伝導され、この放熱部２６から外部に放熱される。このように回路基板６に設けた貫通開口２０に高熱伝導部材２２を設けることにより、電子部品４にて発生した熱を効果的に放熱することができ、一般的に放熱が難しい小型電子部品（例えば、半導体チップ）であても、効果的に放熱することができる。

〈第２の実施形態〉
次いで、図３及び図４を参照して、電子部品の回路基板構造の第２の実施形態について説明する。この第２の実施形態においては、電子部品側の流入防止部材に改良が施されている。尚、以下の実施形態において、上述した第１の実施形態と実質上同一の部材には同一の参照番号を付し、その説明を省略する。

図３及び図４において、第２の実施形態の電子部品の回路基板構造２Ａでは、電子部品４Ａのチップ本体１０Ａの底面に設けられた流入防止部材１８Ａはプレート状に設けられ、その大きさは、図４に示すように、回路基板６に設けられた貫通開口２０よりも大きく、この貫通開口２０の全域を覆うように設けられている。この流入防止部材１８Ａは、後の記載からも理解される如く、熱伝導性の高い金属材料から形成することができ、例えば、チップ電極１２と同じ材料を用いて同時形成することができる。この第２の実施形態のその他の構成は、上述した第１の実施形態と実質上同一でよい。

この第２の実施形態の回路基板構造２Ａにおいては、回路基板６の導電パターン１４に電子部品２Ａのチップ電極１２を電気的に接合すると、チップ本体１０Ａの流入防止部材１８Ａが回路基板６の貫通開口２０を覆うようになる。このような状態において、封止材１６を外側から充填すると、充填した封止材１６は内側に流れてチップ本体１０Ａと回路基板６との間の空間を封止するとともに、それらの間の外周部を封止するが、この封止材１６が回路基板６の貫通開口２０に流入することがなく、このように構成しても、貫通開口２０の一部が封止材１６によって塞がるのを防止することができる。

また、この回路基板構造２Ａでも、回路基板６の貫通開口２０内に高熱伝導樹脂が充填されて高熱伝導部材２２Ａが設けられ、この高熱伝導部材２２Ａは、貫通開口２０内に位置してチップ本体１０Ａ側の流入防止部材１８Ａに接触する熱伝導部２４Ａと、回路基板６の他側表面に拡がる放熱部２６Ａとを有し、電子部品４Ａにて発生した熱は、流入防止部材１８Ａ及び高熱伝導部材２２Ａの熱伝導部２４Ａを介してその放熱部２６Ａ伝導され、この放熱部２６Ａから外部に放熱され、第１の実施形態と同様に、電子部品４にて発生した熱を効果的に放熱することができる。

〈第３の実施形態〉
次に、図５及び図６を参照して、電子部品の回路基板構造の第３の実施形態について説明する。この第３の実施形態においては、電子部品側の流入防止部材に関して更に改良が施されている。

図５及び図６において、第３の実施形態の電子部品の回路基板構造２Ｂでは、電子部品４Ｂのチップ本体１０Ｂの底面に設けられた流入防止部材１８Ｂは、プレート状のベース部３２と、このベース部３２から突出する突出部３４とを有している。流入防止部材１８Ｂのベース部３２の大きさは、図６に示すように、回路基板６に設けられた貫通開口２０よりも大きく、この貫通開口２０の全域を覆うように設けられ、またその突出部３４は、回路基板６の貫通開口２０よりも幾分小さく、この貫通開口２０内に挿入される。この流入防止部材１８Ｂは、第２の実施形態と同様に、熱伝導性の高い金属材料から形成することができ、例えば、チップ電極１２と同じ材料を用いて形成することができる。この第３の実施形態のその他の構成は、上述した第２の実施形態と実質上同一でよい。

この第３の実施形態の回路基板構造２Ｂにおいては、回路基板６の導電パターン１４に電子部品２Ｂのチップ電極１２を電気的に接合すると、チップ本体１０Ｂ側の流入防止部材１８Ｂのベース部３２が回路基板６の貫通開口２０を覆い、またその突出部３４がこの貫通開口２０内に挿入される。このような状態において、封止材１６を外側から充填すると、充填した封止材１６は内側に流れてチップ本体１０Ｂと回路基板６との間の空間を封止するとともに、それらの間の外周部を封止するが、流入防止部材１８Ｂのベース部３２によって、封止材１６の回路基板６の貫通開口２０への流入が防止され、このように構成しても、貫通開口２０の一部が封止材１６によって塞がれるのを防止することができる。

また、この回路基板構造２Ｂでも、回路基板６の貫通開口２０内に高熱伝導樹脂が充填されて高熱伝導部材２２Ｂが設けられ、この高熱伝導部材２２Ｂは、チップ本体１０Ｂ側の流入防止部材１８Ｂの突出部３４に接触する熱伝導部２４Ｂと、回路基板６の他側表面に拡がる放熱部２６Ｂとを有するので、電子部品４Ｂにて発生した熱は、流入防止部材１８Ｂ（ベース部３２及び突出部３４）及び高熱伝導部材２２Ｂの熱伝導部２４Ｂを介してその放熱部２６Ｂ伝導され、この放熱部２６Ｂから外部に放熱され、第２の実施形態と同様に、電子部品４にて発生した熱を効果的に放熱することができる。尚、この場合、充填された高熱伝導樹脂は、流入防止部材１８Ｂに突出部３４の周囲を流れてそのベース部３２と回路基板６との間の間隙にも充填される。

〈第４の実施形態〉
次に、図７を参照して、電子部品の回路基板構造の第４の実施形態について説明する。この第４の実施形態においては、上述した第２の実施形態のものに更に放熱部材が設けられている。

図７において、第４の実施形態の電子部品の回路基板構造２Ｃでは、回路基板６の貫通開口２０に設けられた高熱伝導部材２２Ａの放熱部２６Ａの表面に、この放熱部２６Ａを覆うように放熱部材４２が設けられている。この放熱部材４２は、例えばアルミニウム、アルミ合金などの金属材料から形成することができ、高熱伝導樹脂が硬化する前に放熱部２６Ａに固着することができる。この第４の実施形態のその他の構成は、上述した第２の実施形態と実質上同一でよい。

この第４の実施形態においては、電子部品４Ａにて発生した熱は、流入防止部材１８Ａ及び高熱伝導部材２２Ａ（熱伝導部２４Ａ及び放熱部２６Ａ）を介して放熱部材４２に伝導され、この放熱部材４２から外部に放熱され、このように放熱部材４２を設けることによって、電子部品４にて発生した熱を更に効果的に放熱することができる。

このような放熱部材４２は、図１及び図２に示す第１の実施形態の回路基板構造２に、また図５及び図６に示す第３の実施形態の回路基板構造２Ｂにも同様に適用することができる。

〈第５の実施形態〉
次に、図８を参照して、電子部品の回路基板構造の第５の実施形態について説明する。この第５の実施形態においては、上述した第４の実施形態における放熱部材に更に改良が施されている。

図８において、第５の実施形態の電子部品の回路基板構造２Ｄでは、放熱部材４２Ｄは、放熱ベース部４４と、この放熱ベース部４４から突出する熱伝導突出部４６とを有している。放熱部材４２Ｄの放熱ベース部４４は、回路基板６の貫通開口２０よりも大きく、この貫通開口２０の全域を覆うように構成され、またその熱伝導突出部４６は、安通開口２０よりも幾分小さく、この貫通開口２０内に挿入されるように構成される。この第５の実施形態のその他の構成は、上述した第４の実施形態と実質上同一でよい。

この第５の実施形態の回路基板構造２Ｄにおいては、回路基板６の導電パターン１４に電子部品２Ａのチップ電極１２が電気的に接合され、封止材１６が外側から充填されてチップ本体１０Ｂと回路基板６との間の空間及びそれらの間の外周部が封止され、その後、回路基板６の貫通開口２０を通して流入防止部材１８Ａの表面に高熱伝導樹脂が充填される。そして、かく充填した後に、回路基板６の貫通開口２０内に放熱部材４２Ｄの熱伝導突出部４６が挿入される。

このように挿入すると、その熱伝導突出部４６の先端面が貫通開口２０内に充填された高熱伝導樹脂に作用し、この高熱伝導樹脂は、流動防止部材１８Ａの表面を横方向に拡がった後に、回路基板６の貫通開口２０の内周面と放熱部材４２の熱伝導突出部４６の外周面との間の間隙を通して図８において上方に流れ、更に回路基板６の他側表面と放熱部材４２Ｄの放熱ベース部４４との間を通って横方向に流れ、このようにして熱伝導部２４Ｄ及び放熱部２６Ｄを有する高熱伝導部材２２Ｄが形成される。尚、この放熱部材４２Ｄは、熱伝導突部４４の先端面及び放熱ベース部４４の先端側端面（図８において下側端面）に高熱伝導樹脂を所要の通りに塗布した後に回路基板６の貫通開口２０内に挿入するようにしてもよく、このようにしても上述した同様の高熱伝導部材２２Ｄを形成することができる。

この第５の実施形態においては、電子部品４Ａにて発生した熱は、流入防止部材１８Ａ及び高熱伝導部材２２Ｄ（主として熱伝導部２４Ｄ）を介して放熱部材４２Ｄ（熱伝導突出部４６及び放熱ベース部４４）に伝導され、その放熱ベース部４６から外部に放熱され、このように構成することにより、電子部品４にて発生した熱を一層効果的に放熱することができる。

このような放熱部材４２Ｄは、図１及び図２に示す第１の実施形態の回路基板構造２にも同様に適用することができる。また、この第５の実施形態では、回路基板６と放熱部材４２Ｄの放熱ベース部４４との間にも高熱伝導樹脂を介在させているが、この高熱伝導樹脂については、流入防止部材１８Ａと放熱部材４２Ｄの熱伝導突出部４６との間に介在させ、回路基板６と放熱部材４２Ｄの放熱ベース部４４との間には通常の樹脂（例えば接着剤）などを介在させるようにしてもよい。

〈第６の実施形態〉
次いで、図９及び図１０を参照して、電子部品の回路基板構造の第６の実施形態について説明する。この第６の実施形態においては、電子部品側の流入防止部材が省略されているとともに、回路基板側に改良が施されている。

図９及び図１０において、第６の実施形態の電子部品の回路基板構造２Ｅでは、チップ本体１０Ｅの両側部に複数のチップ電極１２が設けられ、また回路基板６Ｅの片側表面（図９において下側表面）には、上述したと同様に、電子部品４Ｅ側の複数のチップ電極１２に対応して複数の導電パターン１４が設けられ、これら導電パターン１４に電子部品４Ｅの対応するチップ電極１２が電気的に接続される。

この実施形態では、チップ本体１０Ｅの複数のチップ電極１２の内側に流入防止部材が設けられてなく、このことに関連して、回路基板６Ｅ側では、貫通開口に代えて、このチップ本体１０Ｅの実装部位に対応して収容凹部５２が設けられている。この収容凹部５２は、回路基板６Ｅの肉厚を薄くすることによって形成され、この回路基板６Ｅの他側表面（図９において上側表面）に開口している。

回路基板６Ｅの収容凹部５２には、上述したと同様にして、回路基板６Ｅの他側表面側から高熱伝導樹脂が充填され、このようにして収容凹部５２内に高熱伝導部材２２Ｅが設けられる。このように形成した高熱伝導部材２２Ｅ（高熱伝導樹脂層）は、上述したと同様に、収容凹部５２内に位置する熱伝導部２４Ｅと、回路基板６の他側表面に拡がる放熱部２６Ｅとを有する。この第６の実施形態のその他の構成は、上述した第１の実施形態と実質上同一である。

この実施形態では、電子部品４Ｅの回路基板６Ｅへの実装は、例えば、次のようにして行うことができる。ます、電子部品４Ｅを回路基板６Ｅの所定位置に位置付け、そのチップ本体１０Ｅの複数のチップ電極１２を回路基板６Ｅの対応する導電パターン１４に電気的に接続する。

次に、電子部品４Ｅと回路基板６Ｅとの間の間隙に外周側から封止材１６Ｅを所要の通りに充填する。このとき、充填した封止材１６Ｅは、電子部品４Ｅと回路基板６Ｅとの間の間隙を内側に流れ、複数のチップ電極１２及び複数の導電パターン１４を覆うようにしてかかる間隙に充填される。

その後、回路基板６Ｅの他側表面から収容凹部５２内に高熱伝導樹脂を所要の通りに充填する。かくすると、充填した高熱伝導樹脂が収容凹部５２内を満たし、その一部が回路基板６Ｅの他側表面に流れて拡がる。

このようにして図９に示す通りの回路基板構造２Ｅを製作することができ、このような回路基板構造２Ｅにおいては、電子部品４Ｅにて発生した熱は、充填材１６Ｅ及び回路基板６Ｅ及び高熱伝導部材２２Ｅの熱伝導部２４Ｅを介して回路基板６Ｅ側にその放熱部２６Ｅ伝導され、この放熱部２６Ｅから外部に放熱される。

〈第７の実施形態〉
次いで、図１１及び図１２を参照して、電子部品の回路基板構造の第７の実施形態について説明する。この第７の実施形態においては、回路基板側の収容凹部に改良が施されている。

図１１及び図１２において、第７の実施形態の電子部品の回路基板構造２Ｆでは、回路基板６Ｆにおける電子部品４Ｅの実装部位に対応して貫通開口６２が設けられているとともに、この貫通開口６２を塞ぐように閉塞部材６４が設けられている。この閉塞部材６４は、金属材料のように高熱伝導材料から形成するのが望ましく、例えば導電パターン１４と同様の材料から形成され、これら導電パターンと同時に形成するのが望ましい。この第７の実施形態のその他の構成は、上述した第６の実施形態と実質上同一である。

この実施形態では、チップ本体１０Ｅと高熱伝導部材２２Ｅの高熱伝導部２４Ｆとの間に充填材１６Ｆ及び閉塞部材６４が介在されるのみであるので、第６の実施形態のものに比して熱伝導効率が高く、電子部品４Ｅにて発生した熱は、充填材１６Ｆ及び閉塞部材６４を介して高熱伝導部材２４Ｆに伝達され、この放熱部２６Ｅから外部に放熱される。

尚、この第７の実施形態、また上述した第６の実施形態においても、図７に示す第４に示す実施形態のように放熱部材を設けるようにしてもよく、或いは図８に示す第５の実施形態のように放熱部材を設けるようにしてもよい。

〈第８の実施形態〉
次に、図１３及び図１４を参照して、電子部品の回路基板構造の第８の実施形態について説明する。この第８の実施形態においては、電子部品及び回路基板に改良が施され、回路基板の熱伝導パターンを介して放熱するように構成されている。図１３における断面図は、図１４（ａ）におけるＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線による断面を示している。

図１３及び図１４において、第８の実施形態の電子部品の回路基板構造２Ｇでは、回路基板６Ｇの片側表面（図１３において下面）に導電パターン１４が設けられているとともに、熱を伝導するための熱伝導パターン７２，７４，７６が設けられている。この熱伝導パターン７２，７４，７６は、例えば、導電パターン１４と同じ金属材料（例えば、銅など）から形成され、製作工程の簡素化などを考慮すると、導電パターン１４と同時に形成するのが望ましい。これら導電パターン７２，７４，７６は、それぞれ、電子部品４Ｇのチップ本体１０Ｇからの熱を受ける受熱部７８，８０，８２と、これら受熱部７８，８０，８２から両外側に（図１３及び図１４において左右方向）に延びる延長部８４，８６，８８とを備え、これら受熱部７８，８０，８２は、チップ本体１０Ｇと回路基板６Ｇとの間に位置し、このチップ本体１０Ｇからの熱が封止材１６Ｇを介して伝達される。

回路基板６Ｇ側のこのような構成に関連して、チップ本体１０Ｇの一面（図１３において上面）に、回路基板６Ｇの各導電パターン１４に対応してチップ電極１２が設けられ、
また、その各熱伝導パターン７２，７６，８０に対応して熱伝導チップ９０，９２，９４が設けられている。チップ本体１０Ｇの熱伝導チップ９０，９２，９４は、例えば、チップ電極１２と同じ金属材料から形成され、製作工程の簡素化などを考慮すると、チップ電極１２と同時に形成するのが望ましい。

チップ本体１０Ｇのチップ電極１２と回路基板６Ｇの導電パターン１４とは電気的に接続されるが、その熱伝導チップ９０，９２，９４と熱伝導パターン７２，７４，７６とは熱が伝導されるように熱的に接続される。従って、チップ本体１０Ｇからの熱は、封止材１６Ｇを介して熱伝導パターン７２，７４，７６の受熱部７８，８０，８２に伝達されるとともに、熱伝導チップ９０，９２，９４を介して受熱部７８，８０，８２に伝達され、これら受熱部７８，８０，８２から延長部８４，８６，８８に伝達される。

尚、回路基板６Ｇ側の熱伝導パターン７２，７４，７６及びチップ本体１０Ｇ側の熱伝導チップ９０，９２，９４については、その個数、配設箇所などは適宜に設定することができ、例えば、熱伝導パターンについては１つ又は２つ、或いは４つ以上設けるようにしてもよく、また各熱伝導パターン７２，７４，７６に熱的に接続されるチップ本体１０Ｇ側の熱伝導チップ９０，９２，９４についても１つ又は４つ以上で設けるようにしてもよい。

この形態では、熱伝導パターン７２，７４の延長部８４，８６に貫通開口９６，９８が設けられている。これら貫通開口９６，９８には高熱伝導部材２２Ｇとしての高熱伝導樹脂が充填され、これら貫通開口９６，９８に充填された高熱伝導樹脂は、回路基板６Ｇの片側表面側（導電パターン１４が設けられた表面側）にあっては、これら貫通開口９６，９８から流出して幾分拡がり、この表面側部分１００が補助放熱部として機能し、またその他側表面側にあっては、これら貫通開口９６，９８から大きく流出してチップ本体１０Ｇの裏面全域よりも広く覆うように構成され、かかる裏面側部分１０２が主放熱部として機能する。

この実施形態では、電子部品４Ｇの回路基板６Ｇへの実装は、例えば、次のようにして行うことができる。ます、電子部品４Ｇを回路基板６Ｇの所定位置に位置付け、そのチップ本体１０Ｇの複数のチップ電極１２を回路基板６Ｇの対応する導電パターン１４に電気的に接続するとともに、チップ本体１０Ｇの熱伝導チップ９０，９２，９４を回路基板６Ｇの対応する熱伝導パターン７２，７４，７６に熱的に接続する。

次に、電子部品４Ｇと回路基板６Ｇとの間の間隙に外周側から封止材１６Ｇを所要の通りに充填する。このとき、充填した封止材１６Ｇは、電子部品４Ｇと回路基板６Ｇとの間の間隙を内側に流れ、複数のチップ電極１２及び複数の導電パターン１４の接続部位を覆うように、また熱伝導チップ９０，９２，９４と熱導電パターン７２，７４，７６との接続部位を覆うように充填される。

その後、例えば、回路基板６Ｇの他側表面から貫通開口９０，９２内に高熱伝導樹脂を所要の通りに充填する。かくすると、充填した高熱伝導樹脂が貫通開口９０，９２を満たしてその一部が回路基板６Ｇの片側表面に流出して表面側部分１００が形成されるとともに、残りの一部が他側表面に流出して拡がって他面側部分１０２が形成される。

このようにして図１３に示す通りの回路基板構造２Ｇを製作することができ、このような回路基板構造２Ｇにおいては、電子部品４Ｇにて発生した熱は、充填材１６Ｇを介して熱導電パターン７２，７４，７６の受熱部７８，８０，８２に伝達されるとともに、熱伝導チップ９０，９２，９４を介してそれらの受熱部７８，８０，８２に伝達され、かく伝達された熱が、それらの延長部８４，８６，８８を介して高熱伝導樹脂（高熱伝導部材２２Ｇ）に伝達され、この高熱伝導樹脂の表面側部分１００及び裏面側部分１０２から外部に放熱される。
〈第９の実施形態〉
次に、図１５を参照して、電子部品の回路基板構造の第９の実施形態について説明する。この第９の実施形態においては、第８の実施形態の回路基板構造に電子部品の表面側を覆うように放熱部材が設けられている。

図１５において、第９の実施形態の電子部品の回路基板構造２Ｈにおいては、電子部品４Ｇの表面（熱伝導チップ９２が設けられた一面とは反対の他面）側を覆うように放熱部材１１２が設けられている。この放熱部材１１２は、この表面（他面）を覆って接触する放熱本体部１１４と、この放熱本体部１１４から回路基板６Ｇ側に延びる一対の側壁部１１６と、一対の側壁部１１６の先端部から外側に延びる接触接続部１１８とを備え、一対の接触接続部１１８が、回路基板６Ｇの貫通開口９８に充填された高熱伝導樹脂（高熱伝導部材２２Ｇ）の表面側部分１００に接触している。このような放熱部材１１２は、高熱伝導材料、例えばアルミニウム、アルミ合金、ステンレス鋼などの金属材料などから形成される。この第９の実施形態の回路基板構造２Ｈのその他の構成は、上述の第８の実施形態と実質上同一である。

この第９の実施形態の回路基板構造２Ｈにおいては、図１５から理解されるように、電子部品４Ｇのチップ本体１０Ｇにて発生した熱は、第８の実施形態と同様に、充填材１６Ｇ及び熱伝導チップ９２を介して導電パターン７４の受熱部８０に伝達され、かく伝達された熱が、それらの延長部８６を介して高熱伝導樹脂（高熱伝導部材２２Ｇ）、即ちその高熱伝導樹脂の表面側部分１００及び裏面側部分１０２に伝達される。そして、高熱伝導樹脂の裏面側部分１０２に伝導された熱は、そこから外部に放熱される。また、その表面側部分１００に伝達された熱は、放熱部材１１２の接触接続部１１８から側壁部１１６を介して放熱本体部１１４に伝達され、主としてこの放熱本体部１１４から外部に放熱される。加えて、チップ本体１０Ｇにて発生した熱は、直接的に放熱部材１１２の放熱本体部１１４に伝達され、この放熱本体部１１４から外部に放熱される。このように、回路基板６Ｇの片面側（表面側）の放熱部材１１２とその他面側（裏面側）の高熱伝導樹脂の裏面側部分１０２から放熱することができ、電子部品４Ｇの放熱効果を高めることができる。
〈第１０の実施形態〉
次に、図１６を参照して、電子部品の回路基板構造の第１０の実施形態について説明する。この第１９の実施形態においては、第８の実施形態の回路基板構造に電子部品の表面側全体を覆うように高熱伝導樹脂層が設けられている。

図１６において、第１０の実施形態の電子部品の回路基板構造２Ｉにおいては、電子部品４Ｇの表面（チップ電極１２が設けられた一面とは反対の他面）側を覆うように高熱伝導樹脂層１２２が設けられており、例えば高熱伝導部材２２Ｇとして用いる高熱伝導樹脂と同様のものを用いることができる。この高熱伝導樹脂層１２２は、チップ本体１０Ｇにおける外部に露出する部分の全体を覆っており、チップ本体１０Ｇの他面（熱伝導チップ９２が設けられた一面と反対の他面）を覆う放熱本体部１２４と、チップ本体１０Ｇの周側面を覆う側壁部１２６とを備え、この側壁部１２６の端面が、回路基板６Ｇの貫通開口９８に充填された高熱伝導樹脂（高熱伝導部材２２Ｇ）の表面側部分１００に接触している。この第１０の実施形態の回路基板構造２Ｉのその他の構成は、上述の第８の実施形態と実質上同一である。

この第１０の実施形態の回路基板構造２Ｉにおいては、図１６から理解されるように、電子部品４Ｇのチップ本体１０Ｇにて発生した熱は、第８の実施形態と同様に、充填材１６Ｇ及び熱伝導チップ９２を介して導電パターン７４の受熱部８０に伝達され、かく伝達された熱が、それらの延長部８６を介して高熱伝導樹脂（高熱伝導部材２２Ｇ）、即ちその高熱伝導樹脂の表面側部分１００及び裏面側部分１０２に伝達される。そして、高熱伝導樹脂の裏面側部分１０２に伝導された熱は、そこから外部に放熱される。また、その表面側部分１００に伝達された熱は、高熱伝導樹脂層１２２の側壁部１１２６から放熱本体部１２４に伝達され、放熱本体部１２４及び側壁部１２６から外部に放熱される。加えて、チップ本体１０Ｇにて発生した熱は、直接的に高熱伝導樹脂層１２２の放熱本体部１２４及び側壁部１２６に伝達され、これら放熱本体部１２４及び側壁部１２６から外部に放熱され、このように構成して電子部品４Ｇの放熱効果を高めることができる。

以上、本発明に従う電子部品の回路基板構造の各種実施形態について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形乃至修正が可能である。

２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ，２Ｅ，２Ｆ，２Ｇ，２Ｈ，２Ｉ回路基板構造
４，４Ａ，４Ｂ，４Ｅ，４Ｅ，４Ｇ電子部品
６，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ回路基板
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｅチップ本体
１２チップ電極
１６，１６Ｅ，１６Ｆ，１６Ｇ封止材
１８，１８Ａ，１８Ｂ流入防止部材
２０，６２貫通開口
２２，２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｄ，２２Ｅ，２２Ｆ，２２Ｇ高熱伝導部材
２４，２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｄ，２４Ｅ，２４Ｆ熱伝導部
２６，２６Ａ，２６Ｂ，２４Ｄ，２４Ｅ，２４Ｆ放熱部
３２ベース部
３４突出部
４２，４２Ｄ放熱部材
４４放熱ベース部
４６熱伝導突出部

Claims

片側表面に所定の導電パターンが設けられた回路基板と、前記回路基板に実装される電子部品とを備え、前記電子部品は、電子部品本体と、前記電子部品本体の一面に設けられた複数のチップ電極とを有し、前記電子部品本体の前記複数のチップ電極が前記回路基板の前記所定の導電パターンに電気的に接続され、前記電子部品本体の前記一面と前記回路基板の前記片側表面との間に封止材が充填される電子部品の回路基板構造において、
前記回路基板における前記電子部品の実装部位に対応して貫通開口が設けられ、また前記電子部品本体における前記複数のチップ電極の内側に、前記封止材が前記回路基板の前記貫通開口側に流入するのを防止するための流入防止部材が設けられ、更に、前記回路基板の前記貫通開口内には、前記電子部品にて発生した熱を伝達するための高熱伝導部材が設けられていることを特徴とする電子部品の回路基板構造。
前記流入防止部材は、前記電子部品本体の前記一面に、前記回路基板の前記貫通開口に対応して環状に設けられ、前記回路基板に前記電子部品を実装した状態において前記貫通高開口の外周側に位置し、前記流入防止部材の内側に位置する前記貫通開口内に高熱伝導樹脂が充填されることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の回路基板構造。
前記流入防止部材は、前記電子部品本体の前記一面に、前記回路基板の前記貫通開口に対応してプレート状に設けられ、前記回路基板に前記電子部品を実装した状態において前記貫通開口を覆い、前記流入防止部材に覆われた前記貫通開口内に高熱伝導樹脂が充填されることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の回路基板構造。
前記流入防止部材は、前記電子部品本体の前記一面に設けられたベース部と、前記ベース部から突出する突出部とを有し、前記回路基板に前記電子部品を実装した状態において、前記流入防止部材の前記ベース部が前記回路基板の前記貫通開口を覆い、前記流入防止部材の前記突出部が前記貫通開口内に位置し、前記流入防止部材の前記突出部を覆うように前記高熱伝導樹脂が充填されることを特徴とする請求項３に記載の電子部品の回路基板構造。
前記高熱伝導樹脂に関連して放熱部材が配設され、前記回路基板の前記貫通開口に充填された前記高熱伝導樹脂に接触するように前記放熱部材が設けられ、前記電子部品にて発生した熱は、前記高熱伝導部材を介して前記放熱部材に伝達されることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の電子部品の回路基板構造。
前記放熱部材は、前記回路基板の他側表面に設けられた放熱ベース部と、前記放熱ベース部から突出する熱伝導突出部とを有し、前記回路基板に前記放熱部材を装着した状態において、前記放熱部材の前記放熱ベース部が前記回路基板の前記貫通開口を覆い、前記放熱部材の前記熱伝導突出部が前記貫通開口内に位置し、前記放熱部材の前記放熱突出部を覆うように前記高熱伝導樹脂が充填されることを特徴とする請求項５に記載の電子部品の回路基板構造。
片側表面に所定の導電パターンが設けられた回路基板と、前記回路基板に実装される電子部品とを備え、前記電子部品は、電子部品本体と、前記電子部品本体の一面に設けられた複数のチップ電極とを有し、前記電子部品本体の前記複数のチップ電極が前記回路基板の前記所定の導電パターンに電気的に接続され、前記電子部品本体の前記一面と前記回路基板の前記片側表面との間に封止材が充填される電子部品の回路基板構造において、
前記回路基板の他側表面における前記電子部品の実装部位に対応して収容凹部が設けられ、前記回路基板の前記収容凹部内には、前記電子部品にて発生した熱を伝達するための高熱伝導部材が設けられていることを特徴とする電子部品の回路基板構造。
前記回路基板の前記収容凹部は、前記回路基板の肉厚を薄くすることにより形成され、前記収容凹部に高熱伝導樹脂が充填されることを特徴とする請求項７に記載の電子部品の回路基板構造。
前記回路基板の前記収容凹部は、前記回路基板に設けた貫通開口を塞ぐように閉塞部材を設けることにより形成され、前記収容凹部に高熱伝導樹脂が充填されることを特徴とする請求項７に記載の電子部品の回路基板構造。
片側表面に所定の導電パターンが設けられた回路基板と、前記回路基板に実装される電子部品とを備え、前記電子部品は、電子部品本体と、前記電子部品本体の一面に設けられた複数のチップ電極とを有し、前記電子部品本体の前記複数のチップ電極が前記回路基板の前記所定の導電パターンに電気的に接続され、前記電子部品本体の前記一面と前記回路基板の前記片側表面との間に封止材が充填される電子部品の回路基板構造において、
前記電子部品本体の前記一面には、熱を伝導するための熱伝導チップが設けられ、前記回路基板の前記片面表面には、熱を伝導するための熱伝導パターンが設けられ、前記電子部品本体の前記熱伝導チップと前記回路基板の前記熱伝導パターンとが熱的に接続されており、
更に、前記回路基板の前記熱伝導パターンの一部には貫通開口が設けられ、熱を伝達するための高熱伝導樹脂が前記貫通開口を通して充填され、充填した前記高熱伝導樹脂が前記回路基板の他側表面に拡がっていることを特徴とする電子部品の回路基板構造。
前記回路基板の前記熱伝導パターンは、前記電子部品本体の前記一面側からの熱を受ける受熱部と、前記受熱部から外側に延びる延長部とを有し、前記延長部に前記貫通開口が設けられていることを特徴とする請求項１０に記載の電子部品の回路基板構造。
前記電子部品本体の片側表面側には放熱部材が配設され、前記放熱部材は、前記電子部品本体の前記他面に接触する放熱本体部と、前記回路基板の前記貫通開口に充填された前記高熱伝導樹脂に接触する接触接続部とを備え、前記熱伝導パターンからの熱は、充填された熱伝導樹脂を介して前記回路基板の前記他側表面側から放熱されるとともに、充填された前記熱伝導樹脂及び前記放熱部材を介して前記回路基板の前記片側表面側から放熱されることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電子部品の回路基板構造。
前記電子部品本体の片側表面側には、これを覆うように高熱伝導樹脂層が設けられ、前記高熱伝導樹脂層が前記回路基板の前記貫通開口に充填された前記高熱伝導樹脂に結合されていることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電子部品の回路基板構造。