JP2016044357A - スパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Zn、Sn、O、および、Alを含む酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、前記酸化物焼結体は、[(Alの質量)/(酸化物焼結体の全質量)×100(%)]で表されるAlの含有比率が0.005%〜0.2%であり、前記スパッタリングターゲットの放電面における電子線マイクロアナライザ(EPMA)の面分析結果のデジタル画像で表示されるAl含有領域のそれぞれが[x]×[y](x=75μm、y=75μm)の範囲に収まっている、スパッタリングターゲットである。
【選択図】図18
Description
IGZO薄膜やZTO薄膜をスパッタリング成膜して製造する場合、当該薄膜に必要な成分組成と実質的に同等な成分組成を有する酸化物焼結体をスパッタリングターゲットに用いることが一般的に行われている。例えば、ZTO薄膜を製造する場合、アルゴンガスおよび酸素ガスを含む混合ガス雰囲気中で、当該ZTO薄膜に必要な成分組成を有するスパッタリングターゲット(以下、「ZTOターゲット」という。)からプラズマ放電を発生させる。この放電によって被成膜面上に堆積された堆積物が、ZTOターゲットと実質的に同等な成分組成を有するZTO薄膜となる。同様に、IGZO薄膜を製造する場合、当該IGZO薄膜に必要な成分組成を有するスパッタリングターゲット(以下、「IGZOターゲット」という。)が用いられる。
微量のAlを含むZTOターゲットを製造する場合、Znを含む酸化物原料およびSnを含む酸化物原料に、Alを含む酸化物原料またはAlおよびZnを含む酸化物原料を混合するとよい。このような製造方法において、ZTO焼結体に含まれるAl含有領域は、酸化物原料などの混合や混練、その後の成形や焼結といった一連の製造プロセスやその適用条件などにより、一様ではなく様々な大きさや形態で存在している可能性がある。こうした観点に留意し、本発明者はZTOターゲットを作製した。
(試験TG1の放電面)
図6に示す試験TG1のスパッタリング前(放電前)の放電面は、図中の斜方向に加工痕を有していたが、その他の異常な形態は特に観察されなかった。図7に示す試験TG1のスパッタリング後(放電後)の放電面は、放電前の加工痕が消失した均一な粗面を有していた。また、試験TG1のスパッタリング後(放電後)の放電面には、ノジュールやその他の異常な形態は観察されなかった。この結果より、スパッタリング後に放電面が均一に粗面化した試験TG1は、スパッタリング時の放電安定性が良好であったことが分る。
図8に示す試験TG2のスパッタリング前(放電前)の放電面は、図中の斜方向に僅かな加工痕を有しているとともに、黒色の斑点のように見える模様が観察された。図9に示す試験TG2のスパッタリング後(放電後)の放電面は、放電前の加工痕が消失した粗面を有していた。また、試験TG2のスパッタリング後(放電後)の放電面には、中央部が白色で周囲が黒色の斑紋のように見える大小の模様が多数観察された。こうした結果より、試験TG2の放電面に発生し、試験TG1では見られなかった前記模様は、大きなAl含有領域が存在していたことによるノジュールと推定される。よって、試験TG2は、試験TG1よりもスパッタリング成膜時の放電安定性が劣っていたと考えられる。
試験TG1および試験TG2の放電面(放電前)をEPMAの面分析で観察した。EPMAは、日本電子株式会社(JEOL)製のJXA−8900R WD/ED COMBINED MICROANALYZERを使用した。面分析の分析条件は上述した所定の分析条件である。ビーム径は、試験TG1の場合がφ5μm、試験TG2の場合がφ25μmである。
試験TG1および試験TG2の放電面(放電前)のAl含有領域について説明する。試験TG1および試験TG2の放電面のAl分布を図18および図20に示す。また、図18および図20の一部分の拡大表示を図19および図21に示す。面分析のデジタル画像の表示条件は上述した所定の表示条件である。面分析のビーム径に対応する画素の大きさは、試験TG1の場合が5μm×5μm、試験TG2の場合が25μm×25μmである。明るさで第1階調から第16階調まで16に区分したグレースケールの最大値は2000Levelである。
Claims (2)
- Zn、Sn、O、および、Alを含む酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、
前記酸化物焼結体は、[(Alの質量)/(酸化物焼結体の全質量)×100(%)]で表されるAlの含有比率が0.005%〜0.2%であり、
前記スパッタリングターゲットの放電面における電子線マイクロアナライザ(EPMA)の面分析結果のデジタル画像で表示されるAl含有領域のそれぞれが[x]×[y](x=75μm、y=75μm)の範囲に収まっている、スパッタリングターゲット。 - 前記Al含有領域のそれぞれが[x]×[y](x=50μm、y=50μm)の範囲に収まっている、請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
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