JP2016032021A - 半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】外部接続時における配線の容易化を図った、コンバータ部及びインバータ部が一体化された半導体装置を得る。
【解決手段】コンバータ部１０のコンバータ出力端子８Ｐ及び８Ｎを第１の側面側に隣接配置し、さらに、コンバータ出力端子８Ｎに隣接して複合モジュール１の外部接続用の外部端子１８を配置している。コンバータ部１０のＡＣ入力端子７Ｒ，７Ｓ，７Ｔを第２の側面側に配置している。そして、コンバータ出力端子８Ｐ，８Ｎ間及びコンバータ出力端子８Ｎ，外部端子１８間はそれぞれ形成ピッチｄ１に設定され、ＡＣ入力端子７Ｒ，７Ｓ及びＡＣ入力端子７Ｓ，７Ｔ間はそれぞれ形成ピッチｄ２に設定され、形成ピッチｄ１と形成ピッチｄ２とは同一長（ｄ１＝ｄ２）に設定される。
【選択図】図１

Description

この発明は、コンバータ部及びインバータ部が一体化されたモジュール構造を有する半導体装置に関する。
半導体装置が、金属基板と、その上に絶縁層を介して固定される複数の配線と、その複数の配線に電気的に接続されるパワー回路部を備え、このパワー回路部は複数の配線間に電気的に接続される複数の回路部分（コンバータ回路部分を含む）を有し、これら回路部分はそれぞれ一体化されるとともに複数の配線と接着される外部接続用の複数の外部端子を有するモジュール構造を採用した半導体装置として、例えば、特許文献１に開示された半導体装置がある。
特許文献１で開示された従来の半導体装置の外部端子として、コンバータ回路部分のＡＣ入力端子であるＲ，Ｓ，Ｔとコンバータ出力端子であるＰ１,Ｎとが設けられている。そして、これらコンバータ入力端子Ｒ，Ｓ，Ｔとコンバータ出力端子Ｐ１,Ｎとパッケージを挟んで互いに対向面に配置されている。
国際公開第９８／１０５０８号（図１５）
上述した従来の半導体装置の構成では、コンバータ部の出力端子であるＰ，Ｎ間は、外部のコンデンサとの接続時における配線を短くするために同一面側（一方面側）にしか配置できず、またコンバータ部のＡＣ入力端子Ｒ，Ｓ，Ｔは、ノイズフィルタ等を設ける関係で同一面側（一方面と対向する他方面側）にしか配置できない端子構成となっている。このため、このような半導体装置を含む全体回路は、基板パターン配線が限定的になり、自由な基板設計が難しいという問題点があった。
この発明は上記問題点を解決するためになされたもので、外部接続時における配線の容易化を図った、コンバータ部及びインバータ部が一体化された半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る請求項１記載の半導体装置は、コンバータ部及びインバータ部を封止樹脂内に一体化して有する、平面視矩形状の半導体装置であって、前記コンバータ部に電気的に接続され、平面視して一方側面側に設けられる外部接続用の複数のコンバータ出力端子と、前記コンバータ部に電気的に接続され、平面視して一方側面に対向する他方側面側に設けられる外部接続用の複数のコンバータ入力端子と、前記一方側面側に前記複数のコンバータ出力端子に隣接して設けられる外部接続用の隣接外部端子とを備え、前記複数のコンバータ出力端子及び前記隣接外部端子が第１の端子群に、前記複数のコンバータ入力端子が第２の端子群に分類され、前記第１及び第２の端子群は同数の端子を有し、前記第１の端子群のうち互いに隣接する二つの端子間それぞれの第１の距離と、前記第２の端子群のうち互いに隣接する二つの端子間それぞれの第２の距離とは、同一長に設定されることを特徴とする。
請求項１記載の本願発明の半導体装置は、第１の端子群のうち互いに隣接する二つの端子間それぞれの第１の距離と、第２の端子群のうち互いに隣接する二つの端子間それぞれの第２の距離とは、同一長に設定されるという端子群ピッチ設定を有していることを特徴としている。
請求項１記載の本願発明の半導体装置は上記端子群ピッチ設定を有することにより、主としてコンバータ部内の内部レイアウトのみを変更することにより、第１及び第２の端子群における一方側面及び他方側面の位置関係が互いに反対となる第１種半導体装置と第２種半導体装置とを選択的に製造することができる。
その結果、第１種及び第２種半導体装置のうち、外部接続時における外部素子等との電気的接続用の配線が行い易い半導体装置を適宜選択することができるため、本願発明の半導体装置を含む全体回路を比較的簡単に形成することができる効果を奏する。
この発明の実施の形態１である複合モジュールの構成を示す説明図である。 第１種複合モジュールとなる複合モジュールの構成を示す説明図である。 第２種複合モジュールとなる複合モジュールの構成を示す説明図である。 この発明の実施の形態２である複合モジュールの構成を示す説明図である。 図４で示したコンバータ部、インバータ部及びブレーキ部の等価回路を示す回路図である。 この発明の実施の形態３である複合モジュールの構成を示す説明図である。 この発明の実施の形態４である複合モジュールの構成を示す説明図である。 実施の形態４の複合モジュールの内部レイアウト構成例を模式的に示す説明図である。
＜実施の形態１＞
図１はこの発明の実施の形態１である複合モジュール１の構成を示す説明図である。実施の形態１の複合モジュール１はコンバータ部１０及びインバータ部２０を封止樹脂内に一体化して有する、平面視矩形状の半導体装置である。
同図に示すように、コンバータ部１０の外部接続用のコンバータ出力端子８Ｐ及び８Ｎ（Ｐ１及びＮ１）を第１の側面側（図１の上部）に隣接配置し、さらに、コンバータ出力端子８Ｎに隣接して複合モジュール１の外部接続用の外部端子１８（隣接外部端子）を配置している。なお、外部端子１８はコンバータ部１０用、インバータ部２０用、コンバータ部１０，インバータ部２０共用のいずれの端子であっても良い。
一方、コンバータ部１０の外部接続用のコンバータ入力端子であるＡＣ入力端子７Ｒ，７Ｓ，７Ｔ（Ｒ，Ｓ，Ｔ）を第２の側面側（図１の下部、第１の側面と対向する側面）に配置している。
このように、複数のコンバータ出力端子であるコンバータ出力端子８Ｐ及び８Ｎ並びに外部端子１８が複合モジュール１の第１の側面側に設けられる第１の端子群に、複数のコンバータ入力端子であるＡＣ入力端子７Ｒ，７Ｓ及び７Ｔが複合モジュール２の第２の側面側に設けられる第２の端子群に分類される。これら第１及び第２の端子群の端子数は同数の“３”となる。
実施の形態１の複合モジュール１において、上記第１の端子群のうち互いに隣接する二つの端子間それぞれの形成ピッチｄ１（第１の距離）と、上記第２の端子群のうち互いに隣接する二つの端子間それぞれの形成ピッチｄ２（第２の距離）とは、同一長に設定されるという端子群ピッチ設定を有することを特徴としている。
すなわち、コンバータ出力端子８Ｐ，８Ｎ間及びコンバータ出力端子８Ｎ，外部端子１８間はそれぞれ形成ピッチｄ１に設定され、ＡＣ入力端子７Ｒ，７Ｓ及びＡＣ入力端子７Ｓ，７Ｔ間はそれぞれ形成ピッチｄ２に設定され、形成ピッチｄ１と形成ピッチｄ２とは同一長（ｄ１＝ｄ２）に設定される。
図２は第１種複合モジュールとなる複合モジュール１Ａの構成を示す説明図である。複合モジュール１Ａは複合モジュール１の第１の態様となる。同図に示すように、コンバータ部１０及びインバータ部２０が図１で示した複合モジュール１と同様、平面視してコンバータ部１０が左側に配置される複合位置関係を有し、第１側面（図中上側）にコンバータ出力端子８Ｐ及び８Ｎ並びに外部端子１８を設け、第２側面（図中下側）にＡＣ入力端子７Ｒ，７Ｓ及び７Ｔを設けている。この際、上記端子群ピッチ設定を有している。
図３は第２種複合モジュールとなる複合モジュール１Ｂの構成を示す説明図である。複合モジュール１Ｂは複合モジュール１の第２の態様となる。同図に示すように、図２と同様のコンバータ部１０，インバータ部２０は複合位置関係を有し、第１側面（図中上側）にＡＣ入力端子７Ｒ，７Ｓ及び７Ｔを設け、第２側面（図中下側）にコンバータ出力端子８Ｐ及び８Ｎ並びに外部端子１８（隣接外部端子）を設けている。
複合モジュール１は上述した端子群ピッチ設定を有することにより、主としてコンバータ部１０の内部レイアウトのみを変更することにより、上記第１及び第２の端子群における一方側面及び他方側面の位置関係が互いに反対となる複合モジュール１Ａと複合モジュール１Ｂとを選択的に製造することができる。
したがって、複合モジュール１として、複合モジュール１Ａ及び１Ｂを比較的簡単に選択形成することができるため、複合モジュール１の利用形態に応じて、複合モジュール１Ａ及び１Ｂのうち、コンバータ出力端子８Ｐ，８Ｎ間に介挿するＰ−Ｎ間コンデンサ、ＡＣ入力端子７Ｒ，７Ｓ及び７Ｔ用の入力フィルタの配置等、各基板構成で配線パターンが引きやすい端子構成の複合モジュール１を適宜選択することができる。
このように、複合モジュール１Ａ及び複合モジュール１Ｂのうち、外部接続時において、外部素子等との電気的接続用の配線が行い易い複合モジュール１を適宜選択することができるため、本実施の形態の複合モジュール１（複合モジュール１Ａあるいは複合モジュール１Ｂ）を含む全体回路を比較的簡単に形成することができる効果を奏する。
＜実施の形態２＞
図４はこの発明の実施の形態２である複合モジュール２の構成を示す説明図である。同図に示すように、複合モジュール２はコンバータ部１０及びインバータ部２０に加え、さらに、ブレーキ部３０を封止樹脂内に一体化して内蔵している。なお、ブレーキ部３０を設けた以外の構成は、図１〜図３で示した実施の形態１の複合モジュール１と同様である。
図５は図４で示したコンバータ部１０、インバータ部２０及びブレーキ部３０の等価回路を示す回路図である。
同図に示すように、コンバータ部１０はコンバータ出力端子８Ｐ及び８Ｎ間に介挿される、ダイオードＤ１〜Ｄ３及びＤ４〜Ｄ６により構成される。具体的には、ダイオードＤ１〜Ｄ３それぞれのカソードがコンバータ出力端子８Ｐに共通に接続され、ダイオードＤ１〜Ｄ３のアノードとダイオードＤ４〜Ｄ６のカソードとが電気的に接続され、ダイオードＤ４〜Ｄ６それぞれのアノードがコンバータ出力端子８Ｎに共通に接続される。そして、ダイオードＤ１〜Ｄ３のアノード，ダイオードＤ４〜Ｄ６のカソード間の各中間接続点にＡＣ入力端子７Ｒ，７Ｓ及び７Ｔが設けられる。ＡＣ入力端子７Ｒ，７Ｓ及び７ＴはＲ相、Ｓ相及びＴ相の交流信号が入力される。
一方、インバータ部２０は、各々が一単位のインバータ部を構成する３つのアーム部である、Ｕ相回路部５Ｕ、Ｖ相回路部５Ｖ及びＷ相回路部５Ｗから構成されている。
Ｕ相回路部５ＵはＩＧＢＴ１１及び２１並びにダイオードＤ１１及びＤ２１から構成され、Ｖ相回路部５ＶはＩＧＢＴ１２及び２２並びにダイオードＤ１２及びＤ２２から構成され、Ｗ相回路部５ＷはＩＧＢＴ１３及び２３並びにダイオードＤ１３及びＤ２３から構成される。
Ｕ相回路部５Ｕにおいて、ＩＧＢＴ１１及び２１が直列に接続され、ＩＧＢＴ１１及び２１のコレクタ，エミッタ間にエミッタ側をアノードとしたダイオードＤ１１及びＤ２１が介挿される。Ｖ相回路部５Ｖにおいて、ＩＧＢＴ１２及び２２が直列に接続され、ＩＧＢＴ１２及び２２のコレクタ，エミッタ間にエミッタ側をアノードとしたダイオードＤ１２及びＤ２２が介挿される。Ｗ相回路部５Ｗにおいて、ＩＧＢＴ１３及び２３が直列に接続され、ＩＧＢＴ１３及び２３のコレクタ，エミッタ間にエミッタ側をアノードとしたダイオードＤ１３及びＤ２３が介挿される。
Ｕ相回路部５ＵにおけるＩＧＢＴ１１のコレクタ及びダイオードＤ１１のカソードの接続点であるノードＮ１１、Ｖ相回路部５ＶにおけるＩＧＢＴ１２のコレクタ及びダイオードＤ１２のカソードの接続点であるノードＮ１２、並びにＷ相回路部５ＷにおけるＩＧＢＴ１３のコレクタ及びダイオードＤ１３のカソードの接続点であるノードＮ１３が共通にＤＣ母線端子９Ｐに接続される。
Ｕ相回路部５ＵにおけるＩＧＢＴ２１のエミッタ及びダイオードＤ２１のアノードとの接続点であるノードＮ２１、Ｖ相回路部５ＶにおけるＩＧＢＴ２２のエミッタ及びダイオードＤ２２のアノードの接続点であるノードＮ２２、並びにＷ相回路部５ＷにおけるＩＧＢＴ２３のエミッタ及びダイオードＤ２３のアノードの接続点であるノードＮ２３が共通に、ブレーキ部３０のＩＧＢＴエミッタ端子９Ｎに接続される。
Ｕ相回路部５ＵにおけるＩＧＢＴ１１のエミッタ（ダイオードＤ１１のアノード）及びＩＧＢＴ２１のコレクタ（ダイオードＤ２１のカソード）の接続点であるノードＮ３１、Ｖ相回路部５ＶにおけるＩＧＢＴ１２のエミッタ及びＩＧＢＴ２２のコレクタの接続点であるノードＮ３２、並びにＷ相回路部５ＷにおけるＩＧＢＴ１３のエミッタ及びＩＧＢＴ２３のコレクタの接続点であるノードＮ３３が中間端子３１、３２並びに３３に接続される。これら中間端子３１〜３３はＵ相、Ｖ相及びＲ相用の端子である。
ブレーキ部３０において、ＩＧＢＴ４０のエミッタ（電極）がＩＧＢＴエミッタ端子９Ｎに接続され、コレクタ（電極）がダイオードＤ４１のアノード及びＩＧＢＴコレクタ端子９Ｂに接続される。そして、ダイオードＤ４１のカソードがＤＣ母線端子９Ｐに接続される。
なお、ＩＧＢＴ１１〜１３のゲートにはＩＣ５１〜５３より制御信号が入力され、ＩＧＢＴ２１〜２３のゲートにはＩＣ６１〜６３より制御信号が入力される。また、ＩＧＢＴ４０のゲートにはＩＣ７１より制御信号が入力される。
図４に戻って、実施の形態２の複合モジュール２は、実施の形態１の複合モジュール１と同様、端子群ピッチ設定を有しているため、第１及び第２の端子群の一方側面及び他方側面の位置関係が互いに反対となる第１種及び第２種の複合モジュール２（複合モジュール１Ａ及び１Ｂ相当）を比較的簡単に選択的に得ることができるため、実施の形態１と同様の効果を奏する。
加えて、実施の形態２の複合モジュール２はブレーキ部３０を内蔵することにより、ブレーキ部３０によってモータの回生動作時に発生するエネルギーによる電圧上昇を抑制することができる効果を奏する。具体的には、モータの回生動作時にＩＧＢＴ４０をオンさせることにより、上述した電圧上昇を抑制することができる。
＜実施の形態３＞
図６はこの発明の実施の形態３である複合モジュール３の構成を示す説明図である。同図に示すように、複合モジュール３は実施の形態２の複合モジュール２と同様、コンバータ部１０及びインバータ部２０に加え、さらに、ブレーキ部３０を封止樹脂内に内蔵して一体化している。
そして、複合モジュール３は、ＩＧＢＴ４０のエミッタに電気的に接続されるＩＧＢＴエミッタ端子９Ｎを外部端子１８として、コンバータ出力端子８Ｐ及び８Ｎが設けられる一方主面側にコンバータ出力端子８Ｎに隣接配置している。すなわち、ＩＧＢＴエミッタ端子９Ｎは外部端子１８としてコンバータ出力端子８Ｎから形成ピッチｄ１を隔てた位置に配置され、コンバータ出力端子８Ｐ及び８Ｎと共に第１の端子群に分類される。なお、他の構成は、図４及び図５で示した実施の形態２の複合モジュール２と同様であるため、説明を適宜省略する。
実施の形態３の複合モジュール３は、実施の形態１の複合モジュール１と同様、端子群ピッチ設定を有していることにより、第１及び第２の端子群の一方側面及び他方側面の位置関係が互いに反対となる第１種及び第２種の複合モジュール３（複合モジュール１Ａ及び１Ｂ相当）を比較的簡単に選択的に得ることができるため、実施の形態１と同様の効果を奏する。
加えて、実施の形態３の複合モジュール３はブレーキ部３０を封止樹脂内に内蔵することにより、実施の形態２の複合モジュール２と同様、ブレーキ部３０によってモータの回生動作時に発生するエネルギーによる電圧上昇を抑制することができる効果を奏する。
さらに、実施の形態３の複合モジュール３において、第１の端子群に分類されるＩＧＢＴエミッタ端子９Ｎはコンバータ出力端子８Ｎに隣接配置されるため、ＩＧＢＴエミッタ端子９Ｎ，コンバータ出力端子８Ｐ及び８Ｎ間の外部配線において、他の配線パターンと交差することなく、電気的に接続することができ、複合モジュール３を含む全体回路の配線パターンの引き回しのためのレイアウトが容易になり、設計負荷の低減を図ることができる。
さらに、複合モジュール３は配線パターンが引きやすい端子構成となるため、基板設計時の配線パターンの引き回しを短くすることができるため、複合モジュール３を含む全体回路の小型化及び歩留まりの向上を図ることができる。
加えて、配線パターンの引き回しを短くすることができる分、電力消費を抑えることにより省エネルギー化を図ることができる。
＜実施の形態４＞
図７はこの発明の実施の形態４である複合モジュール４の構成を示す説明図である。同図に示すように、複合モジュール４は実施の形態２の複合モジュール２と同様、コンバータ部１０及びインバータ部２０に加え、さらに、封止樹脂内にブレーキ部３０を内蔵している。
そして、複合モジュール４は、実施の形態３の複合モジュール３と同様、ＩＧＢＴエミッタ端子９Ｎを外部端子１８として、コンバータ出力端子８Ｐ及び８Ｎが設けられる一方主面側に、コンバータ出力端子８Ｎに隣接して形成している。
さらに、複合モジュール４は、ＩＧＢＴ４０のコレクタに電気的に接続され、ＡＣ入力端子７Ｒ，７Ｓ及び７Ｔが設けられる他方主面側にＩＧＢＴコレクタ端子９Ｂ及びＤＣ母線端子９Ｐ（電源端子）を互いに隣接して形成ピッチｄ３隔てて配置している。そして、ＩＧＢＴコレクタ端子９ＢをＡＣ入力端子７Ｔに形成ピッチｄ４隔てて隣接配置している。なお、形成ピッチｄ３，ｄ４は形成ピッチｄ１に一致させても異なる長さに設定しても良い。また、他の構成は、図６で示した実施の形態３の複合モジュール３と同様である。
実施の形態４の複合モジュール４は、実施の形態１の複合モジュール１と同様、端子群ピッチ設定を有することにより、実施の形態１と同様の効果を奏する。
加えて、実施の形態４の複合モジュール４はブレーキ部３０を内蔵することにより、実施の形態２の複合モジュール２と同様の効果を奏し、ＩＧＢＴエミッタ端子９Ｎは、コンバータ出力端子８Ｎと隣接配置されるため、実施の形態３と同様の効果を奏する。
さらに、実施の形態４の複合モジュール４において、ＩＧＢＴコレクタ端子９ＢはＤＣ母線端子９Ｐ（電源端子）と隣接配置されるため、ＩＧＢＴコレクタ端子９Ｂ，ＤＣ母線端子９Ｐ間の外部配線において、他の配線パターンと交差することなく、抵抗等を介挿することができるため、複合モジュール４を含む全体回路の配線パターンの引き回しのためのレイアウトが容易になり、設計負荷の低減を図ることができる。
＜内部レイアウト構成＞
図８は複合モジュール４の内部レイアウト構成例（実装例）を模式的に示す説明図である。以下、同図を参照して、複合モジュール４内のレイアウト構成を説明する。
図８に示すように、コンバータ部１０を構成するために、リード１０１〜１０５を設け、リード１０１，１０３〜１０５はその一部にダイパッド２０１，２０３〜２０５を有している。ダイパッド２０１上にダイオードＤ１〜Ｄ３の裏面電極（カソード）がダイボンドされており、ダイパッド２０３〜２０５上にダイオードＤ４〜Ｄ６の裏面電極（カソード）がダイボンドされている。
そして、ダイオードＤ１〜Ｄ３の表面電極（アノード）がボンディングワイヤＢＷを介してダイパッド２０３〜２０５に電気的に接続され、ダイオードＤ４〜Ｄ６の表面電極（アノード）がボンディングワイヤＢＷを介して共通にリード１０２に電気的に接続される。そして、リード１０１の先端部分がコンバータ出力端子８Ｐとなり、リード１０２の先端部分がコンバータ出力端子８Ｎとなり、リード１０３〜１０５の先端部分がＡＣ入力端子７Ｒ，７Ｓ及び７Ｔとなる。
そして、インバータ部２０及びブレーキ部３０の一部を構成するために、リード１２０〜１２６を設け、リード１２０〜１２３はその一部にダイパッド２２０〜２２３を有している。
ダイパッド２２０上にＩＧＢＴ１１〜１３の裏面電極（コレクタ）、ダイオードＤ１１〜Ｄ１３及びダイオードＤ４１の裏面電極（カソード）がダイボンドされている。ＩＧＢＴ１１〜１３の表面電極（ゲート部分）はボンディングワイヤＢＷを介してＩＣ６０に電気的に接続され、表面電極（エミッタ部分）はボンディングワイヤＢＷを介してダイオードＤ１１〜Ｄ１３の表面電極（アノード）に電気的に接続されている。そして、ダイオードＤ１１〜Ｄ１３の表面電極はボンディングワイヤＢＷを介してリード１２１〜１２３に電気的に接続される。
ダイパッド２２１〜２２３上にＩＧＢＴ２１〜２３の裏面電極（コレクタ）及びダイオードＤ２１〜Ｄ２３の裏面電極（カソード）がダイボンドされている。ＩＧＢＴ２１〜２３の表面電極（ゲート部分）はボンディングワイヤＢＷを介してＩＣ５０に電気的に接続され、表面電極（エミッタ部分）はボンディングワイヤＢＷを介してダイオードＤ２１〜Ｄ２３の表面電極（アノード）に電気的に接続されている。そして、ダイオードＤ２１〜Ｄ２３の表面電極はボンディングワイヤＢＷを介してリード１２４〜１２６に電気的に接続される。そして、リード１２０の先端部分がＤＣ母線端子９Ｐとなる。
さらに、ブレーキ部３０を構成するためにリード１１１及び１１２を設け、リード１１２はその一部にダイパッド２１２を有している。
ダイパッド２１２上にＩＧＢＴ４０の裏面電極（コレクタ）がダイボンドされている。ＩＧＢＴ４０の表面電極（ゲート部分）はボンディングワイヤＢＷを介してＩＣ７１に電気的に接続され、表面電極（エミッタ部分）はボンディングワイヤＢＷを介してリード１１１と電気的に接続される。また、ダイパッド２２０上に設けられたダイオードＤ４１の表面電極（アノード）がリード１１２に電気的に接続される。
そして、リード１１１の先端部分がＩＧＢＴエミッタ端子９Ｎ（外部端子１８）となり、リード１１２の先端部分がＩＧＢＴコレクタ端子９Ｂとなる。
さらに、リード１０１〜１０５，１１１，１１２，１２０〜１２６及び後述するリード群１３１〜１３３の先端部を除いて、全体が封止樹脂８０により樹脂封止されている。すなわち、ダイオードＤ１〜Ｄ６，Ｄ１１〜Ｄ１３，Ｄ２１〜Ｄ２３，Ｄ４０及びＩＧＢＴ１１〜１３，２１〜２３，４０を含むリード１０１〜１０５，１１１，１１２，１２０〜１２６及びリード群１３１〜１３３の大部分を封止樹脂８０により樹脂封止することにより、コンバータ部１０、インバータ部２０及びブレーキ部３０を封止樹脂８０内に一体化して有する複合モジュール４を得ている。
また、ダイパッド２０１，２０３〜２０５、２１２，２２０〜２２３は絶縁シート８１上に形成されている。
ＩＣ５０、ＩＣ６０及びＩＣ７１はダイパッド２５０上にダイボンドされている。ＩＣ５０は図５で示したＩＣ５１〜５３を含んでおり、ＩＣ６０は図５で示したＩＣ６１〜６３を含んでいる。そして、ＩＣ７１に関連するリード群１３１、ＩＣ６０に関連するリード群１３２、ＩＣ５０に関連するリード群１３３がそれぞれ設けられる。なお、Ｄ５１〜Ｄ５３はＩＣ６０のブートストラップ用のダイオードである。ＩＣ５０、ＩＣ６０及びＩＣ７１は、本願発明との関連性が低いため、各部、及び接続関係等の詳細については説明を省略する。
このようなレイアウト構成において、実施の形態１（実施の形態３）で述べたように、リード１０１，１０２，１１１の先端部間を形成ピッチｄ１隔てて隣接配置し、リード１０３〜１０５の先端部間を形成ピッチｄ２（＝ｄ１）隔てて隣接配置している。
さらに、実施の形態４で述べたように、リード１１２，リード１２０の先端部間を形成ピッチｄ３隔てて隣接配置し、リード１１２，リード１０５の先端部間を形成ピッチｄ４隔てて隣接配置している。
図８で示す内部レイアウト構成は、コンバータ部１０が左側に配置される複合位置関係を有し、図７で示した複合モジュール４の第１の構成である第１種の複合モジュール（図２の複合モジュール１Ａに相当）を実現している。
図７及び図８で示した複合モジュール４の第２の構成である第２種の複合モジュール（図３の複合モジュール１Ｂに相当）を実現する場合を考える。
この場合、リード１１１を除く、インバータ部２０及びブレーキ部３０のレイアウト構成（リード１１２（ダイパッド２１２）、リード１２０〜１２６（ダイパッド２２０〜２２３）、ＩＧＢＴ１１〜１３，２１〜２３，４０Ｍ及びダイオードＤ１１〜Ｄ１３，Ｄ２１〜Ｄ２３及びＤ４１）は、図８で示す状態を維持することができる。
そして、リード１０１〜１０５（ダイパッド２０１，２０３〜２０５）の若干の変形、上下配置の変更等、すなわち、主としてコンバータ部１０のみのレイアウト変更のみにより、第２種の複合モジュール４を製造することができる。
このように、複合モジュール４は上述した端子群ピッチ設定を有することにより、主としてコンバータ部１０の内部レイアウトのみを変更することにより、上記第１及び第２の端子群における一方側面及び他方側面の位置関係が互いに反対となる第１種の複合モジュール４（図７，図２参照）と第２種の複合モジュール４（図３参照）とを選択的に製造することができる。なお、実施の形態１の複合モジュール１〜実施の形態３の複合モジュール３についても複合モジュール４と同様に、比較的簡単に第１種及び第２種の複合モジュールを造り分けすることができる。
＜変形例＞
実施の形態１〜実施の形態４の変形例として、複合モジュール１〜４のインバータ部２０におけるパワー素子であるＩＧＢＴ１１〜１３及び２１〜２３の構成材料としてＳｉＣを採用し、複合モジュール２〜４のブレーキ部３０におけるパワー素子であるＩＧＢＴ４０の構成材料としてＳｉＣを採用する変形例が考えられる。
この変形例による複合モジュールは、ＩＧＢＴ１１〜１３，２１〜２３及び４０をＳｉＣを用いて構成することにより、外部端子の端子配列はそのままでモジュールサイズを低減化して複合モジュール１〜４それぞれの小型化を図ることができる効果を奏する。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
１〜４，１Ａ，１Ｂ 複合モジュール、７Ｒ，７Ｓ，７Ｔ ＡＣ入力端子、８Ｎ，８Ｐ コンバータ出力端子、９Ｂ ＩＧＢＴコレクタ端子、９Ｎ ＩＧＢＴエミッタ端子、９Ｐ ＤＣ母線端子、１０ コンバータ部、１１〜１３，２１〜２３，４０ ＩＧＢＴ、１８ 外部端子、２０ インバータ部、３０ ブレーキ部、８０ 封止樹脂、Ｄ１〜Ｄ６，Ｄ１１〜Ｄ１３，Ｄ２１〜Ｄ２３，Ｄ４１ ダイオード。

Claims (5)

  1. コンバータ部及びインバータ部を封止樹脂内に一体化して有する、平面視矩形状の半導体装置であって、
    前記コンバータ部に電気的に接続され、平面視して一方側面側に設けられる外部接続用の複数のコンバータ出力端子と、
    前記コンバータ部に電気的に接続され、平面視して一方側面に対向する他方側面側に設けられる外部接続用の複数のコンバータ入力端子と、
    前記一方側面側に前記複数のコンバータ出力端子に隣接して設けられる外部接続用の隣接外部端子とを備え、
    前記複数のコンバータ出力端子及び前記隣接外部端子が第１の端子群に、前記複数のコンバータ入力端子が第２の端子群に分類され、前記第１及び第２の端子群は同数の端子を有し、
    前記第１の端子群のうち互いに隣接する二つの端子間それぞれの第１の距離と、前記第２の端子群のうち互いに隣接する二つの端子間それぞれの第２の距離とは、同一長に設定されることを特徴とする、
    半導体装置。
  2. 請求項１記載の半導体装置であって、
    前記封止樹脂内に前記コンバータ部及び前記インバータ部と一体化され、前記インバータ部と電気的に接続して設けられるブレーキ部をさらに備える、
    半導体装置。
  3. 請求項２記載の半導体装置であって、
    前記ブレーキ部はＩＧＢＴを有し、
    前記ＩＧＢＴのエミッタ電極に電気的に接続され、前記一方側面側に設けられる外部接続用のＩＧＢＴエミッタ端子をさらに備え、
    前記隣接外部端子は前記ＩＧＢＴエミッタ端子である、
    半導体装置。
  4. 請求項３記載の半導体装置であって、
    前記ＩＧＢＴのコレクタ電極に電気的に接続され、前記他方側面側に設けられる外部接続用のＩＧＢＴコレクタ端子と、
    前記ブレーキ部及び前記インバータ部に電気的に接続され、前記他方側面側に設けられる外部接続用の電源端子とをさらに備え、
    前記ＩＧＢＴコレクタ端子，前記電源端子は互いに隣接配置される、
    半導体装置。
  5. 請求項１から請求項４のうち、いずれか１項に記載の半導体装置であって、
    前記インバータ部は内部に少なくとも一つのパワー素子を有し、
    前記少なくとも一つのパワー素子はＳｉＣを構成材料とする、
    半導体装置。
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