JP5866792B2 - 電力変換装置 - Google Patents

電力変換装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5866792B2
JP5866792B2 JP2011086434A JP2011086434A JP5866792B2 JP 5866792 B2 JP5866792 B2 JP 5866792B2 JP 2011086434 A JP2011086434 A JP 2011086434A JP 2011086434 A JP2011086434 A JP 2011086434A JP 5866792 B2 JP5866792 B2 JP 5866792B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bridge circuit
circuit element
phase
diode
pole side
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011086434A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012222967A (ja
Inventor
幸雄 水越
幸雄 水越
鈴木 健太
健太 鈴木
佐々木 健介
健介 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Motor Co Ltd
Original Assignee
Nissan Motor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Motor Co Ltd filed Critical Nissan Motor Co Ltd
Priority to JP2011086434A priority Critical patent/JP5866792B2/ja
Publication of JP2012222967A publication Critical patent/JP2012222967A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5866792B2 publication Critical patent/JP5866792B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)

Description

本発明は、電力変換装置に関するものである。
各アームにつき、IGBTとダイオードが並列接続で実装され、各相につき、直流端子となる正極端子に接続される上アームと、直流端子となる負極端子に接続される下アームとが実装され、これらの直流端子はIGBT又はダイオードにボンディングワイヤにより接続されているパワー半導体モジュールが知られている(特許文献1)。
特開2008−206243号公報
しかしながら、上記のパワー半導体モジュールでは、図15に示すように、上アーム510において、IGBT511と、当該IGBT511の動作中に動作しないダイオード512とが、正極端子501と端子502との間に配置され、下アーム520において、IGBT521と、当該IGBT521の動作中に動作しないダイオード522とが、端子502と負極端子503との間に配置されているため、各端子と各アーム内の素子とをボンディングワイヤで接続した場合に、図15の矢印に示すように、ボンディングワイヤが長くなり、電気的なインダクタンスが大きくなるという問題があった。
本発明が解決しようとする課題は、各端子と各素子とを接続するための導体の距離を抑制することができる電力変換装置を提供することである。
本発明は、第1のスイッチング素子及び第1のスイッチング素子の順方向と逆向きで当該第1のスイッチング素子と直列接続される第1のダイオードを有する第1のブリッジ回路素子と、第2のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子の順方向と逆向きで当該第2のスイッチング素子と直列接続される第2のダイオードを有する第2のブリッジ回路素子とを並列に配置することをよって上記課題を解決する。
本発明によれば、スイッチング素子と、当該スイッチング素子の動作中に動作するダイオードとが直列で接続されるため、P極側の端子から素子を介してN極側の端子まで接続する導体の距離を抑制することができる。
本発明の実施形態に係る電力変換装置の回路図である。 本発明の実施形態に係る電力変換装置の構造の平面図である。 図2の電力変換装置の構造の側面図である。 図1の回路における、電気角に対する相電流特性を示すグラフである。 図1の回路図に相当し、電気角120〜180度における電流の流れを示す回路図である。 図1の回路図に相当し、電気角180〜240度における電流の流れを示す回路図である。 図1の回路図に相当し、電気角240〜300度における電流の流れを示す回路図である。 従来の三相インバータ回路の回路図である。 図2の電力変換装置の変形例であって、電力変換装置の構造の平面図である。 図2の電力変換装置の変形例であって、電力変換装置の構造の平面図である。 本発明の他の実施形態に係る電力変換装置の構造の平面図である。 図11の電力変換装置の変形例であって、電力変換装置の構造の平面図である。 本発明の他の実施形態に係る電力変換装置の構造の平面図である。 図13の電力変換装置の変形例であって、電力変換装置の構造の平面図である。 従来のパワー半導体モジュールの構造の平面図である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。本例の電力変換装置は、誘導性負荷に接続される装置であり、例えば、モータと直流電源との間に接続されるインバータとして用いられる。
《第1実施形態》
図1は本例の電力変換装置10の回路図である。図2は本例の電力変換装置の構造の概略を示す平面図であり、図3は本例の電力変換装置の概略を示す側面図であり、図2の矢印IIIからみた図に相当する。
図1に示すように、本例の電力変換装置10の回路は、三相のインバータ回路であって、電源ライン101の間に、並列に接続されたブリッジ回路1〜6と、平滑用のコンデンサ7とを備えている。電源ライン101は、直流電源となるバッテリ900に接続されている。また平滑用コンデンサ7は、高電位側の電力ライン101と低電位側の電極ライン101の間に接続されている。ここで、バッテリ900に繋がる高電位側をP極側とし、バッテリ900に繋がる低電位側をN極側とする。
ブリッジ回路1〜6は、一端をP極側の電源ライン101に、他端をN極側の電源ラインに接続され、ブリッジ回路1、ブリッジ回路6、ブリッジ回路3、ブリッジ回路2、ブリッジ回路5及びブリッジ回路4の順で並列に配置されている。ブリッジ回路1、3、5は、IGBT等のスイッチング素子11、31、51(以下、SW11、31、51と称す。)と当該スイッチング素子11、31、51にそれぞれ直列接続されたフライホールドダイオード12、32、52(以下FWD12、32、52と称す。)とをそれぞれ備えている。ブリッジ回路1、3、5において、スイッチング素子11、31、51のコレクタ端子はP極側の電源ライン101に接続され、スイッチング素子11、31、51のエミッタ端子はFWD12、32、52のカソード端子にそれぞれ接続されている。また、FWD12、32、52のアノード端子がN極側の電源ライン101に接続されている。これにより、FWD12、32、52は、SW11、31、51の順方向導通時に流れる電流の向きと逆向きで、SW11、31、51と直列に接続されている。
ブリッジ回路2、4、6は、IGBT等のスイッチン素子21、41、61(以下、SW21、41、61と称す。)と当該スイッチング素子21、41、61にそれぞれ直列接続されたフライホールドダイオード等のダイオード22、42、62(以下FWD22、42、62と称す。)とをそれぞれ備えている。ブリッジ回路2、4、6において、スイッチング素子21、41、61のエミッタ端子はN極側の電源ライン101に接続され、スイッチング素子21、41、61のコレクタ端子はFWD22、42、62のアノード端子にそれぞれ接続されている。また、FWD22、42、62のカソード端子がP極側の電源ライン101に接続されている。これにより、SW21、41、61は、FWD22、42、62の順方向導通時に流れる電流の向きと逆向きで、FWD22、42、62と直列に接続されている。また、FWD22、42、62は、SW11、31、51の順方向導通時に流れる電流の向きと逆向きになるように接続され、FWD12、32、52は、SW21、41、61の順方向導通時に流れる電流の向きと逆向きになるように接続されている。
SW11のエミッタ端子とFWD12のカソード端子との接続点及びSW21のコレクタ端子とFWD22のアノード端子との接続点は後述する中間電極に接続され、図示しないモータのU相ラインと電気的に接続されている。SW31のエミッタ端子とFWD32のカソード端子との接続点及びSW41のコレクタ端子とFWD42のアノード端子との接続点は後述する中間電極に接続され、図示しないモータのV相ラインと電気的に接続されている。SW51のエミッタ端子とFWD52のカソード端子との接続点及びSW61のコレクタ端子とFWD62のアノード端子との接続点は後述する中間電極に接続され、図示しないモータのW相ラインと電気的に接続されている。
ここで、ブリッジ回路1の相をU+相、ブリッジ回路2の相をU−相、ブリッジ回路3の相をV+相、ブリッジ回路4の相をV−相、ブリッジ回路5の相をW+相、ブリッジ回路6の相をW−相と称す。
各SW11〜61のゲート端子は、本例のインバータ回路を制御する制御部(図示しない)に電気的に接続されており、当該制御部から各ゲート端子に入力されるスイッチング信号で、各SW11〜61はオン及びオフを切り替える。
図2に示すように、本例の電力変換装置10は、基板102と、P極側の共通電極103と、N極側の共通電極104と、中間電極1051〜1056と、ブリッジ回路素子201〜206とを備えている。共通電極103、104及び中間電極1051〜1056は基板上に設けられ、共通電極103、104は、電源ライン101を介して、バッテリ900の正極及び負極にそれぞれ接続され、中間電極1051〜1056はモータ(図示しない)に接続されている。ブリッジ回路素子201〜206はブリッジ回路1〜6を構成する素子であり、各ブリッジ回路素子201〜206には、SW11〜61及びFWD12〜62が、それぞれ並べられている。共通電極103、104は、ブリッジ回路素子201〜206の配列方向に沿った形状で、それぞれ形成されている。各中間電極1051〜1056は、一定の間隔をもって基板上に設けられ、それぞれの中間電極1051〜1056は電気的に導通しない状態で配置されている。共通電極103、104及び中間電極1051〜1056は、基板上で並列に配置されている。なお、図2において、ブリッジ回路素子205及びブリッジ回路素子204の構成は省略されているが、ブリッジ回路素子201、203及びブリッジ回路素子206、202と同様に、それぞれ構成されている。
本例の電力変換装置10では、U+相のブリッジ回路素子201の隣に、W−相のブリッジ回路素子206が配置し、W−相のブリッジ回路素子206、V+のブリッジ回路素子203、U−相のブリッジ回路素子202、W+相のブリッジ回路素子205及びV−相のブリッジ回路素子204の順に並ぶように、各回路の素子が基板102上に設けられている。本例において、ブリッジ回路素子201〜206は、電気角順であるU相、V相、W相の順ではなく、U相とV相の間に、U相とV相とは異なる相であるW相を配置する。また、任意の相の「+(プラス)」相のブリッジ回路素子201、203、205の隣には、任意の相の「−(マイナス)」相のブリッジ回路素子202、204、206を配置する。
図2及び図3に示すように、共通電極103、104及び中間電極1051〜1056は、同一平面上に形成されている。SW11、31、51の下面電極及びFWD22、42、62の下面電極はP極側の共通電極103に接続されている。SW11の上面電極は配線106により中間電極1051に電気的に接続され、同様に、FWD62の上面電極は中間電極1052に、SW31の上面電極は中間電極1053に、FWD22の上面電極は中間電極1054に、SW51の上面電極は中間電極1055に、FWD42の上面電極は中間電極1056に、ボンディングワイヤ等の配線106を介してそれぞれ電気的に接続されている。
またFWD12の下面電極は中間電極1051に、SW61の下面電極は中間電極1052に、FWD32の下面電極は中間電極1053に、SW21の下面電極は中間電極1054に、FWD52の下面電極は中間電極1055に、SW41の下面電極は中間電極1056に、それぞれ接続されている。FWD12、32、52及びSW22、42、62の上面電極は、ボンディングワイヤ等の配線107により、N極側の共通電極104に電気的に接続されている。すなわち、ブリッジ回路1〜6のP極側の端子及びN極側の端子が共通電極103、104により共通化され、各相のSW11、31、51及びFWD22、42、62はP極側の共通電極103上に実装され、各相のFWD12、32、52及びSW21、41、61は、対応する中間電極1051〜1056上にそれぞれ実装される。
次に、図4〜6を用いて、本例の電力変換装置の回路動作について説明する。図4は各相における電気角に対する相電流の特性を示し、図5は電気角120〜180度における回路動作を説明するための回路図であり、図6は電気角180〜240度における回路動作を説明するための回路図であり、図7は電気角240〜300度における回路動作を説明するための回路図である。なお、図5〜7の回路図は、図1の回路図と同様であり、図4の電気角の区間aにおける電流が図5の矢印に相当し、図4の電気角の区間bにおける電流が図6の矢印に相当し、図4の電気角の区間cにおける電流が図7の矢印に相当する。
上記のように、本例は3相のインバータ回路であり、図4に示すように、各相に流れる電流の位相は、120度ずつ遅れる。電気角120〜180度の間において、ブリッジ回路1〜6に流れる電流は、図5に示すように、U+相のブリッジ回路1においてはSW11のコレクタ端子及びFWD12のアノード端子からSW11とFWD12との接続点に向かって流れ、V+相のブリッジ回路3においてはSW31のコレクタ端子及びFWD32のアノード端子からSW31とFWD32との接続点に向かって流れ、図示しないモータを流れる。そして、図示しないモータからの電流が、W−相のブリッジ回路6において、SW61とFWD62との接続点からSW61のエミッタ端子及びFWD62のカソード端子に向かって流れる。一方、ブリッジ回路2、4、5には、電流が流れない。
電気角180〜240度の間において、ブリッジ回路1〜6に流れる電流は、図6に示すように、V+相のブリッジ回路3においてはSW31のコレクタ端子及びFWD32のアノード端子からSW31とFWD32との接続点に向かって流れ、図示しないモータを流れる。そして、図示しないモータからの電流が、W−相のブリッジ回路6において、SW61とFWD62との接続点からSW61のエミッタ端子及びFWD62のカソード端子に向かって流れ、U−相のブリッジ回路2において、SW21とFWD22との接続点からSW21のエミッタ端子及びFWD22のカソード端子に向かって流れる。一方、ブリッジ回路1、4、5には、電流が流れない。
電気角240〜300度の間において、ブリッジ回路1〜6に流れる電流は、図7に示すように、V+相のブリッジ回路3においてはSW31のコレクタ端子及びFWD32のアノード端子からSW31とFWD32との接続点に向かって流れ、W+相のブリッジ回路5においてはSW51のコレクタ端子及びFWD52のアノード端子からSW51とFWD52との接続点に向かって流れ、図示しないモータを流れる。そして、図示しないモータからの電流が、U−相のブリッジ回路2において、SW21とFWD22との接続点からSW21のエミッタ端子及びFWD22のカソード端子に向かって流れる。一方、ブリッジ回路1、4、6には、電流が流れない。
ところで、本例とは異なり、図8に示すような三相インバータ回路における回路動作について説明する。当該三相インバータ回路の各相のブリッジ回路811は、スイッチング素子81と当該スイッチング素子81と逆方向に並列に接続するダイオードと82とを有する上アーム801と、スイッチング素子83と当該スイッチング素子83と逆方向に並列に接続するダイオード84とを有する下アーム802との直列回路により形成される。他の相のブリッジ回路812、813も、ブリッジ回路811と同様な回路構成である。このような回路において、電気角120〜180度の間に、U相及びV相の電流は、スイッチング素子81及びダイオード84に流れ、スイッチング素子83及びダイオード82には流れない。またW相の電流は、スイッチング素子83及びダイオード82に流れ、スイッチング素子81及びダイオード84には流れない。すなわち、図8に示すインバータ回路では、任意の電気角において、動作している半導体素子(相電流が流れるスイッチング素子又はダイオード)と、動作していない半導体素子(相電流が流れないスイッチング素子又はダイオード)とが混在して複雑に結線されることで、各ブリッジ回路811〜813が構成されている。
一方、本例の電力変換装置10では、図5〜図7に示すように、任意の電気角において、各ブリッジ回路1〜6は、動作しているSW11〜61と動作しているFWD12〜62とを直列に接続することにより構成され、また、動作していないSW11〜61と動作していないFWD12〜62とを直列に接続することにより構成される。さらに、各ブリッジ回路素子201〜206は、図2及び図3で表示されるように、動作しているSW11〜61と動作しているFWD12〜62同士を結線することで構成され、動作していないSW11〜61と動作していないFWD12〜62同士を結線することで構成され、基板上に配置される。これにより、本例は、図8に示す回路素子の構成と比較して、各ブリッジ回路素子201〜206において、動作している素子と動作していない素子とが混在して結線されないため、ブリッジ回路素子201〜206の素子を結線する導体を短くすることができる。また、各ブリッジ回路素子201〜206の端子と電極間とを接続する導体の距離を短くすることができる。
また、本例と異なり、図8に示すインバータ回路では、各相のブリッジ回路811〜813は、動作していない素子の回路と動作している回路とを含んでいる。そのため、各相のブリッジ回路811〜813の間を接続する際には、ブリッジ回路811〜813の間を接続する導体の距離が長くなる。一方、本例の電力変換装置10では、図2及び図5〜図7に示すように、任意の電気角において、電流が流れているブリッジ回路素子201〜206同士が並べて基板上に配置され、電流が流れていないブリッジ回路素子201〜206同士が並べて基板上に配置される。これにより、本例は、動作しているブリッジ回路同士を近づけて結線されるため、接続導体の距離を短くすることができる。
上記のように、本例の電力変換装置は、SW11、31、51とFWD12、32、52とを有するブリッジ回路素子201、203、205と、SW21、41、61とFWD22、42、62とを有するブリッジ回路素子202、204、206とを備え、ブリッジ回路素子201、203、205とブリッジ回路素子202、204、206とは、基板上で並列に配置されている。これにより、動作していない素子同士、または、動作している素子同士が結線され、それぞれのブリッジ回路素子201〜206が構成されるため、ブリッジ回路素子201〜206内での、素子同士を接続する導体距離を短くすることができ、インダクタンスを小さくすることができる。各ブリッジ回路素子201〜206が並列に配置されるため、ブリッジ回路間を接続するための導体距離を短くすることができ、インダクタンスを小さくすることができる。その結果として、本例は、またSW11〜61をオン及びオフ動作する際に生じるサージ電圧を抑制することができる。
また本例は、多相のうち一相に含まれるブリッジ回路素子201〜206の隣に、当該一相と異なる他相に含まれるブリッジ回路素子201〜206を配置する。これにより、任意の電気角において、隣合うブリッジ回路素子201〜206間で、互いの電流が打ち消し合うため、コンデンサ7に流れる電流を小さくすることができ、コンデンサ7における損失を抑制することができる。
また本例は、電気角の順序で配置されたブリッジ回路素子201、203(または、ブリッジ回路素子203、205)の間に、これらブリッジ回路素子とは異なる相のブリッジ回路素子206(または、ブリッジ回路素子202)を配置する。これにより、任意の電気角において、動作する素子を有するブリッジ回路素子201〜206同士を並列に配置し、動作しない素子を有するブリッジ回路素子201〜206同士を並列に配置するため、各ブリッジ回路素子201〜206を近づけて接続することができ、各ブリッジ回路素子201〜206間を接続する導体の距離を短くすることができる。
また、図5〜7に示すように、動作しているブリッジ回路素子201〜206において、対向する電流が近づいて流れるため、各相間で互いに電流を打ち消し合うことができ、コンデンサでの損失を抑制することができる。
また本例は、P極側の共通電極103、N極側の共通電極104及び複数の中間電極1051〜1056を、基板上で並列を配置して、ブリッジ回路素子201〜206を、これら電極を介して基板上に実装する。これにより、P極側の共通電極103とN極側の共通電極104を接続する導体の距離を短くすることができる。また、各電極において、各素子との接続点の間の距離を短くすることができる。
なお本例の電力変換装置10は、三相のインバータ回路構成に限らず、五相などの他相のインバータ回路構成でもよい。
なお本例において、N極側の共通電極104を基板上102の端部に配置するが、図9に示すように、共通電極104を基板102の中央部分に配置し、中間電極1051〜1056を基板102の端部に配置してもよい。これにより、中間電極1051〜1056が基板102の端部に設けられるため、中間電極1051〜1056と図示しないモータとを接続し易くすることができる。図9は本例の変形例に係る電力変換装置の構造の概略を示す平面図である。
さらに、本例は、図10に示すように、SW11、31、51及びFWD22、42、62の上面電極にN極側の共通電極104を設けることで、基板102の主面方向において、P極側の共通電極103とN極側の共通電極104とが重なるように配置してもよい。これにより、P極側の共通電極103及びN極側の共通電極104を基板102上の端部に配置することができため、平滑用のコンデンサ7と共通電極103、104とを接続し易くすることができる。図10は本例の変形例に係る電力変換装置の構造の概略を示す平面図である。
上記SW11、31、51が本発明に係る「第1のスイッチング素子」に相当し、FWD12、32、52が「第1のダイオード」に、ブリッジ回路素子201、203、205が「第1のブリッジ回路素子」に、SW21、41、61が本発明に係る「第2のスイッチング素子」に相当し、FWD22、42、62が「第2のダイオード」に、ブリッジ回路素子202、204、206が「第2のブリッジ回路素子」に相当する。
《第2実施形態》
図11は発明の他の実施形態に係る電力変換装置の構造の概略を示す平面図である。本例では上述した第1実施形態に対して、基板上におけるブリッジ回路素子201〜206、共通電極103、104及び中間電極1051〜1056のレイアウトが異なる。これ以外の構成は上述した第1実施形態と同じであるため、その記載を適宜、援用する。
本例は、図11に示すように、基板102の外周部分に、周囲を囲う形状に形成された共通電極103が設けられ、当該共通電極103の外縁より内側にブリッジ回路素子201〜206が実装されている。また基板102の中央部分には、中間電極1051〜1056が、それぞれ分離して設けられている。基板102の一方には、U+相のブリッジ回路素子201、W−相のブリッジ回路素子206、V+相のブリッジ回路素子203、U−相のブリッジ回路素子202、W+相のブリッジ回路素子205及びV−相のブリッジ回路素子204が、当該順番で一列に配置され、基板102の他方には、U−相のブリッジ回路素子202、W+相のブリッジ回路素子205、V−相のブリッジ回路素子204、U+相のブリッジ回路素子201、W−相のブリッジ回路素子206及びV+相のブリッジ回路素子203が、当該順番で一列に配置されている。基板102上の中央部分において、ブリッジ回路素子201とブリッジ202回路素子は、同相になるように向かい合って配置され、他のブリッジ回路素子203〜206についても、同様に同相になるように向かい合って配置されている。そして、ブリッジ回路201〜206の外側の素子であるSW及びFWDの上面電極には、囲繞に形成された共通電極104が設けられている。
上記のように、本例において、基板102上に一方に設けられるブリッジ回路素子201〜206の回路素子列及び他方に設けられるブリッジ回路素子201〜206の回路素子列は、それぞれの回路素子列に含まれるブリッジ回路201〜206が、同相でそれぞれ向かいように配置されている。これにより、同相の中間電極1051〜1056を基板102上の中央部分に配置することができるため、中間電極1051〜1056と図示しないモータとを接続し易くすることができる。
なお、本例は、図12に示すように、図11の中央電極1051と中央電極1052とを一体化させ、中央電極1053と中央電極1054とを一体化させ、中央電極1055と中央電極1056とを一体化させ、それぞれ同一電極にしてもよい。これにより、中央電極1051〜1056のコストを抑制することができる。
なお本例において、ブリッジ回路素子201〜206は12個に限らず、13個以上又は12個未満であってもよい。また図12の上端に配置されたブリッジ回路素子201、202の下端に配置されたブリッジ回路203、204とが連続した回路素子列になるように、基板102の上端部と下端部とを連結し、基板102を円筒状に形成してもよい。
なお、基板102の一方に設けられたブリッジ回路素子201〜206の列が本発明の「第1のブリッジ回路素子列」に相当し、基板102の他方に設けられたブリッジ回路素子201〜206の列が本発明の「第2のブリッジ回路素子列」に相当する。
なお本例では、各素子をベアチップとして電極に実装した例を示しているが、あらかじめパッケージングされたディスクリート型のパワー半導体素子を用いてもよい。これにより、各素子と電極とを容易に接続することができる。また、ディスクリート型の半導体素子は取り扱い性が良く、量産効果により廉価な製品を作ることができるため、製造コストの低減が図ることができる。上記のディスクリート型パワー半導体素子の内部構造については、平面置きで縦並びにする配置や、横並びにする配置、複数段重ねにする配置等により構成することができ、ディスクリート型パワー半導体素子と各部電極の接続性を考慮することで任意の方向に、電極を引き出すことができる。
《第3実施形態》
図13は発明の他の実施形態に係る電力変換装置の構造の概略を示す平面図である。本例では上述した第1実施形態に対して、基板上におけるブリッジ回路素子201〜206、共通電極103、104及び中間電極1051〜1056のレイアウトが異なる。これ以外の構成は上述した第1実施形態と同じであるため、その記載を適宜、援用する。
本例は、図13に示すように、基板102の一方に、V−相のブリッジ回路素子204、W+相のブリッジ回路素子205及びU−相のブリッジ回路素子202を一列に配置し、基板102の他方に、U+相のブリッジ回路素子201、W−相のブリッジ回路素子206及びV+相のブリッジ回路素子203を一列に配置する。SW11、31、51及びFWD22、42、62を基板102の中央部に向けて配置し、SW21、41、61及びFWD12、32、52を基板102の側方に向けて配置する。そして、共通電極103、104を基板102上の中央部分に、各中間電極1051〜1056を基板102上の端部に配置する。すなわち、基板102上において、ブリッジ回路素子201〜206は、U+、W−、V+、U−、W+、V−の順番で環状に配置される。
上記のように本例は、ブリッジ回路素子205とブリッジ回路素子202、204とを交互に列状に配置し、ブリッジ回路素子201、203とブリッジ回路素子206とを交互に列状に配置する。そして、ブリッジ回路素子201〜206に含まれる素子が、ブリッジ回路素子202、204、205により形成される素子の列とブリッジ回路素子201、203、206により形成される回路列との間の中心点に対して点対称になるよう配置され、ブリッジ回路素子202、204、205により形成される素子の列の各相と、ブリッジ回路素子201、203、206により形成される回路列の各相とが、当該中心点に対して点対称になるように、ブリッジ回路素子201〜206が基板上に配置される。
これにより、本例は、動作している素子同士と、動作していない素子同士とが集まるように、ブリッジ回路素子201〜206が基板上に実装されるため、任意の電気角において、各相間で互いに電流を打ち消し合うことができ、コンデンサでの損失を抑制することができる。
なお、本例は、図13に示すような、三相のインバータ回路素子の構造に限らず、図14に示すように、五相のインバータ回路素子の構造でもよく、三相、五相以外の他の多相のインバータ回路素子の構造でもよい。
図14に示すように、五相のインバータ回路素子を有する電力変換装置10は、基板102の一方に、ブリッジ回路素子206、209、204、207、202の順で一列に配置し、基板102の他方に、ブリッジ回路素子201、208、203、210、205の順で一列に配置する。なお、ブリッジ回路素子207、208、209、210は、それぞれX+相、X−相、Y+相、Y−相に相当する。これにより、基板102上において、ブリッジ回路素子201〜210は、U+、X−、V+、Y−、W+、U−、X+、V−、Y+、W−の順番で環状に配置される。
なお、上記において、図13に示すブリッジ回路素子202、204、205又は図14に示すブリッジ回路素子202、204、206、207、209により形成される素子の列が本発明の「第1のブリッジ回路素子列」に相当し、図13に示すブリッジ回路素子201、203、206又は図14に示すブリッジ回路素子201、203、205、208、210により形成される素子の列が本発明の「第2のブリッジ回路素子列」に相当する。
10…電力変換装置
1〜6…ブリッジ回路
7…コンデンサ
11、21、31、41、51、61…スイッチング素子(SW)
12、22、32、42、52、62…フライホールドダイオード(FWD)
101…電源ライン
102…基板
103、104…共通電極
1051〜1056…中間電極
106、107…配線
81、83…スイッチング素子
82、84…ダイオード
801…上アーム
802…下アーム
811〜813…ブリッジ回路
201〜210…ブリッジ回路素子
501…正極端子
502…端子
503…負極端子
511、521…IGBT
512、522…ダイオード
510…上アーム
520…下アーム
900…バッテリ

Claims (4)

  1. 多相の交流モータに電力を供給する電力変換装置において、
    電源ラインのP極側に接続される第1のスイッチング素子と、前記第1のスイッチング素子の順方向導通時に流れる電流の向きと逆向きで、一端が前記第1のスイッチング素子に直列接続され、他端が前記電源ラインのN極側に接続される第1のダイオードとを有する第1のブリッジ回路素子と、
    前記第1のスイッチング素子の順方向導通時に流れる電流の向きと逆向きで、P極側に接続される第2のダイオードと、前記第2のダイオードの順方向導通時に流れる電流の向きと逆向きで、一端が前記第2のダイオードに直列接続され、他端が前記電源ラインのN極側に接続される第2のスイッチング素子とを有する第2のブリッジ回路素子とを備え、
    前記第1のブリッジ回路素子は、前記第2のブリッジ回路素子と並列に配置されており、
    複数の前記第1のブリッジ回路素子のうち、並列に配置された少なくとも二つの前記第1のブリッジ回路素子の間には、前記二つの第1のブリッジ回路素子の相と異なる相の前記第2のブリッジ回路素子が配置されている
    ことを特徴とする電力変換装置。
  2. 多相の交流モータに電力を供給する電力変換装置において、
    電源ラインのP極側に接続される第1のスイッチング素子と、前記第1のスイッチング素子の順方向導通時に流れる電流の向きと逆向きで、一端が前記第1のスイッチング素子に直列接続され、他端が前記電源ラインのN極側に接続される第1のダイオードとを有する第1のブリッジ回路素子と、
    前記第1のスイッチング素子の順方向導通時に流れる電流の向きと逆向きで、P極側に接続される第2のダイオードと、前記第2のダイオードの順方向導通時に流れる電流の向きと逆向きで、一端が前記第2のダイオードに直列接続され、他端が前記電源ラインのN極側に接続される第2のスイッチング素子とを有する第2のブリッジ回路素子とを備え、
    前記第1のブリッジ回路素子は、前記第2のブリッジ回路素子と並列に配置されており、
    複数の前記第1のブリッジ回路素子のうち、電気角の順序で並列に配置された少なくとも二つの前記第1のブリッジ回路素子の間には、前記二つの第1のブリッジ回路素子の相と異なる相の前記第2のブリッジ回路素子が配置されている
    ことを特徴とする電力変換装置。
  3. 多相の交流モータに電力を供給する電力変換装置において、
    電源ラインのP極側に接続される第1のスイッチング素子と、前記第1のスイッチング素子の順方向導通時に流れる電流の向きと逆向きで、一端が前記第1のスイッチング素子に直列接続され、他端が前記電源ラインのN極側に接続される第1のダイオードとを有する第1のブリッジ回路素子と、
    前記第1のスイッチング素子の順方向導通時に流れる電流の向きと逆向きで、P極側に接続される第2のダイオードと、前記第2のダイオードの順方向導通時に流れる電流の向きと逆向きで、一端が前記第2のダイオードに直列接続され、他端が前記電源ラインのN極側に接続される第2のスイッチング素子とを有する第2のブリッジ回路素子と、
    前記第1のブリッジ回路素子及び前記第2のブリッジ回路素子を交互に列状に並べた第1のブリッジ回路素子列と、
    前記第1のブリッジ回路素子及び前記第2のブリッジ回路素子を交互に列状に並べた第2のブリッジ回路素子列とを備え、
    前記第1のブリッジ回路素子及び第2のブリッジ回路素子は、
    前記第1のスイッチング素子と前記第1のダイオードとの接続点、及び前記第2のスイッチング素子と前記第2のダイオードとの接続点に、それぞれ接続される複数の中間電極を有し、
    前記第1のブリッジ回路素子列及び前記第2のブリッジ回路素子列は、
    前記第1のブリッジ回路素子及び前記第2のブリッジ回路素子が、前記第1のブリッジ回路素子列と前記第2のブリッジ回路素子列との間の中心点に対して点対称になるように配置され、かつ、
    前記第1のブリッジ回路素子列の前記中間端子の各相と、前記第2のブリッジ回路素子列の前記中間端子とが、前記中心点に対して点対称になるように配置されている
    ことを特徴とする電力変換装置。
  4. 前記第1のブリッジ回路素子及び第2のブリッジ回路素子は、
    電源ラインのP極側に接続される共通のP極側の共通電極と、
    電源ラインのN極側に接続される共通のN極側の共通電極とを有し、
    前記P極側の共通電極、前記N極側の共通電極及び前記複数の中間電極は、並列に配置されていることを特徴とする
    請求項に記載の電力変換装置。
JP2011086434A 2011-04-08 2011-04-08 電力変換装置 Active JP5866792B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011086434A JP5866792B2 (ja) 2011-04-08 2011-04-08 電力変換装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011086434A JP5866792B2 (ja) 2011-04-08 2011-04-08 電力変換装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012222967A JP2012222967A (ja) 2012-11-12
JP5866792B2 true JP5866792B2 (ja) 2016-02-17

Family

ID=47273918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011086434A Active JP5866792B2 (ja) 2011-04-08 2011-04-08 電力変換装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5866792B2 (ja)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4004715B2 (ja) * 2000-05-31 2007-11-07 三菱電機株式会社 パワーモジュール
JP4293246B2 (ja) * 2007-02-19 2009-07-08 株式会社日立製作所 電力変換装置
FR2947949B1 (fr) * 2009-07-08 2012-03-02 Centre Nat Rech Scient Module electronique de puissance

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012222967A (ja) 2012-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2884650B1 (en) Power module comprising two elements, and three-level power conversion device using same
JP6160780B2 (ja) 3レベル電力変換装置
JP5724314B2 (ja) パワー半導体モジュール
JP5533068B2 (ja) 半導体装置
JP3173512U (ja) 半導体装置
JP2009284604A (ja) 電力変換装置
US20140218991A1 (en) Semiconductor system
JP6196853B2 (ja) 3レベルコンバータハーフブリッジ
JP2013102627A (ja) 電力変換装置及び電力変換装置における導体の配置方法
JP2014036509A (ja) 3レベル電力変換装置
JP2014217270A (ja) 3レベル電力変換装置用ハーフブリッジ
JP2014064377A (ja) 半導体モジュール
JP6665456B2 (ja) パワー半導体装置
JP5906313B2 (ja) 電力変換装置
JP2007325387A (ja) 電力変換装置
JP5866792B2 (ja) 電力変換装置
JP6765444B2 (ja) 電力変換装置
JP5062029B2 (ja) 半導体装置
JP4246040B2 (ja) 半導体装置の実装体
JPH10285950A (ja) 3レベル電力変換装置の主回路
JP2008099460A (ja) 電力変換装置
JP2017169344A (ja) 電力変換装置
JP6638477B2 (ja) 半導体装置
JP2005354864A (ja) 半導体装置
JP2007288046A (ja) 電力用半導体モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140225

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20141121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141202

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150623

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150820

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151208

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151221

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5866792

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151