JP2016029456A - 低反射シート - Google Patents
低反射シート Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016029456A JP2016029456A JP2015087056A JP2015087056A JP2016029456A JP 2016029456 A JP2016029456 A JP 2016029456A JP 2015087056 A JP2015087056 A JP 2015087056A JP 2015087056 A JP2015087056 A JP 2015087056A JP 2016029456 A JP2016029456 A JP 2016029456A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protrusion
- protrusions
- low reflection
- center
- resin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
【課題】優れた反射率低減効果を発揮することが可能な低反射シートを提供する。【解決手段】着色基材１の少なくとも一方の面側に、多数の突起部３を備える低反射樹脂層２を有し、上記突起部の底面の最大径の平均が２５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内であり、一の上記突起部および上記一の突起部の底面の中心に最も近接した位置に底面の中心を有する他の上記突起部の中心間距離の平均が４００ｎｍ以下であり、上記中心間距離の分散が１００００以上であり、平面視上において上記突起部の底面の中心からの上記突起部の頂部の位置を方位角φで示し、上記突起部の抽出点数をｎ（ｎ≧３０）としたときに、｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜≦０．２５、かつ｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜≦０．２５の関係を満たす低反射シート。【選択図】図１
Description
本発明は、表面に多数の突起部を備える低反射シートに関する。
近年、光の反射を低減させる低反射シートとして、表面に多数の微細凹凸を有するシートが提案されている。微細凹凸を有する低反射シートは、モスアイ構造の原理を利用して、入射光に対する屈折率の急激な変化をなくすことで、物質界面での不連続な屈折率変化に起因する光の反射を抑制し、反射率を低減させる機能を有する。
このような低反射シートは、光透過性、遮光性等の機能に応じて様々な用途に適用されている。
光透過性を有する低反射シートは、例えば画像表示装置の出光面上に配置することで、表示装置の画面における日光等の外光反射を低減し、画像視認性を向上させることができる（特許文献１）。また、低反射シートの微細凹凸が形成された面上に酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透明導電層が設けられた透明導電性積層体は、タッチパネルに用いられるタッチパネル電極として用いることで、タッチパネル電極および隣接する各種部材間での光の反射を防止することができる（特許文献２）。
一方、遮光性を有する低反射シートは、例えば合成皮革として用いることで、表面のマット感がより鮮明となり、外観や質感、意匠性を向上させることができる。また、デジタルカメラなどの光学機器用のシャッター羽根表面に上記低反射シートを用いることで、撮像素子への外光照射を抑止することができる。
光透過性を有する低反射シートは、例えば画像表示装置の出光面上に配置することで、表示装置の画面における日光等の外光反射を低減し、画像視認性を向上させることができる（特許文献１）。また、低反射シートの微細凹凸が形成された面上に酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透明導電層が設けられた透明導電性積層体は、タッチパネルに用いられるタッチパネル電極として用いることで、タッチパネル電極および隣接する各種部材間での光の反射を防止することができる（特許文献２）。
一方、遮光性を有する低反射シートは、例えば合成皮革として用いることで、表面のマット感がより鮮明となり、外観や質感、意匠性を向上させることができる。また、デジタルカメラなどの光学機器用のシャッター羽根表面に上記低反射シートを用いることで、撮像素子への外光照射を抑止することができる。
しかし、遮光性を有する低反射シートにおいては、十分な反射率低減効果が得られていないという問題があった。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、優れた反射率低減効果を発揮することが可能な低反射シートを提供することを主目的とする。
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、シートの表面に付される凹凸形状を微細化することで反射率低減効果が向上することを見出したが、単に凹凸構造を微細化しただけでは、その効果が十分に発揮されないという問題があることを更に見出した。そして、上記問題が、低反射シートの表面に付される個々の凸部（突起部)および凹部（溝部）の形状および配置の規則性により生じることを知得した。本発明は、このような知得に基づくものである。
すなわち、本発明は、着色基材の少なくとも一方の面側に、多数の突起部を備える低反射樹脂層を有し、上記突起部の底面の最大径の平均が２５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内であり、一の上記突起部および上記一の突起部の底面の中心に最も近接した位置に底面の中心を有する他の上記突起部の中心間距離の平均が４００ｎｍ以下であり、上記中心間距離の分散が１００００以上であり、上記低反射樹脂層の上記突起部を有する面内の長さ方向および幅方向をｘ軸方向およびｙ軸方向で規定し、平面視上において上記突起部の底面の中心からの上記突起部の頂部の位置を方位角φ（０°≦φ＜３６０°）で示し、上記突起部の抽出点数をｎ（ｎ≧３０）としたときに、｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜≦０．２５、かつ｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜≦０．２５の関係を満たすことを特徴とする低反射シートを提供する。
本発明によれば、着色基材の色を呈する低反射シートの表面に、形状および配置位置に所望のばらつきを有する突起部が多数形成されていることから、突起部において光を多数回反射させることができ、また、干渉によって特定の波長光の強度が強まるのを抑制することができる。さらに、上記突起部においては、光の多数回反射により低反射樹脂層内に光が吸収されるのに加えて、ミー散乱による低反射樹脂層への光の吸収も起こるため、反射率を低下させることができる。
このため、本発明の低反射シートは、優れた反射率低減効果を発揮することができる。
このため、本発明の低反射シートは、優れた反射率低減効果を発揮することができる。
上記発明においては、上記着色基材および上記低反射樹脂層が一体化した単一層であることが好ましい。単一層とすることで、製造工程の簡略化や材料費の低減を図ることができるからである。
本発明の低反射シートは、表面に有する多数の突起部について、形状および配置位置に所望のばらつきを付与することで、優れた反射率低減効果を発揮できるという効果を奏する。
以下、本発明の低反射シートについて詳細に説明する。
本発明の低反射シートは、着色基材の少なくとも一方の面側に、多数の突起部を備える低反射樹脂層を有し、上記突起部の底面の最大径の平均が２５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内であり、一の上記突起部および上記一の突起部の底面の中心に最も近接した位置に底面の中心を有する他の上記突起部の中心間距離（以下、最近接中心間距離と称する場合がある。）の平均が４００ｎｍ以下であり、上記中心間距離の分散が１００００以上であり、上記低反射樹脂層の上記突起部を有する面内の長さ方向および幅方向をｘ軸方向およびｙ軸方向で規定し、平面視上において上記突起部の底面の中心からの上記突起部の頂部の位置を方位角φ（０°≦φ＜３６０°）で示し、上記突起部の抽出点数をｎ（ｎ≧３０）としたときに、｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜≦０．２５、かつ｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜≦０．２５の関係を満たすことを特徴とするものである。
本発明の低反射シートは、着色基材の少なくとも一方の面側に、多数の突起部を備える低反射樹脂層を有し、上記突起部の底面の最大径の平均が２５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内であり、一の上記突起部および上記一の突起部の底面の中心に最も近接した位置に底面の中心を有する他の上記突起部の中心間距離（以下、最近接中心間距離と称する場合がある。）の平均が４００ｎｍ以下であり、上記中心間距離の分散が１００００以上であり、上記低反射樹脂層の上記突起部を有する面内の長さ方向および幅方向をｘ軸方向およびｙ軸方向で規定し、平面視上において上記突起部の底面の中心からの上記突起部の頂部の位置を方位角φ（０°≦φ＜３６０°）で示し、上記突起部の抽出点数をｎ（ｎ≧３０）としたときに、｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜≦０．２５、かつ｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜≦０．２５の関係を満たすことを特徴とするものである。
本発明の低反射シートについて図面を参照しながら説明する。図１は本発明の低反射シートの一例を示す概略断面図であり、図２は低反射樹脂層の一例を示す概略断面拡大図である。また、図３は本発明における突起部の頂部の方位角φを説明する説明図であり、図３（ａ）は突起部の側面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のｚ軸方向から見たときの、すなわち突起部の頂部側からの平面視における突起部の頂部の位置を説明する説明図である。
図１に示すように、本発明の低反射シート１０は、着色基材１の少なくとも一方の面側に低反射樹脂層２を有するものである。また、図１および図２に例示するように、低反射樹脂層２の表面のうち、着色基材１と接する面に対向する表面上には、形状および配置位置に所望のばらつきを有する多数の突起部３を備える。
ここで、多数の突起部が有する所望のばらつきとは、３つのパラメータを定量化することで規定される。第１のパラメータは、突起部の大きさによるものである。すなわち、図２に示すように、突起部３の底面の最大径Ｒの平均が２５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内である。
第２のパラメータは、隣接する突起部の位置関係によるものである。すわなち、図２に示すように、一の突起部３Ａおよび一の突起部３Ａの底面の中心Ｏに最も近接した位置に底面の中心Ｏを有する他の突起部３Ｂの中心間距離Ｌの平均が４００ｎｍ以下であり、中心間距離Ｌの分散が１００００以上である。
第３のパラメータは、突起部の頂点が示す方向によるものである。すなわち、図３に示すように、低反射樹脂層２の突起部３を有する面内の長さ方向および幅方向をｘ軸方向およびｙ軸方向で規定し、平面視上において突起部３の底面の中心Ｏからの突起部３の頂部Ｔの位置を方位角φ（０°≦φ＜３６０°）で示し、突起部３の抽出点数をｎ（ｎ≧３０）としたときに、｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜≦０．２５、かつ｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜≦０．２５の関係を満たす。
図１に示すように、本発明の低反射シート１０は、着色基材１の少なくとも一方の面側に低反射樹脂層２を有するものである。また、図１および図２に例示するように、低反射樹脂層２の表面のうち、着色基材１と接する面に対向する表面上には、形状および配置位置に所望のばらつきを有する多数の突起部３を備える。
ここで、多数の突起部が有する所望のばらつきとは、３つのパラメータを定量化することで規定される。第１のパラメータは、突起部の大きさによるものである。すなわち、図２に示すように、突起部３の底面の最大径Ｒの平均が２５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内である。
第２のパラメータは、隣接する突起部の位置関係によるものである。すわなち、図２に示すように、一の突起部３Ａおよび一の突起部３Ａの底面の中心Ｏに最も近接した位置に底面の中心Ｏを有する他の突起部３Ｂの中心間距離Ｌの平均が４００ｎｍ以下であり、中心間距離Ｌの分散が１００００以上である。
第３のパラメータは、突起部の頂点が示す方向によるものである。すなわち、図３に示すように、低反射樹脂層２の突起部３を有する面内の長さ方向および幅方向をｘ軸方向およびｙ軸方向で規定し、平面視上において突起部３の底面の中心Ｏからの突起部３の頂部Ｔの位置を方位角φ（０°≦φ＜３６０°）で示し、突起部３の抽出点数をｎ（ｎ≧３０）としたときに、｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜≦０．２５、かつ｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜≦０．２５の関係を満たす。
遮光性を有する従来の低反射シートにおいては、十分な反射率低減効果が得られていないという問題があった。本発明者が上記問題について検討したところ、シートの表面に付される凹凸形状を微細化することで反射率低減効果が向上することを見出した。
しかし、本発明者が上記問題について更に鋭意検討を重ねた結果、以下の理由から単に凹凸形状を微細化しただけでは、反射率低減効果が十分に得られないことを知得した。
すなわち、一般に低反射シートの表面に付される微細凹凸は、個々の凸部（突起部)および凹部（溝部）の形状や配置に規則性を有し、面全体として所望の表面粗さを有するものである。しかし、上記微細凹凸の有する上記規則性によっては、光が干渉し合うことで特定の波長光の強度が強まり、干渉縞が発生する等といった不具合が生じてしまう。このため、上記不具合の発生により反射率低減効果が阻害されるものと推量される。
しかし、本発明者が上記問題について更に鋭意検討を重ねた結果、以下の理由から単に凹凸形状を微細化しただけでは、反射率低減効果が十分に得られないことを知得した。
すなわち、一般に低反射シートの表面に付される微細凹凸は、個々の凸部（突起部)および凹部（溝部）の形状や配置に規則性を有し、面全体として所望の表面粗さを有するものである。しかし、上記微細凹凸の有する上記規則性によっては、光が干渉し合うことで特定の波長光の強度が強まり、干渉縞が発生する等といった不具合が生じてしまう。このため、上記不具合の発生により反射率低減効果が阻害されるものと推量される。
本発明によれば、着色基材の色を呈する低反射シートの表面には、形状および配置位置に所望のばらつきを有する突起部が多数形成された低反射樹脂層を有することから、上記突起部に入射した光を多数回反射させて低反射樹脂層へ吸収させることができ、反射率を低下させることができる。
また、多数の突起部が所望のばらつきを有することで、干渉によって特定の波長光の強度が強まるのを抑制することができる。
さらに、多数の突起部が所望のばらつきを有することで、上記突起部、中でも突起部の頂部においては、多数回反射により低反射樹脂層へ光が吸収されるのに加えて、突起部の形状により光をミー散乱させることで、低反射樹脂層への光の吸収量をさらに増加させることができ、反射率をより低減させることが可能となる。これは、ミー散乱が「前方散乱が強い」、「波長依存性が小さい」といった特長を有することによるものである。
すなわち、ミー散乱は前方散乱が強いため、突起部に入射した光は低反射樹脂層内で散乱されることとなり、散乱光を低反射樹脂層へ吸収させることができるからである。また、ミー散乱は波長依存性が小さいため、可視光領域３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの全域の光を散乱させ、その散乱光を低反射樹脂層に吸収させることが可能となるからである。
これにより、本発明の低反射シートは優れた反射率低減効果を発揮することができる。
また、多数の突起部が所望のばらつきを有することで、干渉によって特定の波長光の強度が強まるのを抑制することができる。
さらに、多数の突起部が所望のばらつきを有することで、上記突起部、中でも突起部の頂部においては、多数回反射により低反射樹脂層へ光が吸収されるのに加えて、突起部の形状により光をミー散乱させることで、低反射樹脂層への光の吸収量をさらに増加させることができ、反射率をより低減させることが可能となる。これは、ミー散乱が「前方散乱が強い」、「波長依存性が小さい」といった特長を有することによるものである。
すなわち、ミー散乱は前方散乱が強いため、突起部に入射した光は低反射樹脂層内で散乱されることとなり、散乱光を低反射樹脂層へ吸収させることができるからである。また、ミー散乱は波長依存性が小さいため、可視光領域３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの全域の光を散乱させ、その散乱光を低反射樹脂層に吸収させることが可能となるからである。
これにより、本発明の低反射シートは優れた反射率低減効果を発揮することができる。
以下、本発明の低反射シートにおける各構成について説明する。
Ａ．低反射樹脂層
本発明における低反射樹脂層は、着色基材の少なくとも一方の面側に有し、多数の突起部を備えるものである。
また、低反射樹脂層が備える突起部は、その形状および配置位置に所望のばらつきを有するものである。
本発明における低反射樹脂層は、着色基材の少なくとも一方の面側に有し、多数の突起部を備えるものである。
また、低反射樹脂層が備える突起部は、その形状および配置位置に所望のばらつきを有するものである。
１．突起部
突起部は、その形状および配置位置に所望のばらつきを有するものであり、多数の突起部が有するばらつきの程度により、本発明の低反射シートの反射率低減効果が決定される。
ここで、突起部の形状および配置位置のばらつきは、突起部の大きさ、隣接する突起部の位置関係、突起部の頂点が示す方向の３つのパラメータを定量化することで規定される。
以下、各パラメータの定量化方法、および上記定量化方法により規定される各パラメータについて説明する。
突起部は、その形状および配置位置に所望のばらつきを有するものであり、多数の突起部が有するばらつきの程度により、本発明の低反射シートの反射率低減効果が決定される。
ここで、突起部の形状および配置位置のばらつきは、突起部の大きさ、隣接する突起部の位置関係、突起部の頂点が示す方向の３つのパラメータを定量化することで規定される。
以下、各パラメータの定量化方法、および上記定量化方法により規定される各パラメータについて説明する。
（１）パラメータの定量化方法
本発明における突起部の形状および配置位置のばらつきは、低反射樹脂層上に備わる多数の突起部のうち、所望の点数を抽出して算出され、定量化される。
突起部の抽出は、走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：SEM）や原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：AFM）等を用い、倍率１００００倍、視野範囲を縦４μｍ×横４μｍとして低反射シートの突起部を有する面側から平面視観察を行い、上記視野範囲における突起部の面内配列を画像で検出し、その中から所望の点数を抽出する方法を用いる。
本発明における突起部の形状および配置位置のばらつきは、低反射樹脂層上に備わる多数の突起部のうち、所望の点数を抽出して算出され、定量化される。
突起部の抽出は、走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：SEM）や原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：AFM）等を用い、倍率１００００倍、視野範囲を縦４μｍ×横４μｍとして低反射シートの突起部を有する面側から平面視観察を行い、上記視野範囲における突起部の面内配列を画像で検出し、その中から所望の点数を抽出する方法を用いる。
本発明における各パラメータは、１つの視野範囲あたりの突起部の最低抽出点数を３０点として算出したものである。突起部の抽出点数は多いほど好ましく、抽出点数は３０点以上、中でも５０点以上であることが好ましい。また、突起部の抽出を行うための上記視野範囲の検出数は、低反射シートの突起部を備える面の所望の単位面積（２５００ｍｍ２）当たり３箇所以上、中でも５箇所以上、特に１０箇所以上であることが好ましい。
抽出点数および視野範囲の検出数を上記範囲で規定することで、３つのパラメータをより高い精度で定量化することができ、突起部の形状および配置位置のばらつきを正確に規定することができるからである。
抽出点数および視野範囲の検出数を上記範囲で規定することで、３つのパラメータをより高い精度で定量化することができ、突起部の形状および配置位置のばらつきを正確に規定することができるからである。
各パラメータは、以下の（ａ）〜（ｆ）の手順により定量化される。
（ａ）まず、走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：SEM）や原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：AFM）を用いて突起部の面内配列を検出する。検出された面内配列から、所望の点数の突起部を抽出し、各突起部の高さの極大点および極小点を検出する。なお、極大点および極小点を求める方法としては、平面視形状と対応する断面形状の拡大写真とを逐次対比して求める方法、平面視拡大写真の画像処理によって求める方法等、種々の手法を適用することができる。このとき得られた極大点を「突起部の頂部」と定義する。
（ａ）まず、走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：SEM）や原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：AFM）を用いて突起部の面内配列を検出する。検出された面内配列から、所望の点数の突起部を抽出し、各突起部の高さの極大点および極小点を検出する。なお、極大点および極小点を求める方法としては、平面視形状と対応する断面形状の拡大写真とを逐次対比して求める方法、平面視拡大写真の画像処理によって求める方法等、種々の手法を適用することができる。このとき得られた極大点を「突起部の頂部」と定義する。
（ｂ）ＳＥＭ画像やＡＦＭ画像から、極大点を囲む極小点の集合を突起部の根元とし、根元の形状を決定するために上記根元の形状を多角形や円形に近似する。根元の形状とは、根元の輪郭の平面視形状（輪郭形状）であり、上記輪郭により囲まれた領域である。近似の際、部分的に途切れている線は補完する。補完する方法は、ある閾値を設けて、閉空間を作る方法を取る。近似された根元の輪郭形状としては、各パラメータを特定可能な形状であれば特に限定されるものではなく、例えば円、楕円等の丸形状、五角形、六角形、八角形、十二角形等の多角形状等とすることができる。
根元の形状の近似は、画像から形状を近似する際に用いられる従来公知の方法を適用することができ、上記方法については特に限定されないが、具体的な方法としては、例えば、テンプレートマッチング、一般化ハフ変換、Douglas-Peucker法等の方法を用いることができる。
テンプレートマッチングは、予め形状を表現したテンプレートを準備し、画像認識の対象となる画像データに対してテンプレートを移動させながら相関係数等の類似度の指標を調べることによって画像データに含まれる形状を認識する技術である。テンプレートマッチングによる画像近似手法については、例えば、「中田崇行、包躍、藤原直史:“三次元環境におけるLog-Polar変換を用いた図形認識”,電気情報通信学会論文誌（D-II）, Vol.88, No.6, pp.985-993(2005.6)」、「斎藤文彦:“部分ランダム探索と適応型探索による半導体チップ画像テンプレートマッチング”, 精密工学会誌, Vol.61, No.11, pp.1604-1608(1995.11)」に開示される。
また、一般化ハフ変換は、無限に存在する直線の中から画像データ内の特徴点を最も多く通る直線を決定するハフ変換を一般化して曲線に応用したものであり、この一般化ハフ変換によっても、事前に用意した参照用のテーブルを利用して画像データの形状認識を行うことができる。一般化ハフ変換による画像近似手法については、例えば、「Ballad,D.H.: “GENERALIZING THE HOUGH TRANSFORM TO DETECT ARBITRARY SHAPES”, Pattern Recognition, Vol.13, No.2, pp.111-122(1981)」や、「木村彰男，渡辺孝志：“アフィン変換に不変な任意図形検出法として拡張された一般化ハフ変換”, 電気情報通信学会誌(D-II), Vol. J84-D-II, No. 5, pp.789-798(2001.5)」に開示される。
Douglas-Peucker法は、折れ線近似によって形状認識を行う手法である。Douglas-Peucker法による画像近似手法については、例えば、「Wu, S.T, M.R.G:“A non-self-intersection Douglas-Peucker Algorithm”, Proceeding of Sixteenth Brazilian Symposium on Computer Graphics and Image Processing, IEEE, pp.60-66(2003)」に開示される。
得られた多角形等の近似形状を「突起部の底面の形状」と定義する。また、以下の方法により特定される、突起部の底面の最も幅広の部分の長さを、「突起部の底面の最大径（以下、単に最大径とする場合がある。）」とし、上記最大径の中心を「突起部の底面の中心（以下、単に中心とする場合がある。）と定義する。
（ｃ）突起部の底面の形状から、突起部の底面の中心を特定する。突起部の底面の中心は、一般的な線形代数の計算で求めることができる。例えば、突起部の底面の形状が正円である場合、円周上の３点を結ぶ三角形を描き、三角形のうち二辺の垂直２等分線をそれぞれ引いた交点を円の中心とすることができる。また、突起部の底面の形状が楕円である場合、楕円の外周上の２点を結ぶ２本の線分を平行となるように引き、平行する２本の線分の各中点を結び、結んだ線分の中点を中心とすることができる。
さらに突起部の底面の形状が多角形である場合、突起部の底面の中心は、以下の方法で算出できる。
（ｉ）まず、多角形の１つの頂点から、上記１つの頂点に隣接する２つの頂点を除く他の各頂点へ対角線を結び、複数の三角形に分割する。
（ｉｉ）分割された各三角形の重心を求める。
（ｉｉｉ）次に、各三角形の重心を結び多角形を形成する。
（ｉｖ）突起部の底面の形状が奇数角形の場合、（ｉｉｉ）において形成される多角形が三角形となるまで、（ｉ）〜（ｉｉｉ）の操作を繰り返す。一方、突起部の底面の形状が偶数角形の場合、（ｉｉｉ）において形成される多角形が四角形となるまで、（ｉ）〜（ｉｉｉ）の操作を繰り返す。
（ｖ）上述の（ｉ）〜（ｉｖ）の操作により、分割された各三角形の重心から形成された形状が三角形となる場合、上記三角形の重心が突起部の底面の中心（重心）となる。
一方、上述の（ｉ）〜（ｉｖ）の操作により、分割された各三角形の重心から形成された形状が四角形となる場合、以下の方法で上記四角形の重心を求める。まず、上記四角形を１つの対角線で２つの三角形に分割し、２つの三角形の各重心を求め、２つの重心を直線で結ぶ。次に、四角形を別の対角線で２つの三角形に分割して２つの三角形の各重心を求め、２つの重心を直線で結ぶ。２本の直線の交点が突起部の底面の中心（重心）となる。
根元の形状の近似は、画像から形状を近似する際に用いられる従来公知の方法を適用することができ、上記方法については特に限定されないが、具体的な方法としては、例えば、テンプレートマッチング、一般化ハフ変換、Douglas-Peucker法等の方法を用いることができる。
テンプレートマッチングは、予め形状を表現したテンプレートを準備し、画像認識の対象となる画像データに対してテンプレートを移動させながら相関係数等の類似度の指標を調べることによって画像データに含まれる形状を認識する技術である。テンプレートマッチングによる画像近似手法については、例えば、「中田崇行、包躍、藤原直史:“三次元環境におけるLog-Polar変換を用いた図形認識”,電気情報通信学会論文誌（D-II）, Vol.88, No.6, pp.985-993(2005.6)」、「斎藤文彦:“部分ランダム探索と適応型探索による半導体チップ画像テンプレートマッチング”, 精密工学会誌, Vol.61, No.11, pp.1604-1608(1995.11)」に開示される。
また、一般化ハフ変換は、無限に存在する直線の中から画像データ内の特徴点を最も多く通る直線を決定するハフ変換を一般化して曲線に応用したものであり、この一般化ハフ変換によっても、事前に用意した参照用のテーブルを利用して画像データの形状認識を行うことができる。一般化ハフ変換による画像近似手法については、例えば、「Ballad,D.H.: “GENERALIZING THE HOUGH TRANSFORM TO DETECT ARBITRARY SHAPES”, Pattern Recognition, Vol.13, No.2, pp.111-122(1981)」や、「木村彰男，渡辺孝志：“アフィン変換に不変な任意図形検出法として拡張された一般化ハフ変換”, 電気情報通信学会誌(D-II), Vol. J84-D-II, No. 5, pp.789-798(2001.5)」に開示される。
Douglas-Peucker法は、折れ線近似によって形状認識を行う手法である。Douglas-Peucker法による画像近似手法については、例えば、「Wu, S.T, M.R.G:“A non-self-intersection Douglas-Peucker Algorithm”, Proceeding of Sixteenth Brazilian Symposium on Computer Graphics and Image Processing, IEEE, pp.60-66(2003)」に開示される。
得られた多角形等の近似形状を「突起部の底面の形状」と定義する。また、以下の方法により特定される、突起部の底面の最も幅広の部分の長さを、「突起部の底面の最大径（以下、単に最大径とする場合がある。）」とし、上記最大径の中心を「突起部の底面の中心（以下、単に中心とする場合がある。）と定義する。
（ｃ）突起部の底面の形状から、突起部の底面の中心を特定する。突起部の底面の中心は、一般的な線形代数の計算で求めることができる。例えば、突起部の底面の形状が正円である場合、円周上の３点を結ぶ三角形を描き、三角形のうち二辺の垂直２等分線をそれぞれ引いた交点を円の中心とすることができる。また、突起部の底面の形状が楕円である場合、楕円の外周上の２点を結ぶ２本の線分を平行となるように引き、平行する２本の線分の各中点を結び、結んだ線分の中点を中心とすることができる。
さらに突起部の底面の形状が多角形である場合、突起部の底面の中心は、以下の方法で算出できる。
（ｉ）まず、多角形の１つの頂点から、上記１つの頂点に隣接する２つの頂点を除く他の各頂点へ対角線を結び、複数の三角形に分割する。
（ｉｉ）分割された各三角形の重心を求める。
（ｉｉｉ）次に、各三角形の重心を結び多角形を形成する。
（ｉｖ）突起部の底面の形状が奇数角形の場合、（ｉｉｉ）において形成される多角形が三角形となるまで、（ｉ）〜（ｉｉｉ）の操作を繰り返す。一方、突起部の底面の形状が偶数角形の場合、（ｉｉｉ）において形成される多角形が四角形となるまで、（ｉ）〜（ｉｉｉ）の操作を繰り返す。
（ｖ）上述の（ｉ）〜（ｉｖ）の操作により、分割された各三角形の重心から形成された形状が三角形となる場合、上記三角形の重心が突起部の底面の中心（重心）となる。
一方、上述の（ｉ）〜（ｉｖ）の操作により、分割された各三角形の重心から形成された形状が四角形となる場合、以下の方法で上記四角形の重心を求める。まず、上記四角形を１つの対角線で２つの三角形に分割し、２つの三角形の各重心を求め、２つの重心を直線で結ぶ。次に、四角形を別の対角線で２つの三角形に分割して２つの三角形の各重心を求め、２つの重心を直線で結ぶ。２本の直線の交点が突起部の底面の中心（重心）となる。
（ｄ）突起部の底面の最大径により突起部の大きさを規定する。突起部の底面の最大径の長さの決定は、ＳＥＭ画像やＡＦＭ画像のスケールのピクセルサイズとピクセル数との対比から算出する。上記最大径は、突起部の底面の形状において最も幅広の部分であり、上記底面の中心を通り上記底面の形状の外周上の２点を結ぶ線分の長さのうち、最も幅広の線分をいう。具体的には、底面の形状が正円の場合では、上記最大径とは正円の直径をいい、底面の形状が楕円の場合では、上記最大幅とは楕円の中心を通過して外周上の２点間を結ぶ線分のうち、最も長い線分をいう。また、底面の形状が多角形の場合では、上記最大径とは、多角形の中心を通過して多角形の外周上の２点間を結ぶ線分のうち、最も長い線分をいう。
算出した最大径を統計処理することで、突起部の底面の最大径の平均値および分散を求める。統計処理には既存の表計算ソフトを使用する。なお、上記最大径の平均値および分散を求める際には、外れ値を除外することが望ましい。外れ値とは、以下の計算式によって算出される標準化得点の絶対値が３以上をいう。
標準化得点＝(個々の突起部の最大径−最大径の平均値)／標準偏差
算出した最大径を統計処理することで、突起部の底面の最大径の平均値および分散を求める。統計処理には既存の表計算ソフトを使用する。なお、上記最大径の平均値および分散を求める際には、外れ値を除外することが望ましい。外れ値とは、以下の計算式によって算出される標準化得点の絶対値が３以上をいう。
標準化得点＝(個々の突起部の最大径−最大径の平均値)／標準偏差
（ｅ）次に、各突起部の位置を座標化する。突起部の位置とは、「突起部の底面の中心の位置」を意味する。
まず、ＳＥＭ画像やＡＦＭ画像内の所望の位置に原点を設定する。例えば、ＳＥＭ画像やＡＦＭ画像中の左下を原点とする。次に、上記原点から上記画像内において低反射シートのシート面、すなわち低反射樹脂層の突起部を有する面内の長さ方向に相当する一方向をｘ軸、幅方向に相当する一方向をｙ軸と規定する。このように画像を座標平面とすることで、各突起部の位置を座標化することができる。
突起部の位置の座標から、特定の一の突起部と隣接する複数の突起部との突起部間の距離、すなわち中心間距離を算出する。中心間距離は以下の計算式によって算出され、算出される中心間距離のうち、最小の距離が「最近接中心間距離」と定義される。
中心間距離＝｛（ｘ１−ｘ２）２＋（ｙ１−ｙ２）２｝１／２｝
なお、式中のｘ１およびｙ１は、特定の一の突起部の位置を示すｘ座標およびｙ座標である。また、ｘ２およびｙ２は、上記特定の一の突起部に隣接する突起部の位置を示すｘ座標およびｙ座標である。
上記中心間距離は、ＳＥＭ画像またはＡＦＭ画像のスケールのピクセルサイズとピクセル数との対比から算出する。
上記の方法で各突起部の最近接中心間距離を抽出し、既存の表計算ソフトで統計処理することにより、最近接中心間距離の平均値および分散を計算する。なお、最近接中心間距離の平均値および分散を求める際には外れ値を除外することが望ましい。外れ値とは、以下の計算式によって算出される標準化得点の絶対値が３以上をいう。
標準化得点＝(個々の突起部の最近接中心間距離−最近接中心間距離の平均値)／標準偏差
まず、ＳＥＭ画像やＡＦＭ画像内の所望の位置に原点を設定する。例えば、ＳＥＭ画像やＡＦＭ画像中の左下を原点とする。次に、上記原点から上記画像内において低反射シートのシート面、すなわち低反射樹脂層の突起部を有する面内の長さ方向に相当する一方向をｘ軸、幅方向に相当する一方向をｙ軸と規定する。このように画像を座標平面とすることで、各突起部の位置を座標化することができる。
突起部の位置の座標から、特定の一の突起部と隣接する複数の突起部との突起部間の距離、すなわち中心間距離を算出する。中心間距離は以下の計算式によって算出され、算出される中心間距離のうち、最小の距離が「最近接中心間距離」と定義される。
中心間距離＝｛（ｘ１−ｘ２）２＋（ｙ１−ｙ２）２｝１／２｝
なお、式中のｘ１およびｙ１は、特定の一の突起部の位置を示すｘ座標およびｙ座標である。また、ｘ２およびｙ２は、上記特定の一の突起部に隣接する突起部の位置を示すｘ座標およびｙ座標である。
上記中心間距離は、ＳＥＭ画像またはＡＦＭ画像のスケールのピクセルサイズとピクセル数との対比から算出する。
上記の方法で各突起部の最近接中心間距離を抽出し、既存の表計算ソフトで統計処理することにより、最近接中心間距離の平均値および分散を計算する。なお、最近接中心間距離の平均値および分散を求める際には外れ値を除外することが望ましい。外れ値とは、以下の計算式によって算出される標準化得点の絶対値が３以上をいう。
標準化得点＝(個々の突起部の最近接中心間距離−最近接中心間距離の平均値)／標準偏差
（ｆ）次に、突起部の底面の中心から頂部の位置を方位角φ（０°≦φ＜３６０°）で示すことにより、突起部の頂点が示す方向を規定する。方位角φは、突起部の位置を座標化した際に設定した座標平面の平面視上において、ｘ軸に対して突起部の中心および頂部を結ぶ辺が成す角度で規定される。
抽出した各突起部について方位角φを決定し、突起部の各方位角φのｃｏｓ値の和を抽出点数で割った値の絶対値、および各方位角φのｓｉｎ値の和を抽出点数で割った値の絶対値を算出する。この算出は既存の表計算ソフトを使用する。
抽出した各突起部について方位角φを決定し、突起部の各方位角φのｃｏｓ値の和を抽出点数で割った値の絶対値、および各方位角φのｓｉｎ値の和を抽出点数で割った値の絶対値を算出する。この算出は既存の表計算ソフトを使用する。
突起部の底面の「中心」および「最大径」は、上述の規定方法により規定されることから、近似された上記底面の形状に応じて「中心」を「重心」と言い換えることができ、また、「最大径」を「最大幅」と言い換えることができる。
同様に、隣接する突起部の「最近接中心間距離」を「最近接重心間距離」と言い換えることができ、方位角φを定義する「突起部の底面の中心からの上記突起部の頂部の位置」を、「突起部の底面の重心からの上記突起部の頂部の位置」と言い換えることができる。
すなわち、上記突起部の底面は、上記底面の重心を通る最大幅の平均が２５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内であり、一の上記突起部と、上記一の突起部の底面の重心に最も近接した位置に底面の重心を有する他の上記突起部と、の重心間距離の平均が４００ｎｍ以下であり、上記重心間距離の分散が１００００以上であり、上記低反射樹脂層の上記突起部を有する面内の長さ方向および幅方向をｘ軸方向およびｙ軸方向で規定し、平面視上において上記突起部の底面の重心からの上記突起部の頂部の位置を方位角φ（０°≦φ＜３６０°）で示し、上記突起部の抽出点数をｎ（ｎ≧３０）としたときに、｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜≦０．２５、かつ｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜≦０．２５の関係を満たす。
同様に、隣接する突起部の「最近接中心間距離」を「最近接重心間距離」と言い換えることができ、方位角φを定義する「突起部の底面の中心からの上記突起部の頂部の位置」を、「突起部の底面の重心からの上記突起部の頂部の位置」と言い換えることができる。
すなわち、上記突起部の底面は、上記底面の重心を通る最大幅の平均が２５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内であり、一の上記突起部と、上記一の突起部の底面の重心に最も近接した位置に底面の重心を有する他の上記突起部と、の重心間距離の平均が４００ｎｍ以下であり、上記重心間距離の分散が１００００以上であり、上記低反射樹脂層の上記突起部を有する面内の長さ方向および幅方向をｘ軸方向およびｙ軸方向で規定し、平面視上において上記突起部の底面の重心からの上記突起部の頂部の位置を方位角φ（０°≦φ＜３６０°）で示し、上記突起部の抽出点数をｎ（ｎ≧３０）としたときに、｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜≦０．２５、かつ｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜≦０．２５の関係を満たす。
各パラメータの定量化において算出される分散の値は、一般に平均値から算出される値、すなわち測定値と測定値の平均値との差の二乗平均の和を抽出点数で割ることで算出される値である。
（２）パラメータ
次に、本発明における突起部の形状および配置位置のばらつきを規定する各パラメータについて説明する。
次に、本発明における突起部の形状および配置位置のばらつきを規定する各パラメータについて説明する。
（ａ）突起部の大きさ
突起部の大きさとは、突起部の底面の最大径（最大幅）をいい、図２および図４（ａ）においてＲで示す部分である。なお、図４は本発明の低反射シートにおける突起部を有する表面の平面ＳＥＭ画像であり、図４（ａ）中のＴは突起部の頂部を示す。
突起部の大きさとは、突起部の底面の最大径（最大幅）をいい、図２および図４（ａ）においてＲで示す部分である。なお、図４は本発明の低反射シートにおける突起部を有する表面の平面ＳＥＭ画像であり、図４（ａ）中のＴは突起部の頂部を示す。
本発明においては、突起部の底面の最大径の平均は２５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内であればよく、中でも３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。突起部の底面の最大径の平均が上記範囲よりも大きいと、ミー散乱よりも幾何光学散乱が支配的になるため、前方散乱が起こりにくくなり、低反射樹脂層への光の吸収が小さくなり、所望の反射率低減効果が得られない場合があるからである。これは、球形粒子では幾何光学散乱が支配する直径は数μｍ以上であるが、突起形状での散乱は異なる挙動を示し、本発明においては、突起部の底面が上記範囲内に最大径を有する形状である場合に、ミー散乱が支配的になると推測されるからである。
また、低反射樹脂層の単位面積あたりの突起部の個数が減少するため多数回反射が生じにくくなり、反射率を低減させることが困難となる場合があるからである。
一方、突起部の底面の最大径の平均が上記範囲よりも小さいと、レイリー散乱が支配的になるため、前方散乱が起こりにくくなり、低反射樹脂層への光の吸収が小さくなる場合があるからである。
また、低反射樹脂層の単位面積あたりの突起部の個数が減少するため多数回反射が生じにくくなり、反射率を低減させることが困難となる場合があるからである。
一方、突起部の底面の最大径の平均が上記範囲よりも小さいと、レイリー散乱が支配的になるため、前方散乱が起こりにくくなり、低反射樹脂層への光の吸収が小さくなる場合があるからである。
突起部の底面の最大径の平均が上記範囲内にあるとき、上記突起部の底面の最大径の分散としては、１００００以上であることが好ましい。干渉によって特定の波長の光の強度が強まる不具合を抑制できるためである。上記分散の上限については特に限定されず、製造上設計可能な範囲で設定することができ、例えば１８０００以下であることが好ましい。
突起部の底面の最大径の分散の単位はｎｍ２となる。
突起部の底面の最大径の分散の単位はｎｍ２となる。
（ｂ）隣接する突起部の位置関係
突起部の位置とは、突起部の底面の中心（重心）の位置をいう。すなわち突起部の底面の最大径（最大幅）の中心の位置をいい、図２、図３においてＯで示す部分である。
本発明においては、隣接する突起部の位置関係は、一の突起部および上記一の突起部の底面の中心（重心）に最も近接した位置に底面の中心（重心）を有する他の突起部の中心（重心）間距離の平均により規定される。
突起部の位置とは、突起部の底面の中心（重心）の位置をいう。すなわち突起部の底面の最大径（最大幅）の中心の位置をいい、図２、図３においてＯで示す部分である。
本発明においては、隣接する突起部の位置関係は、一の突起部および上記一の突起部の底面の中心（重心）に最も近接した位置に底面の中心（重心）を有する他の突起部の中心（重心）間距離の平均により規定される。
ここで、最近接中心間距離は先に説明した方法で算出され定量化されるが、さらに図を示して説明する。すなわち、図４（ｂ）で示すように、突起部３Ａに隣接する突起部のうち、突起部３Ａの中心Ｏと最も近い位置に中心Ｏを有する突起部３Ｂを抽出し、その中心間距離Ｌ１を最近接中心間距離として算出する。次に、突起部３Ｂに隣接する突起部のうち、突起部３Ｂの中心と最も近い位置に中心Ｏを有する突起部３Ｃを抽出し、その中心間距離Ｌ２を最近接中心間距離として算出する。
最近接中心間距離の平均とは、上記操作を繰り返し行い、突起部の抽出点数分の最近接中心間距離の総和を算出し、抽出点数で割ることで算出される。
最近接中心間距離の平均とは、上記操作を繰り返し行い、突起部の抽出点数分の最近接中心間距離の総和を算出し、抽出点数で割ることで算出される。
本発明においては、最近接中心間距離の平均が４００ｎｍ以下であればよく、中でも３６０ｎｍ以下、特に３５０ｎｍ以下であることが好ましい。最近接中心間距離の平均が上記範囲よりも大きいと、隣接する突起部が密接しておらず、突起部が形成されない平坦な領域（以下、非突起部領域と称する場合がある。）が多く存在することとなり、非突起部領域において生じる光の反射により、反射率低減効果が低下する場合がある。
最近接中心間距離の平均の下限については特に限定されず、製造上設計可能な範囲で設定することができ、例えば２８０ｎｍ以上であることが好ましい。
最近接中心間距離の平均の下限については特に限定されず、製造上設計可能な範囲で設定することができ、例えば２８０ｎｍ以上であることが好ましい。
また、最近接中心間距離の平均が上記範囲内にあるときの上記最近接中心間距離の分散は、１００００以上であればよく、中でも１１０００以上、特に１２０００以上であることが好ましい。最近接中心間距離の分散が上記範囲よりも小さいと、多数の突起部が均等なピッチ幅で配置されることとなり、干渉によって特定の波長の光の強度が強まり、所望の反射率低減効果が発揮されにくい場合があるからである。
上記分散の上限については特に限定されず、製造上設計可能な範囲で設定することができ、例えば１４０００以下であることが好ましい。
なお、最近接中心間距離の分散の単位はｎｍ２となる。
上記分散の上限については特に限定されず、製造上設計可能な範囲で設定することができ、例えば１４０００以下であることが好ましい。
なお、最近接中心間距離の分散の単位はｎｍ２となる。
（ｃ）突起部の頂点が示す方向
突起部の頂点が示す方向とは、低反射樹脂層の表面において、突起部の底面の中心（重心）に対して突起部の頂点が位置する方向をいう。
すなわち、図３に示すように、低反射樹脂層の面内の長さ方向および幅方向をｘ軸方向およびｙ軸方向で規定し、平面視上において突起部の底面の中心Ｏからの突起部の頂部Ｔの位置を方位角φ（０°≦φ＜３６０°）で示すことにより、突起部の頂点が示す方向が規定される。方位角φは、先に説明した方法により規定される。
突起部の頂点が示す方向とは、低反射樹脂層の表面において、突起部の底面の中心（重心）に対して突起部の頂点が位置する方向をいう。
すなわち、図３に示すように、低反射樹脂層の面内の長さ方向および幅方向をｘ軸方向およびｙ軸方向で規定し、平面視上において突起部の底面の中心Ｏからの突起部の頂部Ｔの位置を方位角φ（０°≦φ＜３６０°）で示すことにより、突起部の頂点が示す方向が規定される。方位角φは、先に説明した方法により規定される。
本発明においては、低反射樹脂層の面内の長さ方向および幅方向をｘ軸方向およびｙ軸方向と規定し、平面視上における上記突起部の頂部の位置を方位角φで示し、上記突起部の抽出点数をｎ（ｎ≧３０）としたとき、突起部の各方位角φのｃｏｓ値の和を抽出点数で割った値の絶対値（すなわち｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜）、および各方位角φのｓｉｎ値の和を抽出点数で割った値の絶対値（すなわち｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜）の値により、突起部のばらつきを規定することが可能である。
ここで、複数の突起部の頂点が一定の同じ方向を向いて配置される場合、｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜および｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜の値は大きくなる。一方、複数の突起部がそれぞれ異なる方向を向いてランダムに配置される場合、｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜および｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜の値は小さくなる。
本発明においては、｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜≦０．２５、かつ｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜≦０．２５の関係を満たすことで、複数の突起部の頂点が、光の入射角度に因らず反射率の低減が可能となるように、ランダムな方向に向くこととなる。中でも｜（Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ）／ｎ｜≦０．１５、かつ｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜≦０．１５の関係を満たすことが好ましく、特に｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜≦０．１０、かつ｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜≦０．１０の関係を満たすことが好ましい。｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜および｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜の値が上記範囲よりも大きいと、複数の突起部の各頂点が一定の同じ方向を向き、高い規則性を有して配置されることになる。このため、特定の角度から入射される光に対しては、高い反射率で反射してしまい、光の入射角度に応じて反射率の低減の程度に差が生じる場合がある。
なお、抽出点数ｎは３０点以上であればよく、より好適な点数については既に説明した抽出点数と同様である。
本発明においては、｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜≦０．２５、かつ｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜≦０．２５の関係を満たすことで、複数の突起部の頂点が、光の入射角度に因らず反射率の低減が可能となるように、ランダムな方向に向くこととなる。中でも｜（Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ）／ｎ｜≦０．１５、かつ｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜≦０．１５の関係を満たすことが好ましく、特に｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜≦０．１０、かつ｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜≦０．１０の関係を満たすことが好ましい。｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜および｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜の値が上記範囲よりも大きいと、複数の突起部の各頂点が一定の同じ方向を向き、高い規則性を有して配置されることになる。このため、特定の角度から入射される光に対しては、高い反射率で反射してしまい、光の入射角度に応じて反射率の低減の程度に差が生じる場合がある。
なお、抽出点数ｎは３０点以上であればよく、より好適な点数については既に説明した抽出点数と同様である。
（３）その他
突起部の高さとしては、上述のパラメータを備えることが可能な大きさであれば特に限定されないが、例えば、１００ｎｍ〜１０μｍの範囲内が好ましく、中でも３００ｎｍ〜１μｍの範囲内が好ましい。突起部の高さが上記範囲よりも小さい場合、突起部の頂部の曲率が大きくなるため、ミー散乱よりも幾何光学散乱が支配的になり、前方散乱が起こりにくくなるため低反射樹脂層への光の吸収が小さくなる可能性がある。一方、突起部の高さが上記範囲よりも大きい場合、所望の突起部の形状に製造することが困難となる可能性がある。
突起部の高さとは、突起部が形成された低反射樹脂層の表面から突起部の頂点までの長さをいい、図２においてｈ１で示す部分である。突起部の高さは、「（１）パラメータの定量化方法」の項で説明した方法により検出した極大点から、特定の基準位置（例えば突起部の根元位置を高さ＝０とする。）からの各極大点位置の相対的な高さの差を取得してヒストグラム化し、ヒストグラムによる度数分布から算出し、平均化される。
突起部の高さとしては、上述のパラメータを備えることが可能な大きさであれば特に限定されないが、例えば、１００ｎｍ〜１０μｍの範囲内が好ましく、中でも３００ｎｍ〜１μｍの範囲内が好ましい。突起部の高さが上記範囲よりも小さい場合、突起部の頂部の曲率が大きくなるため、ミー散乱よりも幾何光学散乱が支配的になり、前方散乱が起こりにくくなるため低反射樹脂層への光の吸収が小さくなる可能性がある。一方、突起部の高さが上記範囲よりも大きい場合、所望の突起部の形状に製造することが困難となる可能性がある。
突起部の高さとは、突起部が形成された低反射樹脂層の表面から突起部の頂点までの長さをいい、図２においてｈ１で示す部分である。突起部の高さは、「（１）パラメータの定量化方法」の項で説明した方法により検出した極大点から、特定の基準位置（例えば突起部の根元位置を高さ＝０とする。）からの各極大点位置の相対的な高さの差を取得してヒストグラム化し、ヒストグラムによる度数分布から算出し、平均化される。
また、突起部の高さが上記範囲内にあるとき、突起部の底面の最大径に対する高さのアスペクト比（図２中におけるｈ１／Ｒ）としては、所望の反射率低減効果を発揮することが可能なものであればよく、例えば、０．３〜３０の範囲内が好ましく、中でも０.８〜３の範囲内が好ましい。上記アスペクト比が上記範囲よりも小さいと、突起部において光の反射が起こりにくくなり反射率低減効果が十分に発揮されない場合がある。一方、アスペクト比が上記範囲よりも大きいと、賦形が困難となり突起部が所望の形状とならない場合がある。
突起部は、凸型の錐状構造体を成している。このため、本発明の低反射シートは、突起部の形状を精度良く賦型することが可能であり、生産性が向上するという製造上の利点を有する。
一般に、突起部が規則的に配置された低反射シートにおいては、反射率低減効果を向上させるために、突起部の形状を頂部が分岐した多峰形状とし、表面積を大きくする方法が用いられる。しかし、このような形状は、精度良く賦型できない場合がある。一方、本発明においては、突起部に所望のばらつきをもたせることで反射率低減効果を奏することから、突起部を多峰形状とする必要がなく、個々の突起部を精度良く賦型することが可能となるのである。
突起部の頂部の先端は、尖っていてもよく、曲率を有していてもよい。中でもミー散乱による低反射樹脂層への光の吸収が大きくなることから、先端が尖っていることが好ましい。
一般に、突起部が規則的に配置された低反射シートにおいては、反射率低減効果を向上させるために、突起部の形状を頂部が分岐した多峰形状とし、表面積を大きくする方法が用いられる。しかし、このような形状は、精度良く賦型できない場合がある。一方、本発明においては、突起部に所望のばらつきをもたせることで反射率低減効果を奏することから、突起部を多峰形状とする必要がなく、個々の突起部を精度良く賦型することが可能となるのである。
突起部の頂部の先端は、尖っていてもよく、曲率を有していてもよい。中でもミー散乱による低反射樹脂層への光の吸収が大きくなることから、先端が尖っていることが好ましい。
突起部の底面形状としては、近似により上述したパラメータの規定が可能な形状であれば特に限定されるものではなく、例えば円、楕円等の丸形状の他、五角形、六角形、八角形、十二角形等の多角形状等を挙げることができる。
また、突起部の側面形状としては、突起部の縦断面において直線状であってもよく、曲線状であってもよい。さらに、突起部の側面形状が多段状であってもよい。中でも突起部の側面が多段状であることが好ましい。突起部において多数回反射およびミー散乱がより起こりやすくなるからである。
また、突起部の側面形状としては、突起部の縦断面において直線状であってもよく、曲線状であってもよい。さらに、突起部の側面形状が多段状であってもよい。中でも突起部の側面が多段状であることが好ましい。突起部において多数回反射およびミー散乱がより起こりやすくなるからである。
２．低反射樹脂層
本発明においては、所望の反射率低減効果を発揮するために、多数の突起部が上述のパラメータの定量化により規定されるばらつきを有する必要がある。本発明においては、樹脂組成物の硬化物からなる低反射樹脂層上に突起部が形成されることで、突起部ごとの形状の精度が高く、所望のばらつきを示すことが可能である。
本発明においては、所望の反射率低減効果を発揮するために、多数の突起部が上述のパラメータの定量化により規定されるばらつきを有する必要がある。本発明においては、樹脂組成物の硬化物からなる低反射樹脂層上に突起部が形成されることで、突起部ごとの形状の精度が高く、所望のばらつきを示すことが可能である。
上記樹脂組成物は、上述のばらつきを有する多数の突起部を賦形することが可能なものであれば特に限定されず、少なくとも樹脂を含み、必要に応じて重合開始剤等のその他の成分を含有する。
上記樹脂としては、所望の形状および配置のばらつきを有する突起部を形成可能なものであれば特に限定されない。このような樹脂としては、例えばアクリレート系、エポキシ系、ポリエステル系等の電離放射線硬化性樹脂、アクリレート系、ウレタン系、エポキシ系、ポリシロキサン系等の熱硬化性樹脂、アクリレート系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系等の熱可塑性樹脂等の各種材料および各種硬化形態の賦型用樹脂を使用することができる。なお、電離放射線とは、分子を重合させて硬化させ得るエネルギーを有する電磁波または荷電粒子を意味し、例えば、すべての紫外線（ＵＶ−Ａ、ＵＶ−Ｂ、ＵＶ−Ｃ）、可視光線、ガンマー線、Ｘ線、電子線等が挙げられる。
中でも、本発明の低反射シートを遮光シートとして用いる場合は、硬度、耐傷性、平面性に優れるといった観点からポリエステル系樹脂が好ましい。また、本発明の低反射シートを合成皮革等の表皮材や意匠シートとして用いる場合は、柔軟性、触感等の観点からポリウレタン系樹脂が好ましい。
中でも、本発明の低反射シートを遮光シートとして用いる場合は、硬度、耐傷性、平面性に優れるといった観点からポリエステル系樹脂が好ましい。また、本発明の低反射シートを合成皮革等の表皮材や意匠シートとして用いる場合は、柔軟性、触感等の観点からポリウレタン系樹脂が好ましい。
上記樹脂組成物は、必要に応じて任意の材料を含んでいてもよい。任意の材料としては、例えば屈折率調整剤、重合開始剤、離型剤、光増感剤、酸化防止剤、重合禁止剤、架橋剤、赤外線吸収剤、帯電防止剤、粘度調整剤、密着性向上剤等を含有することもできる。屈折率調整剤としては、例えば特開２０１３−１４２８２１号公報等に開示される低屈折率材が挙げられる。
低反射樹脂層は、透明であってもよく不透明なものであってもよい。また、上記低反射樹脂層は着色されていてもよい。低反射樹脂層が着色されている場合、着色基材と同色であってもよく、異なる色であってもよい。
低反射樹脂層に含有可能な着色剤としては特に限定されず、後述する「Ｂ．着色基材」の項で説明する着色剤等を用いることができる。
なお、低反射樹脂層に含有される着色剤の平均粒径としては、突起部のばらつきによる反射率低減効果に影響を及ぼさない大きさであればよい。
低反射樹脂層に含有可能な着色剤としては特に限定されず、後述する「Ｂ．着色基材」の項で説明する着色剤等を用いることができる。
なお、低反射樹脂層に含有される着色剤の平均粒径としては、突起部のばらつきによる反射率低減効果に影響を及ぼさない大きさであればよい。
低反射樹脂層の厚さは特に限定はされず、使用する材料、要求される強度等を考慮して適宜設定することができ、例えば３μｍ〜２００μｍの範囲内が好ましく、中でも５μｍ〜１００μｍの範囲内が好ましい。
なお、低反射樹脂層の厚さとは、低反射樹脂層の突起部が形成されていない面側から突起部の最も高い位置にある頂点までの長さをいい、図１においてｈ２で示す部分である。
なお、低反射樹脂層の厚さとは、低反射樹脂層の突起部が形成されていない面側から突起部の最も高い位置にある頂点までの長さをいい、図１においてｈ２で示す部分である。
低反射樹脂層は、ヘイズ値が高いことが好ましい。ヘイズ値が高い程、突起部の形状および配置位置のばらつきが大きくなることから、本発明の低反射シートが優れた反射率低減効果を奏することができるからである。具体的には、低反射樹脂層のヘイズ値が７０％以上であればよく、中でも８０％以上であることが好ましい。また、ヘイズ値の上限としては９５％以下であることが好ましい。
ヘイズ値が上記範囲よりも小さいと、低反射シート表面に形成された突起部が形状および配置位置に所望のばらつきを有しておらず、光の多数回反射およびミー散乱による低反射樹脂層への光の吸収が起こりにくくなり、本発明の低反射シートによる反射率低減効果が発揮されない場合があるからである。一方、ヘイズ値が上限よりも大きいと、所望の突起部の形状に製造することが困難となる場合があるからである。
なお、ヘイズ値はヘイズメーター（東洋精機製作所製 商品名：ヘイズガード）を用いてＪＩＳ Ｋ７３６１に準拠した方法により測定することができる。
ヘイズ値が上記範囲よりも小さいと、低反射シート表面に形成された突起部が形状および配置位置に所望のばらつきを有しておらず、光の多数回反射およびミー散乱による低反射樹脂層への光の吸収が起こりにくくなり、本発明の低反射シートによる反射率低減効果が発揮されない場合があるからである。一方、ヘイズ値が上限よりも大きいと、所望の突起部の形状に製造することが困難となる場合があるからである。
なお、ヘイズ値はヘイズメーター（東洋精機製作所製 商品名：ヘイズガード）を用いてＪＩＳ Ｋ７３６１に準拠した方法により測定することができる。
Ｂ．着色基材
本発明における着色基材は、少なくとも一方の面側に、多数の突起部を備える低反射樹脂層を有するものである。
着色基材の色については特に限定されず、本発明の低反射シートの用途に応じて適宜選択することができ、例えば黒色、白色等の無彩色、赤色、青色、黄色、緑色、灰色等の有彩色等が挙げられる。中でも、本発明の低反射シートを遮光シートとして用いる場合は、可視光の全波長域に対する反射率低減効果をより高める観点から、黒色または黒色に準ずる暗色が好ましい。暗色とは、例えば濃灰色、褐色、紺色、深緑色、臙脂色、濃紫色等の、低明度で国際照明委員会ＣＩＥによる標準光源Ｃを用いたＹｘｙ表色系でのＹ値が１０％以下を示す色が挙げられる。一方、本発明の低反射シートを合成皮革等の表皮材や意匠シートとして用いる場合は、無彩色でもよく有彩色でもよい。
なお、無彩色及び有彩色とは、ＪＩＳ Ｚ８１０２：２００１における定義に準じる。
本発明における着色基材は、少なくとも一方の面側に、多数の突起部を備える低反射樹脂層を有するものである。
着色基材の色については特に限定されず、本発明の低反射シートの用途に応じて適宜選択することができ、例えば黒色、白色等の無彩色、赤色、青色、黄色、緑色、灰色等の有彩色等が挙げられる。中でも、本発明の低反射シートを遮光シートとして用いる場合は、可視光の全波長域に対する反射率低減効果をより高める観点から、黒色または黒色に準ずる暗色が好ましい。暗色とは、例えば濃灰色、褐色、紺色、深緑色、臙脂色、濃紫色等の、低明度で国際照明委員会ＣＩＥによる標準光源Ｃを用いたＹｘｙ表色系でのＹ値が１０％以下を示す色が挙げられる。一方、本発明の低反射シートを合成皮革等の表皮材や意匠シートとして用いる場合は、無彩色でもよく有彩色でもよい。
なお、無彩色及び有彩色とは、ＪＩＳ Ｚ８１０２：２００１における定義に準じる。
本発明においては、所望の反射率低減効果を発揮するために、着色基材の光学濃度が高いことが好ましい。具体的には、着色基材の光学濃度が２以上であることが好ましく、中でも、本発明の低反射シートを遮光シートとして用いる場合は、上記光学濃度が３以上であることが好ましい。また、上記光学濃度の上限としては特に限定されないが、着色基材の材料選定の観点から６以下であることが好ましい。
なお、着色基材の上記光学濃度は、例えば、サカタインクスエンジニアリング株式会社製X-Rite 361T（V）で計測することができる。
なお、着色基材の上記光学濃度は、例えば、サカタインクスエンジニアリング株式会社製X-Rite 361T（V）で計測することができる。
着色基材としては、所望の色を呈するものであれば特に限定されず、例えば樹脂に着色剤を混合させた着色樹脂基材、着色紙、着色布等が挙げられる。
着色樹脂基材に用いられる樹脂としては、特に限定されず、熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂、電離放射線硬化性樹脂等が硬化した硬化樹脂を用いることができる。
例えば、トリアセチルセルロース等のアセチルセルロース系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリエチレンやポリメチルペンテン等のオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエーテルサルホンやポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、アクロニトリル、メタクリロニトリル、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー等を挙げることができる。また、「Ａ．低反射樹脂層」の項で説明した低反射樹脂層を構成する樹脂と同じものを用いてもよい。
例えば、トリアセチルセルロース等のアセチルセルロース系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリエチレンやポリメチルペンテン等のオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエーテルサルホンやポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、アクロニトリル、メタクリロニトリル、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー等を挙げることができる。また、「Ａ．低反射樹脂層」の項で説明した低反射樹脂層を構成する樹脂と同じものを用いてもよい。
着色樹脂基材に含まれる着色剤としては、所望の色を呈することが可能なものであれば特に限定されず、一般に使用される無機顔料、有機顔料等を用いることができる。具体的には、チタン白、亜鉛華、弁柄、朱、群青、コバルトブルー、チタン黄、黄鉛、カーボンブラック、チタンブラック等の無機顔料；イソインドリノン、ハンザイエローＡ、キナクリドン、パーマネントレッド４Ｒ、フタロシアニンブルー、アニリンブラック等の有機顔料；染料；アルミニウム、真鍮等の箔粉からなる金属顔料；二酸化チタン被覆雲母、塩基性炭酸亜鉛等の箔粉からなる真珠光沢顔料等が用いられる。これらは、１種または２種以上を選ぶことができる。
着色剤の平均粒径としては、所望の色を呈することができれば特に限定されないが、例えば０．０１μｍ以上１μｍ以下の範囲内、中でも０．０１μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内であることが好ましい。着色剤の平均粒径が上記範囲よりも小さいと、着色基材が所望の光学濃度を示さない場合があり、一方、上記範囲よりも大きいと、着色剤が凝集して着色樹脂内に分散されない場合がある。なお、着色剤の平均粒径は、遠心沈降法（測定装置：島津製作所社製 光透過型・遠心沈降式粒度分布測定装置「ＳＡ−ＣＰ３型」、測定モード：１０μｍ〜０．０２μｍ、加速度：１２０ｒｐｍ／分）で測定した値である。
着色剤の含有量としては、所望の光学濃度を示すことが可能な量であればよく、着色剤の平均粒径等によって適宜選択することができる。
着色樹脂基材は、必要に応じて充填剤、艶消し剤、発泡剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定化剤、ラジカル捕捉剤、軟質成分（例えばゴム）等の各種の添加剤が含まれていても良い。
着色樹脂基材は所望の光学濃度を示すものであればよく、板状、シート状、フィルム状等の各種態様のものを用いることができる。
また、着色基材として用いられる着色紙としては、クラフト紙、上質紙、各種コート紙、キャストコート紙、合成紙等に上述の着色剤が塗布されたもの、または添加されたものが挙げられる。
着色布としては、上述した着色樹脂基材に用いられる樹脂に上述の着色剤を含有させて不織布としたもの等が挙げられる。
着色布としては、上述した着色樹脂基材に用いられる樹脂に上述の着色剤を含有させて不織布としたもの等が挙げられる。
着色基材の厚さとしては、低反射樹脂層を支持することができ、所望の光学濃度を示すことが可能な厚さであれば特に限定されないが、例えば０．０２５ｍｍ〜２０ｍｍの範囲内が好ましい。
Ｃ．その他
本発明の低反射シートは、着色基材の少なくとも一方の面側に上述の低反射樹脂層を有していればよいが、基材の両面に上述の低反射樹脂層を有していてもよく、用途に応じて積層態様を選択することができる。例えば、本発明の低反射シートを遮光シートとして用いる場合は、両面の遮光性、平坦性が求められることから、基材の両面に低反射樹脂層を有する態様が好ましい。一方、本発明の低反射シートを合成皮革等の表皮材や意匠シートとして用いる場合は、通常、基材の一方の面側に低反射樹脂層を有する態様とする。
本発明の低反射シートは、着色基材の少なくとも一方の面側に上述の低反射樹脂層を有していればよいが、基材の両面に上述の低反射樹脂層を有していてもよく、用途に応じて積層態様を選択することができる。例えば、本発明の低反射シートを遮光シートとして用いる場合は、両面の遮光性、平坦性が求められることから、基材の両面に低反射樹脂層を有する態様が好ましい。一方、本発明の低反射シートを合成皮革等の表皮材や意匠シートとして用いる場合は、通常、基材の一方の面側に低反射樹脂層を有する態様とする。
本発明の低反射シートは、着色基材および低反射樹脂層が一体化した単一層であってもよい。すなわち、本発明の低反射シートが、着色基材と低反射樹脂層とが同一の樹脂材料により形成され着色された単一層であり、上記単一層の少なくとも一方の表面に多数の突起部が所望のばらつきを有して形成されたものであってもよい。着色基材および低反射樹脂層が一体化した単一層とすることで、製造工程の簡略化や材料費の低減を図ることができる。
着色基材および低反射樹脂層が一体化した単一層とする場合の樹脂材料については、上述した「Ａ．低反射樹脂層」の項で説明した樹脂材料が用いられる。また、上記単一層に用いられる着色剤およびその含有量については、「Ｂ．着色基材」の項で例示した着色剤およびその含有量と同様とすることができる。
なお、着色基材および低反射樹脂層が一体化した単一層とする場合、上記単一層の厚さとしては、上述した着色基材の厚さと同等とすることができる。
着色基材および低反射樹脂層が一体化した単一層とする場合の樹脂材料については、上述した「Ａ．低反射樹脂層」の項で説明した樹脂材料が用いられる。また、上記単一層に用いられる着色剤およびその含有量については、「Ｂ．着色基材」の項で例示した着色剤およびその含有量と同様とすることができる。
なお、着色基材および低反射樹脂層が一体化した単一層とする場合、上記単一層の厚さとしては、上述した着色基材の厚さと同等とすることができる。
本発明の低反射シートが、着色基材および低反射樹脂層が一体化した単一層である場合、多数の突起部は少なくとも低反射シートの一方の表面に形成されているが、両面に所望のばらつきを示す多数の突起部を有していてもよい。
本発明の低反射シートは、必要に応じて任意の層を有することができる。任意の層としては、低反射樹脂層と着色基材との間に形成されるプライマー層（密着安定層）、低反射シートを被着体に貼り合せるための粘着層または接着層等を挙げることができる。
本発明の低反射シートの反射率としては、可視光領域３８０ｎｍ〜７８０ｎｍにおける最大反射率が２．０％以下であることが好ましく、中でも１．５％以下であることが好ましい。低反射シートの最大反射率が上述の上限値以下であることで、可視光の全波長域に対して低い反射率を示すことができ、本発明の低反射シートによる反射率低減効果が十分に発揮され、その効果を目視でも確認できるからである。
なお、最大反射率は、計測装置としてScanning Spectrophotometer UV-3100PC(島津製作所製)を用い、８°入射光（波長領域３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）に対する全反射を測定することで得られる。
なお、最大反射率は、計測装置としてScanning Spectrophotometer UV-3100PC(島津製作所製)を用い、８°入射光（波長領域３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）に対する全反射を測定することで得られる。
Ｄ．製造方法
本発明の低反射シートの製造方法としては、着色基材上に、少なくとも形状および配置に所望のばらつきを有する突起部を有する低反射樹脂層を形成可能な方法であれば特に限定されず、例えば以下の方法により製造することができる。
まず、多数の凸型錐状構造体を備えた転写原版を準備する。上記凸型錐状構造体は、「Ａ．低反射樹脂層」の項で説明した３つのパラメータの定量化により規定された形状および配置位置のばらつきを有するものとする。
次に、上記転写原版の上記凸型錐状構造体が形成された面上に、硬化性樹脂を含むソフトモールド形成用組成物を塗布し、塗布層を硬化してソフトモールドを転写形成する。このとき、上記ソフトモールドの一方の表面には、凸型錐状構造体の反転形状である凹型錐状構造体が形成される。
続いて、上記ソフトモールドの凹型錐状構造体が形成された面上に、低反射樹脂層形成用組成物を塗布し、塗布層上にさらに着色基板を配置した状態で上記塗布層を硬化する。これにより、着色基材の一方の面側に多数の突起部を備える低反射樹脂層を有する低反射シートを得ることができる。なお、上記突起部は、上記転写原版の凸型錐状構造体と、形状および配置位置のばらつきが対応する。
本発明の低反射シートの製造方法としては、着色基材上に、少なくとも形状および配置に所望のばらつきを有する突起部を有する低反射樹脂層を形成可能な方法であれば特に限定されず、例えば以下の方法により製造することができる。
まず、多数の凸型錐状構造体を備えた転写原版を準備する。上記凸型錐状構造体は、「Ａ．低反射樹脂層」の項で説明した３つのパラメータの定量化により規定された形状および配置位置のばらつきを有するものとする。
次に、上記転写原版の上記凸型錐状構造体が形成された面上に、硬化性樹脂を含むソフトモールド形成用組成物を塗布し、塗布層を硬化してソフトモールドを転写形成する。このとき、上記ソフトモールドの一方の表面には、凸型錐状構造体の反転形状である凹型錐状構造体が形成される。
続いて、上記ソフトモールドの凹型錐状構造体が形成された面上に、低反射樹脂層形成用組成物を塗布し、塗布層上にさらに着色基板を配置した状態で上記塗布層を硬化する。これにより、着色基材の一方の面側に多数の突起部を備える低反射樹脂層を有する低反射シートを得ることができる。なお、上記突起部は、上記転写原版の凸型錐状構造体と、形状および配置位置のばらつきが対応する。
また、他の製造方法として、上述の転写原版から得られたソフトモールドをロールに巻きつけて転写ロールを準備し、着色基板上に低反射樹脂層形成用組成物を塗布した後、上記転写ロールで塗布層を押圧するのと同時に所望の硬化方法を適用して硬化して成形する方法を用いることも可能である。
上記転写原版の材質としては、所望のばらつきを有する凸型錐状構造体の形成が可能なものであれば特に限定されず、金属、樹脂等が挙げられるが、中でも金属が好ましい。
また、上記転写原版の製造方法としては、形状および配置位置に所望のばらつきを有する凸型錐状構造体を表面に有することができる方法であれば特に限定されないが、例えばステンレス板の表面をブラスト加工し、ステンレス板の加工表面に対して、段階的に電流値を小さくしながら電解ニッケルめっき、電解クロムめっき、電解スズめっき等の電解めっき処理を施すことにより形成することができる。
このときブラストの表面粗さを調整することにより、凸型錐状構造体の距離や方向性等のばらつきを調整できる。また、段階的に電流値を小さくする割合を調整することにより、凸型錐状構造体の高さを調整できる。
また、上記転写原版の製造方法としては、形状および配置位置に所望のばらつきを有する凸型錐状構造体を表面に有することができる方法であれば特に限定されないが、例えばステンレス板の表面をブラスト加工し、ステンレス板の加工表面に対して、段階的に電流値を小さくしながら電解ニッケルめっき、電解クロムめっき、電解スズめっき等の電解めっき処理を施すことにより形成することができる。
このときブラストの表面粗さを調整することにより、凸型錐状構造体の距離や方向性等のばらつきを調整できる。また、段階的に電流値を小さくする割合を調整することにより、凸型錐状構造体の高さを調整できる。
ソフトモールド形成用組成物に含まれる硬化性樹脂は、転写原版の凸型錐状構造体の形状を精度良く転写することが可能な樹脂であればよく、光硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等が用いられる。また、必要に応じて「Ａ．低反射樹脂層」の項で説明した任意の材料を含むものであっても良い。
ソフトモールド形成用組成物の塗布方法は、特に限定されず、一般に樹脂製原版の形成の際に用いられる方法と同様とすることができる。
ソフトモールド形成用組成物の塗布方法は、特に限定されず、一般に樹脂製原版の形成の際に用いられる方法と同様とすることができる。
低反射樹脂層形成用組成物に含まれる樹脂が光硬化性または電子線硬化性樹脂である場合、ソフトモールドは光透過性を有することが好ましい。低反射樹脂層形成用組成物の塗布層上に着色基材が配置される場合や、低反射樹脂層形成用組成物に着色剤を含有して単一層を形成する場合に、ソフトモールド側から光や電子線等の照射を行い、上記塗布層を硬化させる必要があるからである。
低反射樹脂層形成用組成物は、「Ａ．低反射樹脂層」の項で説明した材料を含むものである。また、低反射樹脂層形成用組成物の塗布方法は、特に限定されず、従来公知の塗布方法を適用することができる。
低反射樹脂層形成用組成物の硬化方法および硬化条件については、含有される樹脂の種類に応じて適宜選択することができる。例えば、低反射樹脂層形成用組成物が紫外線硬化性樹脂を含む場合、ソフトモールドを介して紫外線照射を行うことにより硬化させることができる。
低反射樹脂層形成用組成物の硬化方法および硬化条件については、含有される樹脂の種類に応じて適宜選択することができる。例えば、低反射樹脂層形成用組成物が紫外線硬化性樹脂を含む場合、ソフトモールドを介して紫外線照射を行うことにより硬化させることができる。
Ｅ．用途
本発明の低反射シートは、反射率の低減が求められる用途に使用することができるが、中でも着色基材を有することから、高遮光性が要求され、光透過性が要求されない用途への使用が好ましい。例えば、本発明の低反射シートが黒色または暗色で且つ光学濃度の高いものである場合、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラのレンズシャッターなどのシャッター羽根または絞り羽根、カメラ付き携帯電話や車載モニターのレンズユニット内の固定絞り、プロジェクターの光量調整モジュールの絞り羽根等に用いることができる。
また、本発明の低反射シートは、反射率を低減することで表面にマット感を出すことができるため、外観性向上や意匠性付与を目的として、合成皮革等の表皮材や意匠シートとして用いることができる。
さらに、本発明の低反射シートは、分析機器や光学機器の迷光防止部材等に用いることができる。
本発明の低反射シートは、反射率の低減が求められる用途に使用することができるが、中でも着色基材を有することから、高遮光性が要求され、光透過性が要求されない用途への使用が好ましい。例えば、本発明の低反射シートが黒色または暗色で且つ光学濃度の高いものである場合、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラのレンズシャッターなどのシャッター羽根または絞り羽根、カメラ付き携帯電話や車載モニターのレンズユニット内の固定絞り、プロジェクターの光量調整モジュールの絞り羽根等に用いることができる。
また、本発明の低反射シートは、反射率を低減することで表面にマット感を出すことができるため、外観性向上や意匠性付与を目的として、合成皮革等の表皮材や意匠シートとして用いることができる。
さらに、本発明の低反射シートは、分析機器や光学機器の迷光防止部材等に用いることができる。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
［実施例１］
以下の方法により、低反射シートを得た。
以下の方法により、低反射シートを得た。
（転写原版の作製）
ステンレス板にブラスト加工をして、三次元表面粗さ測定における算術平均面粗さ（以下、Ｓａと略する。）が０．２μｍとなるように仕上げた。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ａを版面に有した転写原版Ａを得た。なお、錐状構造体Ａの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ａの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
ステンレス板にブラスト加工をして、三次元表面粗さ測定における算術平均面粗さ（以下、Ｓａと略する。）が０．２μｍとなるように仕上げた。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ａを版面に有した転写原版Ａを得た。なお、錐状構造体Ａの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ａの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
＜電解クロムめっきの条件＞
以下の組成を含有するめっき浴を用い、陽極としてグラファイト電極を用いて、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に２．０Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
＜＜めっき浴の組成＞＞
・塩化クロム：２００ｇ／ｄｍ３（０．７５ｍｏｌ／ｄｍ３）
・塩化アンモニウム：３０ｇ／ｄｍ３（０．５６ｍｏｌ／ｄｍ３）
・シュウ酸：３ｇ／ｄｍ３（０．０２４ｍｏｌ／ｄｍ３）
・炭酸バリウム：５ｇ／ｄｍ３（０．０２５ｍｏｌ／ｄｍ３）
・ホウ酸：３０ｇ／ｄｍ３（０．４９ｍｏｌ／ｄｍ３）
・フッ化バリウム：１０ｇ／ｄｍ３（０．０５７ｍｏｌ／ｄｍ３）
以下の組成を含有するめっき浴を用い、陽極としてグラファイト電極を用いて、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に２．０Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
＜＜めっき浴の組成＞＞
・塩化クロム：２００ｇ／ｄｍ３（０．７５ｍｏｌ／ｄｍ３）
・塩化アンモニウム：３０ｇ／ｄｍ３（０．５６ｍｏｌ／ｄｍ３）
・シュウ酸：３ｇ／ｄｍ３（０．０２４ｍｏｌ／ｄｍ３）
・炭酸バリウム：５ｇ／ｄｍ３（０．０２５ｍｏｌ／ｄｍ３）
・ホウ酸：３０ｇ／ｄｍ３（０．４９ｍｏｌ／ｄｍ３）
・フッ化バリウム：１０ｇ／ｄｍ３（０．０５７ｍｏｌ／ｄｍ３）
（ソフトモールドの作製）
転写原版Ａの錐状構造体Ａが形成された面上に、下記の組成から成る紫外線硬化型のソフトモールド形成用組成物を塗布し、厚さ０．２ｍｍのポリカーボネート（ＰＣ）フィルム（パンライトフィルム、帝人化成株式会社製)で挟んで、ＰＣフィルム面側から波長３６５ｎｍ、照射エネルギー１７０ｍＪ／ｃｍ２でＵＶ照射をした。転写原版Ａの錐状構造体Ａを転写し、ソフトモールド形成用組成物を硬化させた後、転写原版Ａを剥離してソフトモールドを得た。
転写原版Ａの錐状構造体Ａが形成された面上に、下記の組成から成る紫外線硬化型のソフトモールド形成用組成物を塗布し、厚さ０．２ｍｍのポリカーボネート（ＰＣ）フィルム（パンライトフィルム、帝人化成株式会社製)で挟んで、ＰＣフィルム面側から波長３６５ｎｍ、照射エネルギー１７０ｍＪ／ｃｍ２でＵＶ照射をした。転写原版Ａの錐状構造体Ａを転写し、ソフトモールド形成用組成物を硬化させた後、転写原版Ａを剥離してソフトモールドを得た。
＜ソフトモールド形成用組成物＞
・ウレタンアクリレート … ３５質量％
・１，６‐ヘキサンジオールジアクリレート … ３５質量％
・ペンタエリスリトールトリアクリレート … １０質量％
・ビニルピロリドン … １５質量％
・１‐ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン … ２質量％
・ベンゾフェノン … ２質量％
・ポリエーテル変性シリコーンオイル … １質量％
・ウレタンアクリレート … ３５質量％
・１，６‐ヘキサンジオールジアクリレート … ３５質量％
・ペンタエリスリトールトリアクリレート … １０質量％
・ビニルピロリドン … １５質量％
・１‐ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン … ２質量％
・ベンゾフェノン … ２質量％
・ポリエーテル変性シリコーンオイル … １質量％
（低反射シートの作製）
得られたソフトモールドの、錐状構造体Ａの反転形状が形成された面上に、下記の組成から成る紫外線硬化型の低反射樹脂層形成用組成物を塗布し、塗布面上に厚さ２．０ｍｍの黒色アクリル板（アクリライトＬ 三菱レイヨン株式会社製)を配置した。ソフトモールドのＰＣフィルム面側から波長３６５ｎｍ、照射エネルギー１７０ｍＪ／ｃｍ２でＵＶ照射をして、低反射樹脂層形成用組成物を硬化させた。その後、ソフトモールドを剥離することで、多数の突起部Ａを備える低反射樹脂層を黒色アクリル板上に有する低反射シートを得た。
得られたソフトモールドの、錐状構造体Ａの反転形状が形成された面上に、下記の組成から成る紫外線硬化型の低反射樹脂層形成用組成物を塗布し、塗布面上に厚さ２．０ｍｍの黒色アクリル板（アクリライトＬ 三菱レイヨン株式会社製)を配置した。ソフトモールドのＰＣフィルム面側から波長３６５ｎｍ、照射エネルギー１７０ｍＪ／ｃｍ２でＵＶ照射をして、低反射樹脂層形成用組成物を硬化させた。その後、ソフトモールドを剥離することで、多数の突起部Ａを備える低反射樹脂層を黒色アクリル板上に有する低反射シートを得た。
＜低反射樹脂層形成用組成物＞
・ウレタンアクリレート … ３５質量％
・１，６‐ヘキサンジオールジアクリレート … ３５質量％
・ペンタエリスリトールトリアクリレート … １０質量％
・ビニルピロリドン … １５質量％
・１‐ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン … ２質量％
・ベンゾフェノン … ２質量％
・ポリエーテル変性シリコーンオイル … １質量％
・ウレタンアクリレート … ３５質量％
・１，６‐ヘキサンジオールジアクリレート … ３５質量％
・ペンタエリスリトールトリアクリレート … １０質量％
・ビニルピロリドン … １５質量％
・１‐ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン … ２質量％
・ベンゾフェノン … ２質量％
・ポリエーテル変性シリコーンオイル … １質量％
［実施例２］
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．３μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｂを版面に有した転写原版Ｂを得た。なお、錐状構造体Ｂの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｂの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．３μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｂを版面に有した転写原版Ｂを得た。なお、錐状構造体Ｂの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｂの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
＜電解クロムめっきの条件＞
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に１．０Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に１．０Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
転写原版Ａに換えて、転写原版Ｂを用いたこと以外は、実施例１と同様にして多数の突起部Ｂを備える低反射シートを得た。
［実施例３］
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．２μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｃを版面に有した転写原版Ｃを得た。なお、錐状構造体Ｃの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｃの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．２μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｃを版面に有した転写原版Ｃを得た。なお、錐状構造体Ｃの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｃの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
＜電解クロムめっきの条件＞
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に１．８Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に１．８Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
転写原版Ａに換えて、転写原版Ｃを用いたこと以外は、実施例１と同様にして多数の突起部Ｃを備える低反射シートを得た。
［実施例４］
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．１５μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｄを版面に有した転写原版Ｄを得た。なお、錐状構造体Ｄの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｄの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．１５μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｄを版面に有した転写原版Ｄを得た。なお、錐状構造体Ｄの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｄの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
＜電解クロムめっきの条件＞
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に１．６Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に１．６Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
転写原版Ａに換えて、転写原版Ｄを用いたこと以外は、実施例１と同様にして多数の突起部Ｄを備える低反射シートを得た。
［実施例５］
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．２５μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｅを版面に有した転写原版Ｅを得た。なお、錐状構造体Ｅの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｅの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．２５μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｅを版面に有した転写原版Ｅを得た。なお、錐状構造体Ｅの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｅの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
＜電解クロムめっきの条件＞
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に１．４Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に１．４Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
転写原版Ａに換えて、転写原版Ｅを用いたこと以外は、実施例１と同様にして多数の突起部Ｅを備える低反射シートを得た。
［実施例６］
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．２５μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｆを版面に有した転写原版Ｆを得た。なお、錐状構造体Ｆの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｆの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．２５μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｆを版面に有した転写原版Ｆを得た。なお、錐状構造体Ｆの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｆの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
＜電解クロムめっきの条件＞
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に５．０Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に５．０Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
転写原版Ａに換えて、転写原版Ｆを用いたこと以外は、実施例１と同様にして多数の突起部Ｆを備える低反射シートを得た。
［実施例７］
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．２５μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｇを版面に有した転写原版Ｇを得た。なお、錐状構造体Ｇの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｇの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．２５μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｇを版面に有した転写原版Ｇを得た。なお、錐状構造体Ｇの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｇの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
＜電解クロムめっきの条件＞
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に０．５Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に０．５Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
転写原版Ａに換えて、転写原版Ｇを用いたこと以外は、実施例１と同様にして多数の突起部Ｇを備える低反射シートを得た。
［比較例１］
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．２５μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｈを版面に有した転写原版Ｈを得た。なお、錐状構造体Ｈの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｈの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．２５μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｈを版面に有した転写原版Ｈを得た。なお、錐状構造体Ｈの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｈの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
＜電解クロムめっきの条件＞
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に６．０Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に６．０Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
転写原版Ａに換えて、転写原版Ｈを用いたこと以外は、実施例１と同様にして多数の突起部Ｈを備える低反射シートを得た。
［比較例２］
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．２５μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｉを版面に有した転写原版Ｉを得た。なお、錐状構造体Ｉの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｉの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．２５μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｉを版面に有した転写原版Ｉを得た。なお、錐状構造体Ｉの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｉの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
＜電解クロムめっきの条件＞
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に０．４Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に０．４Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
転写原版Ａに換えて、転写原版Ｉを用いたこと以外は、実施例１と同様にして多数の突起部Ｉを備える低反射シートを得た。
［比較例３］
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．５μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｊを版面に有した転写原版Ｊを得た。なお、錐状構造体Ｊの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｊの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．５μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｊを版面に有した転写原版Ｊを得た。なお、錐状構造体Ｊの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｊの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
＜電解クロムめっきの条件＞
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に１．８Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に１．８Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に２０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
転写原版Ａに換えて、転写原版Ｊを用いたこと以外は、実施例１と同様にして多数の突起部Ｊを備える低反射シートを得た。
［比較例４］
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．２５μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｋを版面に有した転写原版Ｋを得た。なお、錐状構造体Ｋの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｋの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
ステンレス板にブラスト加工をしてＳａ＝０．２５μｍとした。表面に下記の条件で電解クロムめっきを施し、多数の凸型の錐状構造体Ｋを版面に有した転写原版Ｋを得た。なお、錐状構造体Ｋの形状およびばらつきと、得られる低反射シートにおける突起部Ｋの形状およびばらつきとは、一致するものであった。
＜電解クロムめっきの条件＞
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に１．４Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に１０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
実施例１と同じめっき浴および陽極を用い、電流密度を８０Ａ／ｄｍ２から１分毎に１．４Ａ／ｄｍ２ずつ小さくして、最終的に１０Ａ／ｄｍ２とし、ステンレス板上に電解めっき処理により黒色クロムめっき膜を形成した。
転写原版Ａに換えて、転写原版Ｋを用いたこと以外は、実施例１と同様にして多数の突起部Ｋを備える低反射シートを得た。
［評価１］
実施例１〜７、比較例１〜４で得られた低反射シートについて、以下の条件にてＳＥＭ観察を行った。実施例ごとに低反射樹脂層上の多数の突起部の中から表１に示す点数を抽出し、平面視ＳＥＭ像から突起部の底面の最大径（最大幅）の平均および分散、突起部の最近接中心間距離（最近接重心間距離）の平均および分散、ならびに｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜値および｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜値を求めた。なお、平面視ＳＥＭ像を用いた各パラメータの定量化については、先に説明した方法を用いた。
各実施例における突起部の底面は、八角形に近似した。
（条件）
・ＳＥＭ：電界放出形走査電子顕微鏡 S-4500(株式会社日立ハイテクノロジーズ社製)
・観察方法：Ｔｏｐ−Ｖｉｅｗ（突起部を有する面側から）
・前処理：Ｐｔ−Ｐｄスパッタ
・観察倍率：×１０ｋ
・視野範囲：縦４μｍ×横４μｍ
実施例１〜７、比較例１〜４で得られた低反射シートについて、以下の条件にてＳＥＭ観察を行った。実施例ごとに低反射樹脂層上の多数の突起部の中から表１に示す点数を抽出し、平面視ＳＥＭ像から突起部の底面の最大径（最大幅）の平均および分散、突起部の最近接中心間距離（最近接重心間距離）の平均および分散、ならびに｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜値および｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜値を求めた。なお、平面視ＳＥＭ像を用いた各パラメータの定量化については、先に説明した方法を用いた。
各実施例における突起部の底面は、八角形に近似した。
（条件）
・ＳＥＭ：電界放出形走査電子顕微鏡 S-4500(株式会社日立ハイテクノロジーズ社製)
・観察方法：Ｔｏｐ−Ｖｉｅｗ（突起部を有する面側から）
・前処理：Ｐｔ−Ｐｄスパッタ
・観察倍率：×１０ｋ
・視野範囲：縦４μｍ×横４μｍ
［評価２］
実施例１〜７、比較例１〜４で得られた低反射シートについて、以下の条件にて最大反射率を計測した。
（条件）
・計測装置：Scanning Spectrophotometer UV-3100PC(島津製作所製)
・計測方法：８°入射光（波長領域３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）に対する全反射
実施例１〜７、比較例１〜４で得られた低反射シートについて、以下の条件にて最大反射率を計測した。
（条件）
・計測装置：Scanning Spectrophotometer UV-3100PC(島津製作所製)
・計測方法：８°入射光（波長領域３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）に対する全反射
［評価３］
実施例１〜７、比較例１〜４で得られた低反射シートにおける低反射樹脂層のヘイズ値を以下の方法により測定した。
（測定方法）
実施例１〜７、比較例１〜４において、黒色アクリル板に換えてＰＣフィルムを用い、ＰＣフィルム上に低反射樹脂層を形成し、評価用サンプルを作製した。ヘイズメーター（東洋精機製作所製 商品名：ヘイズガード）を用いてＪＩＳ Ｋ−７３６１に準拠した方法により各評価用サンプルのヘイズ値を測定した。
実施例１〜７、比較例１〜４で得られた低反射シートにおける低反射樹脂層のヘイズ値を以下の方法により測定した。
（測定方法）
実施例１〜７、比較例１〜４において、黒色アクリル板に換えてＰＣフィルムを用い、ＰＣフィルム上に低反射樹脂層を形成し、評価用サンプルを作製した。ヘイズメーター（東洋精機製作所製 商品名：ヘイズガード）を用いてＪＩＳ Ｋ−７３６１に準拠した方法により各評価用サンプルのヘイズ値を測定した。
評価１〜３の結果を表１に示す。なお、表１中のμは平均、σ２は分散を示す。
実施例１〜７で作製した低反射シートを光学計測機の遮光シートとして使用したところ、迷光の影響を十分に除去できた。
一方で比較例１〜４の低反射シートを光学計測機の遮光シートとして使用したところ、迷光の除去は不十分であった。
一方で比較例１〜４の低反射シートを光学計測機の遮光シートとして使用したところ、迷光の除去は不十分であった。
１ … 着色基材
２ … 低反射樹脂層
３、３Ａ、３Ｂ、３Ｃ … 突起部
１０ … 低反射シート
２ … 低反射樹脂層
３、３Ａ、３Ｂ、３Ｃ … 突起部
１０ … 低反射シート
Claims (2)
- 着色基材の少なくとも一方の面側に、多数の突起部を備える低反射樹脂層を有し、
前記突起部の底面の最大径の平均が２５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内であり、
一の前記突起部および前記一の突起部の底面の中心に最も近接した位置に底面の中心を有する他の前記突起部の中心間距離の平均が４００ｎｍ以下であり、前記中心間距離の分散が１００００以上であり、
前記低反射樹脂層の前記突起部を有する面内の長さ方向および幅方向をｘ軸方向およびｙ軸方向で規定し、平面視上において前記突起部の底面の中心からの前記突起部の頂部の位置を方位角φ（０°≦φ＜３６０°）で示し、前記突起部の抽出点数をｎ（ｎ≧３０）としたときに、
｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｃｏｓφｋ／ｎ｜≦０．２５、かつ
｜Σ（ｋ＝１〜ｎ）ｓｉｎφｋ／ｎ｜≦０．２５
の関係を満たすこと
を特徴とする低反射シート。 - 前記着色基材および前記低反射樹脂層が一体化した単一層であることを特徴とする請求項１に記載の低反射シート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015087056A JP6641720B2 (ja) | 2014-07-18 | 2015-04-21 | 低反射シート |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014148249 | 2014-07-18 | ||
| JP2014148249 | 2014-07-18 | ||
| JP2015087056A JP6641720B2 (ja) | 2014-07-18 | 2015-04-21 | 低反射シート |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016029456A true JP2016029456A (ja) | 2016-03-03 |
| JP6641720B2 JP6641720B2 (ja) | 2020-02-05 |
Family
ID=55435359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015087056A Active JP6641720B2 (ja) | 2014-07-18 | 2015-04-21 | 低反射シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6641720B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017015815A (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-19 | 富士フイルム株式会社 | 遮光部材及びその製造方法 |
| WO2019208136A1 (ja) * | 2018-04-25 | 2019-10-31 | 株式会社ダイセル | 遮光フィルム及び遮光フィルムの製造方法 |
| WO2021107038A1 (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 住友ベークライト株式会社 | 光学性層、カバー部材および移動体 |
| CN113640906A (zh) * | 2021-07-09 | 2021-11-12 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种近完美光吸收体及其普适性的制备方法 |
| CN113840865A (zh) * | 2019-08-09 | 2021-12-24 | 株式会社大赛璐 | 遮光性膜及遮光性膜的制造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003066203A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Hitachi Maxell Ltd | 微細凹凸構造の形成方法及び当該凹凸を有する部材 |
| JP2007528021A (ja) * | 2004-03-12 | 2007-10-04 | 松下電器産業株式会社 | 光吸収部材 |
| JP2010048902A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | The Inctec Inc | 低反射透明板及びそれを用いた展示用ケース |
| JP2011017781A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Olympus Corp | 光学素子及び光学系 |
| JP2013185188A (ja) * | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Fujifilm Corp | マスターモールドの製造方法およびモールドの製造方法並びにそれらに使用される表面加工方法 |
| JP2014066976A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 微細凹凸成形体及び微細凹凸成形鋳型並びにそれらの製造方法 |
-
2015
- 2015-04-21 JP JP2015087056A patent/JP6641720B2/ja active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003066203A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Hitachi Maxell Ltd | 微細凹凸構造の形成方法及び当該凹凸を有する部材 |
| JP2007528021A (ja) * | 2004-03-12 | 2007-10-04 | 松下電器産業株式会社 | 光吸収部材 |
| JP2010048902A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | The Inctec Inc | 低反射透明板及びそれを用いた展示用ケース |
| JP2011017781A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Olympus Corp | 光学素子及び光学系 |
| JP2013185188A (ja) * | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Fujifilm Corp | マスターモールドの製造方法およびモールドの製造方法並びにそれらに使用される表面加工方法 |
| JP2014066976A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 微細凹凸成形体及び微細凹凸成形鋳型並びにそれらの製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017015815A (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-19 | 富士フイルム株式会社 | 遮光部材及びその製造方法 |
| WO2019208136A1 (ja) * | 2018-04-25 | 2019-10-31 | 株式会社ダイセル | 遮光フィルム及び遮光フィルムの製造方法 |
| JP2019191375A (ja) * | 2018-04-25 | 2019-10-31 | 株式会社ダイセル | 遮光フィルム及び遮光フィルムの製造方法 |
| CN113840865A (zh) * | 2019-08-09 | 2021-12-24 | 株式会社大赛璐 | 遮光性膜及遮光性膜的制造方法 |
| WO2021107038A1 (ja) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 住友ベークライト株式会社 | 光学性層、カバー部材および移動体 |
| JPWO2021107038A1 (ja) * | 2019-11-29 | 2021-12-02 | 住友ベークライト株式会社 | 光学性層、カバー部材および移動体 |
| CN113640906A (zh) * | 2021-07-09 | 2021-11-12 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种近完美光吸收体及其普适性的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6641720B2 (ja) | 2020-02-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5163943B2 (ja) | 防眩フィルム、防眩性偏光板および画像表示装置 | |
| JP6641720B2 (ja) | 低反射シート | |
| JP5135871B2 (ja) | 防眩フィルム、防眩性偏光板及び画像表示装置 | |
| JP4844254B2 (ja) | 防眩フィルム及び画像表示装置 | |
| JP2007187952A (ja) | 防眩フィルム、その製造方法、そのための金型の製造方法、及び表示装置 | |
| KR102262757B1 (ko) | 터치 패널, 표시 장치 및 광학 시트, 광학 시트의 선별 방법 및 광학 시트의 제조 방법 | |
| JP2011017829A (ja) | 防眩フィルムおよびその製造方法 | |
| TWI702414B (zh) | 光學膜及附觸控面板之顯示裝置 | |
| JP6515377B2 (ja) | タッチパネル、表示装置及び光学シート、並びに光学シートの選別方法及び光学シートの製造方法 | |
| KR20130041348A (ko) | 광확산 소자 | |
| JP6627546B2 (ja) | 車両用内装材および車両用内装材用フィルム | |
| JP2017140720A (ja) | 印刷用記録媒体および印刷物 | |
| JP2015172641A (ja) | タッチパネル、表示装置及び光学シート、並びに光学シートの選別方法及び光学シートの製造方法 | |
| JP6631282B2 (ja) | 車両用内装材および車両用内装材用フィルム | |
| JP6696114B2 (ja) | 低反射シート | |
| JP2016224402A (ja) | シュリンクラベル | |
| JP6544286B2 (ja) | 印刷物 | |
| JP6728674B2 (ja) | 視認性向上フィルム | |
| JP5915807B2 (ja) | 印刷物 | |
| JP2017072664A (ja) | 意匠性フィルム | |
| JP2017071080A (ja) | 意匠性フィルム | |
| JP6641864B2 (ja) | 印刷物 | |
| JP2017071087A (ja) | 意匠性フィルム | |
| WO2016039392A1 (ja) | 視認性向上フィルム、および印刷物 | |
| JP6743363B2 (ja) | 印刷物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180226 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181024 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181106 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181228 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190618 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190717 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191203 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191216 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6641720 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |