JP2016025300A - 高耐圧半導体装置 - Google Patents
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Abstract
マスクの合わせズレが生じた場合であっても耐圧低下を生じ難いターミネーション構造を有する高耐圧半導体装置を提供する。
【解決手段】
SiCからなる高耐圧半導体装置が、p型の第1領域41,第2領域42,第3領域43,第4領域44,第5領域45,第6領域46および第7領域47が、この順に並置され、かつこの順に低くなる不純物キャリア濃度を有するターミネーション部を備え、第1領域41は第2領域42に包含され、第2領域42および第3領域43は第4領域44に包含され、第2領域42と第3領域43との間には第4領域44が介在し、第5領域45は第6領域46に包含され、第4領域44と第6領域46との間、および第6領域46と第7領域47との間には、n−層12が介在する。
【選択図】図1
Description
12 n−層
13 p+領域
15 n+層
21 カソード電極
22 アノード電極
23 補助電極
31 絶縁膜
41 第1領域
42 第2領域
43 第3領域
44 第4領域
45 第5領域
46 第6領域
47 第7領域
51,52,53 注入マスク
Claims (9)
- 第1導電型の第1領域,第2領域,第3領域,第4領域,第5領域,第6領域および第7領域が、この順に並置され、かつこの順に低くなる不純物キャリア濃度を有するターミネーション部を備え、SiCからなる高耐圧半導体装置において、
前記第1領域は前記第2領域に包含され、
前記第2領域および前記第3領域は前記第4領域に包含され、
前記第2領域と前記第3領域との間には前記第4領域が介在し、
前記第5領域は前記第6領域に包含され、
前記第4領域と前記第6領域との間、および前記第6領域と前記第7領域との間には、第2導電型の領域が介在することを特徴とする高耐圧半導体装置。 - 請求項1において、前記第1領域と前記第2領域および前記第4領域は、活性領域における前記第1導電型を有する半導体領域の端部に接することを特徴とする高耐圧半導体装置。
- 請求項2において、前記半導体領域に主電極が接触することを特徴とする高耐圧半導体装置。
- 請求項1において、前記第4領域が活性領域に延びた部分が、前記活性領域における前記第1導電型を有する半導体領域の一部を構成することを特徴とする高耐圧半導体装置。
- 請求項4において、前記第4領域が前記活性領域に延びた前記部分が主電極に電気的に接触することを特徴とする高耐圧半導体装置。
- 請求項1において、前記第2領域と前記第4領域が活性領域に延びた部分が、前記活性領域における前記第1導電型を有する半導体領域の一部を構成することを特徴とする高耐圧半導体装置。
- 請求項6において、前記第2領域が前記活性領域に延びた部分が主電極に電気的に接触することを特徴とする高耐圧半導体装置。
- 請求項1において、前記第1領域と前記第2領域および前記第4領域が活性領域に延びた部分が、前記活性領域における前記第1導電型を有する半導体領域の一部を構成することを特徴とする高耐圧半導体装置。
- 請求項8において、前記第1領域が前記活性領域に延びた部分が主電極に電気的に接触することを特徴とする高耐圧半導体装置。
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