JP2016012744A - 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法、発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、半導体層の第2の主面に設けられたn側電極及びp側電極と、p側電極上に設けられた絶縁膜と、n側配線と、p側配線と、n側配線上に設けられ半導体層よりも厚いn側金属ピラーと、p側配線上に設けられ半導体層よりも厚いp側金属ピラーと、n側金属ピラーの周囲とp側金属ピラーの周囲に設けられ半導体層よりも厚い樹脂と、第1の主面側に基板を介することなく設けられた蛍光体層と、半導体層の側面に設けられるとともに側面の外側に延び、蛍光体層と樹脂との間に設けられた金属膜とを備えている。n側配線の一部は絶縁膜を介してp側電極と向かい合っている。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図である。
Claims (14)
- 第1の主面と前記第1の主面の反対側の第2の主面とを有し、発光層を含み、前記第1の主面側に基板が設けられていない半導体層と、
前記半導体層の前記第2の主面に設けられたn側電極及びp側電極と、
前記p側電極上に設けられた絶縁膜と、
前記n側電極に接続されたn側配線と、
前記p側電極に接続されたp側配線と、
前記n側配線上に設けられ、外部接続可能な端部を有し、前記半導体層よりも厚いn側金属ピラーと、
前記p側配線上に設けられ、外部接続可能な端部を有し、前記半導体層よりも厚いp側金属ピラーと、
前記n側金属ピラーの周囲と前記p側金属ピラーの周囲に設けられ、前記半導体層よりも厚い樹脂と、
前記第1の主面側に、基板を介することなく設けられた蛍光体層と、
前記半導体層における前記第1の主面に続く側面に設けられるとともに、前記側面の外側に延び、前記蛍光体層と前記樹脂との間に設けられた金属膜と、
を備え、
前記n側配線の一部は、前記絶縁膜を介して前記p側電極と向かい合っている半導体発光装置。 - 前記樹脂は、前記発光層が発する光に対して不透明である請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記樹脂は、前記金属膜を覆っている請求項1または2に記載の半導体発光装置。
- 前記金属膜は、前記半導体層の前記側面まで延在する前記n側配線の一部を含む請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記n側配線及び前記p側配線は、前記半導体層側に設けられた第1金属を有し、前記第1金属が前記金属膜の一部として前記半導体層の前記側面にも設けられ、前記側面の外側にも延びている請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 第1の主面と前記第1の主面の反対側の第2の主面とを有し、発光層を含み、前記第1の主面側に基板が設けられていない半導体層と、
前記半導体層の前記第2の主面に設けられたn側電極及びp側電極と、
前記n側電極に接続されたn側配線と、
前記p側電極に接続されたp側配線と、
前記n側配線上に設けられ、外部接続可能な端部を有し、前記半導体層よりも厚いn側金属ピラーと、
前記p側配線上に設けられ、外部接続可能な端部を有し、前記半導体層よりも厚いp側金属ピラーと、
前記第1の主面側に、基板を介することなく設けられた蛍光体層と、
前記半導体層における前記第1の主面に続く側面に設けられた金属膜と、
前記n側金属の周囲と前記p側金属の周囲に設けられるとともに、前記蛍光体層の下で前記半導体層の前記側面の外側に設けられ前記金属膜を覆い、前記発光層が発する光に対して不透明であり、前記半導体層よりも厚い樹脂と、
を備えた半導体発光装置。 - 前記樹脂は、カーボンブラックを含む請求項6記載の半導体発光装置。
- 前記p側電極上に設けられた絶縁膜をさらに備え、
前記n側配線の一部は、前記絶縁膜を介して前記p側電極と向かい合っている請求項6または7に記載の半導体発光装置。 - 前記n側配線、前記p側配線、前記n側金属ピラー及び前記p側金属ピラーは、銅を含む請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記n側金属ピラーの前記端部および前記p側金属ピラーの前記端部は、前記樹脂から露出する下面を有し、前記端部の前記下面は前記樹脂の下面と同一面上にある請求項1〜9のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 第1の主面と前記第1の主面の反対側の第2の主面とを有し、発光層を含む半導体層と、前記半導体層の前記第2の主面に設けられたn側電極及びp側電極と、をそれぞれが有し、分離された複数の発光素子を、基板上に形成する工程と、
前記p側電極を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体層における前記基板側の前記第1の主面に続く側面、および前記分離された複数の発光素子の間の前記基板上に金属膜を形成する工程と、
前記発光素子上に、前記n側電極に接続されるとともに、前記絶縁膜を介して一部が前記p側電極と向かい合うようにn側配線を形成する工程と、
前記発光素子上に、前記p側電極に接続されたp側配線を形成する工程と、
前記n側配線上に、前記半導体層よりも厚いn側金属ピラーを形成する工程と、
前記p側配線上に、前記半導体層よりも厚いp側金属ピラーを形成する工程と、
前記n側金属ピラーの周囲と前記p側金属ピラーの周囲に、前記半導体層よりも厚い樹脂を形成する工程と、
前記n側金属ピラー、前記p側金属ピラーおよび前記樹脂に前記半導体層が支えられた状態で前記基板を除去する工程と、
前記半導体層の前記基板が除去された面側、および前記複数の発光素子の間の前記金属膜上に蛍光体層を形成する工程と、
を備えた半導体発光装置の製造方法。 - 第1の主面と前記第1の主面の反対側の第2の主面とを有し、発光層を含む半導体層と、前記半導体層の前記第2の主面に設けられたn側電極及びp側電極と、をそれぞれが有し、分離された複数の発光素子を、基板上に形成する工程と、
前記半導体層における前記基板側の前記第1の主面に続く側面に金属膜を形成する工程と、
前記発光素子上に、前記n側電極に接続されたn側配線を形成する工程と、
前記発光素子上に、前記p側電極に接続されたp側配線を形成する工程と、
前記n側配線上に、前記半導体層よりも厚いn側金属ピラーを形成する工程と、
前記p側配線上に、前記半導体層よりも厚いp側金属ピラーを形成する工程と、
前記n側金属ピラーの周囲と前記p側金属ピラーの周囲、および前記金属膜を覆うように前記半導体層の前記側面の外側に、前記発光層が発する光に対して不透明であり、前記半導体層よりも厚い樹脂を形成する工程と、
前記n側金属ピラー、前記p側金属ピラーおよび前記樹脂に前記半導体層が支えられた状態で前記基板を除去する工程と、
前記半導体層の前記基板が除去された面側、および前記半導体層の前記側面の外側の前記樹脂の上に蛍光体層を形成する工程と、
を備えた半導体発光装置の製造方法。 - 前記樹脂は、前記複数の発光素子の間にも形成され、
前記複数の発光素子の間の前記樹脂の領域でダイシングされて複数の半導体発光装置に個片化される請求項11または12に記載の半導体発光装置の製造方法。 - 請求項1〜10のいずれか1つに記載の半導体発光装置の前記端部を外部回路に接続させる発光装置の製造方法。
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