JP2013077856A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光装置は、第1の主面と、その反対側の第2の主面と、第2の主面に選択的に設けられた凸部と、第2の主面から第1の主面方向に形成された溝と、を有し、第1の主面側に基板を含まない第1の半導体層と、第1の半導体層の凸部に積層され、発光層を含む第2の半導体層と、第1の半導体層の第2の主面及び溝の側面に設けられた第1の電極と、第2の半導体層における第1の半導体層に対する反対側の面に設けられた第2の電極と、第1の主面側に、第1の半導体層との間に基板を介することなく設けられた蛍光体層と、を備えている。
【選択図】図3
Description
図1は、本実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図である。
図4(a)は、図3の平面図に対応する。
図4(b)は、n側配線17、p側配線18、n側金属ピラー19およびp側金属ピラー20の平面レイアウトの一例を示す平面図である。
図1は、図4(a)におけるA−A断面に対応する。また、図8(b)は、図4(a)におけるB−B断面に対応する。但し、図8(b)は基板10が除去される前の状態を表す。
Claims (5)
- 第1の主面と、前記第1の主面に対する反対側に設けられた第2の主面と、前記第2の主面に選択的に設けられた凸部と、前記第2の主面から前記第1の主面方向に形成された溝と、を有し、前記第1の主面側に基板を含まない第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の前記凸部に積層され、発光層を含む第2の半導体層と、
前記第1の半導体層の前記第2の主面及び前記溝の側面に設けられた第1の電極と、
前記第2の半導体層における前記第1の半導体層に対する反対側の面に設けられた第2の電極と、
前記第1の電極における前記2の主面に対する反対側の面に設けられた第1の配線と、
前記第2の電極における前記第2の半導体層に対する反対側の面に設けられた第2の配線と、
前記第1の半導体層の前記第1の主面側に、前記第1の半導体層との間に基板を介することなく設けられた蛍光体層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記第1の電極は、前記溝の底部にも設けられたことを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記第1の配線における前記第1の電極に対する反対側の面に設けられた第1の金属ピラーと、
前記第2の配線における前記第2の電極に対する反対側の面に設けられた第2の金属ピラーと、
前記第1の金属ピラーと前記第2の金属ピラーとの間に形成された樹脂と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置。 - 前記溝は、直線状に延在することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記第1の半導体層は、基板を用いて、結晶成長された請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
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2013
- 2013-01-31 JP JP2013017020A patent/JP5426788B2/ja not_active Expired - Fee Related
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