JP2016009693A - 発光装置および照明装置 - Google Patents
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Abstract
Description
波長変換部は、光源モジュールからの出射光が通過する貫通孔を備えた保持部材と、保持部材上に金属バンプを介して接合された波長変換層とを備える。波長変換部は、保持部材上に配置され波長変換層を囲み波長変換層の側面に接して配置された第一の枠体と、保持部材上に配置され、波長変換層を囲み波長変換層の側面から離間して配置された第二の枠体とを備え、波長変換層側面と第二の枠体との間には反射性材料が充填されていることを特徴とする。第一の枠体の上面位置は、波長変換層の上面位置より低く、波長変換層側面記第二の枠体との間には反射性材料が充填されて形成された反射部を備え、波長変換層側面は、第一の枠体と反射部とにより被覆されていることを特徴とする。
また、バンプ構造を有することにより全面で接合した場合と比較して安定した接合強度、ひいては安定した放熱性を得ることができる。
さらに、第一および第二の枠体を備えることにより、波長変換層の接合にバンプ構造を有していても、波長変換層側面に密着した反射部を形成し、波長変換層側面から出射される光を抑制して有効活用することができる。
本発明の発光装置は、車両用灯具、照明器具、内視鏡装置などの各種照明装置に用いることができる。
光源モジュール1として、紫外光領域あるいは可視光領域に発光波長を持つ発光ダイオード(LED)や半導体レーザ(LD)を用いることができる。
波長変換層3は、光源モジュール1からの照射光により励起されて発光する蛍光体を含有する。
波長変換層3は、光源モジュール1からの励起光の一部または全部を波長変換した光を出射する。光源モジュール1からの励起光の一部を波長変換する場合には、残りの透過光との合成光が波長変換層3から出射される。
蛍光体は、光源モジュール1からの照射光の波長、発光装置の所望の発光色に応じて、適宜選択することができ、複数種類の蛍光体を含有すること、積層することができる。
蛍光体としては、例えば、波長が約440nm乃至約470nmの青色光により励起されるものとして、CaAlSiN3:Eu2+、(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+、Ca2Si5N8:Eu2+、(Ca,Sr)2Si5N8:Eu2+、KSiF6:Mn4+、KTiF6:Mn4+等の赤色蛍光体、Y3Al5O12:Ce3+、(Sr,Ba2SiO4:Eu2+、Cax(Si,Al)12(O,N)16:Eu2+、(La,Y)3Si6N11:Ce3+等の黄色蛍光体、Lu3Al5O12:Ce3+、(Lu,Y)3Al5O12:Ce3+、Y3(Ga,Al)5O12:Ce3+、Ca3Sc2Si3O12:Ce3+、CaSc2O4:Eu2+、(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+、Ba3Si6O12N2:Eu2+、(Si,Al)6(O,N)8:Eu2+等の緑色蛍光体を用いることができる。
光散乱部材として、蛍光体を含有する蛍光体層に二酸化チタンなどの光散乱粒子を分散すること、蛍光体を含有する蛍光体層とは別に光散乱層32を配置することができる。光散乱層32を構成する場合には、光源モジュール1と蛍光体含有層との間に配置することが好ましい。光散乱層32は、光散乱粒子を含有する透光性材料(ガラス、樹脂)からなる層、あるいは、多結晶の透光性セラミック層から構成することができ、特に、耐熱性の高い多結晶の透光性セラミック層から構成することが好ましい。
反射層は、光源モジュール1からの照射光を反射する反射層、または/および、光源モジュール1からの照射光は透過して波長変換層3による波長変換光を反射する反射層を備えることができる。
反射層が光源モジュール1からの照射光を反射する構成を有する場合には、波長変換層3の光源モジュール1からの照射光を波長変換層3へ入射させる領域を除く領域に形成する。また、反射層が光源モジュール1からの照射光を透過させて、波長変換層3での波長変換光を反射する構成を有する場合には、波長変換層3の略全面に形成する。
反射層は、金属反射層34、誘電体多層反射膜33などから構成することができる。金属反射層34は、光源モジュール1からの照射光に対する反射率の高い金属から構成され、光源モジュールからの照射光の入射面を除く領域に形成することができる。誘電体多層反射膜33は、光源モジュール1側から入射した光源モジュール1からの照射光を透過し、波長変換層3側から入射した蛍光体による波長変換光を反射するよう構成され、波長変換層の光源モジュール1側の面の全面に形成することができる。誘電体多層反射膜33は、SiO2やTiO2などの誘電体材料を交互積層して構成することができる。
金属バンプ5は、金属ワイヤの先端を溶融してボール状として、あるいは、金属粒子の焼結材として(例えばAu粒子、Ag粒子、またはCu粒子の焼結材)、保持部材4あるいは波長変換層3上へ供給することができる。
金属バンプ5を介して接合される波長変換層3および保持部材4の接合領域には、接合用金属層6を形成することができる。接合用金属層6を形成することにより、金属バンプ5と接合用金属層6との金属原子を相互に拡散させて固相拡散接させることができる。
金属バンプ5の形成方法としては、バンプの組成によりメッキ法や、ワイヤーボンディング時に用いるボールボンダーにより、金属細線を使用したボールボンディング法により形成することができる。
保持部材4は、波長変換層3を保持することができるものであればよく、材質は限定されないが、熱伝導性の高い材料を用いることが好ましい。たとえば、金属(アルミニウム、ニッケル、ステンレス、ジルコニアなど)、セラミック(窒化アルミニウム、酸化アルミニウムなど)などから構成することができる。
保持部材4と波長変換層3とは、バンプ接合部への熱応力の発生を抑制するため、線膨張係数の近い材料から構成することが好ましい。
第一の枠体7は、保持部材4上に配置され、波長変換層3を囲み波長変換層3の側面に接して配置される。
第二の枠体8は、保持部材4上に配置され、波長変換層3を囲み波長変換層3の側面から離間して配置される。
反射部9は、波長変換層3側面と第二の枠体8との間に充填配置されている。
反射部9は、波長変換層3の側面に密着配置させるため、流動性の反射性材料を波長変換層3側方に供給し、波長変換層3側面を被覆後硬化して形成することができる。反射性材料として、透光性散乱粒子を分散した透光性材料(樹脂、ガラスなど)から構成することができる。
反射部9は、波長変換層3の側面に密着界面を形成することができる。反射部9を波長変換層3の側面に密着配置させることができるため、発光面形状および発光面サイズを確定し、発光部と非発光部の輝度差を大きくし、明暗境界を明瞭なものとすることができる。
特に、発光部と非発光部の境界を明瞭とすることにより、ヘッドランプ用配光パターンを形成するのに適した発光装置とすることができる。
反射部9は、波長変換層3における蛍光体層31の側面全体を被覆し、蛍光体層31の側面の側方において所定厚みを有するよう形成されている。つまり、波長変換層3の側面において、反射部9は蛍光体層31の上面位置まで形成されている。尚、反射部9の上面は、平面、凹面、凸面のいずれでもよい
第一の枠体7は、反射部形成工程において、波長変換層3の底面にある光入射面に反射性材料が回り込むのを防ぐ役割を果たす。
第一の枠体7は、保持部材4上面と波長変換層3の底面との隙間を側方から塞ぐよう配置できる材料であればよい。流動性を有する材料により塗布形成する場合、高粘度で保持部材4上に供給可能なチクソ性を有する樹脂、ガラス材料から構成することが好ましい。また、反射性材料から構成することが好ましい。
第一の枠体7の高さは、波長変換層3における蛍光体層31の下面位置以下とする。これにより、蛍光体層31の側面全体を、反射部9により被覆することができる。
第二の枠体8の材料に制限はないが、流動性を有する場合には、高粘度で保持部材4上に供給可能なチクソ性を有する樹脂から構成することが好ましい。
第二の枠体8の高さに制限はないが、波長変換層3の上面と略同一の高さに形成することが好ましい。蛍光体層31の側面全体を被覆するとともに所定厚みを有する反射部9を容易に形成することができるためである。
以下、本発明の実施形態を具体的に説明する。
図1(a)は、本発明の実施例1の発光装置10の概略断面図である。尚、図1(a)において、光源モジュール1は模式的に示されている。図1(a)に示すように、発光装置10は、光源モジュール1と、光源モジュール1から出射された光を導光する保持部材4と、保持部材4に取り付けられた波長変換部2とを備える。
図1(b)は、本発明の実施例1の発光装置10における波長変換部2の拡大図である。
図2(a)は、本発明の実施例1の発光装置10における保持部材4側(具体的にはAlN基板41上)の6bおよび金属バンプ5の配置を説明する図である。AlN基板41上に波長変換層3を金属バンプ5を介して接合した状態を上方から(光照射側から)見た図である。説明を容易化するため、波長変換層3の下の金属バンプ5、保持部材4側(具体的にはAlN基板41上)の接合用金属層6bを示し、波長変換層3側の接合用金属層6aを省略して示している。
図2(b)は、本発明の実施例1の発光装置10における波長変換層3側の接合用金属層6aおよび金属バンプ5の配置を説明する図である。波長変換層3を裏面から(接合用金属層6a側から)見た図であり、金属バンプ5の配置される領域を点線にて示している。
本実施例では、半導体レーザ素子が搭載されるステム13とステム13に固定された外部端子14とを備えるCAN型パッケージを用いることができる。半導体レーザパッケージには、半導体レーザ素子11からの出射光を集光する集光レンズ12を保持する金属製(例えばステンレス)の筐体15がステム上に取り付けられている。レンズ12は金属製の筐体15に溶接接合され、筐体15には、調芯配置された金属製(例えばステンレス)のリング状の取付け部16が溶接接合される。取付け部16の反対側の開口には、保持部材4が取り付けられる。
半導体レーザ素子は、例えばGaInN系青色半導体レーザ素子が使用され、例えば波長400から460nm程度の青色光を出射する。
レンズは、例えば非球面レンズから成る凸レンズとして構成されており、半導体レーザ素子からの光を、保持部材4の開口に集束させる。
保持部材4は、中央に貫通孔43を有し、光源モジュール1からの光を貫通孔43により通過させている。貫通孔43の大きさは、直径が0.2mmである。
窒化アルミニウムからなるサブマウント41の表面には、Ti、Pt、Auをそれぞれ0.06μm、0.2μm、1.0μmの厚みで順次積層した接合用金属層6bが形成されている。
接合用金属層6bは、金属バンプ5の配置される領域に形成され、サブマウント41の表面においてパターン化されて形成されている。
尚、接合用金属層6bは、少なくとも接合部(バンプ形成領域)に形成されていればよく、サブマウント41の表面全体に形成されていてもよい。
電気抵抗値の変化を検出することにより、金属バンプ5にクラックが発生するなどして接合状態が低下した場合を検出することができる。そのため、波長変換部2が保持部材4から離脱した場合に光源モジュール1から出射されたレーザ光が外部に照射され、観視者の目に対する安全性を損なう恐れがない。
波長変換部2は、波長変換層3、反射部9、第一の枠体7、および第二の枠体8から構成されている。
金属反射層34は、反射率が約85%以上となるように成膜した。誘電体多層膜33、光散乱層32、蛍光体層31は、それぞれ約3μm、300μm、50μmの厚みで形成した。
誘電体多層反射膜33は、光源モジュール1から出射される青色光を透過し、蛍光体により変換される黄色光を反射するよう光学設計されている。
誘電体多層反射膜33のバンプ側表面には、Ti、Pt、Auがそれぞれ0.06μm、0.2μm、1.0μmの厚みで順次積層した接合用金属層6aが形成されている。
波長変換層3において、接合用金属層6aおよびAlからなる反射層34は、保持部材4の貫通孔43に対応する領域を除く領域に形成されている。
波長変換層3の形状は、所望の発光面形状に応じて形成されるが、本実施例においては、車両用灯具のヘッドランプパターンを形成するのに適した矩形状とした。
波長変換層3の中央に光源モジュール1からの出射光が入射するように、サブマウント41の貫通孔43上に波長変換層3の中央が位置するように配置されている。
保持部材4におけるキャップ上には、第一の枠体7と同材料からなる第二の枠体8が形成されている。第二の枠体8は波長変換層3を囲むように、波長変換層3側面から離れて配置されている。
反射部9は、波長変換層3側面に密着して配置されており、波長変換層3側面と密着界面を形成している。反射部9は波長変換層3側面に密着して配置されることにより、発光面の形状および発光面の大きさを確定することができ、発光部と非発光部の境界における輝度差を大きく(すなわち、明暗境界線を明確に)することができる。
本実施例のように接合領域をバンプ構造とすることにより、波長変換層3底面全体に接合領域を形成する場合と比較して、安定した接合強度を得ることができる。底面全体に接合領域を形成する場合と比較して、接合領域への荷重をかけ易く、高い面精度を必要としないためである。そのため、接合部の接合信頼性を向上することができる。そして、接合信頼性が高まることにより、放熱特性も安定することができる。また、波長変換層3底面全体に金属接合領域を形成する場合と比較して、少ない接合圧力で接合することができ、波長変換層3へのダメージを抑制することができる
本実施例において、金バンプ5はパターン形成された接合用金属層6b上に配置されている。
貫通孔43に近い側の6個のバンプの配置された2つの回路パターン(61aおよび61b)、貫通孔43に遠い側の4個のバンプが配置された2つの回路パターン(62aおよび62b)には、それぞれ抵抗器を接続し、抵抗値の変化を検出する機構を構築する。
本願発明の発光装置のように、保持部材4上に第一の枠体7および第二の枠体8を配置したことにより、波長変換層3をバンプ接合した場合であっても波長変換層3側面に対し密着した反射部9を形成することができる。特に、本願発明の発光装置のように波長変換層3側面が切断面として構成されている場合、切断面が荒れていても、切断面に密着した反射部9を形成することができる。そのため、明暗境界線の明確な発光面を得ることができ、波長変換層3側面において側方へ向かう光を効率よく上方へ反射して発光効率を向上した発光装置を提供することができる。
次に、本発明の実施例1の発光装置10の製造方法について説明する。本発明の実施例1の発光装置10の製造方法は、(a)波長変換層形成工程、(b)保持部材形成工程、(c)波長変換層接合工程、(d)反射部形成工程、(e)波長変換部と光源モジュールとの接続工程とを備える。以下、各工程について説明する。
光散乱層32として、多結晶Al2O3を、蛍光体層31としてYAG蛍光体を酸化アルミニウムに分散して焼結したYAGセラミック焼結体を容易した。この光散乱層32と蛍光体層31とを、薄い多結晶Al2O3を挟んで積層し、一体焼成を行うことで、光散乱層32を備えた蛍光体層31を形成した。
続いて、この光散乱層32の蛍光体層31の形成されていない側に、SiO2とTiO2との交互積層からなる誘電体多層膜、Alからなる反射膜、接合用金属層をスパッタ法により成膜し、積層体を形成した。
最後に積層体をダイシングにより個片化し、ダイシング面(切断面)が側面となる波長変換層3を形成した。
AlN基板41上に、接合用金属層を形成形成した。接合用金属層6bとして、Ti、Pt、Auをそれぞれ0.06μm、0.2μm、1.0μmの厚みでスパッタ法により順次成膜した。
続いて、接合用金属層6b上に金バンプ5を形成した。金バンプ5は、金線を用いて、ワイヤボンディング装置により、約30μmの高さの略ボール状のバンプを形成した。キャピラリに通した金線の先端に溶融してボール状となった金ボールを形成し、キャピラリを降下して金ボールを接合用金属層6b上に接合し、キャピラリ先端の平坦部を押し付けた後にキャピラリを上昇して金線を切断して形成した。AlN基板41上の接合用金属層6bと金バンプとは、接合用金属層6bの最表面の金層と金バンプ5との間の固相拡散により接合された。
金バンプ5の形状は、図2(c−1)に示すような階段状の側面を有する形状より、図2(C−2)に示すような階段状ではなく連続した傾斜面を有する形状であることが好ましい。先端部から滑らかな傾斜面を幅広に形成することができるため、後述する波長変換層3の接合工程時に形成される新生面の面積を大きくすることができ、接合強度を向上することができる。
金バンプ5の配置されたAlN基板41上に、波長変換層3を超音波振動を付与した熱圧着により接合する。AlN基板41側の接合用金属層と、波長変換層3側の接合用金属層を対向配置し、波長変換層3側の接合用金属層をバンプに接合する。超音波振動を付与した熱圧着により、金バンプ5は押しつぶされ、波長変換層3側の接合用金属層と金バンプ5とは、波長変換層3側の接合用金属層6bの最表面の金層と金バンプ5との固相拡散により接合される。
波長変換層3の接合されたAlN基板41をAlキャップ上へ搭載する。Agフィラーを含有したシリコーン樹脂系接着剤を用いて固定した。
第一の枠体7、および第二の枠体8を形成後、反射部9を形成した。
第一の枠体7、および第二の枠体8は、チクソ性を有するシリコーン樹脂を液体定量吐出装置を用いて塗布することにより形成した。
第一の枠体7には、二酸化チタン粒子を含有させて、反射性を付与した。第一の枠体7はAlN基板41上に波長変換層3の側面に接するように形成した。第一の枠体7は、高さ約200μmに形成し、波長変換層3における蛍光体層31下面位置より低い位置に形成した。
第一の枠体7により、波長変換層3の底面とサブマウント41の上面との間隙は閉空間となった。
尚、第一の枠体7、および第二の枠体8を構成する材料としてシリコーン樹脂を用いたが、樹脂に限らずガラスを用いることもできる。特に第一の枠体7を構成する材料として樹脂を用いずに、ガラスを用いることにより、バンプ5に樹脂を接触させることがなく、反射部9の劣化を抑制することができる。金属と樹脂が接触すると、波長変換層3やAlN基板41からの光や熱により樹脂(反射部9を含む)の分解が生じることがあるためである。
反射部9は、第一の枠体7から露出した波長変換層3の側面を覆った。波長変換層3の側面は、第一の枠体7と波長変換層3とにより全体が覆われ、波長変換層3における蛍光体層31の側面は全て反射部9により覆われた。
反射部9の上面は、蛍光体層31の上面と第二の枠体8の上面とをつなぐ略平坦面に形成された。
尚、本実施例では、反射部9の上面は、略平坦面に形成したが、凹面、または凸面であってもよい。その場合においても蛍光体層31側面を完全に反射部9が覆うよう形成されることが好ましい。
[(e)波長変換部と光源モジュールの接続工程]
波長変換部2を別途用意した光源モジュール1へ取り付ける。
本実施例では、青色半導体レーザ素子およびレンズを含む光源モジュール1に、調芯機により配置され、溶接にて接合したSUSからなるリング状の取付け部16を介して取り付けた。具体的には、リング状の取付け部16に波長変換部2におけるAlキャップ42を当接させて、Agフィラーを含有するシリコーン樹脂系接着剤により接合した。
以下、本発明の発光装置の熱的特性、光学特性について詳細に説明する。
本実施例に関するサンプルとして、図3(a)に示すサンプルAを作製した。実施例1における波長変換層3をAlN基板41上に金属バンプ5にて接合した構成を有する。
また、比較対象として、サンプルBを作製した。比較サンプルBは、図3(b)に示すように、サンプルAと接合部のみが異なる構成を有する。具体的には、サンプルAにおけるAlN基板41上の接合用金属層6bと波長変換層3側の接合用金属層6aを備えておらず、波長変換層3がAlN基板41上にシリコーン樹脂系の接着剤51を介して接合されている点のみが異なる。
尚、接合部の違いによる特性の違いを把握するため、サンプルAおよびサンプルBは、いずれも波長変換層側面に反射部を備えない構成とした。そのため、サンプルAは、第一の枠体および第二の枠体についても備えていない。
また、光照射時の波長変換層3の表面温度を調べた。温調装置を用いてサンプルのサブマウント41底面の温度を85°に保持し、1.6Wの青色レーザ光を照射した。いずれも、蛍光体層31の表面温度は上昇し、一定時間経過後には上昇が止まった。温度上昇が止まったときの蛍光体層31の表面の温度は、それぞれ、122℃、178℃となった。つまり、バンプ接合することにより、シリコーン樹脂による接合と比較して、蛍光体層31の表面温度の上昇を抑制できた。
両サンプルについて、光照射時の発光効率の変化を調べた。サブマウント41底面の温度を85°に保持し、1.6Wの青色レーザ光を照射し、蛍光体層31の温度上昇が発生していない瞬時、および、熱飽和時の発光効率を測定した。測定時の室温は25℃とした。その結果、蛍光体層31の熱飽和時の発光効率は、サンプルAは、瞬時の発光効率の88%となり、サンプルBは、瞬時の発光効率の67%となった。つまり、バンプ接合することにより、シリコーン樹脂による接合と比較して、発光効率の低下を抑制することができた。
尚、サンプルAおよびサンプルBにおける瞬時の発光効率は、同じであった。
次に、本発明の実施例1の発光装置10を用いた照明装置の構成例について図5を参照して説明する。図5(a)〜(C)は、車両用灯具として用いられる照明装置であり、たとえば、図示しない車両の前部に搭載されて、車両前方に所定の配光パターンを形成する車両用前照灯である。これら、車両用前照灯は、外部から給電されることにより、白色光を発光する発光装置を備える。
反射面112rは、第1焦点が発光装置10(具体的には発光装置10の発光面)近傍に設定され、第2焦点がシェード近傍に設定された回転楕円系の反射面であり、発光装置10からの光が入射するように配置されている。反射面112rは、発光面の像を車両前方に投影し、車両前端部に正対した仮想鉛直スクリーン上に所定の配光パターンを形成するように構成されている。シェード113は、反射面112rからの反射光の一部を遮光および反射して配光パターンにおけるカットオフラインを形成し、上面に形成された反射面を投影レンズの焦点近傍に位置させた状態で投影レンズ111と発光装置10との間に配置されている。
図2(a)は、本発明の実施例2の発光装置20の概略断面図である。尚、図2(a)において、光源モジュール1は模式的に示されている。図2(a)に示すように、発光装置10は、光源モジュール1と、光源モジュール1から出射された光を導光する保持部材4と、保持部材4に取り付けられた波長変換部2とを備える。
実施例2に係る発光装置における光源モジュール1には光ファイバ17が接続され、光ファイバを保持する光ファイバ保持部材4(フェルール)18に波長変換部2におけるAlキャップ42が接合されている。つまり、光源モジュール1からの発光は、光ファイバ17を介して波長変換部2へ入射する。
レンズ12は、例えば非球面レンズから成る凸レンズとして構成されており、半導体レーザ素子11からの光を、光ファイバ17の入射端面に集束させる。
光ファイバ17は、その一端面が上記光源モジュール1に接続されている入射端面とされると共に、他端側端面が出射端面とされている。これにより、発光装置10は、光源モジュール1の半導体レーザ素子11から出射した光が、入射端面から光ファイバ17内に入射して他端側の出射端面まで導かれる。光ファイバ17の入射端面側の一端部は、光源モジュール1側に形成された挿通孔に挿通されて、保持されている。光ファイバ17の出射端面側の一端部は、光ファイバ保持部材18に形成された挿通孔に挿通されて保持されている。
光ファイバ17は、公知の構成であって、中心のコアと、コアの外周を包囲するクラッドと、から構成されており、コア内に沿って一端から他端に光を伝達し得るようになっている。
光ファイバ17において、コアは、クラッドと比較して屈折率が高いため、入射端面から入射した半導体レーザ素子からの発光は、コアとクラッドとの境界の全反射を利用してコア内部に閉じこめられた状態で出射端面から出射する。
波長変換部2におけるAlキャップ42は、光ファイバ保持部材18上へ溶接により接合されている。
11:半導体レーザ素子
12:集光レンズ
13:ステム
14:外部端子
15:筐体
16:取付け部
17:光ファイバ
18:光ファイバ保持部材
2:波長変換部
3:波長変換層
31:蛍光体層
32:光散乱層
33:誘電体多層反射膜
34:金属反射層
4:保持部材
41:サブマウント(AlN基板)
42:Alキャップ
43:貫通孔
5:金属バンプ
6:接合用金属層
6a:波長変換層側接合用金属層
6b:保持部材側接合用金属層
7:第一の枠体
8:第二の枠体
9:反射部
10、20:発光装置
100、200、300:車両用前照灯
110、210、310:投影光学系
111:投影レンズ
112:リフレクタ
112r:リフレクタ反射面
113:シェード
211:リフレクタ
211r:リフレクタ反射面
311:投影レンズ
312:シェード
Claims (5)
- 光源モジュールと、
前記光源モジュールの照射方向に配置された波長変換部とを備え、
前記波長変換部は、
前記光源モジュールからの出射光が通過する貫通孔を備えた保持部材と、
前記保持部材上に金属バンプを介して接合された波長変換層と、
前記保持部材上に配置され、前記波長変換層を囲み前記波長変換層の側面に接するよう配置された第一の枠体と、
前記保持部材上に配置され、前記波長変換層を囲み前記波長変換層の側面から離間するよう配置された第二の枠体と、
を有し、
前記第一の枠体の上面は、前記波長変換層の上面位置より低く、
前記波長変換層側面と前記第二の枠体との間には反射性材料が充填されて形成された反射部を備え、
前記波長変換層側面は、前記第一の枠体と前記反射部とにより被覆されていることを特徴とする発光装置。 - 前記波長変換層は、光散乱層と蛍光体層から構成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記波長変換層は、蛍光体を含有する透光性のセラミックから構成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光装置。
- 前記光源モジュールからの出射光を伝送する光ファイバとを備え、
前記光ファイバは前記貫通孔内に保持されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の発光装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の発光装置と、
前記発光装置からの出射光を所定方向へ照射する投影手段とを備えた照明装置。
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017142479A (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | 波長変換素子、光源装置およびプロジェクター |
| JP2017194617A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | スタンレー電気株式会社 | 波長変換装置及び光源装置 |
| US10215996B2 (en) | 2016-01-21 | 2019-02-26 | Nichia Corporation | Light source device |
| KR20190105653A (ko) * | 2017-02-27 | 2019-09-17 | 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 | 광 파장 변환 부재 및 발광 장치 |
| JP2019175903A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2019216227A (ja) * | 2018-06-11 | 2019-12-19 | 海華科技股▲分▼有限公司 | 保持具、光学部品及び光学モジュール |
| JP2020136671A (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-31 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| JP2020154293A (ja) * | 2019-03-12 | 2020-09-24 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部材の製造方法、光学部材、発光装置の製造方法、及び、発光装置 |
| JP2020537332A (ja) * | 2017-10-09 | 2020-12-17 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOSRAM OLED GmbH | オプトエレクトロニクス半導体部品、およびオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法 |
| US11131433B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-09-28 | Nichia Corporation | Fluorescent module and illumination device |
| US11205886B2 (en) | 2019-03-12 | 2021-12-21 | Nichia Corporation | Method of manufacturing optical member, optical member, and light emitting device |
| JP2022093510A (ja) * | 2017-09-29 | 2022-06-23 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
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Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014137973A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Stanley Electric Co Ltd | 光源装置 |
| EP3064166B1 (de) * | 2015-03-06 | 2018-07-04 | Schott AG | Hermetisch abgedichtete led-leuchte sowie verfahren zur herstellung einer hermetisch abgedichteten led-leuchte |
| JP6564206B2 (ja) * | 2015-03-09 | 2019-08-21 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
| JP6697225B2 (ja) | 2015-05-25 | 2020-05-20 | スタンレー電気株式会社 | 照明装置 |
| DE102017203455B4 (de) * | 2016-03-02 | 2024-08-01 | Infineon Technologies Ag | Übergangsüberwachung bei resistivem Speicher |
| DE102016218139A1 (de) * | 2016-09-21 | 2018-04-05 | Osram Gmbh | Beleuchtungsvorrichtung |
| WO2018135121A1 (ja) | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 日本碍子株式会社 | 光学部品および照明装置 |
| US10303040B2 (en) * | 2017-02-08 | 2019-05-28 | Kapteyn Murnane Laboratories, Inc. | Integrated wavelength conversion and laser source |
| JP7081261B2 (ja) * | 2018-03-28 | 2022-06-07 | 市光工業株式会社 | 車両用灯具 |
| US12259108B2 (en) * | 2021-03-08 | 2025-03-25 | Innotec, Corp. | Light projector with overmolding to improve accuracy between light source, aperture, and lens |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203539A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Tdk Corp | 電子デバイスおよびその製造方法 |
| JP2011014587A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Nichia Corp | 発光装置 |
| JP2014067961A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4198928B2 (ja) | 2002-03-26 | 2008-12-17 | 星和電機株式会社 | Ledランプの製造方法、及びledランプ |
| JP5083592B2 (ja) | 2005-12-12 | 2012-11-28 | 日亜化学工業株式会社 | 光部品、光変換部材及び発光装置 |
| JP5340583B2 (ja) | 2007-11-26 | 2013-11-13 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP5622494B2 (ja) | 2010-09-09 | 2014-11-12 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| JP5956167B2 (ja) * | 2012-01-23 | 2016-07-27 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置、車両用灯具及び発光装置の製造方法 |
| JP2014138046A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子パッケージ固定構造 |
| AT513915B1 (de) * | 2013-02-14 | 2015-11-15 | Zizala Lichtsysteme Gmbh | Lichtmodul sowie Beleuchtungsvorrichtung mit Lichtmodul für einen Fahrzeugscheinwerfer |
-
2014
- 2014-06-23 JP JP2014127796A patent/JP6302762B2/ja active Active
-
2015
- 2015-06-20 US US14/745,402 patent/US9726340B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203539A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Tdk Corp | 電子デバイスおよびその製造方法 |
| JP2011014587A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Nichia Corp | 発光装置 |
| JP2014067961A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10215996B2 (en) | 2016-01-21 | 2019-02-26 | Nichia Corporation | Light source device |
| JP2017142479A (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | 波長変換素子、光源装置およびプロジェクター |
| JP2017194617A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | スタンレー電気株式会社 | 波長変換装置及び光源装置 |
| US11214731B2 (en) | 2017-02-27 | 2022-01-04 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Light wavelength conversion member and light emitting device |
| KR20190105653A (ko) * | 2017-02-27 | 2019-09-17 | 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 | 광 파장 변환 부재 및 발광 장치 |
| KR102243598B1 (ko) | 2017-02-27 | 2021-04-22 | 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 | 광 파장 변환 부재 및 발광 장치 |
| JP7323836B2 (ja) | 2017-09-29 | 2023-08-09 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
| JP2022093510A (ja) * | 2017-09-29 | 2022-06-23 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
| JP7108687B2 (ja) | 2017-10-09 | 2022-07-28 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス半導体部品、およびオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法 |
| US11316075B2 (en) | 2017-10-09 | 2022-04-26 | Osram Oled Gmbh | Optoelectronic semiconductor component, and method for producing an optoelectronic semiconductor component |
| JP2020537332A (ja) * | 2017-10-09 | 2020-12-17 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOSRAM OLED GmbH | オプトエレクトロニクス半導体部品、およびオプトエレクトロニクス半導体部品を製造するための方法 |
| JP2019175903A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| TWI697019B (zh) * | 2018-06-11 | 2020-06-21 | 海華科技股份有限公司 | 支架、光學組件及光學模組 |
| US10763375B2 (en) | 2018-06-11 | 2020-09-01 | Azurewave Technologies, Inc. | Optical assembly and optical module |
| JP2019216227A (ja) * | 2018-06-11 | 2019-12-19 | 海華科技股▲分▼有限公司 | 保持具、光学部品及び光学モジュール |
| US11585494B2 (en) | 2018-08-20 | 2023-02-21 | Nichia Corporation | Fluorescent module and illumination device |
| US11131433B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-09-28 | Nichia Corporation | Fluorescent module and illumination device |
| JP2020136671A (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-31 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| US11482833B2 (en) | 2019-02-21 | 2022-10-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| JP2022031299A (ja) * | 2019-03-12 | 2022-02-18 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部材の製造方法、光学部材、発光装置の製造方法、及び、発光装置 |
| US20220077650A1 (en) * | 2019-03-12 | 2022-03-10 | Nichia Corporation | Method of manufacturing optical member, optical member, and light emitting device |
| JP2020154293A (ja) * | 2019-03-12 | 2020-09-24 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部材の製造方法、光学部材、発光装置の製造方法、及び、発光装置 |
| JP6989795B2 (ja) | 2019-03-12 | 2022-01-12 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部材の製造方法、光学部材、発光装置の製造方法、及び、発光装置 |
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| US11626706B2 (en) | 2019-03-12 | 2023-04-11 | Nichia Corporation | Method of manufacturing optical member, optical member, and light emitting device |
| JP7495628B2 (ja) | 2019-03-12 | 2024-06-05 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部材の製造方法、光学部材、発光装置の製造方法、及び、発光装置 |
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