JP2015527002A - マイクアセンブリ - Google Patents
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Abstract
微小電気機械システム(MEMS)アセンブリが、カバーと、基板と、カバーと基板の間に配置されてこれらのカバー及び基板に取り付けられた少なくとも1つの壁部と、カバーに配置されたMEMSデバイスと、基板に配置された集積回路とを含む。集積回路及びMEMSデバイスは、一方が他方の上に配置され、壁部を貫いて延びる導管によって共に少なくとも部分的に電気的に接続される。或いは、MEMSデバイスを基板上に配置し、集積回路を底部上に配置することもできる。【選択図】図2
Description
〔関連出願との相互参照〕
本特許は、2012年8月1日に出願された「マイクアセンブリ」という名称の米国仮特許出願第61/678,186号に対して合衆国法典第35編第119条(e)に基づく利益を主張するものであり、この仮特許出願の内容はその全体が引用により本明細書に組み入れられる。
本特許は、2012年8月1日に出願された「マイクアセンブリ」という名称の米国仮特許出願第61/678,186号に対して合衆国法典第35編第119条(e)に基づく利益を主張するものであり、この仮特許出願の内容はその全体が引用により本明細書に組み入れられる。
本出願は、音響デバイスに関し、具体的には、これらのデバイス内で使用されるコンポーネントに関する。
長年にわたり、様々なタイプの音響デバイスが使用されている。音響デバイスの一例にはマイクがあり、別の例には受信機がある。一般に、マイクは、音を拾ってこれを電気信号に変換し、受信機は、電気信号を受けて音に変換する。
通常、マイクは、微小電気機械(MEMS)デバイスと、場合によっては集積回路とを含む。MEMSデバイスは、音響エネルギー(音)を受け取って、これを電気信号に変換する。MEMSデバイス自体は、ダイアフラム及びバックプレートを含む。音響エネルギーは、アセンブリのハウジング内のポートを通じて入り込む。そして、この音響エネルギーがMEMSデバイス内のダイアフラムを動かし、バックプレートとダイアフラムの間の電位を変化させて電流を生じるように作用する。
マイクは、様々な用途で使用されている。例えば、いくつかの例を挙げると、マイクは、聴覚機器(例えば、補聴器)、携帯電話機及びパーソナルコンピュータで使用されている。マイクを導入しているデバイスは、時間とともに小型化してきている。例えば、携帯電話機は、小型、軽量化されてきている。デバイス全体のサイズをさらに小型化するには、マイクのサイズも小型化する必要がある。これまでにも、マイクを小型化しようという取り組みは行われてきたが、一般に、これらの以前の取り組みは、マイクの性能に影響を与えることなくどれほどの小型化を行えるかに関して限界にぶつかってきた。
本開示をより完全に理解できるように、以下の詳細な説明及び添付図面を参照されたい。
当業者であれば、図中の要素は単純化及び明瞭化を目的として示されたものであると認識するであろう。動作及び/又はステップの中には、特定の発生順で説明又は図示されているものもあるとさらに認識されるであろうが、当業者であれば、このような順序に関する特定性は実際には不要であると理解するであろう。また、本明細書で使用する用語及び表現は、本明細書内で別途特定の意味を記載している場合を除き、対応するそれぞれの探求及び研究分野に関するこのような用語及び表現に従う通常の意味を有することも理解されるであろう。
本明細書で説明する方法では、(例えば、トップポートアーキテクチャ及びボトムポートアーキテクチャの両方に関してアセンブリ全体の寸法が(1辺)約1mm〜3mm又は(合計)12mm〜32mmの)小型フォームファクタのマイクアセンブリを提供する。別の態様では、形状が正方形(或いは、ほぼ又は実質的に正方形)であるレイアウトのアセンブリを提供する。他の構成も可能である。この小型フォームファクタは、携帯電話機、聴覚機器及びコンピュータなどの小型デバイス(例えば、小型のサイズが望ましいデバイス)内におけるマイクアセンブリの使用を可能にする。
これらの実施形態の多くでは、マイクアセンブリが、壁部に結合された蓋部を含む。壁部は、底部に対して配置される。壁部内にはキャビティが形成されて定められる。底部又は蓋部の一方にはポートが配置される。キャビティ内には、MEMSデバイス及び集積回路が配置される。MEMSデバイス又は集積回路の一方は蓋部に結合される。MEMSデバイス及び集積回路の他方は底部に結合される。MEMSデバイス及び集積回路は、わずかな垂直距離だけ分離される。換言すれば、MEMSデバイス及び集積回路は、一方が他方の上に(例えば、1つの例では、両方が共通の縦軸を中心として)配置される。MEMSデバイスと集積回路の間には、壁部を貫いて形成されたバイアによって電気的接続が部分的に提供される。
いくつかの態様では、アセンブリが、極めて良好なフラットな周波数応答をもたらすほんのわずかな前方容量を有する。また、本明細書で説明するアセンブリは、現在確立されている製造能力及び処理能力を全部ではないが多く再利用することができる。
これらの実施形態の他の実施形態では、微小電気機械システム(MEMS)アセンブリが、カバーと、基板と、カバーと基板の間に配置されてこれらのカバー及び基板に取り付けられた少なくとも1つの壁部と、カバーに配置されたMEMSデバイスと、基板に配置された集積回路とを含む。集積回路及びMEMSデバイスは、一方が他方の上に配置され、壁部を貫いて延びる導管によって共に少なくとも部分的に電気的に接続される。或いは、MEMSデバイスを基板上に配置し、集積回路を底部上に配置することもできる。
ここで図1〜図7を参照しながら、トップポートを含んでフリップチップ構成を使用するマイクアセンブリ100の一例について説明する。アセンブリ100は、蓋部102、壁部104、MEMS装置106、集積回路108及び底部110を含む。底部110上には、顧客用接点パッド200が配置される。トップポート112は、蓋部102の開口部を形成する。ポート112内には、粒子フィルタ114が配置される。粒子フィルタ114の1つの機能は、アセンブリ100に粒子が入り込むのを防ぐことである。本明細書で使用する「フリップチップ構成」は、MEMSデバイスのボンディングパッドが、半田バンプ又は金対金界面接合剤(GGI)などの導電性相互接続材料によって基板材料に直接接着されていることを意味する。
蓋部102は、セラミック性の蓋部とすることができる。フリップチップ接続を可能にする他の蓋部構成材料の例を使用することもできる。底部110は、FR−4材料(又は、セラミック材料などの他の材料)で構成されたプリント回路基板とすることができる。
壁部104は、1つの例ではセラミックで構成され、第1のメッキバイア140及び第2のメッキバイア141を含むことができる。1つの態様では、第1及び第2のメッキバイア140及び141は、(銅などの)導電材料でメッキ又は被覆されることによって電気信号を伝える細長い開口部又はチャネルである。蓋部102上の第1のトレース(又は導体)142は、MEMSデバイス106をメッキバイア140に電気的に結合する。蓋部102上の第2のトレース(又は導体)143は、MEMSデバイス106を第2のメッキバイア141に電気的に結合する。底部110上の第1のトレース(又は導体)144は、バイア140を(ワイヤ146を介して)集積回路108に結合する。底部110上の第2のトレース(又は導体)145は、第2のバイア141を(ワイヤ147を介して)集積回路108に結合する。ワイヤ149、150及び151は、集積回路108を、底部110上の及び/又は底部110を貫く他のトレース又は導電路(図示せず)に結合する。これらの底部上の他のトレースは、顧客用接点パッド200に接続される。
MEMS装置106は、音響エネルギーを受け取ってこれを電気エネルギーに変換する。この点に関し、MEMS装置106は、ダイアフラム107及びバックプレート109を含むことができる。音響エネルギーは、ダイアフラム107の動きを引き起こし、この動きがダイアフラム107とバックプレート109の間の電位を変化させる。バックプレートを利用しない他のタイプのMEMS法を使用することもできる。生成される電流又は電圧は、MEMS装置106によって受け取られた音響エネルギーを表す。MEMS装置106は、導電性金属接続又はその他のいずれかの適当な締結機構又は方法によって蓋部102に取り付けられる。組み立てられたアセンブリにより、前方容量201及び後方容量203が形成される。
集積回路108は、あらゆる種類の処理機能を実行するあらゆる種類の集積回路である。一例では、集積回路108が、緩衝器、特定用途向け集積回路(ASIC)、又は増幅器である。他の集積回路の例及びタイプも可能である。
MEMSデバイス106には、エッジ充填部160が配置される。エッジ充填部160の1つの目的は、MEMSデバイス106と蓋部102の間に音響シールを提供する(このシールによって後方容量が前方容量から分離されるようにする)ことである。シールリング199は、アセンブリ100の内部を外部環境から音響的に密封する。
フリップチップバンプ162は、MEMSデバイス106を蓋部102に結合する。フリップチップバンプ162は、導電性材料で構成される。導電性/金属接合部164、166、172及び174は、蓋部102(又は底部110)上の導体と、対応するバイア140又は141との間の電気的接続を提供する。非導電性接合部168、170、176及び178は、組み立てを目的として(蓋部102/壁部104間、又は底部110/壁部104間の)4つの角部全てへの取り付けを可能にする。
図1〜図7のシステムの1つの動作例では、MEMSデバイス106によって音響エネルギーが受け取られ、デバイス106がこの音響エネルギーを電気エネルギーに変換する。この点に関し、音響エネルギーは、ダイアフラム107の動きを引き起こし、この動きがダイアフラム107とバックプレート109の間の電位を変化させる。生成される電流又は電圧は、MEMS装置106によって受け取られた音響エネルギーを表す。
導体142からバイア140、トレース145、集積回路108に信号が伝達される。集積回路108は、この信号をさらに処理することができ、この信号は、底部内の、及び/又は底部を通るさらなる導体(図示せず)に(ワイヤ149、150及び151を介して)伝達された後に、ここから底部上のパッド200に伝達され、ここで顧客はパッド及びこれらのパッド200上に提供される信号にアクセスすることができる。
一般に、MEMSデバイス106及び集積回路108は、互いに、又は一方が他方の上に積み重ねられ、又は配置されると認識されるであろう。本明細書で説明する例では、MEMSデバイス106及び集積回路108が、同じ縦軸204に沿って中心を置く。しかしながら、これらの2つのデバイスを互いにずらす(例えば、異なる縦軸に沿って配置する)こともできると認識されるであろう。こうすることで、デバイスの全体的なフォームファクタ又は「占有面積」が低減され、これによって例えば形状/フォームファクタを矩形にすることができる。そうすると、デバイスの全体的なサイズが低減され、アセンブリ100を含むデバイスをさらに小型化することができる。
この結果、(例えば、トップポートアーキテクチャ及びボトムポートアーキテクチャの両方に関してアセンブリ全体の寸法が(1辺)約1mm〜3mm又は(合計)12mm〜32mmの)小型フォームファクタのマイクアセンブリが提供される。他の寸法及びレイアウト例も可能である。フラットな周波数応答のためにわずかな前方容量201が存在することも認識されるであろう。また、トップポートの例では、信号対雑音(SNR)性能を高めるために(前方容量に比べて大きな)後方容量203が存在する。
ここで図7を参照しながら、マイクアセンブリ100の別の例について説明する。この例では、音響ポートが底部に存在する。これに関連して、MEMSデバイス106はアセンブリの底部上(底部110)に存在し、集積回路108はアセンブリの頂部(蓋部102上)に存在し、従ってこのアセンブリはボトムポート構成になっている。バイア203は、導電バイア140からパッド200に電気信号を接続する。他のコンポーネントは、図1〜図7で使用したものと同じものであるため、ここではこれらの説明及び動作については繰り返さない。図1〜図6の例は(ポートが顧客用半田パッドと反対側にある)トップポート式マイクであり、図7には(ポートが顧客用半田パッドと同じ側にある)ボトムポート式デバイスを示していると認識されるであろう。これらの2つの例は、顧客用半田パッド(これらは常にデバイスの底部側に存在する)を除いて基本的に180°回転させた同じアセンブリである。
ここで図8〜図13を参照しながら、ワイヤボンド構成のトップポートを有するマイクアセンブリ800の一例について説明する。この例は、図1〜図7の例と同様のものであり、同様の番号のコンポーネントについては同様に番号を付けている(例えば、102と表記したコンポーネントは802と表記している)。図1〜図7の例示的なアセンブリ100と図8〜図13の例示的なアセンブリ800との相違点は、半田バンプ162が除去されている(すなわち、MEMSデバイス106がフリップチップ構成で実装されていない)点である。代わりに、MEMSデバイスは何らかの締結方法を通じて蓋部バイアに固定され、トレース142(及び、蓋部102上の他のトレース)とMEMSデバイス106の間の電気的接続はワイヤボンド820及び821によって提供される。図8〜図13のアセンブリの動作及びその他のコンポーネントは図1〜図7の例と同じものであるため、ここでは繰り返さない。
ここで図14を参照しながら、ワイヤボンド構成のボトムポートを有するマイクアセンブリの一例について説明する。この例では、音響ポートが底部に存在する。これに関連して、MEMSデバイス806はアセンブリの底部上に存在し、集積回路808はアセンブリの頂部上に存在し、従ってこのアセンブリはボトムポート構成になっている。バイア903は、導電バイア840からパッド900に電気信号を接続する。他のコンポーネントは、図8〜図13で使用したものと同じものであるため、ここではこれらの説明及び動作については繰り返さない。図8〜図13の例は(ポートが顧客用半田パッドと反対側にある)トップポート式マイクであり、図14には(ポートが顧客用半田パッドと同じ側にある)ボトムポート式デバイスを示していると認識されるであろう。これらの2つの例は、顧客用半田パッド(これらは常にデバイスの底部側に存在する)を除いて基本的に180°回転させた同じアセンブリである。
本明細書では、発明者らに周知の、発明を実施するための最良の形態を含む本発明の好ましい実施形態を説明した。図示の実施形態は例示にすぎず、本発明の範囲を限定するものとして解釈すべきではない。
102 蓋部
104 壁部
106 MEMS装置
107 ダイアフラム
108 集積回路
109 バックプレート
110 底部
112 トップポート
114 粒子フィルタ
140 バイア
144 第1のトレース
145 第2のトレース
146 ワイヤ
147 ワイヤ
160 エッジ充填部
162 フリップチップパンプ
164 導電性/金属接合部
166 導電性/金属接合部
172 導電性/金属接合部
174 導電性/金属接合部
200 顧客用接点パッド
201 前方容量
203 後方容量
204 縦軸
104 壁部
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108 集積回路
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201 前方容量
203 後方容量
204 縦軸
Claims (10)
- 微小電気機械システム(MEMS)アセンブリであって、
カバーと、
基板と、
前記カバーと前記基板の間に配置されて該カバー及び該基板に取り付けられた少なくとも1つの壁部と、
前記カバーに配置されたMEMSデバイスと、
前記基板に配置された集積回路と、
を備え、前記集積回路及び前記MEMSデバイスは、一方が他方の上に配置され、壁部を貫いて延びる導管によって共に少なくとも部分的に電気的に接続される、
ことを特徴とするMEMSアセンブリ。 - 前記MEMSデバイスは、前記カバーにおいて導体を介して前記導管に結合する、
ことを特徴とする請求項1に記載のMEMSアセンブリ。 - 前記集積回路は、前記基板において導体を介して前記導管に結合する、
ことを特徴とする請求項1に記載のMEMSアセンブリ。 - 前記基板は、プリント回路基板を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のMEMSアセンブリ。 - 前記カバーは、金属又はセラミックを含む材料で構成される、
ことを特徴とする請求項1に記載のMEMSアセンブリ。 - 微小電気機械システム(MEMS)アセンブリであって、
カバーと、
基板と、
前記カバーと前記基板の間に配置されて該カバー及び該基板に取り付けられた少なくとも1つの壁部と、
前記基板に配置されたMEMSデバイスと、
前記カバーに配置された集積回路と、
を備え、前記集積回路及び前記MEMSデバイスは、一方が他方の上に配置され、壁部を貫いて延びる導管によって共に少なくとも部分的に電気的に接続される、
ことを特徴とするMEMSアセンブリ。 - 前記集積回路は、前記カバーにおいて導体を介して前記導管に結合する、
ことを特徴とする請求項6に記載のMEMSアセンブリ。 - 前記MEMSデバイスは、前記基板において導体を介して前記導管に結合する、
ことを特徴とする請求項6に記載のMEMSアセンブリ。 - 前記基板は、プリント回路基板を含む、
ことを特徴とする請求項6に記載のMEMSアセンブリ。 - 前記カバーは、金属又はセラミックを含む材料で構成される、
ことを特徴とする請求項6に記載のMEMSアセンブリ。
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