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Claims (20)
- 基板と静電気放電(ESD)保護回路とを含む集積回路であって、
前記ESD保護回路が、
第1の端子と、
第2の端子と、
前記第1の端子と前記第2の端子との間に並列に結合される複数のスイッチレッグと、
を含み、
前記複数のスイッチレッグが第1のスイッチレッグと第2のスイッチレッグとを含み、
前記第1のスイッチレッグが、
第1の電流供給ノードとしてのアノードと第1の電流収集ノードとしてのカソードとを有するシリコン制御整流器(SCR)を含む第1の電流スイッチであって、前記第1の電流供給ノードが前記第1の端子に電気的に結合される、前記第1の電流スイッチと、
第2の電流供給ノードと第2の電流収集ノードとを含む第2の電流スイッチであって、前記第2の電流供給ノードが前記第2の端子に電気的に結合され、前記第2の電流収集ノードが前記第1のスイッチレッグの前記第1の電流収集ノードに結合され、前記第2の電流収集ノードが、前記第2のスイッチレッグ内の第3及び第4の電流収集ノードからの電気的結合がない、前記第2の電流スイッチと、
を含む、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第2の電流スイッチが、第2のシリコン制御整流器(SCR)であり、前記第2の電流供給ノードが、前記第第2のSCRのアノードであり、前記第2の電流収集ノードが、前記第2のSCRのカソードである、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第1及び第2の電流スイッチが、第1及び第2の金属酸化物半導体(MOS)トランジスタであり、前記第1及び第2の電流供給ノードが、前記第1及び第2のMOSトランジスタのソースノードであり、前記第1及び第2の電流収集ノードが、前記第1及び第2のMOSトランジスタのドレインノードである、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第1及び第2の電流スイッチが、第1及び第2のバイポーラトランジスタであり、前記第1及び第2の電流供給ノードが、前記第1及び第2のバイポーラトランジスタのエミッタノードであり、前記第1及び第2の電流収集ノードが、前記第1及び第2のバイポーラトランジスタのコレクタノードである、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第2の端子が前記集積回路の接地ノードに電気的に接続される、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第2の電流スイッチが、前記第2の端子に対して前記第1の端子の電位が30ボルト上回って上昇するときにトリガするように構成され、
前記第1の電流スイッチが、前記第2の端子に対して前記第1の端子の電位が30ボルト下回って下降するときにトリガするように構成される、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第2の電流スイッチが、前記第2の端子に対して前記第1の端子の電位が第1の電圧振幅上回って上昇するときにトリガするように構成され、
前記第1の電流スイッチが、前記第2の端子に対して前記第1の端子の電位が第2の電圧振幅下回って下降するときにトリガするように構成され、前記第2の電圧振幅が前記第1の電圧振幅の5ボルト以内である、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第2の電流スイッチが、前記第2の端子に対して前記第1の端子の電位が第1の電圧振幅上回って上昇するときにトリガするように構成され、
前記第1の電流スイッチが、前記第2の端子に対して前記第1の端子の電位が第2の電圧振幅下回って下降するときにトリガするように構成され、前記第2の電圧振幅が前記第1の電圧振幅とは少なくとも10ボルト異なるようになっている、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第1の電流スイッチが、前記スイッチレッグの各々における別々のトリガ構成要素によって個別にトリガするように構成される、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第1の電流スイッチが、前記第1の電流スイッチの各々に接続された共通のトリガ構成要素によってトリガするように構成される、集積回路。 - 集積回路を形成する方法であって、
半導体材料を含む基板を提供するステップと、
ESD保護構成要素の複数のスイッチレッグを同時に形成するステップであって、
前記複数のスイッチレッグの各スイッチレッグの第1の電流スイッチの第1の電流供給ノードとしてのシリコン制御整流器(SCR)のアノードを形成するステップと、
前記複数のスイッチレッグの各スイッチレッグの前記第1の電流スイッチの第1の電流収集ノードとしての前記SCRのカソードを形成するステップと、
前記複数のスイッチレッグの各スイッチレッグの第2の電流スイッチの第2の電流供給ノードを形成するステップと、
前記複数のスイッチレッグの各スイッチレッグの前記第2の電流スイッチの第2の電流収集ノードを形成するステップと、
を含む、前記ESD保護構成要素の複数のスイッチレッグを同時に形成するステップと、
前記第1の電流供給ノードを前記ESD保護構成要素の第1の端子に電気的に結合する第1の相互接続を形成するステップと、
前記第2の電流供給ノードを前記ESD保護構成要素の第2の端子に電気的に結合する第2の相互接続を形成するステップと、
前記第2の電流収集ノードの各々が前記第2の電流収集ノードの他からの電気的結合がなく、前記第1の電流収集ノードの各々が前記第1の電流収集ノードの他からの電気的結合がないように、各々が、前記第1の電流収集ノードを対応するスイッチレッグの対応する第2の電流収集ノードに結合する、複数の電流収集相互接続を形成するステップと、
を含む、方法。 - 入出力(I/O)端子と、
接地端子と、
前記I/O端子と前記接地端子との間に結合される双方向静電気放電(ESD)デバイスと、
を含む集積回路であって、
前記双方向ESDデバイスが、
前記I/O端子に結合される第1の電流スイッチと、
前記第1の電流スイッチと前記I/O端子とに結合される第1のトリガと、
前記接地端子と前記第1の電流スイッチとに結合される第2の電流スイッチと、
前記第2の電流スイッチと前記接地端子とに結合される第2のトリガと、
を含む、集積回路。 - 請求項12に記載の集積回路であって、
前記双方向ESDデバイスが、前記第1の電流スイッチと前記第2の電流スイッチとに結合される電流収集ノードを含み、
前記第1のトリガが、前記I/O端子と前記接地端子との間の電位差が所定の閾値より下に降下するときにのみ前記電流収集ノードから前記I/O端子へ電流を運ぶために、前記第1の電流スイッチをトリガする、集積回路。 - 請求項12に記載の集積回路であって、
前記双方向ESDデバイスが、前記第1の電流スイッチと前記第2の電流スイッチとに結合される電流収集ノードを含み、
前記第2のトリガが、前記I/O端子と前記接地端子との間の電位差が所定の閾値を超えて上昇するときにのみ前記電流収集ノードから前記接地端子に電流を運ぶために、前期第2の電流スイッチをトリガする、集積回路。 - 請求項12に記載の集積回路であって、
前記第1の電流スイッチが、前記I/O端子に結合される第1のアノードと電流収集ノードに結合される第1のカソードとを有する第1のシリコン制御整流器(SCR)を含み、
前記第1のトリガが、前記第1のカソードと前記I/O端子との間に結合される第1の抵抗器を含み、
前記第2の電流スイッチが、前記接地端子に結合される第2のアノードと前記電流収集ノードに結合される第2のカソードとを有する第2のSCRを含み、
前記第2のトリガが、前記第2のカソードと前記接地端子との間に結合される第2の抵抗器を含む、集積回路。 - 請求項12に記載の集積回路であって、
前記第1の電流スイッチが、前記I/O端子に結合される第1のソースノードと電流収集ノードに結合される第1のドレインノードとを有する第1のNMOSデバイスを含み、
前記第2の電流スイッチが、前記接地端子に結合される第2のソースノードと前記電流収集ノードに結合される第2のドレインノードとを有する第2のNMOSデバイスを含む、集積回路。 - 請求項16に記載の集積回路であって、
前記第1のトリガが、
前記第1のNMOSデバイスの第1のゲートノードと前記I/O端子との間に結合されるツェナーダイオードと、
前記第1のNMOSデバイスの前記第1のゲートノードと前記接地端子との間に結合されるバイアスダイオードと、
を含む、集積回路。 - 請求項16に記載の集積回路であって、
前記第2のトリガが、
前記第2のNMOSデバイスの第2のゲートノードと前記接地端子との間に結合されるツェナーダイオードと、
前記第2のNMOSデバイスの前記第2のゲートノードと前記I/O端子との間に結合されるバイアスダイオードと、
を含む、集積回路。 - 請求項12に記載の集積回路であって、
前記第1の電流スイッチが、前記I/O端子に結合される第1のエミッタノードと電流収集ノードに結合される第1のコレクタノードとを有する第1のNPNトランジスタを含み、
前記第1のトリガが、前記第1のNPNトランジスタの第1のベースノードに結合される第1のアノードと前記電流収集ノードに結合される第1のカソードとを有する第1のダイオードを含み、
前記第2の電流スイッチが、前記接端子に結合される第2のエミッタノードと前記電流収集ノードに結合される第2のコレクタノードとを有する第2のNPNトランジスタを含み、
前記第2のトリガが、前記第2のNPNトランジスタの第2のベースノードに結合される第2のアノードと前記接地端子に結合される第2のカソードとを有する第2のダイオードを含む、集積回路。 - 請求項12に記載の集積回路であって、
前記双方向ESDデバイスが、
前記I/O端子に結合される第3の電流スイッチと、
前記接地端子と前記第3の電流スイッチとに結合される第4の電流スイッチと、
前記I/O端子に結合される第5の電流スイッチと、
前記接地端子と前記第5の電流スイッチとに結合される第6の電流スイッチと、
を含み、
前記第1及び第2の電流スイッチが、前記I/O端子と前記接地端子との間に第1の放電パスを作り、
前記第3及び第4の電流スイッチが、前記第1の放電パスに並列に独立に第2の放電パスを作り、
前記第5及び第6の電流スイッチが、前記第1及び第2の放電パスに並列に独立に第3の放電パスを作る、集積回路。
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