JP2015522709A - ドライプラズマエッチング装置用の比例的及び均一な制御されたガス流送出 - Google Patents

Abstract

本発明の実施形態は、均一性を改善した、処理ガスを処理チャンバに提供するための方法及び装置に関する。本発明の一実施形態は、ガス注入アセンブリを提供する。ガス注入アセンブリは、入口ハブと、入口ハブに接触して配置された複数の注入通路を有するノズルと、ノズルと入口ハブの間に配置された分配インサートを含む。分配インサートは、入口ハブをノズルの複数の注入通路に接続するように構成された１以上のガス分配通路を有する。１以上のガス分配通路の各々は、複数の出口と接続する１つの入口を有し、入口と複数の出口の各々との間の距離は実質的に等しい。

Description

背景

（分野）
本発明の実施形態は、概して、基板処理システム及び関連する基板プロセスに関する。より具体的には、本発明の実施形態は、均一性を改善した、処理ガスを処理チャンバに提供するための方法及び装置に関する。

（関連技術の説明）
マイクロ電子デバイスの製造の際に、誘導結合プラズマリアクタは、各種処理に使用される。従来の誘導結合プラズマリアクタは、概して、側壁及び天井を有する真空チャンバと、チャンバ内で概して天井に対向するワークピース支持台と、１以上の処理ガスをチャンバ内に供給することができるガス入口と、天井の上にある１以上のコイルアンテナを含む。ガス入口は、概して、複数の噴出口を有するノズルに結合された１以上のガスラインを含む。ガスラインは、通常、一方の側から非対称にノズルに接続される。ガスラインの非対称接続は、不均一な処理結果をもたらす、ノズルからの処理ガスの分布のスキューを引き起こす。

したがって、均一性を改善した、処理ガスを送出するための装置及び方法が必要である。

概要

本発明の実施形態は、概して、基板処理システム及び関連する基板プロセスに関する。より具体的には、本発明の実施形態は、均一性を改善した、処理ガスを処理チャンバに提供するための方法及び装置に関する。

本発明の一実施形態は、ガス注入アセンブリを提供する。ガス注入アセンブリは、入口ハブと、入口ハブに接触して配置された複数の注入通路を有するノズルと、ノズルと入口ハブの間に配置された分配インサートを含む。分配インサートは、入口ハブをノズルの複数の注入通路に接続するように構成された１以上のガス分配通路を有する。１以上のガス分配通路の各々は、複数の出口と接続する１つの入口を有し、入口と複数の出口の各々との間の距離は実質的に等しい。

本発明の別の一実施形態は、基板処理システムを提供する。基板処理システムは、処理容積を画定するチャンバハウジングアセンブリと、処理容積内に配置された基板支持体を含む。チャンバハウジングアセンブリは、中央開口部を有するチャンバ蓋を含む。基板処理システムは、チャンバ蓋の上方に配置されたガス注入アセンブリを更に含む。ノズルの一部は、チャンバ蓋内の中央開口部を通って処理容積内に配置される。ガス注入アセンブリは、入口ハブと、入口ハブに接触して配置された複数の注入通路を有するノズルと、ノズルと入口ハブの間に配置された分配インサートを含む。分配インサートは、入口ハブをノズルの複数の注入通路に接続するように構成された１以上のガス分配通路を有する。１以上のガス分配通路の各々は、複数の出口と接続する１つの入口を有し、入口と複数の出口の各々との間の距離は実質的に等しい。

本発明の更に別の一実施形態は、基板を処理するための方法を提供する。この方法は、基板処理システム内に基板を配置する工程と、基板処理システムのガス注入アセンブリを通して１以上の処理ガスを供給する工程を含む。ガス注入アセンブリは、入口ハブと、入口ハブに接触して配置された複数の注入通路を有するノズルと、ノズルと入口ハブの間に配置された分配インサートを含む。分配インサートは、入口ハブをノズルの複数の注入通路に接続するように構成された１以上のガス分配通路を有する。１以上のガス分配通路の各々は、複数の出口と接続する１つの入口を有し、入口と複数の出口の各々との間の距離は実質的に等しい。

本発明の実施形態の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本発明の実施形態のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を限定していると解釈されるべきではないことに留意すべきである。
本発明の一実施形態に係るプラズマ処理システムを概略的に示す。 本発明の一実施形態に係るガス注入アセンブリの拡大断面図である。 図２Ａのガス注入アセンブリの分解図である。 本発明の一実施形態に係るガスハブの概略上面斜視図である。 図３Ａのガスハブの概略断面斜視図である。 図３Ａのガスハブ内のガス通路を示す断面側面図である。 本発明の一実施形態に係るノズルインサートの概略上面斜視図である。 本発明の一実施形態に係る分配インサートの概略上面斜視図である。 図５Ａの分配インサートの概略底面斜視図である。

理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。一実施形態で開示された要素を、特に説明することなく、他の実施形態で有益に利用してもよいと理解される。

詳細な説明

本発明の実施形態は、概して、均一性を改善した、処理ガスを処理チャンバに提供するための方法及び装置に関する。より具体的には、本発明の実施形態は、１以上のガスを供給源から受け取るための入口ハブと、１以上のガスを複数の注入通路を介して処理チャンバに注入するためのノズルと、入口ハブとノズルの間の分配インサートを含むガス注入アセンブリを提供する。

分配インサートは、入口ハブをノズル内の複数の注入通路に接続する分配通路を提供し、これによって複数の注入通路及び入口ハブからの距離は実質的に等しくなる。入口ハブが、複数の注入通路に対して対称配置されなくても、分配インサートは、入口ハブから等しい距離でノズル内の複数の注入通路の各々を配置するので、ガス注入の均一性を改善する。

本発明の一実施形態によれば、ノズル、分配インサート、及び入口ハブは、いかなる物理的コンポーネント（例えば、溶接、締結具）によって接合されることなく、分離したままである。動作中、ノズル及び入口ハブは、処理チャンバの内部と外部との間の圧力差によって互いに押し付けられ、これによって気密構造を作ることができる。一実施形態では、ばね要素を含み、これによって入口ハブに対して分配インサートにバイアスを掛け、分配通路を形成することができる。恒久的な接合部の必要性を排除することによって、ガス注入ノズルは、合理的なコストでセラミックスから製造することができる。

一実施形態では、ガス注入アセンブリは、観察窓を含む。観察窓は、ノズルの中央開口部の上方に配置することができる。観察によって、光学センサが、処理チャンバ内の基板を監視可能となり、したがって制御性を向上させることができる。

図１は、様々な基板を処理し、様々な基板サイズ（例えば、最大約４５０ｍｍの基板直径）を収容するための基板処理システム１００の断面図を概略的に示す。基板処理システム１００は、内部に画定された処理容積１０４を有するチャンバハウジングアセンブリ１０２を含む。チャンバハウジングアセンブリ１０２は、側壁１０６及びチャンバ蓋１０８を含むことができる。基板支持アセンブリ１１０は、処理容積１０４内に配置することができる。基板支持アセンブリ１１０は、処理の間、基板１１２を支持する。スリットバルブ開口部１４４は、チャンバ壁１０６を貫通して形成され、これによって基板を処理容積１０４へ出入り可能とする。スリットバルブドア１４８が用いられ、これによってスリットバルブ開口部１４４を選択的に閉じることができる。複数のリフトピン１４６が用いられ、これによって基板交換中に、基板１１２を持ち上げて降ろすことができる。一実施形態では、基板支持アセンブリ１１０は、処理中に基板１１２を固定するための静電チャック１０４を含むことができる。

チャンバ蓋１０８は、１以上の処理ガスの進入を可能にするための開口部１１６を有する。開口部１１６は、基板処理システム１００の中心軸１１８付近に位置する中央開口部であり、処理される基板１１２の中央に対応することができる。

ガス注入アセンブリ１２０は、開口部１１６を介してチャンバ蓋１０８の上方に配置される。ガス注入アセンブリ１２０は、１以上のガス入力ライン１２２を介してガス源１２４に接続され、これによって１以上の処理ガスを処理容積１０４へ供給することができる。一実施形態では、１以上の処理ガスは、処理容積１０４内部に配置されたライナ１４０内に形成されたポンピングチャネル１３８を介して処理容積１０４を出ることができる。ポンピングチャネル１３８は、真空ポンプ１４２と流体連通することができる。あるいはまた、真空ポンプ１４２は、処理容積１０４に直接接続することができる。

センサ１２６は、チャンバ蓋１０４の上方に配置され、ガス注入アセンブリ１２０を通して処理容積１０４内の基板１１２を監視するように構成することができる。センサ１２６は、プロセス制御のためのフィードバックを提供するためのシステムコントローラ１２８に接続することができる。

オプションで、基板処理システム１００は、チャンバ蓋１０８の上方に配置されたアンテナアセンブリ１３０を含むことができる。アンテナアセンブリ１３０は、処理容積１０４内にプラズマを生成するように構成される。アンテナアセンブリ１３０は、基板処理システム１００の中心軸１１８と同軸に配置される１以上のソレノイドインターリーブコイルアンテナを含むことができる。ヒータアセンブリ１３２は、チャンバ蓋１０８の上方に配置することができる。ヒータアセンブリ１３２は、クランプ部材１３４、１３６によってチャンバ蓋１０８に固定することができる。

ガス注入アセンブリ１２０は、１以上の処理ガスを処理容積１０４へ均一に供給するように構成される。図２Ａは、クランプ部材１３４，１３６及びヒータアセンブリ１３２を取り除いた、チャンバ蓋１０６上に配置されるガス注入アセンブリ１２０の拡大断面図である。

図２Ａに示されるように、ガス注入アセンブリ１２０は、入口ハブ２１０、ノズル２３０、及び分配インサート２５０を含む。組み立てられると、ノズル２３０は、チャンバ蓋１０６の開口部１１６内を貫通して配置される。ノズル２３０は、チャンバ蓋１０６上にノズル２３０を取り付けるためのフランジ２３２を有することができる。ノズル２３０の一部は、開口部１１６を貫通して処理容積１０４内に突出し、これによって処理ガスを処理容積１０４へ送出する。入口ハブ２１０は、チャンバ蓋１０６上に配置され、開口部１１６及びノズル２３０を覆う。入口ハブ２１０は、ノズル２３０の上方に配置され、ガス入力ライン１２２とノズル２３０の間のインタフェースを提供する。分配インサート２５０は、入口ハブ２１０の内部容積２１８内に配置される。分配インサート２５０は、１以上のガスをガス入力ライン１２２からノズル２３０へとルーティングする１以上の分配通路を提供する。

入口ハブ２１０は、開口部１１６を囲み、ノズル２３０とインタフェース接続するような形状の本体２１１を有する。本体２１１は、外部環境に面する外面２１４と、内部容積２１８を画定する内面２１６と、ノズル２３０及びチャンバ蓋１０６と接触するための底面２１３を有する。１以上の入口通路２１２ａ、２１２ｂが、本体２１１を貫通して形成される。各入口通路２１２ａ、２１２ｂは、外面２１４へ開口する第１端部と、内部容積２１８へ開口する第２端部を有する。１以上の入口通路２１２ａ、２１２ｂは、１以上のガス入力ライン１２２と接続するように用いられる。明確にするために、入口通路２１２ｂは、断面線上に配置されていないかもしれないが、入口通路２１２ｂが、図２Ａの断面図内には示されている。一実施形態では、１以上の入口通路２１２ａ、２１２ｂは、中心軸１１８に対して非対称である。内部容積２１８は、底面２１３に開口部２２０を有する。開口部２２０は、内部容積２１８をノズル２３０と接続する。

入口ハブ２１０は、ノズル２３０と接続し、チャンバ蓋１０６内の開口部１１６を覆うように成形することができる。一実施形態では、入口ハブ２１０の本体２１１は、実質的に円形である。内部容積２１８の開口部２２０を囲むグランド２２６が入口ハブ２１０の底面２１３内に形成され、これによってシール２７６を受け入れることができる。組み立てられると、グランド２２６及びシール２７６もまた、チャンバ蓋１０６の開口部１１６を囲み、シール２７６がチャンバ蓋１０６に接触し、これによって処理容積１０４と外部環境の間の気密シールを形成する。

ノズル２３０は、入口ハブ２１０の底面２１３と接触するための上面２３１を有する。ノズル２３８は、１以上の処理ガスを入口ハブ２１０の内部容積２１８から注入するための複数の注入通路２３６、２３８を有することができる。複数の注入通路２３６、２３８の各々は、上面２３１に入口を有する。注入通路２３６、２３８は、様々な位置に出口を有し、これによって所望のガス注入効果を達成することができる。一実施形態では、図２Ａに示されるように、複数の注入通路２３６は、複数の注入通路２３６の半径方向外方へ配置される。複数の注入通路２３６は、ノズル２３０から半径方向外方へ向けられた出口を有する。複数の注入通路２３８は、ノズル２３０から下方へ向けられた出口を有する。一実施形態では、ノズル２３０は円筒形であることができ、複数の注入通路２３６、２３８は、方位方向に均等に分布している。

分配インサート２５０は、入口ハブ２１０の内部容積２１８内に配置される。分配インサート２５０は、入口通路２１２ａ、２１２ｂを複数の注入通路２３６、２３８に接続するように構成された１以上の分配通路２５４、２５６を有する。一実施形態では、１以上の分配通路２５４、２５６の各々は、１つの入口と複数の出口を有し、入口と複数の出口の各々の間の距離は、実質的に等しい。各注入通路２３６、２３８まで実質的に等しい長さの分配通路を提供することによって、分配インサート２５０は、入口通路２１２ａ、２１２ｂに対する個々の注入通路２３６、２３８の位置にかかわらず、実質的に同一の条件で、処理ガスが個々の注入通路２３６、２３８に到達することを保証し、したがってノズル２３０からの方位的な注入の均一性を向上させる。

一実施形態では、分配インサート２５０は、複数の溝２９０が上に形成された中実体２５２を含む。１以上の分配通路２５４、２５６は、図２Ａに示されるように、分配インサート２５０の中実体２５２と入口ハブ２１０の内面２１６上に、複数の溝２９０によって画定される。ばね要素が使用され、これによって分配インサート２５０を入口ハブ２１０の内面２１６に対して押し付け、これによって分配通路２５４、２５６を形成することができる。一実施形態では、グランド２６０上に配置されたシール２７８は、ばね要素として使用することができる。シール２７８は、分配インサート２５０とノズル２３０の間で圧縮され、これによってばね力を入口ハブ２１０に対して印加する。シール２７８からのばね力が、Ｏリングシール２７６によって形成された真空シールに支障をきたさないように、グランド２６０は、真空シールを形成するためのシール２７８の設計要件によるグランドよりも深く形成することができる。一実施形態では、シール２７８は、その元のサイズの約１０％〜約２０％を低減するように圧縮することができる。

あるいはまた、分配インサート２５０は、内部チャネルで全体的に又は部分的に作られた分配通路を含むことができる。

図２Ａに示されるように、ガス注入アセンブリ１２０は、２つの独立したガス源からガスを受け取り注入するように構成される。入口通路２１２ａ、２１２ｂの各々は、１つのソースラインを受け取るように使用することができる。図２Ａに示されるように、分配通路２５４は、入口通路２１２ｂを複数の注入通路２３８に接続し、点線の矢印で示される流体通路を形成する。入口通路２１２ｂの出口から複数の注入通路２３８の各々の出口までの距離は、実質的に等しい。こうして、入口通路２１２ｂからの処理ガスは、複数の注入通路２３８を介して処理容積１０４に均一に注入することができる。分配通路２５６は、入口通路２１２ａを複数の注入通路２３６に接続し、実線の矢印で示される流体通路を形成する。入口通路２１２ａの出口から複数の注入通路２３６の各々の出口までの距離は、実質的に等しい。こうして、入口通路２１２ａからの処理ガスは、複数の注入通路２３６を介して処理容積１０４に均一に注入することができる。あるいはまた、ガス注入アセンブリ１２０は、より多くの又はより少ない独立した通路を含むことができる。

整列要素は、分配インサート２５０及び入口ハブ２１０を整列させるために使用可能であり、これによって入口通路２１２ａ、２１２ｂは、分配インサート２５０内で対応する分配通路２５４、２５６と整列する。一実施形態では、入口ハブ２１０は整列孔２２４を有し、分配インサート２５０は整列孔２５８を有し、ドエルピン２７２は、入口ハブ２１０内の整列孔２２４と分配インサート２５０内の整列孔２５８の間を通り抜ける。あるいはまた、他の整列要素（例えば、歯と溝）を使用してもよい。

オプションで、ガス注入アセンブリ１２０は、観察窓２７０を含む。入口ハブ２１０の本体２１１は貫通孔２２２を有することができ、内部容積２１８は、貫通孔２２２から半径方向外方のリング状の凹部であることができる、ノズル２３０は、中央開口部２４０を有する中空円筒であることができ、複数の注入通路２３６、２３８は、中空円筒の側壁を貫通して形成することができる。観察窓２７０は、入口ハブ２１０とノズル２３０の間に配置することができる。一実施形態では、ノズル２３０は、観察窓２７０を支持するための凹部２４２を有することができる。入口ハブ２１０は、シール２７４を受け入れるために形成されたグランド２２８を有し、これによって入口ハブ２１０と観察窓２７０の間の真空シールを提供することができる。一実施形態では、観察窓２７０は、石英から製造される。

図２Ｂは、図２Ａのガス注入アセンブリ２１０の分解図である。入口ハブ２１０、ノズル２３０、及び分配インサート２５０は、別々のコンポーネントとしたままであり、恒久的に共に接合されない。入口ハブ２１０、ノズル２３０、及び分配インサート２５０は、セラミックス材料（例えば、酸化アルミニウム）から製造することができる。

図３Ａは、本発明の一実施形態に係る入口ハブ２１０の概略斜視図である。図３Ｂは、入口ハブ２１０の概略断面斜視図である。入口通路２１２ａ、２１２ｂが、本体２１１の１つの側から形成され、内部容積２１８に非対称に入ることができる。

図３Ｃは、入口ハブ２１０内の入口通路２１２ａ、２１２ｂを示す断面側面図である。図３Ｃに示されるように、入口通路２１２ａ、２１２ｂは、異なる鉛直方向の高さで入口ハブ２１０の内部容積２１８に入ることができる。

図４は、本発明の一実施形態に係るノズルインサート２３０の概略斜視図である。複数の注入通路２３６、２３８は、円筒体２３４の周囲に沿って均等に分布される。注入通路２３６は、注入通路２３８の半径方向外方にある。円４０２、４０４は、ノズル２３０上で入口ハブ２１０の底面２１３の設置領域を示す。円４０２、４０４間のリング状領域は、入口ハブ２１０内の内部容積２１８の開口部２２０に対応する。注入通路２３８、２３６は、円４０２、４０４間のリング状領域内に配置される。

曲線４０４は、本発明の一実施形態に係る分配インサート２５０の設置領域を示す。分配インサート２５０は、注入通路２３６、２３８を分離し、グループ化する。各々のグループ内の注入通路２３６、２３８は、分配インサート２５０内の分配通路のうちの１つの出口を共有する。

図５Ａは、本発明の一実施形態に係る分配インサート２５０の概略斜視図である。図５Ｂは、分配インサート２５０の別の一斜視図である。分配インサート２５０は、リング状本体２５２を有する。

分配通路２５６は、１つの入口５０２と複数の出口５０４を含む。複数の出口５０４は、リング状本体２５２の周囲に沿って均等に分布させることができる。入口５０２は、入口ハブ２１０内の入口通路と整列するように構成される。図５Ａに示されるように、分配通路２５６は、入口５０２の直後にブランチ（分岐部）５０３ａ、５０３ｂへと分岐する。ブランチ５０３ａ、５０３ｂは、本体２５２の弧に沿って反対方向に同じ長さ延び、その後、ブランチ５０５ａ、５０５ｂ、及び５０５ｃ、５０５ｄへとそれぞれ分岐する。ブランチ５０５ａ、５０５ｂは、本体２５２の弧に沿って反対方向に同じ長さ延び、出口５０４のうちの２つに接続する。ブランチ５０５ｃ、５０５ｄは、本体２５２の弧に沿って反対方向に同じ長さ延び、出口５０４のうちの２つに接続する。こうして、入口５０２から出口５０４の各々までの距離は等しい。通路２５６は、より多くの出口と接続するために更に分岐してもよい。

同様に、分配通路２５４は、１つの入口５１２と複数の出口５１４を含む。分配通路２５４は、入口５１２から２回分岐して、出口５１４に到達する。

図５Ｂに示されるように、分割部５０６、５１６をリング状本体２５２の底面５１８上に形成することができる。ノズル２３０に接触すると、分割部５０６、５１６は、複数の注入通路２３６、２３８を複数のグループにグループ化することができる。１つのグループ内の注入通路２３６は、複数の出口５０４のうちの同じグループに接続される。１つのグループ内の注入通路２３８は、複数の出口５１４のうちの同じグループに接続される。入口通路２３６、２３８に対する分割部５０６、５１６の位置は、図４に示される。

上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。

Claims (15)

1. 入口ハブと、
   入口ハブに接触して配置された複数の注入通路を有するノズルと、
   ノズルと入口ハブの間に配置され、入口ハブをノズルの複数の注入通路に接続するように構成された１以上のガス分配通路を有する分配インサートを含み、１以上のガス分配通路の各々は、複数の出口と接続する１つの入口を有し、入口と複数の出口の各々との間の距離は実質的に等しいガス注入アセンブリ。
2. 入口ハブは、外面と内面を有し、内面は内部容積を画定し、内部容積は開口部を有し、１以上の入口通路が入口ハブ内に形成され、１以上の入口通路の各々は、外面に開かれている第１端と、内面に開かれている第２端を有する請求項１記載のガス注入アセンブリ。
3. ノズルは、内部容積の開口部の上方で入口ハブに接触して配置され、ノズルは、入口ハブの内部容積を閉じ、複数の注入通路は、入口ハブの内部容積を外部容積へ接続する請求項２記載のガス注入アセンブリ。
4. 分配インサートは、入口ハブの内部容積内に配置され、入口は、入口ハブの対応する入口通路の第２端と接続するように配置され、複数の出口の各々は、ノズル内の複数の注入通路のうちの１以上に開かれている請求項３記載のガス注入アセンブリ。
5. １以上のガス分配通路の各々は、入口から複数の出口へと１回以上分岐されている請求項４記載のガス注入アセンブリ。
6. 分配インサートの外面は、入口ハブの内面に接触し、１以上のガス分配通路は、入口ハブの内面と分配インサートの外面上の溝との間に形成されたチャネルを含む請求項５記載のガス注入アセンブリ。
7. 分配インサートは、リング状本体を有し、入口ハブの内部容積は、分配インサートのリング状本体を受けるように構成されたリング状の凹部である請求項６記載のガス注入アセンブリ。
8. １以上のガス分配通路の各々１つの中の複数の出口は、分配インサートのリング状本体の周囲に沿って均等に分布している請求項７記載のガス注入アセンブリ。
9. ノズルと分配インサートとの間に配置されたばね要素を含み、ばね要素は、分配インサートを入口ハブの内面に対して押圧する請求項８記載のガス注入アセンブリ。
10. 分配インサートを入口ハブと整列するように構成された整列要素を含み、整列要素はドエルピンである請求項４記載のガス注入アセンブリ。
11. ノズルは、中央開口部を囲む円筒側壁を有する中空円筒であり、複数の注入通路が、円筒側壁内に形成される請求項４記載のガス分配アセンブリ。
12. 入口ハブとノズルとの間に配置された観察窓を含み、入口ハブは、内部容積の半径方向内方に中央開口部を有し、入口ハブの中央開口部とノズルの中央開口部は、互いに整列され、観察窓は、ノズルの中央開口部を覆う請求項１１記載のガス分配アセンブリ。
13. 複数の注入通路は、複数の内側注入通路と複数の外側注入通路を含み、複数の内側注入通路は、円筒側壁の下端に開いており、複数の外側注入通路は、円筒側壁の外面に開いている請求項１１記載のガス分配アセンブリ。
14. 処理容積を画定し、中央開口部を有するチャンバ蓋を含むチャンバハウジングアセンブリと、
    処理容積内に配置された基板支持体と、
    チャンバ蓋の上方に配置された請求項１〜１３のいずれか１項記載のガス注入アセンブリを含み、ノズルの一部は、チャンバ蓋内の中央開口部を通って処理容積内に配置される基板処理システム。
15. 基板を処理するための方法であって、
    請求項１４記載の基板処理システム内に基板を配置する工程と、
    基板処理システムのガス注入アセンブリを通して１以上の処理ガスを供給する工程を含む方法。