JP2015514316A - はんだ予成形品およびはんだ合金組付方法 - Google Patents

Abstract

電子部品のような構成要素を電子基板のような基板上に組付ける方法は、はんだペーストを電子基板に適用してはんだペーストデポジットを形成するステップと、はんだペーストデポジットに低温予成形品を配置するステップと、電子基板をはんだペーストのリフロー温度で処理して低温はんだ接合を形成するステップと、低温はんだ接合をはんだペーストのリフロー温度より低いリフロー温度で処理するステップとを含む。構成要素およびはんだ接合組成物を組付ける他の方法もさらに開示される。

Description

開示の背景
この開示は、構成要素を基板上に取付ける方法、ならびに特に電子部品および関連付けられる装置をプリント回路基板上に取付ける方法に向けられる。

無鉛はんだ合金は、回路基板組付の技術分野において周知である。そのような無鉛はんだ合金の例は、錫−銀−銅またはＳＡＣ合金ならびに錫およびビスマス合金である。ＳＡＣ合金は相対的により高い加工温度を有するという欠点がある。錫−ビスマス合金は、高い歪速度で延性の損失を示す。

開示の概要
この開示の１つの局面は、電子部品のような構成要素を電子基板のような基板上に組付ける方法に向けられる。１つの実施の形態では、この方法は、はんだペーストを電子基板に適用してはんだペーストデポジットを形成するステップと、はんだペーストデポジットに低温予成形品を配置するステップと、電子基板をはんだペーストのリフロー温度で処理して、低温はんだ接合を形成するステップと、低温はんだ接合を、はんだペーストのリフロー温度より低いリフロー温度で処理するステップとを含む。

この方法の実施の形態は、より低いリフロー温度とリフロー温度との間の温度での第２のはんだプロセスをさらに含む。ある実施の形態では、低温予成形品は錫およびビスマスからなる組成物であってもよい。組成物は、４２重量％の錫および５８重量％のビスマスからなってもよい。組成物は、さらに銀からなってもよい。ある他の実施の形態では、はんだ接合は、錫、銀、銅およびビスマスからなる。はんだ接合は、４９〜５３重量％の錫、０〜１．０重量％の銀、０〜０．１重量％の銅、および４６〜５０重量％のビスマスからなってもよい。はんだ接合のリフロー温度は１３８〜１７０℃間にあってもよい。ある他の実施の形態では、組成物は、５５重量％の錫および４５重量％のビスマスからなってもよい。

この開示の別の局面は、低温はんだペーストを電子基板に適用してはんだペーストデポジットを形成するステップと、はんだペーストデポジットに高温予成形品を配置するステップと、電子基板を低温はんだペーストに対して適切なリフロー温度で処理して、高温はんだ予成形品の低温はんだペーストデポジットへの溶解から結果として生じる低温はんだ接合を形成するステップとを含む方法に向けられる。

この方法の実施の形態は、錫およびビスマスからなる低温はんだペースト組成物をさらに含む。ある実施の形態では、組成物は、４２重量％の錫および５８重量％のビスマスからなってもよい。組成物は、さらに銀からなってもよい。はんだ接合のリフロー温度は１９０〜２００℃間にあってもよい。

この開示の別の局面は、４９〜５３重量％の錫、０〜１．０重量％の銀、０〜０．１重量％の銅、および残部ビスマスからなるはんだ接合に向けられる。１つの実施の形態では、はんだ接合のリフロー温度は１９０〜２００℃の間にある。

好ましい実施の形態の詳細な記載
１つ以上の実施の形態によれば、異なる温度でリフローする２つ以上の種類のはんだ接合が、プリント回路基板（ＰＣＢ）の同じ側に、単一のはんだペースト印刷プロセスを用いて、低温予成形品をはんだペーストデポジットに選択的に配置することによって、形成されてもよい。はんだペースト合金の温度でのリフローの後、接合は、第２のはんだプロセスにおけるリフロー、またはより低い温度での再加工が、大多数の他のはんだ接合接続を乱すことなく可能である。

１つ以上の具体的な非限定的な実施の形態によれば、約１３８℃の溶融温度を有する錫ビスマス予成形品を、約２１７℃の溶融温度を有するＳＡＣ（錫銀銅）はんだペーストのデポジットに配置して、約１６５〜１８０℃の溶融温度を有する低温はんだ接合を形成する。結果として生じるはんだ接合は、約２００℃での低温の第２のはんだプロセス対して好適であり、したがって、第２のはんだプロセスを、ＳＡＣはんだ接合を乱すことなく可能にする。第２のはんだプロセスは、たとえば、ＲＦシールドまたは温感構成要素の取付けを伴ってもよく、低温はんだ（たとえば約２００℃）より高いが、約２１７℃であるＳＡＣはんだの融解温度より下の温度で生じてもよい。異なる予成形品を選択的に用いて、異なる温度でリフローする領域を形成してもよい。

１つ以上の実施の形態によれば、ＰＣＢの一方の側の一部は、低温はんだが標準的な無鉛ＳＡＣはんだと共存する状態で、選択的に形成されてもよい。次いで、第２のはんだ付け動作を、ＰＣＢの上において、電気的な検定試験の後に、ＳＡＣはんだ接合を乱すことなく実行する（たとえば無線周波数またはＲＦシールドをはんだ付けする）ことが可能である。１つ以上の実施の形態に従う方法および方策は、ＰＣＢにおいて第２の低温領域を形成するために、非効率的である低温はんだペーストの供給のような、どのような複雑な組付作業も必要としない、という有益な点がある。その代りに、低温はんだ接合が、わずか１種類のはんだペースト（たとえばＳＡＣ３０５）を印刷し、次いで低温予成形品（たとえばＳｎ４２Ｂｉ５８）をＳＡＣペーストに選択的にピックアンドプレイスし、そして基板をＳＡＣ温度（たとえば約２４０℃）でリフローすることによって、形成される。したがって、基板の或る領域は低温はんだ（たとえばＳｎ５５Ｂｉ４５またはＳｎ６０Ｂｉ４０）を含み、それは、第２のはんだプロセスにおいて、ＳＡＣはんだ接合を乱さないリフロー温度（たとえば２００℃でのリフロー）で用いることが可能である。

１つ以上の実施の形態に従う方法がさまざまな適用例において用いられてもよい。いくつかの非限定的な実施の形態では、携帯用ハンドセットアセンブラは、ＰＣＢ上の電子機器の１００％のテストを行ない、次いで、ＲＦシールドを取付けてもよい。構成要素が既に取付けられた後、シールドのために低温はんだペーストを適用することは、供給を必要とすると思われ、それは煩わしく、時間がかかる。ＲＦシールドがＳＡＣはんだペーストのみで取付けられる場合、第２のはんだプロセスは、既にテストされた電気部品を乱すであろう。より効率的な方法は、低温はんだ接合をＳＡＣはんだペーストおよび錫ビスマス予成形品から構築し、その組合せを最初のリフロー中にリフローすることである。一旦電気的なテストが完了すると、シールドは、それを融剤ペーストに浸漬し、それを既にある低温はんだ接合に配置し、低温はんだをリフローするのに十分であるがＳＡＣの温度より下である温度でリフローすることによって取付けられてもよい。

他の非限定的な実施の形態では、ＲＦシールドは、基板上に他のＳＡＣ構成要素と同時にはんだ付けされてもよいが、しかしシールドを固定するはんだ接合は、ＳＡＣはんだペーストおよび錫ビスマス予成形品の組合せを用いてはんだ付けされるので、シールドは他のはんだ接合を乱さずに除去することが可能であり、なぜならば、シールドはんだ接合のリフロー温度は基板上の他の構成要素より低いからである。シールドがＳＡＣはんだを用いて取付けられる場合、（シールド下の集積回路の電気的な問題点に到達するかまたはそれらを再加工するよう）シールドを除去する工程は、周辺領域はんだ接合を乱し、ＲＦシールド下の具体的な問題を解決しようとする一方で、多くの問題を招く可能性がある。

さらなる非限定的な実施の形態では、温感構成要素をＰＣＢに取付けることは、それらのはんだ接合をＳＡＣはんだペーストおよび錫ビスマス予成形品で形成することによって達成され得る。次いで、温感構成要素は、ペースト融剤のみの補助により、より低温度のはんだ付け動作で取付けられる。ペースト融剤は、標準的なＰＣＢ組立て中においてちょうどはんだペーストが電気部品を固定するように、部品を適所に固定する。

さらに別の実施の形態では、熱サイクル耐久性および落下衝撃に対する抵抗という、電子組付体にとって重要な２つの製品特徴が最適化される。はんだ合金はこれらの測定基準両方について組付の実行における重要な役割を果たす。具体的に熱サイクル耐久性について最適化するためには、はんだ合金は、典型的には小さな割合の銀を含むであろう。しかしながら、落下衝撃について最適化するためには、銀は少ない方が好ましい。すべて単一のはんだペースト適用方法で、合金を単一のＰＣＢにおいて配合する能力で、落下衝撃および熱サイクル耐久性の両方に対する微調整を、同じ基板上の特定の装置についてはんだ合金を選択的に巧みに設計することによって行なうことが可能である。

１つ以上の実施の形態によれば、方法は、ＳＡＣ３０５はんだと一致するＲｏＨＳ（危険物に対する制約）準拠の低温合金を、選択的に、ＰＣＢにおいて形成してもよい。そのような方法は、標準的な設備を用いる単一のはんだペースト印刷プロセスを伴ってもよい。いくつかの非限定的な実施の形態では、ＲＦシールドは、再加工のために、周囲の構成要素を乱すことなく、除去されてもよい。他の実施の形態では、低温はんだ接合は、低温で第２のリフロープロセスを支援するために用いられてもよいＳＡＣ３０５リフロー中において形成されてもよい。第２のプロセスは、たとえば、温感構成要素を取付けるか、またはＲＦシールドを取付けてもよい。

１つ以上の実施の形態によれば、シールド取付けのために低温はんだ合金を形成する方法は、単一のはんだペースト印刷プロセスを伴ってもよい。いくつかの実施の形態では、ＳＡＣ３０５はんだペーストが印刷されてもよい。錫ビスマス合金予成形品は、ＲＦシールドを接続するパッド上においてはんだペーストに配置されてもよい。次いで、組付体は、標準的なＳＡＣ３０５リフロー形材を用いてリフローされてもよい。ＲＦシールドは、より低い温度で、ＳＡＣ３０５はんだ接合を乱すことなく、除去されてもよい。所望の非共晶の錫−ビスマス−銀−銅合金を達成するために、ＳＡＣ３０５はんだペーストおよび錫ビスマス予成形品は、さまざまな比で組合せられてもよい。予成形品合金は、より多くの合金柔軟性を達成するために調整することが可能である。窒素におけるリフローは、予成形品−ペースト比について、増大された柔軟性を与えてもよい。

合金の第１の例では、

組成物は、１部のＳＡＣ３０５はんだペーストを４部のＳｎＢｉ４７．６Ａｇ０．０４予成形品に加えたもの＝〜Ｓｎ５３ Ｂｉ Ａｇ１ Ｃｕ ０．１を含む。（約１３８〜１６５℃の溶融範囲）。

合金の第２の例では、

組成物は、１部のＳＡＣ３０５はんだペーストを６部のＳｎ４２Ｂｉ５８予成形品に加えたもの＝〜Ｓｎ５０ Ｂｉ５０ Ａｇ０．４ Ｃｕを含む。（約１３８〜１７０℃の溶融範囲）。

したがって、上に呈示された合金の両方の例は、２００℃より著しく下で再加工されてもよい。

予成形品は、１つ以上の実施の形態に従って、組合せられた合金の微調整を可能にしてもよい、幅広いさまざまな合金で製造することが可能である。たとえば、いくつかの非限定的な実施の形態では、Ｓｎ５５Ｂｉ４５＋Ｃｕ Ｃｏが落下衝撃を高めてもよい。高値の銀に対する感度は非共融合金においては重要ではない。予成形品を用いて、ＰＣＢ上の特定の位置についてはんだ接合合金を選択的に調整することによって、単一の組付体のために目的の混合物を満足させることが可能である。いくつかの実施の形態では、特定の構成要素の落下衝撃または熱サイクル感度は、その特定の構成要素について合金を変更することによって克服されてもよい。

この開示の別の実施の形態では、はんだ接合を製造する方法は、プリント回路基板（「ＰＣＢ」）に、錫ビスマス合金（例えばＳＮ４２ＢＩ５８）のような低温はんだペーストを適用してはんだデポジットを形成すること、およびＳＡＣ３０５予成形品のような、より高温の予成形品を、はんだペーストデポジットに選択的に配置することを用いてもよい。結果として生じる組合せは、低温はんだ接合を形成するよう低温はんだペーストに対して適切なリフロー温度で処理される。本質的に、高温はんだ予成形品は低温はんだペーストに溶解するか、またはそうでなければ混合される。結果として生じるはんだ接合のリフロー温度は１９０〜２００℃間にある。ある実施の形態では、より高い加工温度を有する予成形品が、より低い全体的な加工温度を依然として維持しながら用いられてもよい。この実施の形態で、より高温の予成形品はより低温のはんだペーストデポジットに溶解する。したがって、処理温度は、結果として生じるはんだ接合を達成するよう、予成形品の溶融温度に達することを必要としない。前述の方法は、低温リフロープロセスを必要とする情況において、または結果として生じるはんだ接合が、はんだ接合の延性を改善する、より高い錫含有量のような、独自の特徴を有する場合に、好適であってもよい。

一例では、方法はプリント回路基板にＳＮ４２ＢＩ５８はんだペーストを置くことを含む。ＳＡＣ３０５はんだ予成形品のようなはんだ予成形品が、はんだペーストデポジット上に選択的に配置される。結果として生じるシステムは、１９０〜２００℃間の温度で処理されるが、それは、ＳＮ４２ＢＩ５８はんだペーストデポジットをリフローするのに適切である。結果として生じるはんだ接合は、高い錫含有量およびしたがって異なる独自の合金を有して、独自の特性を有する。

ここに用いられるように、リフローはんだ付けは、プリント回路基板の表面においてはんだペーストが印刷もしくは供給されるか、もしくははんだ予成形品が配置されるか、またはその両方を行ない、構成要素を、配置されたはんだに、またはその近くに配置し、組付体を、はんだをリフローするよう十分な温度に加熱するプロセスを指す。

ある実施の形態では、はんだペーストおよび予成形品は、少なくとも１つの共通元素を共有して、一方の合金の他方の合金への迅速な溶解を、合金の１つの融点近くまたはそれより下の温度で容易にする。１つの実施の形態では、共通元素は錫である。

ある実施の形態では、はんだペーストは、ここに記載される、融剤と組合せられる組成物を含む。好適な融剤は当該技術分野において公知である。

ここに記載された方法および組成は、プリント回路基板製作、ＬＥＤ組付体、光起電力電池製作、半導体製作およびダイ取付けを含むが、これらに限定されない適用例において用いられてもよい。

ここに論じられた方法の実施の形態は、適用例において、ここに述べられる構築物の詳細および構成に限定されないことが十分に理解される。これらの方法は、他の実施の形態における実現、およびさまざまな態様において実施もしくは実行されることができる。特定の実現例は、例示の目的のみのためにここに与えられ、限定するようには意図されない。特に、任意の１つ以上の実施の形態と関連して論じられる行為、要素および特徴は、任意の他の実施の形態において同様の役割から排除されるようには意図されない。

さらに、ここに用いられる語法および用語は、記載の目的のためであり、限定的に見なされるべきではない。ここにおける「含む」「備える」「有する」「含有する」「伴う」およびそれらの変形は、その後に挙げられる項目およびそれらの等価物ならびに追加的項目を包含するよう意味される。

少なくとも１つの実施の形態のいくつかの局面を上に記載したが、さまざまな変更、修正および改善が当業者には容易に思い浮かぶことが十分に理解される。そのような変更、修正および改善は、この開示の一部であるよう意図され、この発明の範囲内であるよう意図される。したがって、前述の記載および図面は例のみとしてある。

Claims (16)

1. 組付の方法であって、
   はんだペーストを電子基板に適用してはんだペーストデポジットを形成するステップと、
   前記はんだペーストデポジットに低温予成形品を配置するステップと、
   前記電子基板を前記はんだペーストのリフロー温度で処理して、低温はんだ接合を形成するステップと、
   前記低温はんだ接合を、前記はんだペーストのリフロー温度より低いリフロー温度で処理するステップとを含む、方法。
2. 前記低温予成形品は錫およびビスマスからなる組成物である、請求項１に記載の方法。
3. 前記組成物は、４２重量％の錫および５８重量％のビスマスからなる、請求項２に記載の方法。
4. 前記組成物は、さらに、銀からなる、請求項２に記載の方法。
5. 前記はんだ接合は、錫、銀、銅およびビスマスからなる、請求項１に記載の方法。
6. 前記はんだ接合は、４９〜５３重量％の錫、０〜１．０重量％の銀、０〜０．１重量％の銅、および４６〜５０重量％のビスマスからなる、請求項５に記載の方法。
7. 前記はんだ接合のリフロー温度は１３８〜１７０℃の間にある、請求項１に記載の方法。
8. 前記より低いリフロー温度と前記リフロー温度との間の温度での第２のはんだプロセスをさらに含む請求項１に記載の方法。
9. 前記組成物は、５５重量％の錫および４５重量％のビスマスからなる、請求項１に記載の方法。
10. 組付の方法であって、
    低温はんだペーストを電子基板に適用してはんだペーストデポジットを形成するステップと、
    前記はんだペーストデポジットに高温予成形品を配置するステップと、
    前記電子基板を前記低温はんだペーストに対して適切なリフロー温度で処理して、前記高温はんだ予成形品の前記低温はんだペーストデポジットへの溶解から結果として生じる低温はんだ接合を形成するステップとを含む方法。
11. 前記低温はんだペーストは錫およびビスマスからなる組成物である、請求項１０に記載の方法。
12. 前記組成物は、４２重量％の錫および５８重量％のビスマスからなる、請求項１１に記載の方法。
13. 前記組成物は、さらに、銀からなる、請求項１１に記載の方法。
14. 前記はんだ接合のリフロー温度は１９０〜２００℃の間にある、請求項１０に記載の方法。
15. はんだ接合であって、
    ４９〜５３重量％の錫、
    ０〜１．０重量％の銀、
    ０〜０．１重量％の銅、および
    残部ビスマスからなる、はんだ接合。
16. 前記はんだ接合のリフロー温度は１９０〜２００℃の間にある、請求項１５に記載のはんだ接合。