JP2015512149A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 電子装置を形成する方法であって、前記方法は、
   ａ． 上面を含むドナー本体を設けるステップと、
   ｂ． 劈開面を形成するために、ドナー本体の上面にイオン投与量を注入するステップと、
   ｃ． ドナー本体から薄層を剥離するステップとを含み、薄層を剥離するステップは薄層の第１の表面を形成し、ドナー本体の上面は薄層の第２の表面になり、第１の表面は第２の表面の反対側にあり、薄層は、第１の表面と第２の表面との間の厚さが２〜４０ミクロンであり、薄層は第１の熱膨脹係数を有し、前記方法はさらに、
   ｄ． 剥離するステップの後に、薄層上にフレキシブル金属支持体を構成するステップを含み、フレキシブル金属支持体は第２の熱膨脹係数を有し、第２の熱膨脹係数は、１００〜６００℃の温度で、薄層の第１の熱膨脹係数の１０％以内である、方法。
2. ドナー本体から電子装置を生産する方法であって、前記方法は、
   ａ． 第１の側と、第１の側とは反対側の第２の側と、第１の側と第２の側との間の厚さと、第１の熱膨脹係数とを有し、厚さは４０μｍ未満である薄層を設けるステップと、
   ｂ． 薄層の第１の側を一時的担体に接触させるステップと、
   ｃ． 薄層の第２の側上に、ニッケル鉄合金を含むフレキシブル金属支持体を構成するステップとを含み、フレキシブル金属支持体は、摂氏１００〜６００度の温度で、薄層の第１の熱膨脹係数の１０％以内である第２の熱膨脹係数を有し、前記方法はさらに、
   ｄ． 薄層とフレキシブル金属支持体とを含む電子装置を形成するステップを含む、方法。
3. 電子装置であって、
   ａ． 半導体薄層を含み、薄層は、２ミクロン〜４０ミクロンの厚さを有し、薄層は、第１の表面と、第１の表面とは反対側の第２の表面とを有し、薄層は第１の熱膨脹係数を有し、前記電子装置はさらに、
   ｂ． 第１の表面上または上方に構成された金属支持体要素を含み、金属支持体要素は、ニッケルを含む第１の金属層と、ニッケル、鉄、コバルト、またはそれらの任意の組合せを含む第２の金属層とを含み、金属支持体要素は第２の熱膨脹係数を有し、薄層の第１の熱膨脹係数および金属支持体の第２の熱膨脹係数は、１００〜６００℃の温度で、互いの１０％以内である、電子装置。