JP2015511112A - GaNFETのゲートの保護のためのドライバ回路のためのシステム及び装置 - Google Patents
GaNFETのゲートの保護のためのドライバ回路のためのシステム及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015511112A JP2015511112A JP2015500661A JP2015500661A JP2015511112A JP 2015511112 A JP2015511112 A JP 2015511112A JP 2015500661 A JP2015500661 A JP 2015500661A JP 2015500661 A JP2015500661 A JP 2015500661A JP 2015511112 A JP2015511112 A JP 2015511112A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coupled
- fet
- gan fet
- gan
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08122—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
Abstract
Description
"Application Note: Fundamentals of Gallium Nitride Power Transistors" by Stephen L. Colino, et al, Efficient Power Conversion Corporation, Copyright 2011 "Enhancement-Mode GaN MIS-HEMTs With n-GaN/i-AlN/n-GaN Triple Cap Layer and High-k Gate Dielectrics", by M. Kanamura., et al, IEEE Electron Device Letters, Vol. 31. No. 3, March 2010, pages 189-191
"Application Note AN-6076: Design and Application Guide of Bootstrap Circuit for High- Voltage Gate -Drive IC." By Fairchild Corporation, Rev 1.0.0, Copyright 2008
Wikipedia, The Free Encyclopedia, "Three-stage logic", as of February 2, 2012
Claims (16)
- 装置であって、
第1のガリウム窒化物電界効果トランジスタ(GaN FET)、
前記第1のGaN FETのゲートに結合される第1のドライバ、
前記ドライバの出力及び前記第1のGaN FETのソースに結合されるキャパシタのアノード、
前記キャパシタのカソードに結合されるカソードを有するダイオード、及び
ブートストラップキャパシタクランプ(BCC)コントローラ、
を含み、
前記BCCコントローラが、
前記ダイオードのアノードに結合される電界効果トランジスタ(FET)と、
前記FETのゲートに結合されるコンパレータと、
を含み、
前記コンパレータが、
(a)前記FETに印加される入力電圧(VDRV)を表わす信号、
(b)接地、
(c)前記キャパシタの前記アノードの電圧を表わすブート信号(Boot)、及び
(d)前記第1のGaN FETの前記ソースの電圧を表わす信号、
を入力として受信するように構成され、
前記BCCコントローラが、
(a)第1の比較信号を生成するための(i)前記VDRV及び前記GNDの差を、
(b)第2の比較信号を生成するための(ii)前記Boot及び前記GaN FETの前記ソースの差、
と比較するように構成され、
前記BCCコントローラが更に、前記比較に基づいて前記第1の比較信号と前記第2の比較信号との間の関係を保つように構成され、
前記BCCコントローラが更に、この関係を保つため前記第1のGaN FETへのゲート出力信号を駆動するように構成される、
装置。 - 請求項1に記載の装置であって、前記FETのドレインが、前記ダイオードの前記アノードに結合される、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記GaN FETが、前記第1のGaN FETのソースに結合される第2のGaN FETのドレインを更に含み、前記第1のGaN FETがハイサイドGaN FETであり、前記第2のGaN FETがローサイドGaN FETである、装置。
- 請求項3に記載の装置であって、前記第1のGaN FETの前記ソースにインダクタが結合される、装置。
- 請求項4に記載の装置であって、前記装置がハーフブリッジ電圧整流器を含む、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記関係が、(i)と(ii)の間の電圧降下比較に実質的に等しい、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記ドライバが第1のドライバであり、デッドタイム制御が、前記第1のドライバの入力及び第2のドライバに結合され、前記第2のドライバが更に第2のGaN FETのゲートに結合され、前記第2のGaN FETが前記第1のGaN FETの前記ソースに結合される、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記キャパシタのカソードに結合される前記第1のドライバの上側ドライバレール、及び前記GaN FETの前記ソースに結合される前記第1のドライバの下側レールを更に含む、装置。
- システムであって、
(a)GaN FET、及び
(b)前記GaN FETのゲートに結合されるブートストラップキャパシタクランプ(BCC)コントローラ、
を含み、
前記BCCコントローラが、
コンパレータと、
そのゲートが、前記コンパレータの出力に結合されるFETと、
前記コンパレータの正の入力に結合される第1の隔離スイッチであって、前記第1の隔離スイッチのドレインが第1のレジスタと第2のレジスタとの間に結合され、前記第1のレジスタが更にキャパシタのアノードに結合され、前記第2のレジスタが接地に結合される、前記第1の隔離スイッチと、
前記コンパレータの負の入力に結合される第2の隔離スイッチであって、前記第2の隔離スイッチのドレインが第3のレジスタと第4のレジスタとの間に結合され、前記第3のレジスタが更に信号電圧(VDRV)を表わす信号に結合され、前記第4のレジスタが更に前記GaN FETのソースに結合される、前記第2の隔離スイッチと、
を含む、
システム。 - 請求項11に記載のシステムであって、前記第1の隔離スイッチ及び第2の隔離スイッチが、ローサイドGaN FETオン(LS_ON)信号を受け取るときイネーブルされる、システム。
- 請求項10に記載のシステムであって、Boot及びGND電圧間の差がVDRV及びSW電圧間の差より大きい場合、前記コンパレータが前記FETをオンにする、システム。
- 請求項9に記載のシステムであって、前記BCCコントローラと前記GaN FETのゲートとの間に結合されるダイオードを更に含む、システム。
- 請求項12に記載のシステムであって、前記ダイオードと前記GaN FETのソースとの間に結合されるキャパシタを更に含む、システム。
- 請求項9に記載のシステムであって、前記コンパレータにより前記FETをオフに駆動することにより、ブートキャパシタの電圧を浮遊させ、それにより、前記GaN FETのゲートとソースとの間の差を過駆動させない、システム。
- 請求項9に記載のシステムであって、前記BCCコントローラが、増幅器の第1の入力電圧と前記増幅器の第2の入力との間の電圧差を実質的に一定に保つように構成される、システム。
- 請求項11に記載のシステムであって、前記システムが集積回路上に組み込まれる、システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/422,132 US8593211B2 (en) | 2012-03-16 | 2012-03-16 | System and apparatus for driver circuit for protection of gates of GaN FETs |
US13/422,132 | 2012-03-16 | ||
PCT/US2013/032258 WO2013138750A1 (en) | 2012-03-16 | 2013-03-15 | SYSTEM AND APPARATUS FOR DRIVER CIRCUIT FOR PROTECTION OF GATES OF GaN FETS |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015511112A true JP2015511112A (ja) | 2015-04-13 |
JP2015511112A5 JP2015511112A5 (ja) | 2016-05-12 |
JP6209205B2 JP6209205B2 (ja) | 2017-10-04 |
Family
ID=49157055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015500661A Active JP6209205B2 (ja) | 2012-03-16 | 2013-03-15 | GaNFETのゲートの保護のためのドライバ回路のためのシステム及び装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8593211B2 (ja) |
JP (1) | JP6209205B2 (ja) |
CN (1) | CN104170254B (ja) |
WO (1) | WO2013138750A1 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112016006269T5 (de) | 2016-01-22 | 2018-10-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Steuerschaltung |
JP2019537417A (ja) * | 2016-12-01 | 2019-12-19 | エフィシエント パワー コンヴァーション コーポレーション | GaNトランジスタに基づく電力コンバータのためのブートストラップキャパシタ過電圧管理回路 |
JP6811903B1 (ja) * | 2019-11-21 | 2021-01-13 | 三菱電機株式会社 | Dc/dcコンバータ |
JPWO2019193805A1 (ja) * | 2018-04-02 | 2021-03-11 | ローム株式会社 | スイッチ駆動装置 |
JP2021512535A (ja) * | 2018-01-25 | 2021-05-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | ブートストラップコンデンサを用いたハイサイドスイッチング素子の制御 |
JP2021090264A (ja) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | ローム株式会社 | スイッチング回路のゲート駆動回路および制御回路、スイッチング電源 |
WO2023218988A1 (ja) * | 2022-05-11 | 2023-11-16 | ローム株式会社 | ブートストラップ回路、電源装置、及び車両 |
JP7388317B2 (ja) | 2020-08-27 | 2023-11-29 | 三菱電機株式会社 | 駆動回路およびインバータ装置 |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130321374A1 (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Voltage converter |
US9660639B2 (en) * | 2012-12-21 | 2017-05-23 | Gan Systems Inc. | Distributed driver circuitry integrated with GaN power transistors |
US9312755B2 (en) * | 2013-03-05 | 2016-04-12 | Qualcomm Incorporated | Charge pump power savings |
US9035318B2 (en) | 2013-05-03 | 2015-05-19 | Texas Instruments Incorporated | Avalanche energy handling capable III-nitride transistors |
TWI509964B (zh) * | 2013-07-19 | 2015-11-21 | Upi Semiconductor Corp | 電源轉換器的驅動器及其驅動控制方法 |
US9559613B2 (en) | 2013-09-18 | 2017-01-31 | Infineon Technologies Ag | System and method for a switch driver |
US8947154B1 (en) * | 2013-10-03 | 2015-02-03 | Avogy, Inc. | Method and system for operating gallium nitride electronics |
US9476933B2 (en) | 2013-12-09 | 2016-10-25 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and methods for qualifying HEMT FET devices |
US9379695B2 (en) * | 2013-12-30 | 2016-06-28 | Infineon Technologies Ag | Circuit and method for operating a half-bridge |
WO2015135072A1 (en) | 2014-03-12 | 2015-09-17 | Gan Systems Inc. | Power switching systems comprising high power e-mode gan transistors and driver circuitry |
US9859732B2 (en) | 2014-09-16 | 2018-01-02 | Navitas Semiconductor, Inc. | Half bridge power conversion circuits using GaN devices |
US9571093B2 (en) * | 2014-09-16 | 2017-02-14 | Navitas Semiconductor, Inc. | Half bridge driver circuits |
US9667245B2 (en) * | 2014-10-10 | 2017-05-30 | Efficient Power Conversion Corporation | High voltage zero QRR bootstrap supply |
US9641077B2 (en) * | 2015-01-29 | 2017-05-02 | Qualcomm Incorporated | Applying force voltage to switching node of disabled buck converter power stage |
TWI566509B (zh) * | 2015-08-20 | 2017-01-11 | 世界先進積體電路股份有限公司 | 切換式轉換器以及升壓裝置 |
WO2017062056A1 (en) * | 2015-10-09 | 2017-04-13 | Hrl Laboratories, Llc | GaN-ON-SAPPHIRE MONOLITHICALLY INTEGRATED POWER CONVERTER |
US20170170821A1 (en) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | Freebird Semiconductor Corporation | Voltage detection circuit |
US9831867B1 (en) | 2016-02-22 | 2017-11-28 | Navitas Semiconductor, Inc. | Half bridge driver circuits |
CN105591638B (zh) * | 2016-03-16 | 2018-04-10 | 阳光电源股份有限公司 | 一种开关管驱动电路 |
US10270239B2 (en) * | 2016-06-15 | 2019-04-23 | Texas Instruments Incorporated | Overvoltage protection and short-circuit withstanding for gallium nitride devices |
US10374591B2 (en) * | 2017-01-03 | 2019-08-06 | General Electric Company | Systems and methods for a gate drive circuit |
US10965281B2 (en) * | 2017-09-25 | 2021-03-30 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Circuit based on a III/V semiconductor and a method of operating the same |
US10298112B2 (en) * | 2017-09-29 | 2019-05-21 | Dialog Semiconductor, Inc. | Circuit for driving a power switch |
US10193554B1 (en) * | 2017-11-15 | 2019-01-29 | Navitas Semiconductor, Inc. | Capacitively coupled level shifter |
CN108494234B (zh) * | 2018-04-09 | 2020-05-01 | 电子科技大学 | 适用于GaN高速栅驱动电路的浮动电源轨 |
US10903738B2 (en) * | 2018-05-14 | 2021-01-26 | Analog Devices International Unlimited Company | High conversion-ratio hybrid switched power converter |
CN108964647A (zh) * | 2018-06-20 | 2018-12-07 | 广东美的制冷设备有限公司 | 场效应晶体管的驱动电路、驱动系统及空调器 |
US10742121B2 (en) * | 2018-06-29 | 2020-08-11 | Dialog Semiconductor Inc. | Boot strap capacitor charging for switching power converters |
CN109039029B (zh) * | 2018-08-15 | 2020-02-04 | 电子科技大学 | 一种适用于GaN功率器件栅驱动电路的自举充电电路 |
TWI732280B (zh) * | 2018-08-28 | 2021-07-01 | 美商高效電源轉換公司 | 串級自舉式GaN功率開關及驅動器 |
TWI715167B (zh) * | 2018-08-28 | 2021-01-01 | 美商高效電源轉換公司 | 基於GaN的高電流驅動器之故障安全停機技術 |
US10840798B1 (en) | 2018-09-28 | 2020-11-17 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Bidirectional signaling method for high-voltage floating circuits |
TWI672574B (zh) * | 2018-10-26 | 2019-09-21 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 穩壓裝置及其控制方法 |
US10574229B1 (en) * | 2019-01-23 | 2020-02-25 | Tagore Technology, Inc. | System and device for high-side supply |
US11502675B2 (en) * | 2019-02-07 | 2022-11-15 | Rohm Co., Ltd. | Switch driving device |
CN109951183B (zh) * | 2019-03-07 | 2020-12-25 | 华为技术有限公司 | 一种芯片、信号位移电路及电子设备 |
US10554112B1 (en) | 2019-04-04 | 2020-02-04 | Navitas Semiconductor, Inc. | GaN driver circuit |
US10601302B1 (en) * | 2019-04-04 | 2020-03-24 | Navitas Semiconductor, Inc. | Bootstrap power supply circuit |
CN113785492B (zh) * | 2019-04-29 | 2024-05-03 | 宜普电源转换公司 | 具有栅极电流重用的氮化镓激光二极管驱动场效晶体管 |
DE102019206751B4 (de) * | 2019-05-09 | 2021-03-25 | Schmidhauser Ag | Frequenzumrichter |
CN111049100B (zh) * | 2019-12-10 | 2021-09-03 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 一种具有钳位功能的自举电路 |
US11489441B2 (en) * | 2020-06-02 | 2022-11-01 | Texas Instruments Incorporated | Reference voltage generation circuits and related methods |
CN113890526A (zh) | 2020-07-02 | 2022-01-04 | 意法半导体股份有限公司 | 驱动器电路、对应的设备及操作方法 |
IT202000016072A1 (it) | 2020-07-02 | 2022-01-02 | St Microelectronics Srl | Circuito di pilotaggio, dispositivo e procedimento di funzionamento corrispondenti |
US11680978B2 (en) * | 2020-09-30 | 2023-06-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | GaN reliability built-in self test (BIST) apparatus and method for qualifying dynamic on-state resistance degradation |
US11652411B2 (en) * | 2021-02-26 | 2023-05-16 | Nxp Usa, Inc. | System and method of maintaining charge on boot capacitor of a power converter |
CN113225054B (zh) * | 2021-03-24 | 2023-03-14 | 芜湖威尔芯半导体有限公司 | 一种全集成Full-NMOS功率管高侧驱动电路 |
US11888391B2 (en) * | 2021-09-29 | 2024-01-30 | Texas Instruments Incorporated | Gate driver circuit with charge pump current control |
CN114614802B (zh) * | 2022-03-03 | 2023-06-20 | 电子科技大学 | 一种具有快速开启功能的GaN驱动器 |
GB2619112A (en) * | 2022-12-12 | 2023-11-29 | Cambridge Gan Devices Ltd | III-Nitride power semiconductor based heterojunction device comprising a bootstrap device |
CN117318689B (zh) * | 2023-11-28 | 2024-03-22 | 成都市硅海武林科技有限公司 | 一种全桥和半桥电路高侧功率管的自举驱动电路 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050057239A1 (en) * | 2003-09-15 | 2005-03-17 | Fowler Thomas Lane | Guaranteed bootstrap hold-up circuit for buck high side switch |
JP2010136532A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Sharp Corp | スイッチング電源回路及びそれを用いた電子機器 |
US20100259233A1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-14 | Chieh-Wen Cheng | Direct Current Converter |
JP2011509629A (ja) * | 2008-01-11 | 2011-03-24 | インターナショナル レクティフィアー コーポレイション | 集積iii族窒化物電力変換回路 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE33378E (en) * | 1983-10-14 | 1990-10-09 | Sundstrand Corporation | Incremental base drive circuit for a power transistor |
IT1228509B (it) * | 1988-10-28 | 1991-06-19 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositivo per generare una tensione di alimentazione flottante per un circuito bootstrap capacitivo |
JP2531818B2 (ja) * | 1990-02-21 | 1996-09-04 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
WO1996032778A2 (en) * | 1995-04-10 | 1996-10-17 | Philips Electronics N.V. | Level-shifting circuit and high-side driver including such a level-shifting circuit |
JP2003228320A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
DE10334334B3 (de) * | 2003-07-28 | 2004-10-14 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | CMOS-Analogschalter |
US20060044051A1 (en) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | International Rectifier Corporation | Bootstrap diode emulator with dynamic back-gate biasing and short-circuit protection |
US7126388B2 (en) * | 2004-12-16 | 2006-10-24 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Power MOSFET driver and method therefor |
TW200835125A (en) * | 2007-02-08 | 2008-08-16 | Richtek Techohnology Corp | Circuit for charging the boot-strap capacitor of voltage converter |
US7592831B2 (en) * | 2007-04-05 | 2009-09-22 | International Rectifier Corporation | Circuit to optimize charging of bootstrap capacitor with bootstrap diode emulator |
US7518352B2 (en) * | 2007-05-11 | 2009-04-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Bootstrap clamping circuit for DC/DC regulators and method thereof |
US8488348B2 (en) * | 2007-06-20 | 2013-07-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Switch mode power supply apparatus having active clamping circuit |
JP5112846B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2013-01-09 | セイコーインスツル株式会社 | 電源切替回路 |
US7848125B2 (en) * | 2008-10-21 | 2010-12-07 | Texas Instruments Incorporated | Keep-alive for power stage with multiple switch nodes |
US8054110B2 (en) * | 2009-01-20 | 2011-11-08 | University Of South Carolina | Driver circuit for gallium nitride (GaN) heterojunction field effect transistors (HFETs) |
KR101578782B1 (ko) * | 2009-04-23 | 2015-12-21 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 전력 반도체 소자 |
-
2012
- 2012-03-16 US US13/422,132 patent/US8593211B2/en active Active
-
2013
- 2013-03-15 WO PCT/US2013/032258 patent/WO2013138750A1/en active Application Filing
- 2013-03-15 JP JP2015500661A patent/JP6209205B2/ja active Active
- 2013-03-15 CN CN201380013542.6A patent/CN104170254B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050057239A1 (en) * | 2003-09-15 | 2005-03-17 | Fowler Thomas Lane | Guaranteed bootstrap hold-up circuit for buck high side switch |
JP2011509629A (ja) * | 2008-01-11 | 2011-03-24 | インターナショナル レクティフィアー コーポレイション | 集積iii族窒化物電力変換回路 |
JP2010136532A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Sharp Corp | スイッチング電源回路及びそれを用いた電子機器 |
US20100259233A1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-14 | Chieh-Wen Cheng | Direct Current Converter |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10218348B2 (en) | 2016-01-22 | 2019-02-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Control circuit |
DE112016006269T5 (de) | 2016-01-22 | 2018-10-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Steuerschaltung |
JP2019537417A (ja) * | 2016-12-01 | 2019-12-19 | エフィシエント パワー コンヴァーション コーポレーション | GaNトランジスタに基づく電力コンバータのためのブートストラップキャパシタ過電圧管理回路 |
JP7165739B2 (ja) | 2018-01-25 | 2022-11-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | ブートストラップコンデンサを用いたハイサイドスイッチング素子の制御 |
JP2021512535A (ja) * | 2018-01-25 | 2021-05-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | ブートストラップコンデンサを用いたハイサイドスイッチング素子の制御 |
US11923833B2 (en) | 2018-04-02 | 2024-03-05 | Rohm Co., Ltd. | Switch driving device |
JPWO2019193805A1 (ja) * | 2018-04-02 | 2021-03-11 | ローム株式会社 | スイッチ駆動装置 |
WO2021100170A1 (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 三菱電機株式会社 | Dc/dcコンバータ |
JP6811903B1 (ja) * | 2019-11-21 | 2021-01-13 | 三菱電機株式会社 | Dc/dcコンバータ |
JP2021090264A (ja) * | 2019-12-03 | 2021-06-10 | ローム株式会社 | スイッチング回路のゲート駆動回路および制御回路、スイッチング電源 |
JP7308137B2 (ja) | 2019-12-03 | 2023-07-13 | ローム株式会社 | スイッチング回路のゲート駆動回路および制御回路、スイッチング電源 |
JP7388317B2 (ja) | 2020-08-27 | 2023-11-29 | 三菱電機株式会社 | 駆動回路およびインバータ装置 |
WO2023218988A1 (ja) * | 2022-05-11 | 2023-11-16 | ローム株式会社 | ブートストラップ回路、電源装置、及び車両 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6209205B2 (ja) | 2017-10-04 |
CN104170254A (zh) | 2014-11-26 |
CN104170254B (zh) | 2017-04-05 |
WO2013138750A1 (en) | 2013-09-19 |
US20130241621A1 (en) | 2013-09-19 |
US8593211B2 (en) | 2013-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6209205B2 (ja) | GaNFETのゲートの保護のためのドライバ回路のためのシステム及び装置 | |
US9793260B2 (en) | System and method for a switch having a normally-on transistor and a normally-off transistor | |
US20190393871A1 (en) | Cascode switches including normally-off and normally-on devices and circuits comprising the switches | |
US9479159B2 (en) | System and method for a switch having a normally-on transistor and a normally-off transistor | |
US9559683B2 (en) | System and method for a switch having a normally-on transistor and a normally-off transistor | |
US8237422B2 (en) | Efficient switch cascode architecture for switching devices | |
US20110199148A1 (en) | Hybrid power device | |
US9397636B2 (en) | System and method for driving transistors | |
US9467061B2 (en) | System and method for driving a transistor | |
EP3416286A1 (en) | Driver circuit | |
KR20160072815A (ko) | 정전기 방전 보호 회로 | |
JP6370279B2 (ja) | ブートストラップ補償回路およびパワーモジュール | |
US10666137B2 (en) | Method and circuitry for sensing and controlling a current | |
US9257915B2 (en) | Bridge rectifier circuit | |
US10903840B2 (en) | Pad tracking circuit for high-voltage input-tolerant output buffer | |
CN109194126B (zh) | 一种电源切换电路 | |
WO2015182175A1 (ja) | ドライバ回路 | |
US20150236635A1 (en) | Inverter output circuit | |
CN112532218A (zh) | 高效的高压数字i/o保护 | |
US10523197B2 (en) | Switch circuit, corresponding device and method | |
CN105897246B (zh) | 用于高电压应用的电压电平移位器 | |
KR101969117B1 (ko) | 액티브 클램프 포워드 컨버터 및 그 구동방법 | |
US9231493B1 (en) | Rectifier with auxiliary voltage output | |
US11003617B2 (en) | USB control circuit utilizing a single configuration pin | |
US20240106432A1 (en) | Gate Drive Apparatus and Control Method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140916 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160315 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160315 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170830 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170908 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6209205 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |