JP2015510695A - デジタイザ用磁場遮蔽シートおよびその製造方法、並びにこれを利用した携帯端末機器 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、地磁気センサに及ぼす影響を最少化しつつ携帯端末機器にデジタイザ機能を実現する際、携帯端末機器本体の各種部品から発生する電磁場を遮蔽すると同時にライトペンの感度向上を図ることができるデジタイザ用磁場遮蔽シートおよびその製造方法、並びにこれを利用した携帯端末機器に関する。【解決手段】本発明の磁場遮蔽シートは、ナノ結晶粒合金からなりフレーク処理されて多数の微細片に分離された少なくとも１層の薄板状の磁性シート、前記薄板状の磁性シートの一側面に、第１接着層を通して接着される保護フィルム、および前記薄板状の磁性シートの他側面に、一側面に具備された第２接着層を通して接着される両面テープを含み、前記薄板状の磁性シートはナノ結晶粒合金からなる非晶質リボンを３００℃乃至７００℃で熱処理することを特徴とする。

Description

本発明はデジタイザ用磁場遮蔽シートおよびその製造方法、並びにこれを利用した携帯端末機器に関し、特に地磁気センサに及ぼす影響を最少化しつつ携帯端末機器にデジタイザ機能を実現する際に携帯端末機器本体の各種部品から発生する磁場を遮蔽すると同時にライトペンの感度向上を図ることができるデジタイザ用磁場遮蔽シートおよびその製造方法、並びにこれを利用した携帯端末機器に関する。

最近、デジタイザ機能を搭載したスマートフォンのような携帯端末機器が市場に発表されて人気を呼んでいる。前記ライトペンを利用したデジタイザは約０．７ｍｍ厚さの線を引くことができるので、３〜４ｍｍ厚さを認識する静電容量方式のタッチパネルより精巧であるため、細かい作業を容易に行うことができる。

また、ライトペンを利用すれば筆記メモが可能であり、絵を描くことができ、イメージや写真を編集することも可能である。さらに、使用者がライトペンを手に握って使う時に加わる力の圧力を感知して、感知された力により文字の太さが違うため、高解像度を有する作業が可能になる。

このようなデジタイザ機能はタッチスクリーン／ディスプレイパネルの下側にデジタイザパネルを備えており、デジタイザパネルは薄い金属膜でここに電気を流せば薄い電磁場が作られ、ポータブル型ライトペンの端部には超小型金属コイルが内蔵されていて使用時に交流磁場が発生する。

したがって、ライトペンのペン先がタッチスクリーンに近接すれば電磁誘導現象が起こりながらタッチスクリーン／ディスプレイパネルの下側に配置されたデジタイザパネルにはすでに形成された電磁場に変形が発生し、これを一側の角部に配置されたセンサを通して感知して実際ライトペンの動きを解釈している。

このようなデジタイザ機能はスマートフォンのような小型携帯端末機器だけでなく、大型ディスプレイを採用している大画面タブレット（ｔａｂｌｅｔ）ＰＣなどにも適用されている。

電磁誘導現象を利用したデジタイザ機能を携帯端末機器で使用するためには携帯端末機器本体の各種部品から発生する電磁場を遮蔽するための磁場遮蔽シートがデジタイザパネルとメイン回路基板の間に挿入されて使用されている。携帯端末機器本体には多様な通信用チップとアンテナを使って無線通信のために電磁場が発生している。

最近、４世代移動通信機術を実現するロントメボルルション（ＬＴＥ）電波は従来の３Ｇ移動通信方式の無線通信端末器よりずっと強い電波を使っており、このような強い電磁場からデジタイザに影響を与えることを排除し、ライトペンとデジタイザとの間の円滑な磁場通信のために確実な磁場遮蔽が求められている。

一方、携帯端末機器にはＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）技術を利用したナビゲーションや増強現実などの機能実現のために地磁気センサを備えている。また、アンドロイド運営体制（ＯＳ）を適用するスマートフォンの場合、地磁気センサの使用が必須事項として定められている。

前記磁場遮蔽シートはデジタイザ機能に影響が及ばないようにデジタイザ、つまり、ディスプレイに対応する大きさで使用されているので、携帯端末器内部で磁場遮蔽シートと地磁気センサとの間の間隔を２ｍｍ以上に設計することが難しい環境である。

しかし、前記磁場遮蔽シートと地磁気センサが接近して共に携帯端末器に使用される場合、磁場遮蔽シートは地磁気センサに影響を与えて地磁気センサの誤動作を誘発することになる。

つまり、磁場遮蔽シートによって地磁気センサは方位角の歪み、センサ感度の歪み、磁気履歴現象（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓ）の歪みが発生することができる。

前記方位角の歪みは磁場遮蔽シートによって磁北の方向を歪曲する現象をいい、センサ感度の歪みは磁場遮蔽シートによって磁場の強さを変化させるため、地磁気センサを構成するＸ、Ｙ、Ｚ軸センサの間の感度も歪曲する現象をいい、磁気履歴現象の歪みは磁性体が有する磁気履歴現象のため、センサの回転方向により方位角に誤差を発生させる現象をいう。

したがって、地磁気センサに対する前記歪みを防止し、正確な方位角を測定するためには地磁気センサの補正が必要となる。しかし、前記方位角の歪みおよびセンサ感度の歪みは正確な補正が可能であるが、磁気履歴現象の歪みは正確な補正が難しいので、地磁気センサの誤差を加重させる問題がある。

磁場遮蔽シートとしては非熱処理Ｆｅ系およびＣｏ系非晶質リボン、フェライトシート、または磁性粉末が含まれているポリマーシートなどの磁性体を使うのが一般的である。磁場遮蔽およびデジタイザ機能の性能向上のための磁場の集束効果は透磁率の高いＦｅ系およびＣｏ系非晶質リボン、フェライトシート、磁性粉末が含まれているポリマーシートの順に良い。

前記非熱処理Ｆｅ系およびＣｏ系非晶質リボンの場合、リボン自体が金属薄板であるので厚さに対する負担はないが、透磁率が大きすぎるから地磁気センサに影響を与えて磁場遮蔽シートとして使用できず、フェライトシートも透磁率が大きすぎるから地磁気センサに影響を与えて、厚さが厚い短所がある。

したがって、従来は磁場遮蔽シートとして相対的に透磁率が劣る磁性粉末が含まれているポリマーシートを使っていたが、透磁率が低くてＦｅ系およびＣｏ系非晶質リボンと比較すると、ライトペンの感度が１／２に低下する問題と共にコストが非常に高いという問題がある。

また、ポリマーシートの場合、Ｆｅ系およびＣｏ系非晶質リボンに比べて透磁率が低く、このような低い透磁率の性能を改善しようとする場合、数十ｕｍ厚さの薄板であるＦｅ系およびＣｏ系非晶質リボンに比べて厚さが厚くなるので、薄くなる端末器の趨勢に対応しにくい部分があり、厚さの増加により材料費用がさらに増加する問題もある。

一方、磁気履歴現象は磁性体に磁場の増加および減少を繰り返しながら印加するとき、磁性体内部の磁気誘導値が互いに一致せず履歴を持つことをいい、磁性体が飽和されるまで磁場を印加する場合に発生する現象で、磁場が飽和領域まで到達しない場合は初期磁化曲線に沿って履歴なしに磁気誘導値が増加および減少を繰り返す。

前記非晶質リボンの中、非熱処理Ｆｅ系非晶質リボンの場合、磁気履歴曲線（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓ ｌｏｏｐ）を見れば飽和誘導を得るための最小磁場である飽和磁場（Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ ｆｉｅｌｄ：Ｈｓ）値が約０．４Ｇで約０．５Ｇ値を有する地球磁場より低い値を有する。

したがって、Ｆｅ系非晶質リボンシートは地球磁場の変化にも履歴現象を示すことになり、その結果、Ｆｅ系非晶質リボンシートが適用された端末器に使用された地磁気センサはＦｅ系非晶質リボンシートによる磁気履歴現象まで補正しなければならないという致命的な短所を持つことになる。

また、Ｆｅ系およびＣｏ系非晶質リボンシートを使用する場合、地磁気センサは時計方向と反時計方向に回転するときのＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸のセンシング値が回転方向に応じて方位角履歴が発生し、このような履歴は正確な補正ができないため、センサ動作に誤差を加重することになる。

一方、韓国公開特許公報１０−２０１１−９２８３３号にはＦｅ系ナノ結晶粒軟磁性粉末および炭素系導電体粉末を含有する電磁波吸収シートが提案されており、前記Ｆｅ系ナノ結晶粒軟磁性粉末は非晶質合金として、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系合金を使用し、この合金を３５０℃〜５００℃の温度で４５分〜９０分間の予備熱処理をして粉末を１次および２次破砕し、破砕された粉末の粒子の大きさが２７０ｍｅｓｈ以下となるようにふるい分けしたナノサイズの結晶粒を有するＦｅ系ナノ結晶粒軟磁性粉末を使っている。

前記電磁波吸収シートは厚さ０．５ｍｍで製作されて１０ＭＨｚ乃至１０ＧＨｚ帯域の電磁波を吸収している。

しかし、前記電磁波吸収シートは高周波用だけでなく、ナノサイズの結晶粒を有するＦｅ系ナノ結晶粒軟磁性粉末をバインダーと混合して０．５ｍｍ厚さで製作されるポリマーシートの一種で、非晶質リボンシートを使用する場合（厚さ約０．０６ｍｍ内外）と比較すると、厚さが厚く、バインダーを混合することによってシートの透磁率が低い問題がある。

韓国公開特許公報１０−２００５−３７０１５号では高透磁率を有する金属合金であるパーマロイ、センダストおよび急速凝固合金のうち一つまたは二つ以上が粉末状、薄片状または繊維状のうちのいずれか一つの形態に１０〜８０重量％含まれ、前記金属合金が分散するマトリックスとして軟質高分子物質が１５〜６５重量％含まれ、前記金属合金と軟質高分子物質の混合時に使用される各種添加剤が５〜２５％含まれる低周波磁場遮蔽機能を有する金属および高分子複合体を提案している。

また、前記パーマロイは３００〜６００ガウスの磁場と６００〜１１００℃の温度で、前記センダストは１００〜６００ガウスの磁場と５００〜１１００℃の温度で、前記急速凝固合金は１００〜６００ガウスの磁場と３００〜５００℃の温度で、それぞれ１〜２時間磁場熱処理されている。

前記金属および高分子複合体は粉末状、薄片状または繊維状のうちいずれか一つの金属合金と高分子物質を含むことで、前記ポリマーシートと同じ問題がある。

前記従来の技術は電磁波吸収シートまたは磁場遮蔽シートに関し、スマートフォンのような携帯端末器でライトペンおよびナビゲーション機能を同時に実現する場合、従来の磁場遮蔽シートは地磁気センサに対する歪み問題が存在したり、厚さが厚くてコストが非常に高いという問題に対する解決法案を提示していない。

本発明者は遮蔽シートによって地磁気センサに発生する歪みの中で方位角の歪みおよびセンサ感度の歪みは正確な補正が可能であるが、磁気履歴現象に起因した方向性歪みは正確な補正が難しいという点を考慮して、磁気履歴現象の歪み問題が発生しない遮蔽シートを開発しようと努力して、ナノ結晶粒リボンの場合、薄板のリボンがフレーク状になっても透磁率特性はほとんど変化せず、磁気飽和が起こらないために磁気履歴現象の歪み問題は発生しないことに着案し、本発明を完成するに至った。

また、従来のタブレットＰＣやタブレットフォンのようなスマートフォンではデジタイザ機能を利用する場合、ライトペンの先端部をタッチスクリーンパネルまたはディスプレイパネルに具備された強化ガラスに筆圧を感じるほど力を加えることによってデジタイザ機能が活性化され、筆圧の強さを感知して文字の太さが異なることになる。したがって、使用の便利性、耐久性向上およびデジタイザ機能の感度向上のために非接触式ペン機能を実現することが求められている。

したがって、本発明は上記従来の問題点に鑑みて提案されたもので、その目的は、非晶質合金のリボンまたはストリップを熱処理してナノ結晶粒微細組織を有するナノ結晶粒リボンを製造する際、臨界温度以上の温度で過熱処理を実施することによってＢ−Ｈループが初期磁化曲線内で変化が行われて、所望する特定の透磁率の遮蔽シートの製造が容易であり、遮蔽シートの透磁率の選択幅が広いデジタイザ用磁場遮蔽シートおよびその製造方法を提供することにある。

また、本発明の目的は、地磁気センサに及ぼす影響を最少化しつつ携帯端末機器にデジタイザ機能を実現する際、携帯端末機器本体の各種部品から発生する電磁場を遮蔽すると同時にライトペンの感度向上を図ることができるデジタイザ用磁場遮蔽シートおよびその製造方法、並びにこれを利用したデジタイザ機能を有する携帯端末機器を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、非熱処理Ｆｅ系またはＣｏ系非晶質リボンのような磁気履歴現象による地磁気センサの方位角測定誤差がほとんど発生せずにデジタイザ機能の遂行の際に必要な磁束を高感度に吸収することができるように透磁率をポリマーシートより高く、非熱処理Ｆｅ系またはＣｏ系非晶質リボンと同一であるかさらに高い透磁率を有するように設定することによって、無線ライトペンを端末機器のディスプレイ表面に非接触状態でデジタイザ機能を実行することが可能で、便利性および耐久性を図ることができるデジタイザ用磁場遮蔽シートを備えた携帯端末機器を提供することにある。

また、本発明のまた他の目的は、非晶質合金のリボンまたはストリップを熱処理してナノ結晶粒微細組織を有するナノ結晶粒リボンを使用することによって磁場遮蔽機能のための透磁率を極大化すると同時に、フレーク処理によって反磁場を増加させて磁気飽和が起こらないように処理することによって磁気履歴現象の歪み問題を遮断できるデジタイザ用磁場遮蔽シートおよびその製造方法を提供することにある。

また、本発明のまた他の目的は、ナノ結晶粒リボンのフレーク処理後、圧着ラミネーティング処理によってナノ結晶粒リボンの微細片の隙間を接着剤で詰めて水分浸透を防止すると同時に、微細片のすべての面を接着剤（誘電体）で囲むことによって微細片を相互絶縁（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）させて渦電流の低減を図り遮蔽性能が落ちることを防止できるデジタイザ用磁場遮蔽シートおよびその製造方法を提供することにある。

また、本発明のまた他の目的は、ロールツーロール方法でフレークおよびラミネーティング処理を順次に遂行することによってシート成形が行われるため、シートの元の厚さを維持しつつ生産性が高く、製造コストが低廉なデジタイザ用磁場遮蔽シートおよびその製造方法を提供することにある。

前記目的を達成するために、本発明は、ナノ結晶粒合金からなりフレーク処理されて多数の微細片に分離された少なくとも１層の薄板状の磁性シート、前記薄板状の磁性シートの一側面に、第１接着層を通して接着される保護フィルム、および前記薄板状の磁性シートの他側面に、一側面に具備された第２接着層を通して接着される両面テープを含み、前記薄板状の磁性シートはナノ結晶粒合金からなる非晶質リボンを３００℃乃至７００℃で熱処理したことを特徴とするデジタイザ用磁場遮蔽シートを提供する。

本発明の他の特徴によれば、本発明は少なくとも一つの非晶質リボンシートを３００℃乃至７００℃で３０分乃至２時間熱処理してナノ結晶粒微細組織が形成された薄板状の磁性シートを形成する段階、前記薄板状の磁性シートの両側面に保護フィルムと露出面にリリーズフィルムが形成された両面テープを付着して積層シートを形成する段階、前記積層シートをフレーク処理して前記薄板状の磁性シートを多数の微細片に分割する段階、および前記フレーク処理された積層シートをラミネートする段階を含み、前記積層シートはラミネート処理によって平坦化およびスリム化が行われると同時に前記保護フィルムと両面テープに具備された第１および第２接着層の一部が前記多数の微細片の隙間に充填されて前記多数の微細片を絶縁（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）させることを特徴とするデジタイザ用磁場遮蔽シートの製造方法を提供する。

本発明のまた他の特徴によれば、本発明はナノ結晶粒合金からなりフレーク処理されて多数の微細片に分離された少なくとも１層の第１磁性シート、前記第１磁性シートの一側面に、第１接着層を通して接着される保護フィルム、および前記第１磁性シートの他側面に、一側面に具備された第２接着層を通して接着される両面テープを含み、前記保護フィルムと両面テープに具備された第１および第２接着層の一部が前記多数の微細片の隙間に充填されて前記多数の微細片を絶縁（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）させ、前記第１磁性シートはＢ−Ｈループが初期磁化曲線内で変化することを特徴とするデジタイザ機能を有する携帯端末機器を提供する。

前記のように、本発明では磁場遮蔽シートによって地磁気センサに発生する歪みの中で方位角の歪みおよびセンサ感度の歪みは補正が可能であるが、磁気履歴現象の歪みは正確な補正が難しいことに鑑みて、磁気履歴現象の歪み問題が発生しない磁場遮蔽シートを提案する。その結果、本発明の磁場遮蔽シートは磁気履歴現象の歪み問題が発生せず、単に方位角の歪みおよびセンサ感度の歪みだけが発生し、このような歪みは補正を通して解決できるため、歪みがないナビゲーション機能を実現することができる。

このため、本発明では非晶質合金のリボンまたはストリップを熱処理してナノ結晶粒微細組織を有するナノ結晶粒リボンを製造する際、臨界温度以上の温度で過熱処理を実施することによってＢ−Ｈループが初期磁化曲線内で変化して、所望する特定の透磁率の遮蔽シート製造が容易であり、遮蔽シートの透磁率の選択幅が広くなる。

また、本発明は熱処理温度により遮蔽シートの透磁率を所望の値に容易に制御でき、デジタイザ機能を遂行するに必要な磁束を高感度に吸収できるように遮蔽シートの透磁率制御を容易に行うことができる。

また、本発明の磁場遮蔽シートは遮蔽シートの中で高価で透磁率が低いポリマーシートや厚さの長所および透磁率特性は優れているが地磁気センサに磁気履歴現象の歪みを発生させる非熱処理Ｆｅ系またはＣｏ系非晶質リボンシートの代わりに、地磁気センサに及ぼす影響を最少化しつつ携帯端末機器にデジタイザ機能を実現する際に携帯端末機器本体の各種部品から発生する電磁場を遮蔽すると同時にライトペンの感度向上を図ることができる。

ナノ結晶粒リボンの場合、薄板のリボンがフレーク状になっても透磁率特性はほとんど変化しないことに鑑みて、熱処理を通してリボンの表面抵抗を高め、熱処理後にリボンをフレーク処理して、リボン表面積を減らすことによって反磁場を増加させて磁気飽和が起こらず、渦電流（Ｅｄｄｙ Ｃｕｒｒｅｎｔ）による損失を減らすことにした。

このため、本発明では非晶質合金のリボンまたはストリップを熱処理してナノ結晶粒微細組織を有するナノ結晶粒リボンを使用することによって、磁場遮蔽機能のための透磁率を極大化すると同時に、フレーク処理によって反磁場を増加させて磁気飽和が起こらないように処理することによって磁気履歴現象の歪み問題を遮断することができる。

本発明のナノ結晶粒リボンシートはフレーク処理によって多数の微細片に分離および／またはクラックが形成されているため、シートの一側面に沿って外部から磁場が印加される場合にも多数の微細片を通過しながら減衰が発生して磁場が入力されたシートの反対側にほとんど発散が行われない。

その結果、本発明ではナノ結晶粒リボンシートを備えた磁場遮蔽シートが携帯端末器に使用されるとき、シートの一側面に沿って外部から磁場が印加される場合にも地磁気センサにほとんど影響を与えなくなる。

また、本発明では非熱処理Ｆｅ系またはＣｏ系非晶質リボンと違うように、遮蔽シートに磁気履歴現象が発生しないので補正アルゴリズムを通して地磁気センサの方位角誤差を除去でき、ポリマーシートより高い透磁率特性を持っているため、ペン機能は向上させながら地磁気センサの方位角誤差がほとんど発生しない長所がある。

このような熱処理、フレーク工程を通して製作されたナノ結晶粒リボンを磁場遮蔽シートとして使用する場合、渦電流（Ｅｄｄｙ Ｃｕｒｒｅｎｔ）による損失を大きく減らすことにより、デジタイザ機能の性能は極大化され、磁場は遮蔽されて携帯端末機器のバッテリーなどの部品に影響が及ばないように実現できる。

また、本発明ではＦｅ系またはＣｏ系非晶質リボンのような磁気履歴現象による地磁気センサの方位角測定誤差がほとんど発生せずにデジタイザ機能を遂行するに必要な磁束を高感度に吸収できるように透磁率をポリマーシートより高く、Ｆｅ系またはＣｏ系非晶質リボンと同一であるかより高い透磁率を有するように設定することによって、無線ペンを端末機器のディスプレイ表面に非接触状態でペン機能を実行することが可能で便利性および耐久性を図ることができる。

さらに、本発明ではナノ結晶粒リボンのフレーク処理後に圧着ラミネーティング処理によってナノ結晶粒リボンの微細片の隙間を接着剤で詰めて水分浸透を防止すると同時に、微細片のすべての面を接着剤（誘電体）で囲むことによって微細片を相互絶縁（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）させて渦電流の低減を図り遮蔽性能が落ちることを防止することができる。

また、本発明ではロールツーロール方法でフレークおよびラミネーティング処理を順次に遂行することによってシート成形ができることになり、シートの元の厚さを維持しながらも生産性は高く、製造費用は低廉である。

本発明の望ましい実施例によるデジタイザ用磁場遮蔽シートを示す分解斜視図である。 図１で１枚のナノ結晶粒リボンシートを使用する実施例１を示す断面図である。 図１で２層構造のナノ結晶粒リボンシートを使用する実施例２であって、保護フィルムとリリーズフィルムが除去された状態の分解斜視図である。 図１で２層構造のナノ結晶粒リボンシートを使用する実施例２であって、組み立てられた磁場遮蔽シートの断面図である。 本発明に使用される保護フィルムの構造を示す断面図である。 本発明に使用される両面テープの構造を示す断面図である。 本発明による磁場遮蔽シートを製造する工程を説明するための工程図である。 本発明による磁場遮蔽シートに使用されるナノ結晶粒リボンシートの熱処理温度とシートの透磁率間の関係を示すグラフである。 本発明による積層シートのフレーク工程を示す断面図である。 本発明による積層シートのフレーク工程を示す断面図である。 本発明による積層シートをフレーク処理した状態を示す断面図である。 本発明によるフレーク処理された積層シートのラミネート工程を示す断面図である。 本発明によるフレーク処理された積層シートのラミネート工程を示す断面図である。 本発明の実施例１による無線充電器用磁場遮蔽シートをフレーク処理後、ラミネートした状態を示す断面図である。 本発明のフレーク処理後、ラミネート工程を経ない磁場遮蔽シートの湿度テストを経た拡大写真である。 本発明のフレーク処理後、ラミネートされた磁場遮蔽シートの湿度テストを経た後の拡大写真である。 本発明の実施例３により互いに異なる透磁率を有する異種材料を使って構成したハイブリッド型磁場遮蔽シートを示す構成図である。 本発明の実施例３により互いに異なる透磁率を有する異種材料を使って構成したハイブリッド型磁場遮蔽シートを示す構成図である。 本発明の実施例３により互いに異なる透磁率を有する異種材料を使って構成したハイブリッド型磁場遮蔽シートを示す構成図である。 本発明の実施例４により電磁波遮蔽機能を備えたデジタイザ用磁場遮蔽シートを示す断面図である。 本発明による磁場遮蔽シートがデジタイザ機能を有する携帯端末器に適用された構造を示す概略分解斜視図である。 非熱処理Ｆｅ系非晶質リボンシートのＢ−Ｈループを示すグラフである。 本発明による磁場遮蔽シートに使用されるナノ結晶粒リボンシートのＢ−Ｈループを示すグラフである。 インダクタンス値が１９ｕＨである非熱処理Ｆｅ系非晶質リボンシート（比較例１）を適用する際、５つの地磁気センサの角度誤差を示すグラフである。 インダクタンス値が１９ｕＨである非熱処理Ｆｅ系非晶質リボンシート（比較例１）を適用する際、回転方向により変化する地磁気センサの角度誤差を示すグラフである。 インダクタンス値が１５ｕＨであるポリマーシート（比較例２）を適用する際、５つの地磁気センサの角度誤差を示すグラフである。 インダクタンス値が１５ｕＨであるポリマーシート（比較例２）を適用する際、回転方向により変化する地磁気センサの角度誤差を示すグラフである。 インダクタンス値が１６．５ｕＨである本発明のナノ結晶粒リボンシート（実施例１）を適用する際、５つの地磁気センサの角度誤差を示すグラフである。 インダクタンス値が１６．５ｕＨである本発明のナノ結晶粒リボンシート（実施例１）を適用する際、回転方向により変化する地磁気センサの角度誤差を示すグラフである。 インダクタンス値が１７．５ｕＨである本発明のナノ結晶粒リボンシート（実施例２）を適用する際、５つの地磁気センサの角度誤差を示すグラフである。 インダクタンス値が１７．５ｕＨである本発明のナノ結晶粒リボンシート（実施例２）を適用する際、回転方向により変化する地磁気センサの角度誤差を示すグラフである。 インダクタンス値が１８．５ｕＨである本発明のナノ結晶粒リボンシート（実施例３）を適用する際、５つの地磁気センサの角度誤差を示すグラフである。 インダクタンス値が１８．５ｕＨである本発明のナノ結晶粒リボンシート（実施例３）を適用する際、回転方向により変化する地磁気センサの角度誤差を示すグラフである。 インダクタンス値が１９．５ｕＨである本発明のナノ結晶粒リボンシート（実施例４）を適用する際、５つの地磁気センサの角度誤差を示すグラフである。 インダクタンス値が１９．５ｕＨである本発明のナノ結晶粒リボンシート（実施例４）を適用する際、回転方向により変化する地磁気センサの角度誤差を示すグラフである。 Ｆｅ系非晶質リボンシート（比較例１）、メタルパウダーシートおよび本発明のナノ結晶粒リボンシート（実施例１および２）に対する周波数別インダクタンス変化を示すグラフである。

前述した目的、特徴および長所は添付図面を参照して以下に詳細に後述する実施例を通してさらに明らかになり、これに基づいて本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者が本発明の技術的な思想を容易に実施できるだろう。

そして、本発明を説明するにあたって、関連の公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に濁すと判断される場合、その詳しい説明を省略する。

図１乃至図５を参考にすれば、本発明の実施例による磁場遮蔽シート１０は薄板状の磁性シートであって、非晶質合金のリボンまたはストリップ（以下、単に“リボン”という）を熱処理してナノ結晶粒微細組織を有しフレーク処理されて多数の微細片２０に分離および／またはクラックが形成された１層または２層のナノ結晶粒リボンシート２、前記ナノ結晶粒リボンシート２の一側面に接着される保護フィルム１、前記ナノ結晶粒リボンシート２の他側面に積層される両面テープ３、前記両面テープ３の露出面に接着されるリリーズフィルム４を含んでいる。

また、ナノ結晶粒リボンシート２が２層構造の場合、中間に両面テープが挿入されている。

前記ナノ結晶粒リボンシート２はＦｅ系ナノ結晶粒磁性合金からなる薄板のリボンを使用することができる。

Ｆｅ系ナノ結晶粒磁性合金は、次の数式１を満足する合金を使用することが好ましい。

上記数式１で、ＡはＣｕおよびＡｕから選択される少なくとも１種の元素を、ＤはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｏおよび希土類元素から選択される少なくとも１種の元素を、ＥはＭｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎおよび白金族元素から選択される少なくとも１種の元素を、ＺはＣ、ＮおよびＰから選択される少なくとも１種の元素を表し、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇおよびｈは関係式０．０１≦ｃ≦８ａｔ％、０．０１≦ｄ≦１０ａｔ％、０≦ｅ≦１０ａｔ％、１０≦ｆ≦２５ａｔ％、３≦ｇ≦１２ａｔ％、１５≦ｆ＋ｇ＋ｈ≦３５ａｔ％をそれぞれ満足する数で、前記合金構造の面積比で２０％以上が粒径５０ｎｍ以下の微細構造からなる。

上記数式１において、Ａ元素は合金の耐食性を高め、結晶粒の粗大化を防止すると共に、ワット損や合金の透磁率などの磁気特性を改善するために使用される。Ａ元素の含有量が少なすぎれば、結晶粒粗大化の抑制効果が得難くなる。反対に、Ａ元素の含有量が多すぎれば、磁気特性が劣化する。したがって、Ａ元素の含有量は０．０１ないし８ａｔ％の範囲とすることが好ましい。Ｄ元素は結晶粒径の均一化および磁気変形の低減などに有効な元素である。Ｄ元素の含有量は０．０１ないし１０ａｔ％の範囲とすることが好ましい。

Ｅ元素は合金の軟磁気特性および耐食性の改善に有効な元素である。Ｅ元素の含有量は１０ａｔ％以下とすることが好ましい。ＳｉおよびＢは磁性シートの製造時における合金のアモルファス化を組成する元素である。Ｓｉの含有量は１０ないし２５ａｔ％の範囲とすることが好ましく、Ｂの含有量は３ないし１２ａｔ％の範囲とすることが好ましい。また、ＳｉおよびＢ以外の合金のアモルファス化組成元素としてＺ元素が合金に含まれていてもよい。この場合、Ｓｉ、ＢおよびＺ元素の合計含有量は１５ないし３５ａｔ％の範囲とすることが好ましい。微細結晶構造は粒径が５ないし３０ｎｍの結晶粒が合金構造の中、面積比で５０ないし９０％の範囲に存在する構造を具現できるように形成することが望ましい。

また、前記ナノ結晶粒リボンシート２に使用されるＦｅ系ナノ結晶粒磁性合金はＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ合金が用いられ、この場合、Ｆｅが７３−８０ａｔ％、ＳｉおよびＢの和が１５−２６ａｔ％、ＣｕとＮｂの和が１−５ａｔ％であることが好ましい。このような組成範囲がリボン形態に製作された非晶質合金が後述する熱処理によってナノ状の結晶粒に容易に析出できる。

本発明の実施例１による磁場遮蔽シート１０は図２に示されているように、磁性シートとして１枚のナノ結晶粒リボンシート２を使って一側面に保護フィルム１が接着され、他側面に両面テープ３を通じてリリーズフィルム４が接着される構造を有する。
また、本発明の実施例１による磁場遮蔽シート１０はスマートフォンより面積が大きい大型ディスプレイ、例えば、幅が１００ｍｍの携帯端末機器の場合、５０ｍｍ幅を有する２枚のシートを長さ方向に合わせ、またはオーバーラップ連結して使用することができる。通常、現在生産される非晶質リボンは幅が約５０ｍｍ程度であるため、２枚のシートを長さ方向に合わせ連結して使用する場合、幅が１００ｍｍの携帯端末機器用磁場遮蔽シート１０がカバーできることになる。

さらに、図３ａおよび図３ｂに示された実施例２のように、幅が１００ｍｍの携帯端末機器用磁場遮蔽シート１０ｂを構成する場合、磁性シートは１層に第１および第２ナノ結晶粒リボンシート２１、２２を２枚合わせ、またはオーバーラップ連結し、その上に広幅の両面テープ３ａを積層した後、両面テープ３ａの上部に第１および第２ナノ結晶粒リボンシート２１、２２と直角方向に交差して第３および第４ナノ結晶粒リボンシート２３、２４を２枚合わせ連結して積層する方式で広幅の携帯端末機器用磁場遮蔽シート１０ｂを構成することができる。

前記のように多数のナノ結晶粒リボンシート２１−２４を積層して使用する場合、実施例２のように多数のナノ結晶粒リボンシート２１−２４の間には両面テープ３ａが挿入されている。

本発明に使用される保護フィルム１は、図４のように例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）フィルム、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリテレフタレート（ＰＴＦＥ）のようなフッ素樹脂系フィルムなどの基材１１が用いられ、一側面に第１接着層１２が形成されたものを使用し、ナノ結晶粒リボンシート２、２１−２４の一側面に付着する際、第１接着層１２の他面に第１接着層１２を保護するために付着したリリーズフィルム４ａは除去して付着する。

また、保護フィルム１は１ないし１００μｍ、好ましくは１０−３０ｕｍ範囲のものが用いられ、さらに望ましくは１０ｕｍの厚さを持った方が良い。

また、両面テープ３、３ａ、３ｂは図５に示されているように例えば、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルムのようなフッ素樹脂系フィルムからなる基材３２に用いて両側面に接着層３１、３３が形成されたものを使用し、第２および第３接着層３１、３３の外側面にはそれぞれ第２および第３接着層３１、３３を保護するためにリリーズフィルム４、４ｂが付着している。

前記両面テープ３ａ、３ｂはナノ結晶粒リボンシート２１−２４を相互接合させるためにナノ結晶粒リボンシート２１−２４の間に挿入される場合、両側面のリリーズフィルム４、４ｂいずれもを除去して使用し、積層されたナノ結晶粒リボンシート２１−２４の最下側のナノ結晶粒リボンシート２１、２２の外部に結合された両面テープ３ｂは外部に露出する第３接着剤層３３を保護するためにリリーズフィルム４が付着した状態で製造が行われる。

両面テープ３、３ａ、３ｂは前述したような基材があるタイプと、基材なしに接着層だけで形成される無基材タイプも適用可能である。ナノ結晶粒リボンシート２１−２４の間に挿入される両面テープ３ａ、３ｂの場合、無基材タイプを使うのが薄膜化の側面から望ましい。

前記保護フィルム１とリリーズフィルム４に使用される接着層３、３１、３３は、例えば、アクリル系接着剤が用いられるが、他の種類の接着剤を使用してもよい。
両面テープ３は１０、２０、３０ｕｍの厚さを有するものが用いられ、好ましくは１０ｕｍの厚さを持った方が良い。

本発明の実施例による磁場遮蔽シート１０、１０ａ、１０ｂは図１乃至図３に示されているように、デジタイザ５４に対応する長方形からなることができ、好ましくは、磁場遮蔽が要求される部位の形状によりこれに対応する形状を有する。

前記磁場遮蔽シート１０に使用されるナノ結晶粒リボンシート２は１枚当たり例えば、１５ないし３５ｕｍの厚さを有するものを使用することができる。この場合、ナノ結晶粒リボンシート２の熱処理後のハンドリングとリボンを２枚以上重なる時の処理工程を考慮すれば、ナノ結晶粒リボンシート２の厚さは２５ないし３０ｕｍに設定したことが望ましい。リボンの厚さが薄いほど熱処理後のハンドリング時に若干の衝撃にもリボンの破れ現象が発生し、特に、二枚のリボンを重ねる場合、リボンが薄膜であるからリボンの当接面にしわが生じたりしてハンドリングがしにくい問題が発生する可能性がある。

以下、本発明の実施例による磁場遮蔽シート１０の製造方法を図６を参考にして説明する。

まず、Ｆｅ系非晶質リボンとしてナノ結晶粒合金、例えば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ合金からなる３０ｕｍ以下の極薄型非晶質リボンをメルトスピニングによる急冷凝固法（ＲＳＰ）で製造した後（Ｓ１１）、熱処理後の後処理を容易にできるように、まず、一定の長さにカッティングしてシート形状に積層する（Ｓ１２）。

その後、積層された非晶質リボンシートは３００℃乃至７００℃の温度で３０分乃至２時間熱処理を行うことによって、ナノ結晶粒が形成されたナノ結晶粒リボンシート２、２１−２４を形成する（Ｓ１３）。

前記ナノ結晶粒リボンシート２、２１−２４はナノ結晶粒合金をリボンまたはストリップ形状で製造した後、３００℃乃至７００℃の熱処理温度区間（Ｔｐ）で３０分乃至２時間無磁場熱処理を行うことによって微細結晶粒子を析出させる方法を通して得られる。この場合、熱処理雰囲気はＦｅの含有量が７０ａｔ％以上であるため、大気中で熱処理を行うと酸化が行われるので視覚的な側面から望ましくないし、したがって、窒素雰囲気で行われることが望ましい。しかし、酸化雰囲気で熱処理を行う場合、同一の温度条件であればシートの透磁率は実質的に差がない。

この場合、熱処理温度が３００℃未満の場合、ナノ結晶粒が十分に生成されなくて所望する透磁率が得られず熱処理時間が長くかかる問題があり、また、後続のフレーク工程を処理する時に磁性シートのフレークがよく起こらず、７００℃を超える場合は過熱処理によって透磁率が顕著に低くなる問題がある。熱処理温度が低ければ処理時間は長くなり、反対に熱処理温度が高ければ処理時間は短くなることが望ましい。

図７を参照すれば、非晶質リボンを熱処理する場合、熱処理温度が増加して３００℃でナノ結晶粒が生成され、熱処理された非晶質リボン、つまり、シートのインダクタンス値は温度上昇により増加し、５８０℃乃至６００℃であるときにシートのインダクタンス値は最大に増加する。その後、５８０℃乃至６００℃を超えて７００℃の間の温度で過熱処理すれば、シートのインダクタンス値は熱処理温度に反比例して急激に減少した値を示す。前記非晶質リボンは個別的な偏差があって５８０℃乃至６００℃の間で最大のインダクタンス値を表している。

シートの透磁率はインダクタンス値に比例する。したがって、５８０℃乃至６００℃の温度を超えて７００℃の間の温度で過熱処理が行われると、シートのインダクタンス値はほとんどリニアに減少する特性を示す点を利用して所望する透磁率を有するシートを容易に製造することができる。

また、前記非晶質リボンは５８０℃乃至７００℃の間の過熱処理温度区間（Ｔｏ）で過熱処理が行われると脆性が強くなり、後続工程でフレーク処理を実施する際に容易にフレークになることになる。さらに、前記過熱処理温度区間（Ｔｏ）が広くてこの過熱処理温度区間（Ｔｏ）を利用して熱処理すれば遮蔽シートの透磁率の選択幅が広くなる。

前記熱処理されたシートの表面透磁率は１２．１ｕＨのコイルを使ってＬＣＲメートルに１００ｋＨｚ、１Ｖの条件でシートのインダクタンス値を測定した後、求められたシートのインダクタンス値から換算して求められる。

ポリマーシートの場合は１５ｕＨ、非熱処理Ｆｅ系非晶質シートの場合は１９．５ｕＨのインダクタンス値が得られる。

本発明では３００℃乃至７００℃の熱処理が行われることによって熱処理されたナノ結晶粒リボンシートは１３ないし２１ｕＨ範囲のインダクタンス値を示す。熱処理されたナノ結晶粒リボンシートをデジタイザ用磁場遮蔽シートとして使用する場合は１３ないし２１ｕＨ、好ましくは１５ないし２１ｕＨ範囲のインダクタンス値を有するように熱処理して所望する透磁率を選択することができる。インダクタンス値が１３ないし１５ｕＨの間のナノ結晶粒リボンシートを遮蔽シートとして使用する場合、透磁率が低いためにライトペンの感度は低いが、地磁気センサは透磁率が低くて補正なしに使用可能で、地球磁場の変化に応じた磁気履歴現象が現れないので、磁気履歴現象に起因した方位角誤差は発生しない。

次に、熱処理が行われたナノ結晶粒リボンシート２を１枚または２枚を使用し、一側に保護フィルム１を付着し、他側にリリーズフィルム４付きの両面テープ３を付着した状態でフレーク処理を実施する（Ｓ１４）。

前記積層されるナノ結晶粒リボンシート２１−２４を２層に積層する場合、リボンシート２１−２４の間に両面テープ３ａを挿入して相互接着が行われるようにする。

前記フレーク処理は例えば、保護フィルム１、ナノ結晶粒リボンシート２および両面テープ３とリリーズフィルム４が順次に積層された積層シート１００は図８および図９に示された第１および第２フレーク装置１１０、１２０を通過させて、ナノ結晶粒リボンシート２を多数の微細片２０に分離する。この場合、分離された多数の微細片２０は図１０のように両側面に接着された第１および第２接着層１２、３１によって分離された状態を維持することになる。

使用可能な第１フレーク装置１１０は例えば、図８に示されているように、外面に複数の凹凸１１６が形成される金属ローラ１１２と、金属ローラ１１２に対向して配置されるゴムローラ１１４で構成され、第２フレーク装置１２０は図９に示されているように、外面に複数の球形ボール１２６が装着される金属ローラ１２２と、金属ローラ１２２に対向して配置されるゴムローラ１２４で構成される。

このように、積層シート１００が第１および第２フレーク装置１１０、１２０を通過すれば図１０に示されているように、ナノ結晶粒リボンシート２は多数の微細片２０に分離されながら微細片２０の間には隙間２０ａが発生することになる。

ナノ結晶粒リボンシート２の多数の微細片２０は数十ｕｍ〜３ｍｍ、好ましくは数百ｕｍ〜１ｍｍ範囲の大きさを有するように形成されるので、反磁場を増加させてヒステリシスロスを除去することによってシートに対する透磁率の均一性を高めることができる。

また、ナノ結晶粒リボンシート２はフレーク処理によって微細片２０の表面積を減らすことによって、交流磁場によって生成される渦電流（Ｅｄｄｙ Ｃｕｒｒｅｎｔ）に起因した発熱問題を遮断することができる。

フレーク処理された積層シート２００は微細片２０の間に隙間２０ａが存在することになり、この隙間２０ａに水分が浸透すると非晶質リボンが酸化されて非晶質リボンの外形が良くないことになり、遮蔽性能が落ちることになる。

また、フレーク処理だけが行われる場合、微細片２０の流動により微細片２０が互いに接触することによって微細片２０の大きさが増加して渦電流損失が増加する問題が発生する。

さらに、前記フレーク処理された積層シート２００はフレーク処理時にシートの表面不均一が発生でき、フレーク処理されたリボンの安定化が必要である。

したがって、フレーク処理された積層シート２００は微細片２０の間の隙間２０ａに接着剤で詰めると同時に、平坦化、スリム化および安定化のためのラミネート工程を実施する（Ｓ１５）。その結果、水分浸透を防止すると同時に微細片２０のすべての面を接着剤で囲むことによって微細片２０を相互分離させて渦電流の低減を図ることができる。

前記ラミネート工程のためのラミネート装置４００、５００は図１１のようにフレーク処理された積層シート２００が通過する第１加圧ローラ２１０および第１加圧ローラ２１０と一定の間隔をおいて配置される第２加圧ローラ２２０で構成されるロールプレスタイプが適用され、図１２に示されているように、下部加圧部材２４０と下部加圧部材２４０の上側に垂直方向に移動可能に配置される上部加圧部材２５０で構成される油圧プレスタイプが用いられる。

フレーク処理された積層シート２００を常温または５０ないし８０℃の温度で熱を加えた後にラミネート装置４００、５００を通過させれば保護フィルム１の第１接着層１２が加圧されながら第１接着層１２の一部接着剤が隙間２０ａに流入すると共に、両面テープ３０が加圧されながら第２接着層３１の一部接着剤が隙間２０ａに流入して隙間２０ａを密封することになる。

ここで、第１接着層１２および第２接着層３１は常温で加圧して変形可能な接着剤を使用したり、熱を加えれば変形される熱可塑性接着剤が用いられる。
そして、第１接着層１２および第２接着層３１の厚さは多数の微細片の間の隙間２０ａを十分に詰めることができるように非晶質リボンの厚さ対比５０％以上の厚さを持つことが望ましい。

また、第１接着層１２および第２接着層３１の接着剤が隙間２０ａに流入できるように第１加圧ローラ２１０と第２加圧ローラ２２０の間の間隔および上部加圧部材が下降した状態であるとき、上部加圧部材２５０と下部加圧部材２４０の間の間隔は積層シート２００の厚さの５０％以下に形成することが望ましい。

本発明では積層シート１００、２００のフレークおよび圧着処理が可能であれば、その装置は、特に限定されない。

前記ラミネート工程が完了すると、本発明による電磁波吸収シート１０は図１３に示されているように、ナノ結晶粒リボンシート２が多数の微細片２０に分離された状態で第１接着層１２および第２接着層３１がそれぞれ部分的に微細片２０の間の隙間２０ａを充填してナノ結晶粒リボンシート２の酸化および流動を防止する構造を持つことになる。
最後に、前記ラミネートされた磁場遮蔽シート１０−１０ｂはデジタイザ５４に対応する大きさの四角形状にスタンピング加工されて製品化が行われる（Ｓ１６）。

前記実施例では１つの保護フィルム１を磁性シート２の一側に付着してフレークおよびラミネート処理することを例示しているが、フレーク処理工程を経れば保護フィルム１の損傷が発生することができる。したがって、好ましくは保護フィルム１の上部に保護フィルム１を保護するための他の保護フィルムを付着して処理工程を進行し、処理が完了した後に表面の保護フィルムを剥離して除去した方が良い。

（湿度テスト）
前記でフレークおよびラミネート工程を経て得られた本発明による磁場遮蔽シート１０とフレーク処理後にラミネート工程を経ない積層シート２００に対して温度８５℃、湿度８５％で１２０時間湿度テストを進行した。

その結果、フレーク処理だけを実施した積層シート２００の場合、図１４ａに示されているように、非晶質リボンが多数の微細片に分離された状態であるときに微細片の間の隙間に水分が浸透し非晶質リボンが酸化されて外形が変化したことが分かり、本発明による磁場遮蔽シート１０は図１４ｂのように外形が変化しないことが分かる。

前記図３ａおよび図３ｂに示された２層構造の実施例２による磁場遮蔽シート１０ｂは磁性シートとして同一のナノ結晶粒リボンシート２１−２４を利用して構成したが、本発明による磁場遮蔽シートは図１５ａ乃至図１５ｃに示された実施例３のように異種材料からなるハイブリッド型薄板状の磁性シートを使って構成することもできる。

図１５ａを参考にすれば、実施例３のハイブリッド型薄板状の磁性シート３５は高透磁率の第１磁性シート３５ａと前記第１磁性シートより透磁率が低い低透磁率の第２磁性シート３５ｂの間に接着層３５ｃを挿入して組み合わせたハイブリッド形態で構成することができる。

前記第１磁性シート３５ａとしては前記ナノ結晶粒合金からなるナノ結晶粒リボンシート、軟磁性特性に優れたパーマロイ（ｐｅｒｍａｌｌｏｙ）シートまたはＭＰＰ（Ｍｏｌｙ Ｐｅｒｍａｌｌｏｙ Ｐｏｗｄｅｒ）シートなどを適用することができる。

第２磁性シート３５ｂは非晶質合金粉末、軟磁性体粉末、センダストのような高透磁率の磁性粉末と樹脂からなるポリマーシートを使用することができる。

この場合、非晶質合金粉末は例えば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｕ−Ｎｂ、Ｆｅ−Ｚｒ−ＢおよびＣｏ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂからなる群より選択される組成を有し非晶質の合金を１種以上含む非晶質合金粉末を使用することが好ましい。

また、ハイブリッド型薄板状の磁性シート３６は図１５ｂに示されているように、第１磁性シート３６ａとして中央部に一定面積のナノ結晶粒リボンシートを使って、前記第１磁性シート３６ａの外部に第１磁性シート３６ａを全体的に囲む環状の第２磁性シート３６ｂをポリマーシートまたはフェライトループを組み合わせることも可能である。つまり、ナノ結晶粒リボンシートに比べて相対的に透磁率が小さいポリマーシートまたはフェライトをループ形態に形成してナノ結晶粒リボンシートの外郭に配置する。その結果、地磁気センサ６０に対する影響を最少化しながらデジタイザに及ぼす磁場を遮蔽することができる。

さらに、図１５ｃを参考にすれば、実施例３のハイブリッド型薄板状の磁性シート３７は面積が互いに異なる第１および第２磁性シート３７ａ、３７ｂで構成し、第１磁性シート３７ａは大面積にナノ結晶粒リボンシートを使用し、第２磁性シート３７ｂは第１磁性シート３７ａの一側面にナノ結晶粒リボンシートより高い透磁率を有する磁性シート、例えば、非熱処理鉄系非晶質シートを約２−３ｍｍ程度の幅でハイブリッド形態に組み合わせることも可能である。

前記ハイブリッド形態の薄板状の磁性シート３７を構成する場合、第２磁性シート３７ｂは第１磁性シート３７ａと重なったり、部分的にオーバーラップされながら延長形成されたり、第１磁性シート３７ａと平坦に延長されることができる。ハイブリッド形態の薄板状の磁性シート３７を用いた磁場遮蔽シートを携帯端末器５０に適用する場合、鉄系非晶質シートからなる第２磁性シート３７ｂはメイン回路基板５７に配置された地磁気センサ６０から遠くに配置されるように設けられる。

前記鉄系非晶質シートからなる高透磁率の第２磁性シート３７ｂは地磁気センサ６０に対する影響を最小化することができる範囲で用いられ、高透磁率の磁場遮蔽シートはデジタイザ機能を遂行するに必要な電磁波を吸収できるようにする、つまり、磁束の伝達率を増加させることによってライトペンの感度が向上する。

一方、図１５ｃに示された実施例３のハイブリッド型薄板状の磁性シート３７は第２磁性シート３７ｂが第１磁性シート３７ａの透磁率より高い磁性シートを使用したが、これとは反対に、第２磁性シート３７ｂが第１磁性シート３７ａの透磁率より低い磁性シートを使用することも可能である。

つまり、第１磁性シート３７ａはナノ結晶粒リボンシートを使用し、第２磁性シート３７ｂはポリマーシートを使用し、透磁率が低い第２磁性シート３７ｂはメイン回路基板５７に配置された地磁気センサ６０と近い側に配置されるように設けられる。その結果、地磁気センサ６０に対する影響を最少化しながらデジタイザに及ぼす磁場を遮蔽することができる。

一方、図１６には本発明の実施例４による電磁波遮蔽機能を有する遮蔽シートが示されている。

実施例４の遮蔽シート１０ｃは実施例１による磁場遮蔽シート１０の一側面に電磁波を遮蔽するための付加機能を備えるように導電率に優れたＣｕまたはアルミニウム箔からなる伝導体シート５を両面テープまたは接着剤を利用して接着させた構造を有する。前記伝導体シート５は５ないし１００ｕｍ、好ましくは厚さ１０ないし２０ｕｍである。

また、前記伝導体シート５を箔形態で構成する代わりに、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｍｎまたはこれら金属の組み合わせの薄膜金属層をスパッタリング方法で形成することも可能である。

前記電磁波遮蔽機能を有する遮蔽シート１０ｃは、例えば、電源ノイズのような電磁波がひどく発生するノートパソコンにデジタイザ機能を備える場合、ノートパソコン本体から発生した電磁波がデジタイザに影響を与えることを遮断するために用いられる。

この場合、実施例４の遮蔽シート１０ｃは伝導体シート５がメイン回路基板に向かって露出するようにデジタイザパネル（ＰＣＢ）の背面に両面テープ３を通じて付着して使用される。

一方、前記本発明による磁場遮蔽シートがデジタイザ機能を有する携帯端末器に適用された構造を図１７を参考にして以下に説明する。

図１７は本発明による磁場遮蔽シートがデジタイザ機能を有する携帯端末器に適用された構造を示す概略分解斜視図である。

図１７を参考にすれば、本発明による携帯端末器５０はタッチスクリーンパネル５２、ディスプレイパネル５３、デジタイザパネル５４、磁場遮蔽シート１０、ブラケット５６、メイン回路基板５７および背面カバー５８が順次に結合し、非接触方式で端末器５０から電力を受信して活性化されるライトペン５１を備えている。

携帯端末器５０は上部面に端末器と使用者の間のインターフェース役割を果たすようにＬＣＤまたはアモレッド（ＡＭＯＬＥＤ）タイプのディスプレイパネル５３の前面に一体型タッチパネル５２が配置されている。前記タッチスクリーンパネルは例えば、アモレッドディスプレイの真上に蒸着形態に被覆する‘オンセル（Ｏｎ−Ｃｅｌｌ）’方式で具現される。

前記端末器５０にデジタイザ機能を実現するために前記ペン５１は端末器５０と無線通信を通して情報をやりとりするように内部に無線通信のためのコイル形状のアンテナおよび回路素子が内蔵されているので、非接触方式で電力を受信して回路を駆動する。

このため、ペン５１は電磁誘導結合方式による無線充電機能を応用して端末器で発生した１００〜２００ｋＨｚ帯域の交流磁場を受信してペン５１に無線で電力を送信して内部の回路素子を駆動し、再び５００ｋＨｚ以上の周波数を利用して端末器５０のデジタイザパネル５４とペン５１の間の無線通信をやりとりする。

ライトペンの機能はタッチスクリーン／ディスプレイパネル５２、５３の下側に配置されたデジタイザパネル５４によって具現される。デジタイザパネル５４は薄い金属膜でここに電気を流せば薄い電磁場が作られ、ペン５１の端部には交流磁場を発生する超小型アンテナコイルが備えられている。

デジタイザ機能を利用する場合、ペン５１の先端部がタッチスクリーンパネル５２に近接すれば電磁誘導現象が起こりながらタッチスクリーン／ディスプレイパネル５２、５３の下側に配置されたデジタイザパネル５４にすでに形成された電磁場に変形が発生し、このような磁場の変形を一側の角部に配置されたセンサを通して感知してＸ、Ｙ座標を認識しペンの動作を認識する。

前記電磁誘導現象を利用したデジタイザ機能を使用するためには、メイン回路基板５６の各種部品から発生する電磁場がデジタイザパネル５４に影響を与えることを遮蔽することが必要である。したがって、デジタイザパネル５４とメイン回路基板５７の間に磁場遮蔽シート１０が挿入される。

前記磁場遮蔽シート１０は両面テープなどを利用してデジタイザパネル５４の背面に密着させる方法と、別途の固定用ブラケット５６を使ってデジタイザパネル５４の背面に着脱可能に結合することができる。

つまり、磁場遮蔽シート１０を付着する方法は、磁場遮蔽シート１０のリリーズフィルム４を除去し両面テープ３をデジタイザパネル５４の背面に付着することができる。
また、前記磁場遮蔽シート１０を付着する方法の代わりに、磁場遮蔽シート１０の保護フィルム１の上部には別途の両面テープを使ってデジタイザパネル５４の背面に付着し、磁場遮蔽シート１０の下部にはリリーズフィルム４を除去し露出した両面テープ３の接着層３３に仕上材を付着することができる。

一方、端末器にはナビゲーションや増強現実などの機能実現のために地磁気センサ６０が備えられ、メイン回路基板５７の一側の角部に配置されている。

前記磁場遮蔽シート１０はデジタイザ機能に影響が及ばないようにデジタイザパネル５４と対応する大きさからなる。この場合、磁場遮蔽シート１０はメイン回路基板５７の大きさより多少小さく形成され、携帯端末器内部で磁場遮蔽シート１０と地磁気センサ６０の間には少なくとも２ｍｍ間隔を維持することが望ましい。

本発明による磁場遮蔽シート１０は前記のように地磁気センサ６０に近接して共に携帯端末器に使用される場合にも、地磁気センサ６０に影響を与えることを最小化する。

前記のように、本発明による磁場遮蔽シート１０はナノ結晶粒微細組織を有しフレーク処理されて多数の微細片２０に分離および／またはクラックが形成された少なくとも１層のナノ結晶粒リボンシート２を具備することによって、磁場遮蔽機能のための透磁率の極大化が行われると同時にフレーク処理によってリボンの表面積を減らすことによって反磁場（ｄｅｍａｇｎｅｔｉｚｉｎｇ ｆｉｅｌｄ）が増加して磁気飽和が起こらないことになる。

また、前記ナノ結晶粒リボンシート２はフレーク処理によってリボンの表面積を減らすことによって交流磁場によって生成される渦電流（Ｅｄｄｙ Ｃｕｒｒｅｎｔ）に起因した発熱問題を遮断することができる。

一方、携帯端末器に採用された磁場遮蔽シートは主にシートの垂直方向に沿って印加される垂直磁場を遮蔽するように内蔵される。しかし、携帯端末器は地球磁場を含んで地球磁場より非常に高い磁場がシートの側面から印加される状況に置かれることができる。

従来の鉄（Ｆｅ）系非晶質リボンシートが磁場遮蔽シートに適用された場合、シートの一側面に沿って外部から磁場が印加されると、シートの平面に沿って通過して磁場が入力されたシートの反対側に発散が行われることになる。その結果、地磁気センサ６０はＸ、Ｙ、Ｚ方向の感度の強度差が発生して角度誤差が発生する問題がある。

これに反し、本発明のナノ結晶粒リボンシート２はフレーク処理によって多数の微細片２０に分離および／またはクラックが形成されているため、シートの一側面に沿って外部から磁場が印加される場合にも多数の微細片２０を通過しながら減衰が発生して磁場が入力されたシートの反対側にほとんど発散が起こらない。

その結果、本発明ではナノ結晶粒リボンシート２を備えた磁場遮蔽シート１０が携帯端末器５０に使用されると、シートの一側面に沿って外部から磁場が印加される場合にも地磁気センサ６０にほとんど影響を与えないことになる。

一方、鉄系非晶質リボンシートのＢ−Ｈループ、つまり、磁気履歴曲線（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓｌｏｏｐ）をみると、図１８に示されているように、飽和誘導を得るための最小磁場の飽和磁場（Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ ｆｉｅｌｄ：Ｈｓ）値が約３２Ａ／ｍ（０．４Ｇ）に示され、約０．５Ｇ値を有する地球磁場より低い値を有する。

したがって、Ｆｅ系非晶質リボンシートは地球磁場の変化にも履歴現象を示すことになり、その結果、Ｆｅ系非晶質リボンシートが適用された端末器に使用される地磁気センサはＦｅ系非晶質リボンシートによる磁気履歴現象まで補正しなければならない致命的な短所を持つことになる。

これに反し、本発明の磁場遮蔽シート１０に使用されるナノ結晶粒リボンシート２の磁気履歴曲線を見れば図１９に示されているように、飽和磁場（Ｈｓ）値が約８７０Ａ／ｍ（≒１０．９Ｇ）で約０．５Ｇ値を有する地球磁場より非常に高い値を有する。

したがって、地球磁場の変化にもナノ結晶粒リボンシート２は履歴現象を示さずに初期磁化曲線内で変化することになり、その結果、本発明の磁場遮蔽シート１０が適用された端末器５０に装着された地磁気センサ６０はナノ結晶粒リボンシート２による磁気履歴現象がないため、非熱処理鉄系非晶質リボンシートが磁場遮蔽シートに適用された場合と比較して、方位角補正が容易でより高い正確度を有する長所がある。

つまり、本発明の磁場遮蔽シートを使用する場合、地磁気センサは磁気履歴現象の歪み問題が発生せず、単に方位角の歪みとセンサ感度の歪みだけが発生し、このような歪みは補正を通して解決可能であるため、歪みのないナビゲーション機能を実現できることになる。

また、前記のように、高透磁率の磁場遮蔽シート１０が携帯端末器１０のデジタイザパネル５４に備えられる場合、携帯端末機器で無線通信またはＮＦＣ（Ｎｅａｒ ｆｉｅｌｄ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）やＲＦＩＤのような付加機能を実行するときに発生する交流磁場によってデジタイザパネル５４に及ぼす影響を遮断すると同時に、高透磁率の磁場遮蔽シート１０がデジタイザ機能を遂行するに必要な電磁波を吸収できるようにする、つまり、磁束の伝達率が増加することによってライトペンの感度が向上する。

以下、本発明を実施例を通してより具体的に説明する。しかし、以下の実施例は本発明の例示に過ぎないものであり、本発明の範囲がこれに限定されるものではない。

比較例１：非熱処理Ｆｅ系非晶質リボンシートを磁場遮蔽シートに使うときの地磁気センサの特性
比較例１では磁性シートとして２７ｕｍ厚さの非熱処理Ｆｅ系非晶質リボンを使って両側面にそれぞれ１０ｕｍ厚さの保護フィルムと両面テープを付着して１９．５ｕＨインダクタンス値を有する非熱処理Ｆｅ系非晶質リボンシートをデジタイザ機能を有する携帯端末機器に磁場遮蔽シートとして使うとき、地磁気センサに対する動作特性を測定して図２０ａおよび図２０ｂに示した。

図２０ａはインダクタンス値が１９．５ｕＨである比較例１のシートを適用する場合、５つの地磁気センサの角度誤差を比較して示すグラフであって、５つの地磁気センサを０度から３６０度まで１０度間隔で測定して各方位角度に対する地磁気センサの方位角度が歪んだ程度を示したものである。

図２０ｂはインダクタンス値が１９．５ｕＨである比較例１のシートを適用する場合、回転方向により変化する地磁気センサの角度誤差を示すグラフであって、それぞれ右側方向（実線）と左側方向（点線）に回転させながら０度から３６０度まで１０度間隔で測定して各方位角度に対する地磁気センサの方位角度が歪んだ程度を示したものである。

図２０ａを参考にすれば、比較例１の非熱処理Ｆｅ系非晶質リボンシートを磁場遮蔽シートに使うとき、地磁気センサの特性は角度誤差が約１６０度程度発生して地磁気センサとしての機能が失われた状態であり、図２０ｂを参考にすれば、回転方向に応じた履歴現象も大きく非熱処理Ｆｅ系非晶質リボンシートの影響でオフセット（ｏｆｆｓｅｔ：円が原点から外れた程度）がＹ軸方向に１００％程度歪んだ状態であり、感度もシートの磁気履歴（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓ）の影響でＸ軸がＹ軸に比べて約６０％程度小さく示された。

比較例２：ポリマーシートを磁場遮蔽シートに使うときの地磁気センサの特性
比較例２ではポリマーシートの一種として高透磁率のセンダスト（Ｓｅｎｄｕｓｔ）合金（つまり、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）粉末をバインダー役割を果たすポリマーと混合して製造された１５ｕＨインダクタンス値を有する５０ｕｍ厚さのセンダストシートの両側面にそれぞれ１０ｕｍ厚さの保護フィルムと両面テープを付着してデジタイザ機能を有する携帯端末機器に磁場遮蔽シートとして使うとき、地磁気センサに対する動作特性を測定して図２１ａおよび図２１ｂに示した。

図２１ａはインダクタンス値が１５ｕＨである比較例２のセンダストシートを適用する場合、５つの地磁気センサの角度誤差を比較して示すグラフであり、図２１ｂはインダクタンス値が１５ｕＨである比較例２のセンダストシートを適用する場合、回転方向により変化する地磁気センサの角度誤差を示すグラフであって、比較例１と同様な方法で測定した。

図２１ａを参考にすれば、比較例２のセンダストシートを磁場遮蔽シートに使うとき、地磁気センサの特性は、角度誤差が約１０度程度発生して地磁気センサの正確度は若干落ちた状態であり、図２１ｂを参考にすれば、回転方向に応じた履歴現象は非常に小さくセンダストシートの影響でオフセットはＹ軸方向に約１６％程度歪んだ状態であり、感度はＹ軸がＸ軸に比べて約８％程度小さく示された。

実施例１：ナノ結晶粒リボンシートを磁場遮蔽シートに使うときの地磁気センサの特性
実施例１では磁性シートとして２５ｕｍ厚さ、１６．５ｕＨインダクタンス値を有するナノ結晶粒リボンシートを使って両側面にそれぞれ１０ｕｍ厚さの保護フィルムと両面テープを付着して積層した後、フレークおよびラミネート工程を経てデジタイザ機能を有する携帯端末機器に磁場遮蔽シートとして使うとき、地磁気センサに対する動作特性を測定して図２２ａおよび図２２ｂに示した。

図２２ａおよび図２２ｂはそれぞれインダクタンス値が１６．５ｕＨである実施例１のシートを適用する場合、５つの地磁気センサの角度誤差と回転方向により変化する地磁気センサの角度誤差を示すグラフであって、比較例１と同様な方法で測定した。

図２２ａを参考にすれば、５つの地磁気センサの歪んだ程度を測定すれば角度誤差が約９度程度発生して地磁気センサの正確度は若干落ちた状態であり、図２２ｂを参考にすれば、回転方向に応じた履歴現象は非常に小さく実施例１のシートの影響が小さくてオフセットもＹ軸方向に約７％程度歪んだ状態であり、感度も影響が小さくてＸ軸がＹ軸に比べて約７％小さく示された。

実施例２ないし４：ナノ結晶粒リボンシートを磁場遮蔽シートに使うときの地磁気センサの特性
実施例２ないし４はそれぞれ実施例１と同様に厚さ２５ｕｍであり、１７．５ｕＨ、１８．５ｕＨ、１９．５ｕＨインダクタンス値を有するナノ結晶粒リボンシートを使って両側面にそれぞれ１０ｕｍ厚さの保護フィルムと両面テープを付着して積層した後、フレークおよびラミネート工程を経てデジタイザ機能を有する携帯端末機器に磁場遮蔽シートとして使うとき、地磁気センサに対する動作特性を測定して図２３ａ乃至図２５ｂに示した。

図２３ａ乃至図２５ｂはそれぞれインダクタンス値が１７．５ｕＨ、１８．５ｕＨ、１９．５ｕＨである実施例２ないし４のナノ結晶粒リボンシートを適用する場合、５つの地磁気センサの角度誤差と回転方向により変化する地磁気センサの角度誤差を示すグラフである。

５つの地磁気センサの歪んだ程度を測定すれば実施例２は図２３ａのように約６度程度の角度誤差が発生して地磁気センサの正確度は良好な状態であり、実施例３は図２４ａのように約２４度程度の角度誤差が発生して地磁気センサの正確度は顕著に落ちた状態であり（比較例１と比較すると３／２０の誤差変化率を示す）、実施例４は図２５ａのように約３５度程度の角度誤差が発生して地磁気センサの正確度は非常に落ちた状態を示した（比較例１と比較すると７／３２の誤差変化率を示す）。

実施例２ないし４のナノ結晶粒リボンシートを適用した場合、地磁気センサの回転方向に応じた履歴現象を察して見ると、実施例２は図２３ｂのように非常に小さくシートの影響が小さくてオフセットも約２％未満で歪んだ状態であり、感度も影響が小さくてＸ、Ｙ軸間に約２％未満に小さく示され、実施例３は図２４ｂのように非常に小さくシートの影響が小さくてオフセットもＹ軸方向に約１５％程度歪んだ状態であり、感度も影響が小さくてＸ軸がＹ軸に比べて約１８％小さく示され、実施例４は図２５ｂのように非常に小さくシートの影響が小さくてオフセットもＹ軸方向に約２６％程度歪んだ状態であり、感度も影響が小さくてＸ軸がＹ軸に比べて約３０％小さく示された。

したがって、本発明のナノ結晶粒リボンシートを適用した場合、地磁気センサの角度誤差はもちろんであり、回転方向に応じた履歴現象は同じ水準のインダクタンス値を有する比較例と比較して履歴現象、オフセットおよび感度などすべての面で本発明のシートが優れていることが明らかになった。

本発明のナノ結晶粒リボンシートは比較例１の非熱処理Ｆｅ系非晶質リボンシートよりインダクタンス値（透磁率）が少し低い１８ｕＨのシートを使用する場合、地磁気センサにほとんど影響を与えないことになる。その結果、１５ｕＨ乃至１８ｕＨ範囲のインダクタンス値を有するナノ結晶粒リボンシートは地磁気センサに角度誤差がほとんど発生しないので、センサルゴリズム補正なしに直ちに適用可能である。
また、１８ないし２１ｕＨ範囲の高いインダクタンス値（透磁率）を有する本発明のナノ結晶粒リボンシートは比較例１の非熱処理Ｆｅ系非晶質リボンシートと違って磁気履歴（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓ）がなくてセンサルゴリズム補正を通して適用可能である。

（シート別ペン活性化距離特性）
また、前記実施例１乃至実施例４および比較例１、２に対してライトペンが携帯端末器のディスプレイ表面（つまり、強化ガラス）からある程度の距離でライトペンの活性化が行われることがわかり、その結果を下記の表１に示した。

前記実験はポリマーシート（インダクタンス値が１５ｕＨ）で具現されるデジタイザにポリマーシートの代わりに実施例１ないし４の磁場遮蔽シートを用いた状態で測定した。

前記したように、ナノ結晶粒リボンシートをデジタイザ機能を有する携帯端末機器に磁場遮蔽シートとして使うとき、シートのインダクタンス（つまり、透磁率）の増加によりペンが送信する信号の感度が増加して非接触状態でライトペンの活性化、つまり、ライトペンの性能が向上することが分かる。

したがって、本発明ではライトペンがディスプレイのガラス基板と非接触状態で活性化され、ディスプレイとライトペンの耐久性の向上を図ることができ、このような非接触方式のデジタイザ機能を利用して他の機能を開発することが可能となる。

（シート別周波数特性）
本発明によるナノ結晶粒リボンシートを採用した磁場遮蔽シートの透磁率に対する周波数特性を調べるために１２．１ｕＨのインダクタンス値を有するコイルを使ってＬＣＲメートルにＡＣ １Ｖの条件で周波数を１００ｋＨｚから１ＭＨｚまで変化させながらシートのインダクタンス値（Ｌｓ）を測定して図２６に示した。

図２６を参照すれば、本発明の磁場遮蔽シートに使用されるそれぞれ１６．５ｕＨおよび１７．５ｕＨのインダクタンス値を有するナノ結晶粒リボンシート（実施例１、実施例２）、１９．５ｕＨである非熱処理Ｆｅ系非晶質リボンシート（比較例１）、透磁率が１００（インダクタンス値１５ｕＨ）であるメタル−パウダーシート（Ｍ−Ｐ １００ｕ）、透磁率が１３０（インダクタンス値１５．４ｕＨ）であるメタル−パウダーシート（Ｍ−Ｐ １３０ｕ）、透磁率が１５０（インダクタンス値１５．８ｕＨ）であるメタル−パウダーシート（Ｍ−Ｐ １５０ｕ）に対して周波数変化に応じたシートのインダクタンス値（Ｌｓ）を測定した結果、Ｆｅ系非晶質リボンシート（比較例１）の場合、１００ｋＨｚ〜１ＭＨｚまでの周波数依存度は非常に大きく示したが、ナノ結晶粒リボンシート（実施例１および２）の場合、１００ｋＨｚ〜１ＭＨｚまでの周波数依存度はほとんどなく同一の透磁率特性を示しており、１６．５ｕＨインダクタンス値を有するナノ結晶粒リボンシート（実施例１）も透磁率１５０であるメタル−パウダーシート（Ｍ−Ｐ １５０ｕ）よりずっと高い透磁率特性を示している。

したがって、ナノ結晶粒リボンシートを使う場合、透磁率の特性が良いだけでなく低周波上で周波数による依存度もほとんどなくてデジタイザ用遮蔽シートとして優れた特性を有する。

本発明では非晶質合金のリボンまたはストリップを熱処理してナノ結晶粒微細組織を有するナノ結晶粒リボンを積層して使用することによって、磁場遮蔽機能のための透磁率を極大化すると同時にフレーク処理によって飽和磁場（Ｈｓ）値が地球磁場より高い値を持つようにして磁気飽和が起こることを遮断した。

その結果、本発明のナノ結晶粒リボンシート２は地球磁場の変化に磁気履歴現象を示さずに初期磁化曲線内で変化することによってナノ結晶粒リボンシート２を採用した磁場遮蔽シート１０をデジタイザ用磁場遮蔽シートとして使用すると、前記地磁気センサ６０は前記ナノ結晶粒リボンシートの磁気履歴現象に起因した方位角誤差が発生しないので、地磁気センサ６０の磁気履歴現象の歪み問題を最少化できる。

また、本発明のナノ結晶粒リボンシート２はフレーク処理が行われることによって、外部磁場による地磁気センサに対する歪み現象を顕著に減らすことができる。その結果、同じ１７ｕＨのインダクタンス値を有するシートでもフレーク処理が行われていないシートは約２０度程度の方位角誤差が発生するが、フレーク処理が行われた本発明のシートは約６度以内の方位角誤差が発生するため、地磁気センサに大きい影響を与えない。

したがって、本発明のナノ結晶粒リボンシート２を採用した磁場遮蔽シート１０は従来の非熱処理の鉄系非晶質リボンシートを磁場遮蔽シートとして使用する場合に比べて、地磁気センサの方位角補正が容易であり、より高い正確度を有する長所があり、磁性粉末とバインダーからなるポリマーシートを使う場合に比べてより高い透磁率を有するので、高い感度の無線ライトペン機能を実現することができる。

さらに、本発明ではナノ結晶粒リボンのフレーク処理後に圧着ラミネーティング処理によってナノ結晶粒リボンの微細片の隙間を接着剤で詰めて水分浸透を防止すると同時に、微細片のすべての面を接着剤（誘電体）で囲むことによって微細片を相互絶縁（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）させて渦電流の低減を図って遮蔽性能が落ちることを防止することができる。

また、本発明ではロールツーロール方法でフレークおよびラミネーティング処理を順次に遂行することによってシート成形が行われるため、シートの元の厚さを維持しながらも生産性が高く製造費用は低廉である。

以上、本発明を特定の望ましい実施例を例に挙げて説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、本発明の精神を逸脱しない範囲内で当該発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって多様な変更および修正が可能である。

本発明は、デジタイザ機能を有する携帯端末機器を含む各種ポータブル電子機器に適用されて地磁気センサに及ぼす影響を最少化しつつ携帯端末機器にデジタイザ機能を実現する際に携帯端末機器本体の各種部品から発生する電磁場を遮蔽すると同時にライトペンの感度向上を図ることができる磁場遮蔽シートに適用可能である。

Claims (20)

1. ナノ結晶粒合金からなり、フレーク処理されて多数の微細片に分離された少なくとも１層の薄板状の磁性シート、
   前記薄板状の磁性シートの一側面に、第１接着層を通して接着される保護フィルム、および
   前記薄板状の磁性シートの他側面に、一側面に具備された第２接着層を通して接着される両面テープを含み、
   前記薄板状の磁性シートはナノ結晶粒合金からなる非晶質リボンを３００℃乃至７００℃で熱処理したことを特徴とするデジタイザ用磁場遮蔽シート。
2. 前記薄板状の磁性シートはＢ−Ｈループが初期磁化曲線内で変化が行われることを特徴とする請求項１に記載のデジタイザ用磁場遮蔽シート。
3. 前記非晶質リボンは６００℃乃至７００℃の熱処理温度区間で過熱処理が行われ、１３ないし２１ｕＨ範囲のインダクタンス値を有することを特徴とする請求項１に記載の磁場遮蔽シート。
4. 前記薄板状の磁性シートは飽和磁場（Ｈｓ）値が地球磁場より高い値を有するように設定されることを特徴とする請求項１に記載のデジタイザ用磁場遮蔽シート。
5. 前記薄板状の磁性シートは多層構造を有するナノ結晶粒リボンシート、および
   前記ナノ結晶粒リボンシートの間に挿入されて積層される両面テープを含み、
   前記各層のナノ結晶粒リボンシートは合わせ連結される一対のナノ結晶粒リボンシートからなり、隣接した各対のナノ結晶粒リボンシートは互いに直交方向に配置されることを特徴とする請求項１に記載のデジタイザ用磁場遮蔽シート。
6. 前記薄板状の磁性シートの一側辺または外周に環状に重なり、前記薄板状の磁性シートより低いか高い透磁率を有する補助磁性シートをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のデジタイザ用磁場遮蔽シート。
7. 前記薄板状の磁性シートは、
   ナノ結晶粒リボンシート、
   前記ナノ結晶粒リボンシートに積層されナノ結晶粒リボンシートより低い透磁率を有するポリマーシート、および
   前記ナノ結晶粒リボンシートとポリマーシートを相互接着させ前記多数の微細片の隙間を充填する接着層を含むことを特徴とする請求項１に記載のデジタイザ用磁場遮蔽シート。
8. 前記多数の微細片の隙間は前記第１接着層と第２接着層の一部が充填されて前記多数の微細片を絶縁（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）させることを特徴とする請求項１に記載のデジタイザ用磁場遮蔽シート。
9. 前記多数の微細片の大きさは数十ｕｍ乃至３ｍｍであることを特徴とする請求項８に記載のデジタイザ用磁場遮蔽シート。
10. 前記保護フィルムの外側面に薄板に形成されて電磁波を遮蔽するための伝導体シートをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のデジタイザ用磁場遮蔽シート。
11. 少なくとも一つの非晶質リボンシートを３００℃乃至７００℃で３０分乃至２時間熱処理してナノ結晶粒微細組織が形成された薄板状の磁性シートを形成する段階、
    前記薄板状の磁性シートの両側面に保護フィルムと露出面にリリーズフィルムが形成された両面テープを付着して積層シートを形成する段階、
    前記積層シートをフレーク処理して前記薄板状の磁性シートを多数の微細片に分割する段階、および
    前記フレーク処理された積層シートをラミネートする段階を含み、
    前記積層シートはラミネート処理によって平坦化およびスリム化が行われると同時に前記保護フィルムと両面テープに具備された第１および第２接着層の一部は前記多数の微細片の隙間に充填されて前記多数の微細片を絶縁（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）させることを特徴とするデジタイザ用磁場遮蔽シートの製造方法。
12. 前記非晶質リボンはナノ結晶粒合金からなり、１３ないし２１ｕＨ範囲のインダクタンス値を有するように６００℃乃至７００℃の熱処理温度区間で過熱処理が行われることを特徴とする請求項１１に記載のデジタイザ用磁場遮蔽シートの製造方法。
13. 前記多数の微細片の大きさは数十ｕｍ乃至３ｍｍであることを特徴とする請求項１１に記載のデジタイザ用磁場遮蔽シートの製造方法。
14. 前記ラミネート段階以降に前記保護フィルムの外側面にＣｕまたはＡｌ箔を接着する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載のデジタイザ用磁場遮蔽シートの製造方法。
15. デジタイザパネルとメイン回路基板の間に挿入されて前記メイン回路基板から発生した交流磁場を遮蔽する磁場遮蔽シートを備えた携帯端末機器において、
    前記磁場遮蔽シートは、
    ナノ結晶粒合金からなり、フレーク処理されて多数の微細片に分離された少なくとも１層の第１磁性シート、
    前記第１磁性シートの一側面に、第１接着層を通して接着される保護フィルム、および
    前記第１磁性シートの他側面に、一側面に具備された第２接着層を通して接着される両面テープを含み、
    前記保護フィルムと両面テープに具備された第１および第２接着層の一部が前記多数の微細片の隙間に充填されて前記多数の微細片を絶縁（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）させ、前記第１磁性シートはＢ−Ｈループが初期磁化曲線内で変化が行われることを特徴とするデジタイザ機能を有する携帯端末機器。
16. 前記第１磁性シートは飽和磁場（Ｈｓ）値が少なくとも地球磁場より高い値を有するように設定されることを特徴とする請求項１５に記載のデジタイザ機能を有する携帯端末機器。
17. 前記メイン回路基板の一側の角部に配置される地磁気センサをさらに含み、
    前記磁場遮蔽シートはデジタイザに対応する形状からなることを特徴とする請求項１５に記載のデジタイザ機能を有する携帯端末機器。
18. 前記磁場遮蔽シートは、
    メイン遮蔽シート、および
    前記メイン遮蔽シートの透磁率より高い透磁率を有し、前記メイン遮蔽シートの一側辺から重なったり、部分的にオーバーラップされながら延長形成されたり、メイン遮蔽シートと平坦に延長形成される補助遮蔽シートを含み、
    前記補助遮蔽シートは地磁気センサが配置された位置からできるだけ遠く離れた位置に設定されることを特徴とする請求項１５に記載のデジタイザ機能を有する携帯端末機器。
19. 前記第１磁性シートは過熱処理されて１５ないし２１ｕＨ範囲のインダクタンス値を有することを特徴とする請求項１５に記載のデジタイザ機能を有する携帯端末機器。
20. 前記第１磁性シートと異なる透磁率を有し、前記第１磁性シートの一側面に積層される第２磁性シートをさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載のデジタイザ機能を有する携帯端末機器。