CN111073540A - 一种黄金纳米晶片的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种黄金纳米晶片的制备方法，将纳米晶带材进行叠加并在其表面涂敷Au2O3氧化物绝缘材料的有机溶剂，以及对其后续进行磁场热处理，处理完成后送入辊压装置进行冲压和辊剪处理，裁切出符合规格大小的纳米晶片；本发明中，通过通过将氧化金作为氧化物绝缘材料均匀分散在有机溶液中，得到的涂敷液均匀涂敷于纳米晶带材的最外层上表面，同时纳米晶带材经过数层的贴合以及磁场热处理，叠加贴合后进行冲压减少厚度，贴合良品率高，可提高纳米晶片的整体抗断裂性，磁场热处理为高科技美容产品提供较低的电阻率，同时整个制备工艺无任何有害物质添加，成品使用安全性有保障。
Description
技术领域
本发明公开了一种黄金纳米晶片的制备方法，属于纳米晶片技术领域。
背景技术
纳米晶片是根据人体皮肤结构开发的纳米促渗专用工具，它是由单晶硅经过纳米技术工艺雕刻而成，纳米晶片的表面是一系列微针阵列，它们可以打开皮肤最外面的角质层，同时不会伤及真皮层，大大提高养分的渗透能力，单晶硅的生物兼容性又保证了纳晶在使用过程中的安全性，但是目前的纳米晶片的使用安全性较低，且在成品的制造过程中易发生断裂，同时纳米晶片的整体强度影响微针尖端的尖锐性和抗断裂性。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述不足而提供一种黄金纳米晶片的制备方法，通过将氧化金作为氧化物绝缘材料均匀分散在有机溶液中，得到的涂敷液均匀涂敷于纳米晶带材的最外层上表面，同时纳米晶带材经过数层的贴合以及磁场热处理，可提高纳米晶片的整体抗断裂性，同时整个制备工艺无任何有害物质添加，成品使用安全性有保障。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种黄金纳米晶片的制备方法，包括如下步骤：
S1，将氧化物绝缘材料均匀分散于有机溶剂中，得到涂敷液；
S2，将纳米晶原带在充满保护性气体的退火炉中进行退火处理，得到退火过的纳米晶带材；
S3，在步骤S2所述退火过的纳米晶带材的上表面覆一层无基材的双面胶，将该纳米晶带材作为底层，揭开双面胶的隔离膜，然后另取一片纳米晶带材贴在揭开的双面胶上作为第二层，在第二层的纳米晶带材上表面覆上双面胶，依此类推贴合至所需的纳米晶带材层数，得到所述贴合后的纳米晶带材；
S4，将步骤S1所得涂敷液均匀涂敷于步骤S3所得纳米晶带材的最外层上表面；
S5，将步骤S4涂敷处理后的纳米晶带材进行磁场热处理；
S6，利用真空吸盘将步骤S5磁场热处理好的纳米晶片吸附并移送到指定位置进行冲压；
S7，将步骤S6冲压完成后的纳米晶带材表面贴敷离型保护膜；
S8、将步骤S7贴敷完毕离型保护膜的纳米晶带材送入辊压装置，对贴敷完毕离型保护膜的纳米晶带材进行辊压，得到纳米晶片；
S9，将步骤S8完成压辊的的纳米晶片进行纵向辊剪处理，裁切出符合规格大小的纳米晶片。
作为优选，所述步骤S1中所述氧化物绝缘材料为Au2O3。
作为优选，所述步骤S1中有机溶剂为乙醇、丙酮中的任意一种或两种的混合。
作为优选，所述步骤S2中退火处理的温度为430-520℃，时间为45-90min。
作为优选，所述步骤S2中保护气体为氮气、氩气中的任意一种。
作为优选，所述步骤S8中辊压轴转动线速度为0.8m-1.5/min。
作为优选，所述步骤S1中所述涂敷液的质量浓度为1.7％～3.9％。
作为优选，所述步骤S4中将涂敷液均匀涂敷的厚度为2～5μm。
作为优选，所述纳米晶原带为铁基纳米晶，且该铁基纳米晶是由铁、硅、硼、铌、铜等组成，晶粒尺寸为10-20nm。
与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
本发明中，通过通过将氧化金作为氧化物绝缘材料均匀分散在有机溶液中，得到的涂敷液均匀涂敷于纳米晶带材的最外层上表面，同时纳米晶带材经过数层的贴合以及磁场热处理，叠加贴合后进行冲压减少厚度，贴合良品率高，可提高纳米晶片的整体抗断裂性，磁场热处理为高科技美容产品提供较低的电阻率，同时整个制备工艺无任何有害物质添加，成品使用安全性有保障。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种黄金纳米晶片的制备方法，包括如下步骤：
S1，将氧化物绝缘材料均匀分散于有机溶剂中，得到质量浓度为1.7％的涂敷液；
S2，将纳米晶原带在充满保护性气体的退火炉中进行退火处理，退火处理的温度为430℃，时间为45min，得到退火过的纳米晶带材；
S3，在步骤S2所述退火过的纳米晶带材的上表面覆一层无基材的双面胶，将该纳米晶带材作为底层，揭开双面胶的隔离膜，然后另取一片纳米晶带材贴在揭开的双面胶上作为第二层，在第二层的纳米晶带材上表面覆上双面胶，依此类推贴合至所需的纳米晶带材层数，得到所述贴合后的纳米晶带材；
S4，将步骤S1所得涂敷液均匀涂敷于步骤S3所得纳米晶带材的最外层上表面，厚度为2μm；
S5，将步骤S4涂敷处理后的纳米晶带材进行磁场热处理；
S6，利用真空吸盘将步骤S5磁场热处理好的纳米晶片吸附并移送到指定位置进行冲压；
S7，将步骤S6冲压完成后的纳米晶带材表面贴敷离型保护膜；
S8、将步骤S7贴敷完毕离型保护膜的纳米晶带材送入辊压装置，对贴敷完毕离型保护膜的纳米晶带材进行辊压，辊压轴转动线速度为0.8/min，得到纳米晶片；
S9，将步骤S8完成压辊的的纳米晶片进行纵向辊剪处理，裁切出符合规格大小的纳米晶片。
实施例2
一种黄金纳米晶片的制备方法，包括如下步骤；
S1，将氧化物绝缘材料均匀分散于有机溶剂中，得到质量浓度为2.3％的涂敷液；
S2，将纳米晶原带在充满保护性气体的退火炉中进行退火处理，退火处理的温度为450℃，时间为55min，得到退火过的纳米晶带材；
S3，在步骤S2所述退火过的纳米晶带材的上表面覆一层无基材的双面胶，将该纳米晶带材作为底层，揭开双面胶的隔离膜，然后另取一片纳米晶带材贴在揭开的双面胶上作为第二层，在第二层的纳米晶带材上表面覆上双面胶，依此类推贴合至所需的纳米晶带材层数，得到所述贴合后的纳米晶带材；
S4，将步骤S1所得涂敷液均匀涂敷于步骤S3所得纳米晶带材的最外层上表面，厚度为3μm；
S5，将步骤S4涂敷处理后的纳米晶带材进行磁场热处理；
S6，利用真空吸盘将步骤S5磁场热处理好的纳米晶片吸附并移送到指定位置进行冲压；
S7，将步骤S6冲压完成后的纳米晶带材表面贴敷离型保护膜；
S8、将步骤S7贴敷完毕离型保护膜的纳米晶带材送入辊压装置，对贴敷完毕离型保护膜的纳米晶带材进行辊压，辊压轴转动线速度为1.0/min，得到纳米晶片；
S9，将步骤S8完成压辊的的纳米晶片进行纵向辊剪处理，裁切出符合规格大小的纳米晶片。
实施例3
一种黄金纳米晶片的制备方法，包括如下步骤；
S1，将氧化物绝缘材料均匀分散于有机溶剂中，得到质量浓度为2.5％的涂敷液；
S2，将纳米晶原带在充满保护性气体的退火炉中进行退火处理，退火处理的温度为470℃，时间为60min，得到退火过的纳米晶带材；
S3，在步骤S2所述退火过的纳米晶带材的上表面覆一层无基材的双面胶，将该纳米晶带材作为底层，揭开双面胶的隔离膜，然后另取一片纳米晶带材贴在揭开的双面胶上作为第二层，在第二层的纳米晶带材上表面覆上双面胶，依此类推贴合至所需的纳米晶带材层数，得到所述贴合后的纳米晶带材；
S4，将步骤S1所得涂敷液均匀涂敷于步骤S3所得纳米晶带材的最外层上表面，厚度为4μm；
S5，将步骤S4涂敷处理后的纳米晶带材进行磁场热处理；
S6，利用真空吸盘将步骤S5磁场热处理好的纳米晶片吸附并移送到指定位置进行冲压；
S7，将步骤S6冲压完成后的纳米晶带材表面贴敷离型保护膜；
S8、将步骤S7贴敷完毕离型保护膜的纳米晶带材送入辊压装置，对贴敷完毕离型保护膜的纳米晶带材进行辊压，辊压轴转动线速度为1.2/min，得到纳米晶片；
S9，将步骤S8完成压辊的的纳米晶片进行纵向辊剪处理，裁切出符合规格大小的纳米晶片。
实施例4
一种黄金纳米晶片的制备方法，包括如下步骤；
S1，将氧化物绝缘材料均匀分散于有机溶剂中，得到质量浓度为3.3％的涂敷液；
S2，将纳米晶原带在充满保护性气体的退火炉中进行退火处理，退火处理的温度为490℃，时间为65min，得到退火过的纳米晶带材；
S3，在步骤S2所述退火过的纳米晶带材的上表面覆一层无基材的双面胶，将该纳米晶带材作为底层，揭开双面胶的隔离膜，然后另取一片纳米晶带材贴在揭开的双面胶上作为第二层，在第二层的纳米晶带材上表面覆上双面胶，依此类推贴合至所需的纳米晶带材层数，得到所述贴合后的纳米晶带材；
S4，将步骤S1所得涂敷液均匀涂敷于步骤S3所得纳米晶带材的最外层上表面，厚度为4.5μm；
S5，将步骤S4涂敷处理后的纳米晶带材进行磁场热处理；
S6，利用真空吸盘将步骤S5磁场热处理好的纳米晶片吸附并移送到指定位置进行冲压；
S7，将步骤S6冲压完成后的纳米晶带材表面贴敷离型保护膜；
S8、将步骤S7贴敷完毕离型保护膜的纳米晶带材送入辊压装置，对贴敷完毕离型保护膜的纳米晶带材进行辊压，辊压轴转动线速度为1.3/min，得到纳米晶片；
S9，将步骤S8完成压辊的的纳米晶片进行纵向辊剪处理，裁切出符合规格大小的纳米晶片。
实施例5
一种黄金纳米晶片的制备方法，包括如下步骤；
S1，将氧化物绝缘材料均匀分散于有机溶剂中，得到质量浓度为3.9％的涂敷液；
S2，将纳米晶原带在充满保护性气体的退火炉中进行退火处理，退火处理的温度为520℃，时间为90min，得到退火过的纳米晶带材；
S3，在步骤S2所述退火过的纳米晶带材的上表面覆一层无基材的双面胶，将该纳米晶带材作为底层，揭开双面胶的隔离膜，然后另取一片纳米晶带材贴在揭开的双面胶上作为第二层，在第二层的纳米晶带材上表面覆上双面胶，依此类推贴合至所需的纳米晶带材层数，得到所述贴合后的纳米晶带材；
S4，将步骤S1所得涂敷液均匀涂敷于步骤S3所得纳米晶带材的最外层上表面，厚度为5μm；
S5，将步骤S4涂敷处理后的纳米晶带材进行磁场热处理；
S6，利用真空吸盘将步骤S5磁场热处理好的纳米晶片吸附并移送到指定位置进行冲压；
S7，将步骤S6冲压完成后的纳米晶带材表面贴敷离型保护膜；
S8、将步骤S7贴敷完毕离型保护膜的纳米晶带材送入辊压装置，对贴敷完毕离型保护膜的纳米晶带材进行辊压，辊压轴转动线速度为1.5/min，得到纳米晶片；
S9，将步骤S8完成压辊的的纳米晶片进行纵向辊剪处理，裁切出符合规格大小的纳米晶片。
具体的，本发明中，通过通过将氧化金作为氧化物绝缘材料均匀分散在有机溶液中，得到的涂敷液均匀涂敷于纳米晶带材的最外层上表面，同时纳米晶带材经过数层的贴合以及磁场热处理，叠加贴合后进行冲压减少厚度，贴合良品率高，可提高纳米晶片的整体抗断裂性，磁场热处理为高科技美容产品提供较低的电阻率，同时整个制备工艺无任何有害物质添加，成品使用安全性有保障。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (9)
1.一种黄金纳米晶片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1，将氧化物绝缘材料均匀分散于有机溶剂中，得到涂敷液；
S2，将纳米晶原带在充满保护性气体的退火炉中进行退火处理，得到退火过的纳米晶带材；
S3，在步骤S2所述退火过的纳米晶带材的上表面覆一层无基材的双面胶，将该纳米晶带材作为底层，揭开双面胶的隔离膜，然后另取一片纳米晶带材贴在揭开的双面胶上作为第二层，在第二层的纳米晶带材上表面覆上双面胶，依此类推贴合至所需的纳米晶带材层数，得到所述贴合后的纳米晶带材；
S4，将步骤S1所得涂敷液均匀涂敷于步骤S3所得纳米晶带材的最外层上表面；
S5，将步骤S4涂敷处理后的纳米晶带材进行磁场热处理；
S6，利用真空吸盘将步骤S5磁场热处理好的纳米晶片吸附并移送到指定位置进行冲压；
S7，将步骤S6冲压完成后的纳米晶带材表面贴敷离型保护膜；
S8、将步骤S7贴敷完毕离型保护膜的纳米晶带材送入辊压装置，对贴敷完毕离型保护膜的纳米晶带材进行辊压，得到纳米晶片；
S9，将步骤S8完成压辊的的纳米晶片进行纵向辊剪处理，裁切出符合规格大小的纳米晶片。
2.根据权利要求1所述的一种黄金纳米晶片的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中所述氧化物绝缘材料为Au2O3。
3.根据权利要求1所述的一种黄金纳米晶片的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中有机溶剂为乙醇、丙酮中的任意一种或两种的混合。
4.根据权利要求1所述的一种黄金纳米晶片的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中退火处理的温度为430-520℃，时间为45-90min。
5.根据权利要求1所述的一种黄金纳米晶片的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中保护气体为氮气、氩气中的任意一种。
6.根据权利要求1所述的一种黄金纳米晶片的制备方法，其特征在于：所述步骤S8中辊压轴转动线速度为0.8-1.5m/min。
7.根据权利要求1所述的一种黄金纳米晶片的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中所述涂敷液的质量浓度为1.7％～3.9％。
8.根据权利要求1所述的一种黄金纳米晶片的制备方法，其特征在于：所述S4中将涂敷液均匀涂敷的厚度为2～5μm。
9.根据权利要求1所述的一种黄金纳米晶片的制备方法，其特征在于：所述纳米晶原带为铁基纳米晶，且该铁基纳米晶是由铁、硅、硼、铌、铜等组成，晶粒尺寸为10-20nm。
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