TW202108787A - 帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法 - Google Patents

帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法 Download PDF

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Abstract

本揭示係提供帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其具有：準備可奈米結晶化的非晶質合金薄帶之步驟；於施加張力至所述非晶質合金薄帶之狀態下進行奈米結晶化之熱處理，以獲得奈米結晶合金薄帶之步驟；及經由黏合層將所述奈米結晶合金薄帶保持於樹脂膜上之步驟。

Description

帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法
本揭示係關於帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法。
近年來，如智慧型手機、平板型資訊終端或是行動電話等電子裝置已經迅速地普及。尤其是由於行動電話(例如智慧型手機)、Web終端、音樂播放器等為了達到其作為可攜式裝置的便利性，要求能夠長時間連續使用。此等小型可攜式裝置當中係使用如鋰離子電池的二次電池來作為電源。於此二次電池的充電方法當中有一種是接觸充電方式，其係使受電側之電極與供電側之電極直接接觸以進行充電；另一種是非接觸充電方式，其係於供電側及受電側兩邊設置傳輸線圈，藉由運用電磁感應所作的電力輸送來進行充電。由於非接觸充電方式不需要用於使供電裝置與受電裝置直接接觸的電極，因此可使用同一個供電裝置來為不同的受電裝置充電。此外，非接觸充電方式不僅是可利用於可攜式裝置的技術，也是可利用於其他的電子裝置或是電動汽車、無人機等的技術。
於非接觸充電方式當中，於供電裝置中的初級傳輸線圈所產生的磁通量係經由供電裝置與受電裝置的殼體，而於受電裝置的次級傳輸線圈產生電動勢，以進行供電。為了要獲得高電力傳輸效率，於傳輸線圈當中，於供電裝置與受電裝置之接觸面的反側上設置有磁性片以作為線圈軛。所述磁性片係具有以下作用。 第一個作用係為作為電磁屏蔽材料之作用。例如，當於非接觸充電裝置的充電作業當中所產生的漏磁通量流向其他組件，例如構成二次電池的金屬組件時，此等組件會因渦電流而發熱。磁性片係可作為電磁屏蔽材料而抑制此發熱。 磁性片的第二個作用係作為軛組件作用，使充電中線圈所產生的磁通量循環。
習知技術中，雖然用在非接觸充電裝置中的磁性片的軟磁性材料係以肥粒鐵材料為主流，但最近也開始應用如日本特開2008-112830號公報所揭示般的，由非晶質合金或奈米結晶合金而成的軟磁性合金薄帶。 日本特開2008-112830號公報係揭示了一種磁性片的製造方法，其具備：將薄板狀磁性體(合金薄帶)經由黏合層黏合至片基材上，以形成磁性片之步驟；於維持著將所述合金薄帶黏合至所述片基材之狀態的同時，為了提升Q值或是降低渦電流而藉由外力將所述合金薄帶分割成複數個之步驟。此外，於日本特開2008-112830號公報係揭示了藉著對合金薄帶施加外力以將其分割為複數個，可於例如將磁性片用作為電感器用磁性材料時可提升Q值。此外，日本特開2008-112830號公報係揭示了於將磁性片用作電磁遮蔽用磁性材料時，可將合金薄帶的電流路徑分離以減少渦電流損耗。再者，日本特開2008-112830號公報揭示了將合金薄帶分割成複數個時，經分割的磁性材料片的面積係以0.01mm2 以上且25mm2 以下範圍內為較佳。 另外，國際公開第2014/157526號揭示了一種磁性片，其使用了對Fe基非晶質材料進行熱處理，且於500kHz的磁導率μr為220以上且770以下的薄帶。
[本發明所欲解決之問題] 當將使用了分割為複數個的合金薄帶的磁性片，用在非接觸充電裝置中時，作為用於將此分割狀態定量化的磁特性，常使用磁導率來替代。當隨著普及而使用於行動電話等的情況下，需要128kHz下交流相對磁導率μr為100以上且2000以下的磁性片。 然而，為了獲得具有此磁導率數值的磁性片，必須將軟磁性合金薄帶以約1mm之間隔來精細地分割。 合金薄帶的厚度通常為5μm以上且50μm以下，由於磁性片之樹脂膜的彈性高，即使經由樹脂膜而施加外力，也難以將內部的軟磁性合金薄帶精細地分割為複數個。 於國際公開第2014/157526號中所記載的使用Fe非晶質材料的磁性片當中，透過將非晶質合金進行些微地結晶化，使非晶質狀態下為103 級的磁導率變成220以上且770以下。然而，奈米結晶合金的磁導率高了一個數量級，難以使交流相對磁導率μr降低至100以上且2000以下。此外，於奈米結晶合金當中係進行奈米結晶化熱處理以形成微晶組織，因此如國際公開第2014/157526號所述之熱處理所達到的磁導率降低程度並不大，若進行使磁導率降至上述範圍內時，薄帶會變脆，使得將其黏合至片狀基材上時變得困難。
因此，本發明所欲解決問題係為提供一種可簡易地製造的帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其中所述奈米結晶合金薄帶於128kHz下的交流相對磁導率μr係為100以上且2000以下。 帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶係可應用於例如磁性片。另外，帶有此樹脂膜的奈米結晶合金薄帶也可應用於磁性片之外的用途。
[為解決問題之手段] 為了解決所述問題的具體手段係包含以下態樣。 ＜1＞一種帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其具有：準備可奈米結晶化的非晶質合金薄帶之步驟；於施加張力至所述非晶質合金薄帶之狀態下進行奈米結晶化之熱處理，以獲得奈米結晶合金薄帶之步驟；及經由黏合層將所述奈米結晶合金薄帶保持於樹脂膜上之步驟。 ＜2＞如＜1＞所述之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其中，所述奈米結晶合金薄帶之交流相對磁導率μr係為100以上且2000以下。 ＜3＞如＜1＞或＜2＞所述之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其具備於所述樹脂膜上層疊複數個所述奈米結晶合金薄帶之步驟。 ＜4＞如＜3＞所述之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其中，經層疊的複數個所述奈米結晶合金薄帶之間具備黏合層。 ＜5＞如＜1＞至＜4＞中任一項所述之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其中，所述非晶質合金薄帶係為透過輥冷卻所製造的長條狀的非晶質合金薄帶，所述獲得奈米結晶合金薄帶之步驟係具備：沿著所述非晶質合金薄帶之長度方向來施加張力至所述非晶質合金薄帶的同時，使所述非晶質合金薄帶沿著所述長度方向行進，並連續性地對所述非晶質合金薄帶進行奈米結晶化的熱處理之步驟。 ＜6＞如＜1＞至＜5＞中任一項所述之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其具備於所述奈米結晶合金薄帶上形成裂紋之步驟。 ＜7＞如＜6＞所述之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其中，於所述奈米結晶合金薄帶上形成裂紋之步驟係具有直接施加外力至所述奈米結晶合金薄帶之步驟。 ＜8＞如＜1＞至＜7＞中任一項所述之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其中，所述奈米結晶合金薄帶係具有通式(Fe1-a Ma )100-x-y-z-α-β-γ Cux Siy Bz M’α M”β Xγ (原子%)所示之組成，於所述通式當中，M係為Co及/或Ni，M’係為由Nb、Mo、Ta、Ti、Zr、Hf、V、Cr、Mn及W所組成群組中所選擇的至少一種元素，M”係為由Al、鉑族元素、Sc、稀土元素、Zn、Sn以及Re所組成群組當中所選擇的至少一種元素，X係為由C、Ge、P、Ga、Sb、In、Be及As所組成群組當中所選擇的至少一種元素，a、x、y、z、α、β及γ係分別符合0≦a≦0.5、0.1≦x≦3、0≦y≦30、0≦z≦25、5≦y+z≦30、0≦α≦20、0≦β≦20以及0≦γ≦20。 ＜9＞如＜8＞所述之合金薄帶層疊體的製造方法，其中，於所述通式當中，a、x、y、z、α、β、γ係分別符合0≦a≦0.1、0.7≦x≦1.3、12≦y≦17、5≦z≦10、1.5≦α≦5、0≦β≦1以及0≦γ≦1。
[發明功效] 根據本揭示，可提供一種可簡易地製造的帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其中所述奈米結晶合金薄帶於128kHz下的交流相對磁導率μr係為100以上且2000以下。
以下藉由本揭示之實施型態來具體地說明本揭示，惟本揭示並不受限於此等實施型態。
當參考圖式來說明本揭示之實施型態時，關於圖式當中重複的購成要件及元件符號，可能省略其說明。於圖式當中使用相同元件符號來表示的構成要件係代表相同的構成要件。於圖式中的尺寸比例並不一定表示實際尺寸的比例。
於本揭示當中，使用「～」所表示的數值範圍，係表示包括了記載於「～」前後的數值而作為上限值及下限值的範圍。於本揭示中階段式記載的數值範圍當中，記載於某個數值範圍中的上限值或是下限值亦可替換為另一階段式記載的數值範圍的上限值或是下限值。此外，於本揭示中所記載的數值範圍中，記載於某個數值範圍中的上限值或是下限值亦可替換為實施例中所示的值。
於本揭示當中，序數詞(例如「第一」及「第二」)係用於區分構成要件的用語，且不限制構成要件之數量及構成要件之優劣。
於本揭示當中，用語「步驟」不僅是指獨立的步驟，即使是與其他步驟間未能明確地區別，只要能夠達成步驟所期望的目的即包含於本用語中。
於本揭示當中，2個以上的較佳態樣之組合係為更佳的態樣。
本揭示之一實施型態的帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法係具備：準備可奈米結晶化的非晶質合金薄帶之步驟；於施加張力至所述非晶質合金薄帶之狀態下進行奈米結晶化之熱處理，以獲得奈米結晶合金薄帶之步驟；及經由黏合層將所述奈米結晶合金薄帶保持於樹脂膜上之步驟。
首先，針對本實施型態的準備可奈米結晶化的非晶質合金薄帶之步驟進行描述。 可奈米結晶化的非晶質合金薄帶係指，藉由熱處理而產生奈米結晶的非晶質狀態的合金薄帶，其可藉由例如對於具有調配成將形成奈米結晶合金的合金組成之溶融金屬，使其驟冷凝固而製得。關於使溶融金屬驟冷凝固的方法，可使用被稱作單輥法或是雙輥法的方法。此等係為使用輥冷卻的方法。此使用輥冷卻的方法係可應用廣而周知的方法。於應用了此輥冷卻的方法當中，使溶融金屬連續地驟冷，可獲得長條狀的非晶質合金薄帶。驟冷凝固成薄帶狀之物並不具備奈米結晶，係為非晶質狀態，其後，透過進行熱處理而使奈米結晶產生(奈米結晶化)，以形成奈米結晶合金薄帶。另外，此長條狀的非晶質合金薄帶通常係捲繞至卷軸上，作為輥狀的捲繞體來進行輸送。另外，於可奈米結晶化的非晶質合金薄帶當中可能會有存在著微細晶體的情況。於此情況下，微細晶體透過熱處理而變成奈米結晶。
關於此奈米結晶合金薄帶，例如，具有以通式：(Fe1 -a Ma )100-x-y-z-α-β-γ Cux Siy Bz M’α M”β Xγ (原子%)所示之組成。於上述通式當中，M係為Co及/或Ni，M’係為由Nb、Mo、Ta、Ti、Zr、Hf、V、C、Mn及W所組成群組中所選擇的至少1種元素，M”係為由Al、鉑族元素、Sc、稀土類元素、Zn、Sn以及Re所組成群組中所選擇的至少1種元素，X係為由C、Ge、P、Ga、Sb、In、Be以及As所組成群組中所選擇的至少1種元素，a、x、y、z、α、β、γ係分別符合0≦a≦0.5、0.1≦x≦3、0≦y≦30、0≦z≦25、5≦y+z≦30、0≦α≦20、0≦β≦20以及0≦γ≦20，可使用具上述所示組成之物。較佳地，於上述通式當中，a、x、y、z、α、β、γ係分別符合0≦a≦0.1、0.7≦x≦1.3、12≦y≦17、5≦z≦10、1.5≦α≦5、0≦β≦1以及0≦γ≦1之範圍。 另外，準備可奈米結晶化的非晶質合金薄帶之步驟係可為製造或購買可奈米結晶化的非晶質合金薄帶。
接著，針對於施加張力至本實施型態的非晶質合金薄帶之狀態下進行奈米結晶化的熱處理，以獲得奈米結晶合金薄帶之步驟進行描述。 於施加張力至可奈米結晶化的非晶質合金薄帶之狀態下，透過進行奈米結晶化的熱處理，可調整奈米結晶合金薄帶的交流相對磁導率μr。此外，藉由此步驟，獲得交流相對磁導率μr為100以上且2000以下的奈米結晶合金薄帶為較佳。另外，奈米結晶合金係指具有粒徑為100nm以下的微晶組織的合金。
於交流相對磁導率μr的測量當中，針對阻抗(Z)及串聯等效電路的阻抗(Ls )，使用阻抗分析儀(是德科技公司製E4990A、測量治具：16454A)，設定OSC電位為0.03V，於25℃溫度下測量128kHz的頻率，並基於下式來計算交流相對磁導率μr。作為評價樣品，係使用沖孔成外徑20mm、內徑9mm的環狀片體並層疊10～20層而成之物。 μr=2π × Z / (2π × μ0 × f × t × n × ln (OD / ID)) Z：阻抗之絕對值 f：頻率(Hz) t：薄帶厚度(m) n：層數 μ0：真空磁導率(4 ×π × 10-7 H / m) OD：外徑(m) ID：內徑(m)。
於本實施型態當中，例如，於施加張力狀態下使非晶質合金薄帶連續行進，使此非晶質合金薄帶的一部分區域奈米結晶化。奈米結晶化係透過施加結晶開始溫度以上的熱來進行，例如，可採用使非晶質合金薄帶通過熱處理爐的內部，或是使非晶質合金薄帶接觸傳熱介質之手段。具體的本實施型態當中，使施加張力狀態下的非晶質薄帶在維持著其與傳熱介質間的接觸的同時，使其連續行進。與連續行進的非晶質合金薄帶接觸的傳熱介質係配置於非晶質合金薄帶的行進路徑的途中。然後，透過使非晶質合金薄帶通過傳熱介質而受到熱處理，以形成奈米結晶合金薄帶。
於上述使非晶質合金連續行進的同時進行熱處理之方法當中，對非晶質合金薄帶施加張力的方向，係與緊接於接觸傳熱介質之前的非晶質合金薄帶的行進方向、接觸傳熱介質時的非晶質合金薄帶的行進方向、以及緊接於由傳熱介質分離之後的奈米結晶合金薄帶的行進方向相同，皆為直線狀。如上述般，使非晶質合金薄帶行進而作熱處理時的非晶質合金薄帶係為長條狀的非晶質合金薄帶，此非晶質合金薄帶的長度方向與施加張力的方向係為相同。另外，被施加至非晶質合金薄帶上的張力的方向，係與透過輥冷卻而製造非晶質合金薄帶情況下沿著輥轉動方向的方向相同。沿著輥的轉動方向的方向係稱為鑄造方向，被施加至非晶質合金薄帶上的張力之方向係與此鑄造方向相同。如上述般，獲得奈米結晶合金薄帶之步驟係亦可具有：沿著所述非晶質合金薄帶的長度方向施加張力至非晶質合金薄帶，且同時使所述非晶質合金薄帶沿著所述長度方向行進，並連續地對所述非晶質合金薄帶進行奈米結晶化的熱處理之步驟。 惟，非晶質合金薄帶於「緊接於接觸傳熱介質之前」還要往行進方向上游側處中，亦可一邊經過輸送輥等一邊作彎曲行進。同樣地，由非晶質合金薄帶所獲得的奈米結晶合金薄帶於「緊接於由傳熱介質分離之後」還要往行進方向下游側處中，亦可一邊經過輸送輥等一邊作彎曲行進。 此處的張力係以1.0N～50.0N為較佳，以2.0N～40.0N為更佳，又以3.0N～35.0N為最佳。 當張力為1.0N以上時，可充分地降低磁導率。 當張力為50.0N以下時，可進一步地抑制非晶質合金薄帶或是奈米結晶合金薄帶的破裂。
此外，於本實施型態的奈米結晶化的熱處理當中，係使非晶質合金薄帶的溫度升溫至結晶化溫度Tc1以上(例如430℃以上)的極限溫度。藉此使得於合金薄帶組織當中進行奈米結晶化。 極限溫度係以430℃～600℃為較佳。 當極限溫度為600℃以下時(尤其是當B的含量為10原子%以上且20原子%以下時)，例如，能夠更為降低可使奈米結晶合金薄帶的軟磁特性(Hc、Bs等)劣化的Fe-B化合物的析出頻率。 此外，較佳地，將所設定的極限溫度、傳熱介質的溫度設定為相同的溫度。
此外，當將傳熱介質使用於奈米結晶化的熱處理時，作為傳熱介質，可列舉例如板件、雙輥等，惟以與非晶質合金薄帶之間有著許多的接觸面的板狀物為較佳。板狀的接觸面雖以平面為較佳，亦可具有一些曲面。此外，亦可於傳熱介質中與合金薄帶之間的接觸面上設置抽吸孔，使得能夠於抽吸孔處進行減壓抽吸。藉此，可將合金薄帶抽吸並吸附至傳熱介質中具有抽吸孔的表面上，可提升合金薄帶對於傳熱介質的接觸性，並可提升熱處理的效率。
此外，作為傳熱介質的材質，可列舉例如銅、銅合金(青銅、黃銅等)、鋁、鐵、鐵合金(不鏽鋼等)等。其中以銅、銅合金或鋁的熱電係數(熱導率)高而為較佳。 傳熱介質亦可施加鍍Ni、鍍Ag等鍍覆處理。 此外，可另外設置將此傳熱介質加熱的手段，並使經加熱的傳熱介質與非晶質合金薄帶接觸，以對非晶質合金薄帶進行加熱而進行熱處理。此外，可用任意的組件來圍繞傳熱介質的周圍。 此外，於本實施型態當中，亦可在當升溫到了極限溫度之後，於傳熱介質上將奈米結晶合金薄帶的溫度維持一定的時間。 此外，於本實施型態當中，係以將所獲得的奈米結晶合金薄帶進行冷卻(較佳為至室溫)為較佳。 此外，於本實施型態當中可以包含：透過捲繞所獲得的奈米結晶合金薄帶(較佳為所述冷卻後的奈米結晶合金薄帶)，以獲得奈米結晶合金薄帶的捲繞體。
本實施型態的可奈米結晶化的非晶質合金薄帶的厚度係以10μm～50μm範圍為較佳。當小於10μm時，由於合金薄帶本身的機械強度低，因此難以穩定地鑄造長條狀的合金薄帶。此外，當超過50μm時，合金的一部分可能容易結晶化，使得特性劣化。非晶質合金薄帶的厚度係以11μm～30μm為較佳，又以12μm～27μm為更佳。 另外，非晶質合金薄帶的寬度並無特別限制，惟以5mm～300mm為較佳。當非晶質合金薄帶的寬度為5mm以上時，具有優異的非晶質合金薄帶的製造適性。當非晶質合金薄帶的寬度為300mm以下時，於獲得奈米結晶合金薄帶之步驟當中，奈米結晶化的均勻度獲得了提升。非晶質合金薄帶的寬度係以200mm以下為較佳。
另外，於本實施型態當中，亦可設置連續線以製作奈米結晶合金薄帶，其中，由形成為輥狀的捲繞體的非晶質合金薄帶中將非晶質合金薄帶退捲，一邊施加張力至所述非晶質合金薄帶，一邊使非晶質合金薄帶行進，並使行進的非晶質合金薄帶接觸傳熱介質而進行加熱，透過此加熱所作的熱處理來進行奈米結晶化，以獲得奈米結晶合金薄帶，並將所述奈米結晶合金薄帶捲繞成輥狀的捲繞體。
關於設置連續線以製作奈米結晶合金薄帶之方法的一實施型態，使用圖1來進行說明。圖1所示的是線序退火裝置150，其係為從退捲輥112直到捲取輥114，對於長條狀的非晶質合金薄帶施加包含升溫步驟～降溫(冷卻)步驟的熱處理步驟，以獲得奈米結晶合金薄帶的線序退火步驟之裝置。
線序退火裝置150係具備：退捲輥112(退捲裝置)，其係由非晶質合金薄帶的捲繞體111中將合金薄帶110退捲；加熱板(傳熱介質)122，其將由退捲輥112所退捲出的合金薄帶110進行加熱；冷卻板(傳熱介質)132，其使藉由加熱板122加熱的合金薄帶110降溫；捲繞輥114(捲繞裝置)，其係將被冷卻板132降溫的合金薄帶110進行捲繞。圖1當中係以箭頭R來表示合金薄帶110的行進方向。
退捲輥112當中係設置有非晶質合金薄帶的捲繞體111。 透過捲繞輥112沿著箭頭U的方向進行軸向旋轉，以從非晶質合金薄帶的捲繞體111退捲出合金薄帶110。 此例當中，退捲輥112本身亦可具備旋轉機構(例如馬達)，退捲輥112本身亦可不具備旋轉機構。 即使是在退捲輥112本身不具備旋轉機構的情況下，也能與基於後述的捲繞輥114所作的捲繞合金薄帶110之動作進行連動，並從設置於退捲輥112的非晶質合金薄帶的捲繞體111退捲出合金薄帶110。
圖1當中，如同以圓圈框起的擴大部分所示般，加熱板122係包含了由退捲輥122退捲出的合金薄帶110所一邊接觸一邊行進的第一平面122S。合金薄帶110係一邊接觸第一平面122S一邊行進於第一平面122S上，而此加熱板122係經由第一平面122S來對合金薄帶110進行加熱。藉此使得行進中的合金薄帶110穩定地急遽加熱，並且奈米結晶化。 加熱板122係與未示出的熱源連接，藉著由此熱源所供給的熱而加熱至所期望的溫度。加熱板122本身的內部亦可具備熱源，以取代連接至熱源的方式或是與連接至熱源的方式併行。 作為加熱板122的材質，可列舉例如不鏽鋼、Cu、Cu合金、Al合金等。
加熱板122係容置於加熱室120當中。 關於加熱室120，除了用於加熱板122的熱源之外，亦可具備用於控制加熱室的溫度的熱源。 加熱室120係具有使合金薄帶進入或是退出的開口部(未示出)，其係分別地位於合金薄帶110的行進方向(箭頭R)的上游側及下游側。合金薄帶110係穿過作為上游側開口部的進入口而進入加熱室120當中，並且穿過作為下游側開口部的退出口而從加熱室120當中退出。
此外，於圖1當中，如同以圓圈框起的擴大部分中所示般，冷卻板132係包含合金薄帶110所接觸的第二平面132S。合金薄帶110係一邊接觸第二平面132S一邊行進於第二平面132S上，而此冷卻板132係經由第二平面132S來對合金薄帶110進行降溫。 冷卻板132亦可具有冷卻機構(例如水冷機構)，亦可不具有特別的冷卻機構。 作為冷卻板132的材質，可列舉例如不鏽鋼、Cu、Cu合金、Al合金等。 冷卻板132係容置於冷卻室130當中。 冷卻室130可具有冷卻機構(例如水冷機構)，惟亦可不具特別的冷卻機構。也就是說，基於冷卻室130所進行之冷卻的態樣，可為水冷或是空氣冷卻。 冷卻室130係具有使合金薄帶進入或是退出的開口部(未示出)，其係分別地位於合金薄帶110的行進方向(箭頭R)的上游側及下游側。合金薄帶110係穿過作為上游側開口部的進入口而進入冷卻室130當中，並且穿過作為下游側開口部的退出口而從冷卻室130當中退出。
捲繞輥114係具備沿著箭頭W方向而軸向旋轉的旋轉機構(例如馬達)。透過捲繞輥114的旋轉，使得合金薄帶110以所期望的速度進行捲繞。
線序退火裝置150於退捲輥112與加熱室120之間沿著合金薄帶110的行進路徑上具備：引導輥41；拉力調節輥(dancer roll)60(拉伸應力調節裝置之一)；引導輥42；以及一對引導輥43A、43B。拉伸應力的調整係透過退捲輥112及捲繞輥114的動作控制來進行。 拉力調節輥60係以可移動方式設置於豎直方向(圖1當中兩側箭頭的方向)上。透過調整此拉力調節輥60於豎直方向上的位置，使得能夠調整合金薄帶110的拉伸應力。 藉此可在施加張力至非晶質合金薄帶的狀態下來進行奈米結晶化的熱處理。
由退捲輥112退捲出的合金薄帶110係經過此等的引導輥及拉力調節輥而被引導至加熱室120當中。 線序退火裝置150於加熱室120與冷卻室130之間，具備有一對引導輥44A、44B以及一對引導輥45A、45B。 從加熱室120退出的合金薄帶110係經由此等引導輥而被引導至冷卻室130當中。
線序退火裝置150於冷卻室130與捲繞輥114之間沿著合金薄帶110的行進路徑上具備：一對引導輥46A、46B；引導輥47；拉力調節輥62；引導輥48；引導輥49；以及引導輥50。 拉力調節輥62係以可移動方式設置於豎直方向(圖1當中兩側箭頭的方向)上。透過調整此拉力調節輥62的豎直方向上的位置，使得能夠調整合金薄帶110的拉伸應力。 由冷卻室130退出的合金薄帶110係經過此等引導輥及拉力調整輥而被引導至捲繞輥114。
於線序退火裝置150當中，配置於加熱室120的上游側及下游側處的引導輥(43A、43B、44A以及44B)係使合金薄帶110與加熱板122之第一平面122S整面地接觸，因此具有調整合金薄帶110之位置的功能。 於線序退火裝置150當中，配置於冷卻室130的上游側及下游側的引導輥(45A、45B、46A以及46B)係使合金薄帶110與冷卻板132之第二平面132S整面地接觸，因此具有調整合金薄帶110之位置的功能。
關於本實施型態之經由黏合層而將奈米結晶合金薄帶保持於樹脂膜上之步驟，係使用圖2來進行說明。 圖2係為積層步驟之一例，從輥當中分別地拉出奈米結晶合金薄帶101、黏合層102及樹脂膜103，藉由以特定間隔設置而配置的一對加壓輥104來將其夾在其間並且層疊並使其一體化以製作帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶105。積層步驟係為經由黏合層來將奈米結晶合金薄帶保持於樹脂膜上之步驟的具體例。於此，當設定奈米結晶合金薄帶為多層時，可透過例如於樹脂膜上層疊複數個奈米結晶合金薄帶之步驟來製作奈米結晶合金薄帶之多層體。例如，可於帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶105上進一步地層疊所需數量的黏合層102及奈米結晶合金薄帶101，以製作奈米結晶合金薄帶之多層體。例如，於圖2所示的積層步驟當中，透過藉由一對加壓輥104來使複數個奈米結晶合金薄帶101、複數個黏合層102、以及樹脂膜103一體化，以製作奈米結晶合金薄帶之多層體。此外，亦可為於奈米結晶合金薄帶中樹脂膜103的反側的表面上，層疊樹脂膜，形成以樹脂膜來包夾奈米結晶合金薄帶之構成。此外，亦可使用雙面膠等形成有黏合層的樹脂膜來進行積層，以取代黏合層。
此帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶105，可為切割成所需形狀及尺寸，具有適合於其使用用途的帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶。於此情況下，可使用旋轉刀式的切條機或是剪切刀式的切割器，來切割帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶105。此外，亦可使用壓模等來對帶有樹脂膜之結晶合金薄帶105進行沖壓、切割。
於本實施型態當中，關於樹脂膜，係選擇易變形且具有優異彎曲性的材質及厚度。例如，以厚度為10μm～100μm的聚對苯二甲酸二醇酯(PET)膜等樹脂膜為較佳。另外亦可使用由如聚醚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺等的聚醯亞胺；聚醯胺；如聚對苯二甲酸等的聚酯所構成的樹脂膜。再者，亦可使用聚丙烯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚酮、聚氯乙烯、聚乙烯醇、氟樹脂、丙烯酸樹脂、纖維素等。由耐熱性及介電損耗的觀點來看，特別以聚醯胺及聚醯亞胺為較佳。
當樹脂膜的厚度增加時，可能變得難以變形，並妨礙沿著曲面或是彎曲表面來配置帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶。此外，當厚度小於10μm時，樹脂膜本身更容易變形，變得難以掌控，可能無法充分獲得支撐奈米結晶合金薄帶之功能。 關於用來黏合樹脂膜及奈米結晶合金薄帶的黏合層，可應用丙烯酸樹脂、矽樹脂等以液態、片狀或帶狀態樣提供的黏合劑。亦可於樹脂膜的一表面側上薄層地塗覆液態的黏合劑以作為黏合層，或是使用事先黏貼上雙面膠的樹脂片。樹脂膜當中黏貼有奈米結晶合金薄帶之表面的反側的表面上、或是非晶質合金薄帶與樹脂膜之間，出於賦予電磁波屏蔽功能之目的，可設置約5μm～30μm厚度的Cu箔或Al箔等的導體。
關於奈米結晶合金薄帶，可在將奈米結晶合金薄帶保持於樹脂膜上的狀態下，藉由輥等組件進行加壓等，來進行施加外力的裂紋處理。據此可將奈米結晶合金薄帶分割為固定形狀或是不固定形狀的複數個單獨的片體。於此，較佳地，以另一樹脂膜或是黏合層等塗覆膜來覆蓋並包夾住經裂紋處理的奈米結晶合金薄帶，以避免經裂紋處理的奈米結晶合金薄帶的個別片體等從樹脂膜上脫落。雖然奈米結晶合金薄帶可透過脆化、加壓而相對容易地產生裂紋，但是於習知技術中並無法充分地降低磁導率。然而，於本揭示當中，由於使用在施加張力狀態下進行了奈米結晶化的熱處理的奈米結晶合金薄帶，而此奈米結晶合金薄帶的磁導率小，因此可易於將交流相對磁導率μr調整為100以上且2000以下的範圍內。本揭示當中的裂紋係指形成於合金薄帶上的磁間隙，包含例如合金薄帶之破裂及/或龜裂。
若施加裂紋處理，將奈米結晶合金薄帶分割為複數個別片體，可獲得降低渦電流損耗之功效。然而，當以此方式所分割的個別片體具有過度不固定形狀時，可能會隨著奈米結晶合金薄帶內的區域而產生特性變化等缺陷，因此係以儘可能分割為固定形狀的個別片體為較佳。個別片體的形狀係以1個邊長為1mm～10mm的矩形為較佳。
當施加裂紋處理時，為了要使個別片體更接近特定形狀，可考量到的是具備：於經由黏合層而將奈米結晶合金薄帶保持於樹脂膜上之步驟(例如圖2所示積層步驟)之後，施加外力至奈米結晶合金薄帶之表面上的複數個位置上之步驟(裂紋起點處理)；透過以輥來捲繞此帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶，來以施加外力位置為起點而產生裂紋，以將奈米結晶合金薄帶分割為複數個的個別片體之步驟(裂紋處理)。奈米結晶薄帶係經歷了經由黏合層而將奈米結晶合金薄帶保持於樹脂膜上的步驟(例如圖2所示的積層步驟)，藉由對所述奈米結晶薄帶施加裂紋起點處理，於當以輥來進行捲繞並使彎曲應力作用時，裂紋以適當的間隔形成，有助於使個別片體形成為固定形狀。
[裂紋處理] 裂紋係可藉由例如將凸狀組件按壓在奈米結晶合金薄帶之表面上來形成。凸狀組件可為例如棒狀或是錐狀。凸狀組件之端部的尖端係可為：平坦、錐狀、中央凹陷的逆錐狀、或是圓柱狀。 於裂紋之形成當中，可使用於其中規則性地配置了複數個凸狀組件的按壓組件。例如，可使用將複數個凸狀組件配置於圓周面上的輥(之後稱為裂紋輥)來進行裂紋之形成。例如，藉由張力等來將長條狀的奈米結晶合金薄帶按壓至裂紋輥上、或是使長條狀的合金薄帶通過裂紋輥與裂紋輥之間，使得能夠連續性地形成裂紋。此外，可使用複數個裂紋輥來形成裂紋。
圖3係為帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的俯視圖，其係示意性表示出藉由凸狀組件施加外力的部分。圖案的形狀係對應於受到施加外力部分的凸狀組件的尖端形狀。 圖3(a)係示意性地表示出當使用端部之剖面形狀為圓形的凸狀組件之情況下，受到施加外力的部分。 圖3(b)係示意性地表示出當使用端部外型為十字型的凸狀組件之情況下，受到施加外力的部分。 圖3(c)係分別地示意性地表示，分別地使用了其端部外形為圖形縱向上為線狀的凸狀組件、以及於橫向上為線狀的凸狀組件等情況下，受到施加外力的部分。於本圖當中，受到施加外力的部分係分別為不連續且配置為矩陣狀。
圖3(d)係示意性地表示，使用了其端部外形為相對於圖形縱向傾斜了θ°(於圖3(d)當中為傾斜了45°)的線狀的凸狀組件；以及傾斜了-θ°(於圖3(d)當中為傾斜了-45°)的線狀的凸狀組件之情況下，受到施加外力的部分。於本圖當中，受到施加外力的部分係分別為不連續，且配置成其中一個線狀的受到施加外力的部分，係於其延長線上，與另一個受到施加外力的部分的兩端之間相交。 圖3(e)係示意性地表示，使用了其端部外形為相對於圖形縱向傾斜了θ°(於圖3(e)當中為傾斜了45°)的線狀的凸狀組件；以及傾斜了-θ°(於圖3(e)當中為傾斜了-45°)的線狀的凸狀組件之情況下，受到施加外力的部分。於本圖當中，受到施加外力的部分係分別為不連續且配置成傾斜的矩陣狀。 圖3(f)係示意性地表示，分別地使用了其端部外形為圖形縱向上為線狀的凸狀組件、以及於橫向上為線狀的凸狀組件等情況下，受到施加外力的部分，其係為相對圖3(c)作了改變位置關係的圖。凸狀組件的配置並不限於圖中所示，可適當地進行設定。 此等受到施加外力的部分，係以形成與此受到施加外力的部分為完全相同型態的裂紋為較佳。然而，亦可為形成了其他的裂紋的情況，或是並未形成相同型態的裂紋(可能僅部分地形成裂紋)。 此外，裂紋可為線狀，且可形成為連續地將複數個裂紋連接起來。
於形成圖3(c)、圖3(d)、圖3(e)或是圖3(f)的裂紋時，例如，亦可將一個凸狀組件配置於裂紋輥上，並將另一個凸狀組件配置於另一個裂紋輥上，藉由兩個裂紋輥來依序地直接施加外力至合金薄帶，以形成裂紋。
使用凸狀組件直接施加外力至合金薄帶以形成裂紋之後，藉由使合金薄帶彎曲、或是將其捲繞等手段來施加第二外力。藉此來以裂紋來作為脆性破壞及/或龜裂破壞的起點，而可形成將裂紋彼此連接的破裂及/或龜裂(連接裂紋彼此的磁間隙)。於下述中，將連接裂紋彼此的破裂及/或龜裂(磁間隙)稱為網狀裂紋。
關於本實施型態之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶，使用圖4，針對於奈米結晶合金薄帶上形成裂紋，並將形成有此裂紋的奈米結晶合金薄帶層疊多層的情況下的實施型態，來進行說明。
首先，於施加張力至可奈米結晶化的非晶質合金薄帶之狀態下進行奈米結晶化之熱處理，以形成奈米晶合金薄帶。下述說明步驟係使用此奈米結晶合金薄帶來進行。 準備4個將奈米結晶合金薄帶捲繞成輥狀的輥狀捲繞體。另外，不侷限於4個，可適當地設定捲繞體的數量。 接著進行下述步驟。以下所示的具體產品名稱及數值係為了要詳細說明步驟的示例。 ・步驟(1)「將奈米結晶合金薄帶黏合至具有黏合層、可由所述黏合層剝離的離型膜的裂紋用膠帶之黏合層之步驟」 首先，將捲繞有膠帶2A的輥配置於4個位置。輥的數量係配合捲繞成輥狀的奈米結晶合金薄帶之捲繞體數量。之後，由輥中拉出雙面膠帶2A。雙面膠帶2A係為3層結構，具有離型膜1A(25μm)、黏合層(5μm)、離型膜1B(25μm)。離型膜1A及離型膜1B係為相同材質(PET)，拉伸彈性模量為3.9GPa。黏合層係為於兩面上塗覆有丙烯酸系的黏合劑的基膜。離型膜1A、1B係可由黏合層剝離。 離型膜1A係從雙面膠帶2A上剝離下來。離型膜1A之剝離係與由輥中拉出雙面膠帶2A大致相同的時刻下進行。於本實施型態當中，將透過將離型膜1A剝離而獲得的由黏合層及離型膜1B所構成的膠帶，作為裂紋用膠帶來使用。另外，離型膜1B係為樹脂膜的一種。 其後，從輥當中拉出奈米結晶合金薄帶4，藉由壓合輥將其黏合至裂紋用膠帶之黏合層。奈米結晶合金薄帶4係為Fe-Cu-Nb-Si-B系的奈米結晶合金所構成的合金薄帶(日立金屬股份有限公司製FT-3)。
於此，離型膜係以具彈性的樹脂製的離型膜為較佳。 如圖4所示般，於一實施型態當中，帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法係具有：將奈米結晶合金薄帶黏合至具有黏合層、可由黏合層剝離之離型膜的裂紋用膠帶之步驟(步驟1)；直接施加外力至奈米結晶合金薄帶上，以形成裂紋之步驟(步驟2)。於此情況下，當離型膜為樹脂製時，藉由離型膜的彈性來抑制於奈米結晶合金薄帶之表面上產生凹凸起伏。此外，即使於奈米結晶合金薄帶之表面上產生凹凸起伏，也能夠藉由其彈性而使得凹凸起伏變形而變得平坦。藉此可形成良好平面狀態的奈米結晶合金薄帶，並且可獲得磁特性的經時變化小的帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶。 例如，作為離型膜之樹脂，拉伸彈性模量的下限係可使用0.1GPa的樹脂。當拉伸彈性模量為0.1GPa以上時，易於充分地獲得上述功效。拉伸彈性模量的下限係以0.5GPa為較佳，1.0GPa為更佳。拉伸彈性模量的上限係以設定為10GPa為較佳。當拉伸彈性模量大於10GPa時，在形成裂紋時，可能會抑制合金薄帶之變形。拉伸彈性模量的上限係以7GPa為更佳，以5GPa為最佳。
此外，作為離型膜，以使用厚度為1μm～100μm的樹脂為佳。當離型膜的厚度增加時變得難以變形。此外，當厚度小於1μm時，離型膜本身可能變得更容易變形而難以掌控。
黏合層可使用與樹脂膜之黏合層相同之物。例如，黏合層係可使用已知之物，例如，可使用感壓型黏合劑。作為感壓型黏合劑，可使用例如丙烯酸系、矽系、氨基甲酸酯系、合成橡膠、天然橡膠等的感壓型黏合劑。
・步驟(2)「直接施加外力至奈米結晶合金薄帶以形成裂紋之步驟」 藉由裂紋輥5，直接施加外力至黏合於裂紋用膠帶的奈米結晶合金薄帶4，以形成裂紋。於裂紋輥5當中係於圓周面上規則性地配置著複數個凸狀組件。當形成裂紋時，為了避免來自裂紋輥的外力散開，可於離型膜1B側上配置用於將奈米結晶合金薄帶4往裂紋輥側按壓的壓縮輥。
・步驟(3)「由黏合層將離型膜剝離，以形成具有黏合層及形成有裂紋的奈米結晶合金薄帶的片組件之步驟」 由裂紋用膠帶的黏合層將離型膜1B剝離，使黏合層暴露出。藉此形成具有黏合層及形成有裂紋的奈米結晶合金薄帶的片組件。亦可利用將離型膜1B剝離時所產生對於奈米結晶合金薄帶4的外力，來形成網狀裂紋。 圖4當中，具備了4個由步驟(1)～步驟(3)的機構。然而，數量並不限定為4個，可根據目的而設定為5個以上，亦可為3個以下。 另外，當層疊多層的奈米結晶合金薄帶，關於最下層之奈米結晶合金薄帶，可將離型膜維持原樣，並將此離型膜作為帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶之樹脂膜來使用。
・步驟(4)「形成帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶之步驟」 藉由壓合輥將片組件層疊並黏合於樹脂膜6A上。以使片組件之黏合層接觸樹脂膜的方式來進行層疊。此外，於其上藉由壓合輥來層疊、黏合下一個片組件。重複此過程進行層疊，使得黏合層與奈米結晶合金薄帶彼此交替。藉此形成帶有樹脂膜6A之奈米結晶合金薄帶。 再者，於圖4當中，樹脂膜6a係黏合至經層疊的奈米結晶合金薄帶上。樹脂膜6a係經由另一雙面膠帶2B之黏合層而黏合至奈米結晶合金薄帶之層疊體。雙面膠帶2B係為3層結構，具有離型膜1C、黏合層(5μm)、離型膜1D。離型膜1C及離型膜1D係可由黏合層剝離。將離型膜1C從雙面膠帶2B上剝離，並藉由壓合輥來使暴露的黏合層與奈米結晶合金薄帶4黏合。之後，將離型膜1D剝離。再之後，將樹脂膜6a壓合至雙面膠帶2B之黏合層。樹脂膜6a係為厚度25μm的PET製保護膜。 另外，樹脂膜6A係為2層結構，具有厚度5μm的黏合層以及厚度75μm的樹脂膜。另外，此樹脂膜係可由黏合層剝離。藉由壓合輥來黏合片組件之黏合層及樹脂膜之黏合層。當樹脂膜被剝離時，暴露出黏合層，使得可將奈米結晶合金薄帶黏貼至電子裝置等。
其後，藉由切割器7將帶有樹脂之奈米結晶合金薄帶切割成所需的尺寸，並將其輸送至托盤8。作為切割器7的替代，亦可藉由沖模等來加工成所需的形狀。
圖5係表示俯視圖(a)及剖面圖(b)，其係示意性地表示將片組件層疊於樹脂膜6A而得的帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶。於此，剖面圖(b)係為俯視圖(a)中A-A線的剖面圖。奈米結晶合金薄帶4’係經由黏合層6b層疊、黏合於樹脂膜6A上。此外，於奈米結晶合金薄帶4’當中形成有裂紋9’。裂紋9’係藉著按壓其圓周面上規則性地配置了線狀的凸狀組件的裂紋輥所形成，形成了斷斷續續的線狀的裂紋9’。
圖6表示俯視圖(a)及剖面圖(b)，其係示意性地表示出於樹脂膜6A上層疊複數個奈米結晶合金薄帶而成的帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶。於此，剖面圖(b)係為俯視圖(a)中D-D線的剖面圖。 如圖6(a)所示，於黏合至樹脂膜6a的奈米合金薄帶4’上係層疊有片組件10c1～片組件10c3。分別地形成於第一片組件10c1～第三片組件10c3的裂紋9、裂紋9-1、裂紋9-2，以及形成於黏合至樹脂膜6A的奈米結晶合金薄帶4’上的裂紋9’，四者係形成於沿著層疊方向觀察下不同的位置。如上述般，於本揭示的較佳實施型態當中，係直接施加外力至各個奈米結晶合金薄帶以形成裂紋，因此，與同時於複數個奈米結晶合金薄帶上形成裂紋的習知的製造方法不同，可依每個奈米結晶合金薄帶的層來改變裂紋的位置，因此可形成磁間隙均勻地形成的磁性片。因此，在對此帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶進一步地要進行沖壓或是切割成所需形狀之加工時，可製造出磁導率隨加工位置的變動很小，且具有穩定的電磁屏蔽特性的磁性片。 於此帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶當中，可於層疊方向上樹脂膜6A的反側的表面上，層疊另一樹脂膜。不管是哪個樹脂膜，皆可經由黏合層(例如雙面膠帶)來接合。
於本揭示之較佳實施型態當中，並非在層疊奈米結晶合金薄帶之後，而是在層疊合金薄帶之前且係直接施加外力至合金薄帶以形成裂紋，故關於所施加的外力，係除了直接地施加到合金薄帶之外，還設定僅為於1片份量的合金薄帶上形成裂紋的強度。因此，與同時地於複數個合金薄帶上形成裂紋的習知製造方法、或是由保護膜的上方施加外力以形成裂紋的習知的製造方法相較之下，可用較小的外力來形成裂紋。由於用來形成裂紋的外力較小，因此可抑制形成有裂紋的奈米結晶合金薄帶之表面狀態的凹凸起伏，以使奈米結晶合金薄帶之平面狀態為良好。
於本揭示當中，當於奈米結晶合金薄帶上形成直線狀的裂紋時，較佳地，例如圖7所示般，形成為平行於奈米結晶合金薄帶的鑄造方向(相當於透過輥冷卻進行連續鑄造(驟冷凝固)時的長度方向，即沿著輥的旋轉方向的方向)。另外，於圖7所示的箭頭係表示鑄造方向。
表1係表示針對本揭示之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶一例的磁性片(於圖4中所說明之物)的交流相對磁導率μr(128kHz)進行評價所得之結果。於此係表示對2種測試材料進行評價所得到的結果。透過本揭示之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法所獲得的磁性片當中，300日之後的變化率係為約3.0%或是更小。 於習知的磁性片(將經由黏合層而層疊的4層合金薄帶夾在2層樹脂膜之間，並由樹脂膜上方施加外力而形成裂紋的磁性片)當中，100小時之後產生了約7%～10%的變化，於本實施型態當中，即使是在300日之後(7200小時之後)仍為約3%或是更小，根據本揭示之實施例，可獲得導磁率的變化小的磁性片。
[表1]
No. 初期 300日後 變化率
1 1,085 1,053 3.0%
2 1,009 1,029 -2.0%
本實施型態之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶係可應用於磁性片。作為使用本揭示的磁性片的例子，圖8係表示出非接觸充電裝置之一例的電路結構。供電裝置200係具備：供電部207，其供給交流電；整流電路202，其連接至供電部207以將交流電整流為直流電；開關電路203，其輸入直流電並將其轉換為特定頻率的高頻電流；初級傳輸線圈201，其係連接至開關電路203以使高頻電流流過；諧振電容器206，其係並聯至初級傳輸線圈201，以與開關電路203以相同的頻率諧振；控制電路204，其係連接至開關電路203；控制用初級線圈205，其係連接至控制電路204。控制電路204係基於由控制用初級線圈205所獲得的感應電流來控制開關電路203之運作。
受電裝置300具備：次級傳輸線圈301，其接收由初級傳輸線圈201所產生的磁通量；整流電路302，其係連接至次級傳輸線圈301；二次電池303，其係連接至整流電路302；電池控制電路304，其係連接至二次電池303，以由二次電池303之電壓來檢測蓄電狀況；控制用次級線圈305，其係連接至電池控制電路304。亦可將諧振電容器(未示出)並聯連接至次級傳輸線圈301。經整流的電流除了可蓄電在二次電池303當中之外，還可以利用於例如電子電路及驅動組件(未示出)等。電池控制電路304係根據二次電池303的蓄電狀況來將用於進行最佳充電之訊號傳送控制用次級線圈305。例如，當二次電池303完全地充飽電時，將此訊息的訊號傳送至控制用次級線圈305，經由與控制用次級線圈305電磁耦合的控制用初級線圈205來將訊號傳送至供電裝置200之控制電路204。控制電路204係基於此訊號而停止開關電路203。
於所述非接觸裝置當中，磁性片係作為初級傳輸線圈201之線圈軛，而設置於初級傳輸線圈201當中與次級傳輸線圈301相向側的反側上，除了提升初級傳輸線圈201與次級傳輸線圈301之間的耦合性之外，還具有初級傳輸線圈201與其他組件等之間的屏蔽作用。此外，本實施型態之磁性片係設置於次級傳輸線圈301當中與初級傳輸線圈201相向側的反側上，除了提升初級傳輸線圈201與次級傳輸線圈301之間的耦合性之外，還具有次級傳輸線圈301與其他組件(二次電池)等之間的屏蔽作用。 此外，本實施型態之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶可應用於形成塊狀的層疊體或是形成為環狀以供使用。例如，本揭示之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶亦可作為電感元件等來使用
[實施例] 以下基於實施例詳細說明本揭示。惟，本揭示並不受下述實施例所限制。
＜實施例1＞ [奈米結晶合金薄帶之製造] 使用具有圖1所示構成要件的製造裝置，於施加張力至長條狀的非晶質合金薄帶(Fe-Cu-Nb-Si-B系合金)的狀態下進行熱處理，以製造長條狀的奈米結晶合金薄帶(Fe-Cu-Nb-Si-B系合金)。施加至非晶質合金薄帶的張力為40MPa。熱處理中的非晶質合金薄帶的極限溫度為600℃。奈米結晶合金薄帶的厚度為16μm。
[帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶之製造] 接著，使用具有圖4所示構成要件的製造裝置，於具有包含PET製樹脂膜及黏合層之2層結構的樹脂膜上，依序地層疊具有包含奈米結晶合金帶及黏合層之2層結構的4個片組件。藉由以上步驟來製造帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶。帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶中所含的各個奈米結晶合金薄帶上係形成有裂紋。使用帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶而測量到的奈米結晶合金薄帶的交流相對磁導率μr係如表1所示。
＜比較例1＞ 除了在不施加張力情況下來進行熱處理之外，透過與實施例1相同的步驟，分別地製作奈米結晶合金薄帶、以及帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶。使用帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶而測量到的奈米結晶合金薄帶的交流相對磁導率μr為約12000。
1:帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶 1A,1B,1C,1D:離型膜 2A,2B:雙面膠帶 3:黏合層 4,4':奈米結晶合金薄帶 5:裂紋輥 6A:樹脂膜 6a:樹脂膜 6b:黏合層 7:切割器 8:托盤 9,9',9-1,9-2:裂紋 10c1,10c2,10c3:第二層疊體 41,42,43A,43B,44A:引導輥 44B,45A,45B,46A,46B,47,48,49,50,60,62:拉力調節輥 101:奈米結晶合金薄帶 102:黏合層 103:樹脂膜 104:加壓輥 105:帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶 110:奈米結晶合金薄帶 111:捲繞體 112:退捲輥 114:捲繞輥 120:加熱室 122:加熱板 122S:第一平面 130:冷卻室 132:冷卻板 132S:第二平面 150:線序退火裝置 200:供電裝置 201:初級傳輸線圈 202:整流電路 203:開關電路 204:控制電路 205:控制用初級線圈 206:諧振電容器 207:供電部 300:受電裝置 301:次級傳輸線圈 302:整流電路 303:二次電池 304:電池控制電路 305:控制用次級線圈 A-A:剖面線 D-D:剖面線 R:箭頭 U:箭頭 W:箭頭
［圖1］係為線序退火裝置的示意圖，其表示本揭示的獲得奈米結晶合金薄帶之步驟的一實施型態。 ［圖2］係為表示積層步驟的示意圖，其係表示出本揭示當中，經由黏合層而將奈米結晶合金薄帶保持於樹脂膜上之步驟的一實施型態。 ［圖3］係為本揭示的實施型態的奈米結晶合金薄帶的俯視圖，其係示意性地表示受到施加外力的位置。 ［圖4］係為表示本揭示一實施型態的製造裝置，其中，於樹脂膜上層疊了複數個形成有裂紋的奈米結晶合金薄帶。 ［圖5］係為表示本揭示之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶之一例的俯視圖(a)及剖面圖(b)。 ［圖6］係為表示本揭示之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶之另一例的俯視圖(a)及剖面圖(b)。 ［圖7］係為表示本揭示之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶之裂紋的狀態的俯視圖。 ［圖8］係為作為本揭示之實施型態之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的應用製品一例，表示出非接觸充電裝置一例的電路結構的圖。
41,42,43A,43B,44A,44B,45A,45B,46A,46B,47,48,49,50:引導輥
60,62:拉力調節輥
110:奈米結晶合金薄帶
111:捲繞體
112:退捲輥
114:捲繞輥
120:加熱室
122:加熱板
122S:第一平面
130:冷卻室
132:冷卻板
132S:第二平面
150:線序退火裝置
R:箭頭
U:箭頭
W:箭頭

Claims (9)

  1. 一種帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其具有： 準備可奈米結晶化的非晶質合金薄帶之步驟； 於施加張力至所述非晶質合金薄帶之狀態下進行奈米結晶化之熱處理，以獲得奈米結晶合金薄帶之步驟；及 經由黏合層將所述奈米結晶合金薄帶保持於樹脂膜上之步驟。
  2. 如請求項1所述之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其中，所述奈米結晶合金薄帶之交流相對磁導率μr係為100以上且2000以下。
  3. 如請求項1或請求項2所述之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其具備於所述樹脂膜上層疊複數個所述奈米結晶合金薄帶之步驟。
  4. 如請求項3所述之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其中，經層疊的複數個所述奈米結晶合金薄帶之間具備黏合層。
  5. 如請求項1或請求項2所述之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其中，所述非晶質合金薄帶係為透過輥冷卻所製造的長條狀的非晶質合金薄帶， 所述獲得奈米結晶合金薄帶之步驟係具備：沿著所述非晶質合金薄帶之長度方向來施加張力至所述非晶質合金薄帶的同時，使所述非晶質合金薄帶沿著所述長度方向行進，並連續性地對所述非晶質合金薄帶進行奈米結晶化的熱處理之步驟。
  6. 如請求項1或請求項2所述之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其具備於所述奈米結晶合金薄帶上形成裂紋之步驟。
  7. 如請求項6所述之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其中，於所述奈米結晶合金薄帶上形成裂紋之步驟係具有直接施加外力至所述奈米結晶合金薄帶之步驟。
  8. 如請求項1或請求項2所述之帶有樹脂膜之奈米結晶合金薄帶的製造方法，其中，所述奈米結晶合金薄帶係具有通式(Fe1 -a Ma )100-x-y-z-α-β-γ Cux Siy Bz M’α M”β Xγ (原子%)所示之組成，於所述通式當中，M係為Co及/或Ni，M’係為由Nb、Mo、Ta、Ti、Zr、Hf、V、Cr、Mn及W所組成群組中所選擇的至少一種元素，M”係為由Al、鉑族元素、Sc、稀土元素、Zn、Sn以及Re所組成群組當中所選擇的至少一種元素，X係為由C、Ge、P、Ga、Sb、In、Be及As所組成群組當中所選擇的至少一種元素，a、 x、 y、 z、 α、 β及γ係分別符合0≦a≦0.5、0.1≦x≦3、0≦y≦30、0≦z≦25、5≦y+z≦30、0≦α≦20、0≦β≦20以及0≦γ≦20。
  9. 如請求項8所述之合金薄帶層疊體的製造方法，其中，於所述通式當中，a、x、y、z、α、β、γ係分別符合0≦a≦0.1、0.7≦x≦1.3、12≦y≦17、5≦z≦10、1.5≦α≦5、0≦β≦1以及0≦γ≦1。
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