CN113748473B - 带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法 - Google Patents

带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113748473B
CN113748473B CN202080030755.XA CN202080030755A CN113748473B CN 113748473 B CN113748473 B CN 113748473B CN 202080030755 A CN202080030755 A CN 202080030755A CN 113748473 B CN113748473 B CN 113748473B
Authority
CN
China
Prior art keywords
alloy ribbon
ltoreq
resin film
nanocrystalline
nanocrystalline alloy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202080030755.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN113748473A (zh
Inventor
栗山安男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Bomeilicheng Co ltd
Original Assignee
Bomeilicheng Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bomeilicheng Co ltd filed Critical Bomeilicheng Co ltd
Publication of CN113748473A publication Critical patent/CN113748473A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113748473B publication Critical patent/CN113748473B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C45/00—Amorphous alloys
    • C22C45/02—Amorphous alloys with iron as the major constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/147—Alloys characterised by their composition
    • H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
    • H01F1/15333—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing nanocrystallites, e.g. obtained by annealing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/06—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the heating method
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/40—Adhesives in the form of films or foils characterised by release liners
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D1/00—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
    • C21D1/26—Methods of annealing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/02—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips
    • C21D8/0205—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips of ferrous alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/02—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips
    • C21D8/0221—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips characterised by the working steps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/02—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips
    • C21D8/0247—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips characterised by the heat treatment
    • C21D8/0252—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips characterised by the heat treatment with application of tension
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/02—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips
    • C21D8/0278—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips involving a particular surface treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/147—Alloys characterised by their composition
    • H01F1/14708—Fe-Ni based alloys
    • H01F1/14716—Fe-Ni based alloys in the form of sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/147—Alloys characterised by their composition
    • H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
    • H01F1/15358—Making agglomerates therefrom, e.g. by pressing
    • H01F1/15366—Making agglomerates therefrom, e.g. by pressing using a binder
    • H01F1/15375—Making agglomerates therefrom, e.g. by pressing using a binder using polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/147—Alloys characterised by their composition
    • H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
    • H01F1/15383—Applying coatings thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D2201/00—Treatment for obtaining particular effects
    • C21D2201/03—Amorphous or microcrystalline structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D6/00—Heat treatment of ferrous alloys
    • C21D6/008—Heat treatment of ferrous alloys containing Si
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/147—Alloys characterised by their composition
    • H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
    • H01F1/15308—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals based on Fe/Ni
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/0206—Manufacturing of magnetic cores by mechanical means
    • H01F41/0233—Manufacturing of magnetic circuits made from sheets
    • H01F41/024—Manufacturing of magnetic circuits made from deformed sheets

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Continuous Casting (AREA)
  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)

Abstract

本公开提供一种带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，其具备：准备可纳米结晶化的非晶质合金薄带的工序；在对上述非晶质合金薄带施加张力的状态下进行纳米结晶化的热处理，获得纳米结晶合金薄带的工序；以及介由粘接层将上述纳米结晶合金薄带保持于树脂膜上的工序。

Description

带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法
技术领域
本公开涉及带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法。
背景技术
近年来，智能手机、平板型信息终端或移动电话等电子设备正在迅速地普及。特别是移动电话(例如智能手机)、Web终端、音乐播放器等为了其作为便携设备的便利性，要求能够长时间连续使用。这些小型便携设备中使用了锂离子电池等二次电池作为电源。该二次电池的充电方法有接触充电方式和非接触充电方式，接触充电方式是使受电侧的电极与供电侧的电极直接接触来进行充电，非接触充电方式是在供电侧和受电侧两方设置传输线圈，利用电磁感应进行电力输送从而进行充电。非接触充电方式由于不需要用于使供电装置与受电装置直接接触的电极，因此也可以使用相同的供电装置向不同的受电装置充电。另外，非接触充电方式是不仅可利用于便携设备，也可利用于其他电子设备、电动汽车、无人机等的技术。
非接触充电方式中，在供电装置的初级传输线圈所产生的磁通量介由供电装置与受电装置的壳体而在受电装置的次级传输线圈中产生电动势，从而进行供电。为了获得高电力传输效率，对于传输线圈，在供电装置与受电装置的接触面的相反侧设置磁性片作为线圈轭。该磁性片具有如下作用。
第一个作用是作为电磁屏蔽材料的作用。例如，在非接触充电装置的充电作业中产生的漏磁通流向构成二次电池的金属构件等其他部件时，这些部件会因涡流而发热。磁性片能够作为电磁屏蔽材料而抑制该发热。
磁性片的第二个作用是作为轭构件起作用，使充电中线圈所产生的磁通量回流。
以往，在非接触充电装置的磁性片中使用的软磁性体以铁素体材料为主流，但最近也开始应用如日本特开2008-112830号公报所示由非晶质合金、纳米结晶合金构成的软磁性合金薄带。
日本特开2008-112830号公报公开了一种磁性片的制造方法，其具备：介由粘接层将薄板状磁性体(合金薄带)粘接在片基材上而形成磁性片的工序；以及在维持将上述合金薄带粘接在上述片基材上的状态的同时，为了提高Q值或降低涡流损耗而通过外力将其分割成多个的工序。另外，日本特开2008-112830号公报公开了：通过对合金薄带施加外力而将其分割为多个，能够在将磁性片用作例如电感器用磁性体时实现Q值的提高。另外，日本特开2008-112830号公报公开了：在将磁性片用作电磁遮蔽用磁性体时，能够将合金薄带的电流路径分断而减少涡流损耗。进一步，日本特开2008-112830号公报公开了：在将合金薄带分割成多个时，分割后的磁性体片优选其面积为0.01mm2以上且25mm2以下的范围。
另外，国际公开第2014/157526号公开了一种磁性片，其使用了对Fe基非晶质材料进行热处理从而使500kHz下的磁导率μr为220以上且770以下的薄带。
发明内容
发明要解决的课题
将使用了分割为多个的合金薄带的磁性片用于非接触充电装置时，作为用于将该分割状态定量化的特性，多替代使用磁导率。在推进普及的移动电话等中使用的情况下，需要128kHz下的交流相对磁导率μr为100以上且2000以下的磁性片。
但是，为了获得具有该磁导率数值的磁性片，必须将软磁性合金薄带以1mm左右的间隔进行精细分割。
合金薄带的厚度通常为5μm以上且50μm以下，磁性片的树脂膜由于弹性高，因此即使介由树脂膜而施加外力，也很难将内部的软磁性合金薄带精细地分割为多个。
国际公开第2014/157526号所记载的使用了Fe非晶质材料的磁性片中，通过使非晶质合金稍微进行结晶化，从而使非晶质状态下为103级的磁导率变成220以上且770以下。但是，纳米结晶合金的磁导率高一个数量级，难以使交流相对磁导率μr降低至100以上且2000以下。另外，由于在纳米结晶合金中进行纳米结晶化热处理而形成了微晶组织，因此像国际公开第2014/157526号那样的由热处理引起的磁导率降低程度并不大，如果进行使磁导率降低至上述范围的热处理，则薄带会变脆，将其粘接在片基材上时的操作变得困难。
因此，发明要解决的课题为提供一种使用了纳米结晶合金薄带的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，该制造方法能够简易地制造128kHz下的交流相对磁导率μr为100以上且2000以下的纳米结晶合金薄带。
带有树脂膜的纳米结晶合金薄带能够应用于例如磁性片。需说明的是，该带有树脂膜的纳米结晶合金薄带也能够应用于磁性片之外的用途。
用于解决课题的方法
用于解决上述课题的具体方法包含以下方式。
＜1＞一种带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，其具备：准备可纳米结晶化的非晶质合金薄带的工序；在对上述非晶质合金薄带施加张力的状态下进行纳米结晶化的热处理，获得纳米结晶合金薄带的工序；以及介由粘接层将上述纳米结晶合金薄带保持于树脂膜上的工序。
＜2＞如＜1＞所述的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，上述纳米结晶合金薄带的交流相对磁导率μr为100以上且2000以下。
＜3＞如＜1＞或＜2＞所述的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，其具备在上述树脂膜上堆叠多个上述纳米结晶合金薄带的工序。
＜4＞如＜3＞所述的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，在堆叠的多个上述纳米结晶合金薄带之间具备粘接层。
＜5＞如＜1＞～＜4＞中任一项所述的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，上述非晶质合金薄带为通过辊冷却而制造的长条状的非晶质合金薄带，获得上述纳米结晶合金薄带的工序具备：沿着上述非晶质合金薄带的长度方向对上述非晶质合金薄带施加张力的同时，使上述非晶质合金薄带沿着上述长度方向行进，并连续性地对上述非晶质合金薄带进行纳米结晶化的热处理的工序。
＜6＞如＜1＞～＜5＞中任一项所述的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，其具备在上述纳米结晶合金薄带上形成裂纹的工序。
＜7＞如＜6＞所述的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，在上述纳米结晶合金薄带上形成裂纹的工序具有对上述纳米结晶合金薄带直接施加外力的工序。
＜8＞如＜1＞～＜7＞中任一项所述的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，上述纳米结晶合金薄带具有由通式(Fe1-aMa)100-x-y-z-α-β-γCuxSiyBzM’αM”βXγ(原子％)表示的组成，在上述通式中，M为Co和/或Ni，M’为选自由Nb、Mo、Ta、Ti、Zr、Hf、V、Cr、Mn和W组成的组中的至少一种元素，M”为选自由Al、铂族元素、Sc、稀土元素、Zn、Sn和Re组成的组中的至少一种元素，X为选自由C、Ge、P、Ga、Sb、In、Be和As组成的组中的至少一种元素，a、x、y、z、α、β和γ分别满足0≤a≤0.5、0.1≤x≤3、0≤y≤30、0≤z≤25、5≤y+z≤30、0≤α≤20、0≤β≤20以及0≤γ≤20。
＜9＞如＜8＞所述的合金薄带堆叠体的制造方法，在上述通式中，a、x、y、z、α、β、γ分别满足0≤a≤0.1、0.7≤x≤1.3、12≤y≤17、5≤z≤10、1.5≤α≤5、0≤β≤1以及0≤γ≤1。
发明效果
根据本公开，可提供一种使用了纳米结晶合金薄的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，该制造方法能够简易地制造128kHz下的交流相对磁导率μr为100以上且2000以下的纳米结晶合金薄。
附图说明
[图1]图1为表示获得本公开的纳米结晶合金薄带的工序的一个实施方式的在线退火装置的示意图。
[图2]图2为表示本公开的介由粘接层将纳米结晶合金薄带保持于树脂膜上的工序的一个实施方式的层压工序的示意图。
[图3]图3为示意性地示出了受到外力的部位的本公开的实施方式的纳米结晶合金薄带的俯视图。
[图4]图4为表示在树脂膜上层叠多个形成了裂纹的纳米结晶合金薄带的本公开的实施方式的制造装置的图。
[图5]图5为表示本公开的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的一例的俯视图(a)和截面图(b)。
[图6]图6为表示本公开的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的另一例的俯视图(a)和截面图(b)。
[图7]图7为表示本公开的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的裂纹状态的俯视图。
[图8]图8为作为本公开的实施方式的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的应用制品的一例，示出非接触充电装置的一例电路结构的图。
具体实施方式
以下通过本公开的实施方式来具体地说明本公开，但本公开不限定于这些实施方式。
参考附图对本公开的实施方式进行说明时，关于附图中重复的构成要素和符号，有时省略其说明。附图中使用相同符号来表示的构成要素是指相同的构成要素。附图中的尺寸比率并不一定表示实际尺寸的比率。
本公开中，使用“～”所表示的数值范围表示包含“～”前后所记载的数值分别作为上限值和下限值的范围。本公开中阶段式记载的数值范围中，某个数值范围中记载的上限值或下限值也可替换为另一阶段式记载的数值范围的上限值或下限值。另外，本公开所记载的数值范围中，某个数值范围中记载的上限值或下限值也可替换为实施例中所示的值。
本公开中，序数词(例如“第一”和“第二”)是用于区分构成要素的用语，不限制构成要素的数量和构成要素的优劣。
本公开中，“工序”这一用语不仅是指独立的工序，即使在与其他工序无法明确地区别时，只要能够达成工序所期望的目的就也包含于本用语中。
本公开中，2个以上的优选方式的组合为更优选的方式。
本公开的一个实施方式涉及的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法具备：准备可纳米结晶化的非晶质合金薄带的工序；在对上述非晶质合金薄带施加张力的状态下进行纳米结晶化的热处理，获得纳米结晶合金薄带的工序；以及介由粘接层将上述纳米结晶合金薄带保持于树脂膜上的工序。
首先，记载本实施方式的准备可纳米结晶化的非晶质合金薄带的工序。
可纳米结晶化的非晶质合金薄带是通过进行热处理而产生纳米结晶的非晶质状态的合金薄带，例如可以通过使以形成纳米结晶合金的合金组成进行配合而成的熔液骤冷凝固，从而制造。使熔液骤冷凝固的方法可以使用被称作单辊法或双辊法的方法。这些是使用辊冷却的方法。该使用辊冷却的方法可应用众所周知的方法。在该使用辊冷却的方法中，使熔液连续地骤冷，获得长条状的非晶质合金薄带。骤冷凝固成薄带状所得的材料并不具备纳米结晶，为非晶质状态，然后，通过进行热处理而使纳米结晶生成(纳米结晶化)，形成纳米结晶合金薄带。需说明的是，该长条状的非晶质合金薄带多数情况下被卷绕于卷轴，以卷状的卷绕体的形式进行输送。需说明的是，可纳米结晶化的非晶质合金薄带中也有时存在微细结晶。在该情况下，微细结晶通过热处理而变成纳米结晶。
该纳米结晶合金薄带例如具有由通式：(Fe1-aMa)100-x-y-z-α-β-γCuxSiyBzM’αM”βXγ(原子％)表示的组成。上述通式中，M为Co和/或Ni，M’为选自由Nb、Mo、Ta、Ti、Zr、Hf、V、Cr、Mn和W组成的组中的至少1种元素，M”为选自由Al、铂族元素、Sc、稀土类元素、Zn、Sn和Re组成的组中的至少1种元素，X为选自由C、Ge、P、Ga、Sb、In、Be以及As组成的组中的至少1种元素，a、x、y、z、α、β、γ分别满足0≤a≤0.5、0.1≤x≤3、0≤y≤30、0≤z≤25、5≤y+z≤30、0≤α≤20、0≤β≤20以及0≤γ≤20，可以使用具有上述所示组成的物质。优选地，在上述通式中，a、x、y、z、α、β、γ分别为满足0≤a≤0.1、0.7≤x≤1.3、12≤y≤17、5≤z≤10、1.5≤α≤5、0≤β≤1以及0≤γ≤1的范围。
需说明的是，所谓准备可纳米结晶化的非晶质合金薄带的工序，是指可以制造也可以购买可纳米结晶化的非晶质合金薄带。
接着，记载在对本实施方式的非晶质合金薄带施加张力的状态下进行纳米结晶化的热处理而获得纳米结晶合金薄带的工序。
通过在对可纳米结晶化的非晶质合金薄带施加张力的状态下进行纳米结晶化的热处理，能够调节纳米结晶合金薄带的交流相对磁导率μr。并且，优选通过该工序来获得交流相对磁导率μr为100以上且2000以下的纳米结晶合金薄带。需说明的是，纳米结晶合金是指具有粒径为100nm以下的微晶组织的合金。
在交流相对磁导率μr的测定中，对于阻抗(Z)和串联等效电路的阻抗(Ls)，使用阻抗分析仪(是德科技公司制E4990A、测定夹具：16454A)，将OSC电位设定为0.03V，在25℃的温度以128kHz的频率进行测定，并基于下式来算出交流相对磁导率μr。评价样品使用将冲孔成外径20mm、内径9mm的环状所得的片重叠10～20层而成的材料。
μr＝2π×Z/(2π×μ0×f×t×n×ln(OD/ID))
Z：阻抗的绝对值
f：频率(Hz)
t：薄带厚度(m)
n：层数
μ0：真空磁导率(4×π×10-7H/m)
OD：外径(m)
ID：内径(m)
本实施方式中，例如在施加张力的状态下使非晶质合金薄带连续行进，使该非晶质合金薄带的一部分区域进行纳米结晶化。纳米结晶化通过施加结晶化开始温度以上的热来进行，例如，可采用使非晶质合金薄带在热处理炉中通过，或使非晶质合金薄带与传热介质接触的方法。具体的本实施方式中，使受到张力的状态的非晶质合金薄带在维持与传热介质接触的同时连续行进。与连续行进的非晶质合金薄带接触的传热介质被配置于非晶质合金薄带的行进路径的途中。然后，非晶质合金薄带通过传热介质，从而进行热处理，形成纳米结晶合金薄带。
在上述那样使非晶质合金连续行进的同时进行热处理的方法中，对非晶质合金薄带施加的张力方向与在接触传热介质紧前的非晶质合金薄带的行进方向、接触传热介质时的非晶质合金薄带的行进方向、以及刚从传热介质分离后的纳米结晶合金薄带的行进方向相同，均为直线状。这样，使非晶质合金薄带行进并进行热处理时的非晶质合金薄带为长条状的非晶质合金薄带，该非晶质合金薄带的长度方向与施加的张力方向相同。需说明的是，对非晶质合金薄带施加的张力方向与通过辊冷却来制造非晶质合金薄带的情况下沿着辊旋转方向的方向相同。将沿着辊旋转方向的方向也称为铸造方向，对非晶质合金薄带施加的张力方向与该铸造方向相同。如上所述，获得纳米结晶合金薄带的工序也可以具有：沿着非晶质合金薄带的长度方向对非晶质合金薄带施加张力，同时使上述非晶质合金薄带沿着上述长度方向行进，并连续地对上述非晶质合金薄带进行纳米结晶化的热处理的工序。
其中，非晶质合金薄带在相比于“接触传热介质紧前”更靠行进方向上游侧时，也可以一边经由输送辊等一边弯曲行进。同样地，由非晶质合金薄带获得的纳米结晶合金薄带在相比于“刚从传热介质分离后”更靠行进方向下游侧时，也可以一边经由输送辊等一边弯曲行进。
作为对非晶质合金薄带施加的张力，优选为1.0N～50.0N，更优选为2.0N～40.0N，特别优选为3.0N～35.0N。
张力为1.0N以上时，能够充分地降低磁导率。
张力为50.0N以下时，能够进一步抑制非晶质合金薄带或纳米结晶合金薄带的断裂。
另外，在本实施方式的纳米结晶化的热处理中，使非晶质合金薄带的温度升温至结晶化温度Tc1以上(例如430℃以上)的到达温度。由此，在合金薄带的组织中进行纳米结晶化。
到达温度优选为430℃～600℃。
在到达温度为600℃以下时(特别是B的含量为10原子％以上且20原子％以下时)，例如，能够更加降低可使纳米结晶合金薄带的软磁特性(Hc、Bs等)劣化的Fe-B化合物的析出频率。
另外，优选将所设定的到达温度与传热介质的温度设为相同的温度。
另外，将传热介质用于纳米结晶化的热处理时，作为传热介质，可列举例如板、双辊等，但优选为与非晶质合金薄带的接触面多的板状传热介质。板状传热介质的接触面优选为平面，也可设有一些曲面。另外，也可在传热介质与合金薄带的接触面设置抽吸孔，使得能够在抽吸孔处进行减压抽吸。由此，能够使合金薄带抽吸吸附于传热介质的具有抽吸孔的面，能够提高合金薄带与传热介质的接触性，提高热处理的效率。
另外，作为传热介质的材质，可列举例如铜、铜合金(青铜、黄铜等)、铝、铁、铁合金(不锈钢等)等。其中铜、铜合金或铝因热电系数(热导率)高而优选。
传热介质也可实施镀Ni、镀Ag等镀覆处理。
另外，可以另外设置对该传热介质进行加热的装置，并使加热后的传热介质与非晶质合金薄带接触，对非晶质合金薄带进行加热而进行热处理。另外，可以用任意的构件来围绕传热介质的周围。
另外，本实施方式中，也可以在升温至上述到达温度之后，在传热介质上将纳米结晶合金薄带的温度维持一定时间。
另外，本实施方式中，优选将所获得的纳米结晶合金薄带进行冷却(优选至室温)。
另外，本实施方式可以包含：通过将所获得的纳米结晶合金薄带(优选为上述冷却后的纳米结晶合金薄带)卷绕，从而获得纳米结晶合金薄带的卷绕体。
本实施方式的非晶质合金薄带的厚度优选为10μm～50μm的范围。小于10μm时，由于合金薄带本身的机械强度低，因此难以稳定地铸造长条状的合金薄带。另外，超过50μm时，合金的一部分容易结晶化，有时特性劣化。非晶质合金薄带的厚度更优选为11μm～30μm，进一步优选为12μm～27μm。
另外，非晶质合金薄带的宽度没有特别限制，优选为5mm～300mm。非晶质合金薄带的宽度为5mm以上时，非晶质合金薄带的制造适性优异。非晶质合金薄带的宽度为300mm以下时，在获得纳米结晶合金薄带的工序中，纳米结晶化的均一性更加提高。非晶质合金薄带的宽度优选为200mm以下。
需说明的是，本实施方式中，也可以设置连续线而制作纳米结晶合金薄带，即：从构成为卷状的卷绕体的非晶质合金薄带中将非晶质合金薄带卷出，一边对该非晶质合金薄带施加张力，一边使非晶质合金薄带行进，并使该行进的非晶质合金薄带与传热介质接触而进行加热，通过利用该加热进行的热处理来进行纳米结晶化，获得纳米结晶合金薄带，并将上述纳米结晶合金薄带卷绕成卷状的卷绕体。
关于设置连续线而制作纳米结晶合金薄带的方法的一个实施方式，使用图1来进行说明。图1所示的是在线退火装置150，其为进行在线退火工序的装置，即：从卷出辊112到卷取辊114，对于长条状的非晶质合金薄带实施包含升温工序～降温(冷却)工序的连续的热处理工序，从而获得纳米结晶合金薄带。
在线退火装置150具备：卷出辊112(卷出装置)，从非晶质合金薄带的卷绕体111中将合金薄带110卷出；加热板(传热介质)122，对从卷出辊112卷出的合金薄带110进行加热；冷却板(传热介质)132，使通过加热板122被加热的合金薄带110降温；以及卷取辊114(卷绕装置)，将被冷却板132降温后的合金薄带110进行卷绕。图1中以箭头R表示合金薄带110的行进方向。
卷出辊112中设置有非晶质合金薄带的卷绕体111。
通过卷出辊112沿着箭头U的方向进行轴旋转，从而从非晶质合金薄带的卷绕体111卷出合金薄带110。
该例中，卷出辊112本身可具备旋转机构(例如马达)，卷出辊112本身也可不具备旋转机构。
即使在卷出辊112本身不具备旋转机构的情况下，也可与利用后述的卷取辊114进行的合金薄带110的卷取动作发生连动，并从设置于卷出辊112的非晶质合金薄带的卷绕体111卷出合金薄带110。
图1中，如用圆圈圈起来的放大部分所示，加热板122包含从卷出辊112卷出的合金薄带110所接触的第一平面122S。该加热板122介由第一平面122S，对一边与第一平面122S接触一边在第一平面122S上行进的合金薄带110进行加热。由此，行进中的合金薄带110稳定地被迅速加热，进行纳米结晶化。
加热板122与未图示的热源连接，利用从该热源供给的热而被加热至所期望的温度。加热板122也可以取代与热源连接或除了与热源连接以外，还在加热板122本身的内部具备热源。
作为加热板122的材质，可列举例如不锈钢、Cu、Cu合金、Al合金等。
加热板122被容纳于加热室120中。
关于加热室120，也可以除了针对加热板122的热源之外另外具备用于控制加热室的温度的热源。
加热室120在合金薄带110的行进方向(箭头R)的上游侧和下游侧分别具有使合金薄带进入或退出的开口部(未图示)。合金薄带110穿过作为上游侧开口部的进入口而进入加热室120中，并且穿过作为下游侧开口部的退出口而从加热室120中退出。
另外，图1中，如用圆圈圈起来的放大部分所示，冷却板132包含合金薄带110所接触的第二平面132S。该冷却板132介由第二平面132S，对一边与第二平面132S接触一边在第二平面132S上行进的合金薄带110进行降温。
冷却板132可具有冷却机构(例如水冷机构)，也可不具有特别的冷却机构。
作为冷却板132的材质，可列举例如不锈钢、Cu、Cu合金、Al合金等。
冷却板132被容纳于冷却室130中。
冷却室130可具有冷却机构(例如水冷机构)，也可不具有特别的冷却机构。即，基于冷却室130的冷却方式可以为水冷也可以为空气冷却。
冷却室130在合金薄带110的行进方向(箭头R)的上游侧和下游侧分别具有使合金薄带进入或退出的开口部(未图示)。合金薄带110穿过作为上游侧开口部的进入口而进入冷却室130中，并且穿过作为下游侧开口部的退出口而从冷却室130中退出。
卷取辊114具备沿着箭头W方向进行轴旋转的旋转机构(例如马达)。通过卷取辊114的旋转，使得合金薄带110以所期望的速度进行卷绕。
在线退火装置150在卷出辊112与加热室120之间沿着合金薄带110的行进路径具备：引导辊41、张力调节辊60(拉伸应力调节装置之一)、引导辊42、以及一对引导辊43A和43B。拉伸应力的调节也通过卷出辊112和卷取辊114的动作控制来进行。
张力调节辊60以可移动方式设置于竖直方向(图1中两侧箭头的方向)上。通过调节该张力调节辊60在竖直方向上的位置，能够调节合金薄带110的拉伸应力。
由此，能够在对非晶质合金薄带施加张力的状态下进行纳米结晶化的热处理。
从卷出辊112卷出的合金薄带110经过这些引导辊和张力调节辊而被引导至加热室120中。
在线退火装置150在加热室120与冷却室130之间具备一对引导辊44A和44B以及一对引导辊45A和45B。
从加热室120退出的合金薄带110介由这些引导辊而被引导至冷却室130中。
在线退火装置150在冷却室130与卷取辊114之间沿着合金薄带110的行进路径具备：一对引导辊46A和46B、引导辊47；张力调节辊62、引导辊48、引导辊49、以及引导辊50。
张力调节辊62以可移动方式设置于竖直方向(图1中两侧箭头的方向)上。通过调节该张力调节辊62在竖直方向上的位置，能够调节合金薄带110的拉伸应力。
从冷却室130退出的合金薄带110介由这些引导辊和张力调节辊而被引导至卷取辊114。
在线退火装置150中，配置于加热室120的上游侧和下游侧的引导辊(43A、43B、44A以及44B)由于使合金薄带110与加热板122的第一平面整面地接触，因此具有调节合金薄带110的位置的功能。
在线退火装置150中，配置于冷却室130的上游侧和下游侧的引导辊(45A、45B、46A以及46B)由于使合金薄带110与冷却板132的第二平面整面地接触，因此具有调节合金薄带110的位置的功能。
关于本实施方式的介由粘接层将纳米结晶合金薄带保持于树脂膜上的工序，使用图2来进行说明。
图2为层压工序的一例，从辊中分别拉出纳米结晶合金薄带101、粘接层102和树脂膜103，利用设置预定间隔而配置的一对加压辊104夹持并层叠而一体化，从而制作带有树脂膜的纳米结晶合金薄带105。层压工序为介由粘接层将纳米结晶合金薄带保持于树脂膜上的工序的具体例。此处，在将纳米结晶合金薄带设为多层时，可以通过例如在树脂膜上堆叠多个纳米结晶合金薄带的工序来制作纳米结晶合金薄带的多层体。例如，可以在带有树脂膜的纳米结晶合金薄带105上进一步堆叠所需数量的粘接层102和纳米结晶合金薄带101，制作纳米结晶合金薄带的多层体。例如，在图2所示的层压工序中，通过利用一对加压辊104使多个纳米结晶合金薄带101、多个粘接层102以及树脂膜103一体化，也能够制作纳米结晶合金薄带的多层体。另外，也可以为在纳米结晶合金薄带的与树脂膜103相反的面上层叠树脂膜，并且用树脂膜夹持纳米结晶合金薄带的构成。另外，也可以使用双面胶带等形成有粘接层的树脂膜代替粘接层102来进行层压。
该带有树脂膜的纳米结晶合金薄带105也可以切断成所需形状和大小，获得适合于使用用途的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带。在该情况下，可以使用旋转刀式的切条机或剪切刀式的切割器，将带有树脂膜的纳米结晶合金薄带105切断。另外，也可以使用压模等对带有树脂膜的纳米结晶合金薄带105进行冲压、切断。
本实施方式中，树脂膜可选择易变形且富有弯曲性的材质、厚度。例如，优选厚度为10μm～100μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等树脂膜。另外，也可以使用由聚醚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺等聚酰亚胺；聚酰胺；聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯构成的树脂膜。另外，也可以使用聚丙烯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚砜、聚醚酮、聚氯乙烯、聚乙烯醇、氟树脂、丙烯酸树脂、纤维素等。从耐热性和介电损耗的观点考虑，特别优选为聚酰胺和聚酰亚胺。
树脂膜的厚度增加时，会变得难以变形，有时会阻碍沿着曲面或弯曲面来配置带有树脂膜的纳米结晶合金薄带。另外，厚度小于10μm时，树脂膜本身更容易发生变形，变得难以处理，有时也无法充分获得支撑纳米结晶合金薄带的功能。
用于贴合树脂膜和纳米结晶合金薄带的粘接层可应用丙烯酸树脂、硅树脂等以液态、片状或带状提供的粘接剂。也可以在树脂膜的一面侧薄薄地涂布液态的粘接剂而作为粘接层，或使用预先粘贴有双面胶带的树脂片。在树脂膜的粘贴纳米结晶合金薄带侧的一面的相反面、或非晶质合金薄带与树脂膜之间，出于赋予电磁波屏蔽功能的目的，可以设置5μm～30μm程度厚度的Cu箔或Al箔等导体。
纳米结晶合金薄带可以在将纳米结晶合金薄带保持于树脂膜的状态下，实施利用辊等构件进行加压等来施加外力的裂纹处理。由此，可以将纳米结晶合金薄带分割为固定形状或不固定形状的多个单片。该情况下，优选以经裂纹处理的纳米结晶合金薄带的单片等不从树脂膜脱落的方式，用另一树脂膜、粘接层等被覆层来覆盖并包夹经裂纹处理的纳米结晶合金薄带。虽然纳米结晶合金薄带可以通过脆化、加压而相对容易地产生裂纹，但是以往无法充分地降低磁导率。但在本公开中，由于使用了在施加张力的状态下进行了纳米结晶化的热处理的纳米结晶合金薄带，该纳米结晶合金薄带的磁导率小，因此能够容易地将交流相对磁导率μr调节为100以上且2000以下的范围。本公开中的裂纹是指形成于合金薄带的磁间隙，包含例如合金薄带的破裂和/或开裂。
如果实施裂纹处理而将纳米结晶合金薄带分割为多个单片，则能够获得降低涡流损耗的效果。但是，以这种方式进行分割而得的单片具有过度不固定形状时，可能会根据纳米结晶合金薄带内的区域而发生特性变化等不良状况，因此优选尽可能分割为固定形状的单片。单片的形状优选为1个边长为1mm～10mm的矩形。
在实施裂纹处理时，为了使单片接近固定形状，可考虑具备如下工序：在介由粘接层将纳米结晶合金薄带保持于树脂膜上的工序(例如图2所示的层压工序)之后，对纳米结晶合金薄带的面上的多个部位施加外力的工序(裂纹起点处理)；以及通过用辊来卷绕该带有树脂膜的纳米结晶合金薄带，从而以施加了外力的部位为起点而产生裂纹，将纳米结晶合金薄带分割为多个单片的工序(裂纹处理)。通过对经过了介由粘接层将纳米结晶合金薄带保持于树脂膜上的工序(例如图2所示的层压工序)的纳米结晶薄带系实施裂纹起点处理，能够在用辊进行卷绕并使弯曲应力起作用时，以适度的间隔形成裂纹，有助于使单片形成为固定形状。
[裂纹处理]
裂纹可以通过例如将凸状构件按压在纳米结晶合金薄带的表面而形成。凸状构件的形状可以为例如棒状或锥状。凸状构件的端部的前端可以为平坦、锥状、中央凹陷的倒锥状、或筒状。
在裂纹的形成中，可以使用有序地配置了多个凸状构件的加压构件。例如，可以使用将多个凸状构件配置于圆周面上的辊(之后称为裂纹辊)来进行裂纹的形成。例如，利用张力等将长条状的纳米结晶合金薄带按压于裂纹辊、或使长条状的纳米结晶合金薄带在裂纹辊彼此之间输送，从而能够连续地形成裂纹。另外，也可以使用多个裂纹辊来形成裂纹。
图3为示意性示出了通过多个凸状构件被有序地施加了外力的部位的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的俯视图。图案的形状相当于受到外力部分的凸状构件的前端形状。
图3(a)为示意性地示出在使用端部的截面形状为圆形的凸状构件的情况下受到外力的部位的图。
图3(b)为示意性地示出在使用端部外形为十字状的凸状构件的情况下受到外力的部位的图。
图3(c)为示意性地示出在分别使用了端部外形为在图形纵向上为线状的凸状构件、以及在横向上为线状的凸状构件的情况下受到外力的部位的图。本图中，受到外力的部位按照分别不连续且成为矩阵状的方式配置。
图3(d)为示意性地示出在使用了端部外形为相对于图形纵向倾斜了θ°(图3(d)中倾斜了45°)的线状的凸状构件和倾斜了-θ°(图3(d)中倾斜了-45°)的线状的凸状构件的情况下受到外力的部位的图。本图中，受到外力的部位如下配置：分别不连续，且其中一个线状的受到外力的部位在其延长线上在另一个受到外力的部位的两端之间交叉。
图3(e)为示意性地示出在使用了端部外形为相对于图形纵向倾斜了θ°(图3(e)中倾斜了45°)的线状的凸状构件和倾斜了-θ°(图3(e)中倾斜了-45°)的线状的凸状构件的情况下受到外力的部位的图。本图中，受到外力的部位按照分别不连续且成为倾斜的矩阵状的方式配置。
图3(f)为示意性地示出在分别使用了端部外形为在图形纵向上为线状的凸状构件和在横向上为线状的凸状构件的情况下受到外力的部位的图，其为相对于图3(c)改变了位置关系的图。凸状构件的配置并不限于图中所示，可适当地设定。
这些受到外力的部位优选形成与该受到外力的部位完全同一形态的裂纹。然而，也存在形成其他裂纹的情况、未形成同一形态的裂纹(仅部分地形成裂纹)的情况。
另外，可以将裂纹形成为线状裂纹，按照将多个裂纹连续地连接的方式形成。
形成图3(c)、图3(d)、图3(e)或图3(f)的裂纹时，例如，可以将一个凸状构件配置于裂纹辊，将另一个凸状构件配置于另一个裂纹辊，通过两个裂纹辊来依次地直接对合金薄带施加外力而形成裂纹。
使用凸状构件直接对纳米结晶合金薄带施加外力而形成裂纹后，可以通过使纳米结晶合金薄带弯曲或将其卷绕等方法来施加第二外力。由此，能够以裂纹作为脆性破坏、龟裂破坏的起点，形成将裂纹彼此连接的破裂和/或开裂(连接裂纹彼此的磁间隙)。下文中，有时将连接该裂纹彼此的破裂和/或开裂(磁间隙)称为网状裂纹。
关于本实施方式的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带中，在纳米结晶合金薄带上形成裂纹，并将形成有该裂纹的纳米结晶合金薄带层叠多层的情况下的实施方式，使用图4进行说明。
首先，在对可纳米结晶化的非晶质合金薄带施加张力的状态下进行纳米结晶化的热处理，形成纳米晶合金薄带。以下说明的工序使用该纳米结晶合金薄带来进行。
准备4个将纳米结晶合金薄带卷绕成卷状而得的卷状卷绕体。需说明的是，不限于4个，可适当地设定卷绕体的个数。
然后，进行以下工序。以下所示的具体产品名称和数值是用于详细说明工序的示例。
·工序(1)“将纳米结晶合金薄带粘接在具有粘接层和能够从上述粘接层剥离的离型膜的裂纹用胶带的粘接层上的工序”
首先，将卷绕有双面胶带2A的辊配置于4个部位。辊的数量与卷绕成辊状的纳米结晶合金薄带的卷绕体数量一致。之后，从辊中拉出双面胶带2A。双面胶带2A为离型膜1A(25μm)、粘接层(5μm)和离型膜1B(25μm)的3层结构。离型膜1A和离型膜1B为相同材质(PET)，拉伸弹性模量为3.9GPa。粘接层在基材膜的两面上被覆有丙烯酸系粘接剂。离型膜1A和离型膜1B能够从粘接层剥离。
离型膜1A可从双面胶带2A上剥离。该剥离在与从辊中拉出双面胶带2A大致相同的时机进行。本实施方式中，将由此获得的由粘接层和离型膜1B构成的胶带作为裂纹用胶带来使用。需说明的是，离型膜1B为树脂膜的一种。
然后，从卷状的卷绕体中拉出纳米结晶合金薄带4，通过压接辊将其粘接于裂纹用胶带的粘接层。纳米结晶合金薄带4为Fe-Cu-Nb-Si-B系的纳米结晶合金所构成的合金薄带(日立金属株式会社制FT-3)。
此处，离型膜优选为具有弹性的树脂制的离型膜。
如图4所示，在某个实施方式中，带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法具有：将纳米结晶合金薄带粘接于具有粘接层和能够从粘接层剥离的离型膜的裂纹用胶带的工序(工序1)；以及直接对纳米结晶合金薄带施加外力而形成裂纹的工序(后述的工序2)。在该情况下，在离型膜为树脂制时，利用离型膜的弹性来抑制在纳米结晶合金薄带的表面产生凹凸。另外，即使在纳米结晶合金薄带的表面产生凹凸，也可以利用该弹性而使凹凸变形为平坦。由此，能够制成良好平面状态的纳米结晶合金薄带，能够获得磁特性的经时变化小的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带。
例如，作为离型膜的树脂，可以使用拉伸弹性模量的下限为0.1GPa的树脂。在拉伸弹性模量为0.1GPa以上时，易于充分地获得上述效果。拉伸弹性模量的下限优选为0.5GPa，进一步优选为1.0GPa。拉伸弹性模量的上限优选设为10GPa。超过10GPa时，在形成裂纹时，有时会抑制合金薄带的变形。拉伸弹性模量的上限优选为7GPa，进一步优选为5GPa。
另外，作为离型膜，优选使用厚度为1μm～100μm的树脂。离型膜的厚度增加时变得难以变形。另外，厚度小于1μm时，离型膜本身的变形变得更容易，因此难以处理。
粘接层可以使用与树脂膜的粘接层相同的材料。例如，粘接层可以使用已知的材料，例如，可以使用压敏性粘接剂。作为压敏性粘接剂，可以使用例如丙烯酸系、有机硅系、氨基甲酸酯系、合成橡胶、天然橡胶等压敏性粘接剂。
·工序(2)“直接对纳米合金薄带施加外力而形成裂纹的工序”
利用裂纹辊5，直接对粘接于裂纹用胶带的纳米结晶合金薄带4施加外力，从而形成裂纹。在裂纹辊5中，凸状构件有序地配置于圆周面上。在形成裂纹时，为了避免来自裂纹辊的外力散开，也可以在离型膜1B侧配置用于将纳米结晶合金薄带4按压于裂纹辊侧的压缩辊。
·工序(3)“将离型膜从粘接层剥离，形成具有粘接层和形成有裂纹的纳米结晶合金薄带的片构件的工序”
将离型膜1B从裂纹用胶带剥离，使粘接层暴露出。由此，形成具有粘接层和形成有裂纹的纳米结晶合金薄带的片构件。也可以利用将离型膜1B剥离时所产生的对于纳米结晶合金薄带4的外力来形成网状裂纹。
图4中，具备4个工序(1)～工序(3)的机构。但是，并不限定为4个，也可根据目的而设定为5个以上，也可以为3个以下。
需说明的是，在层叠多层的纳米结晶合金薄带时，关于最下层的纳米结晶合金薄带，可使离型膜维持原样，并将该离型膜作为带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的树脂膜来使用。
·工序(4)“形成带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的工序”
通过压接辊将片构件层叠并粘接于树脂膜6A上。以使片构件的粘接层与树脂膜抵接的方式进行层叠。进一步，通过压接辊将下一个片构件层叠、粘接在其上。重复上述过程，以粘接层与纳米结晶合金薄带交替的方式层叠。由此，形成带有树脂膜6A的纳米结晶合金薄带。
进一步，图4中，树脂膜6a被粘接在层叠的纳米结晶合金薄带上。树脂膜6a介由另一双面胶带2B的粘接层而粘接于纳米结晶合金薄带的层叠体。双面胶带2B为离型膜1C、粘接层(5μm)和离型膜1D的3层结构。离型膜1C和离型膜1D能够从粘接层剥离。将离型膜1C从双面胶带2B剥离，并通过压接辊使露出的粘接层与纳米结晶合金薄带4粘接。之后，将离型膜1D剥离。再之后，将树脂膜6a压接于双面胶带2B的粘接层。树脂膜6a为厚度25μm的PET制保护膜。
需说明的是，树脂膜6A为厚度5μm的粘接层与厚度75μm的树脂膜的2层结构。需说明的是，该树脂膜能够从粘接层剥离。利用压接辊将片构件的粘接层和树脂膜的粘接层粘接。树脂膜被剥离，粘接层露出，能够将纳米结晶合金薄带粘贴于电子设备等。
然后，通过切割器7将带有树脂膜的纳米结晶合金薄带切断成所需的大小，并输送至托盘8。也可以通过冲模等替代切割器7来加工成所需的形状。
图5表示示意性地示出将片构件层叠于树脂膜6A而得的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的俯视图(a)和截面图(b)。此处，截面图(b)为俯视图(a)的A-A截面图。纳米结晶合金薄带4’介由粘接层6b而层叠、粘接于树脂膜6A。另外，在纳米结晶合金薄带4’中形成有裂纹9’。裂纹9’通过按压在圆周面上有序地配置有线状的凸状构件的裂纹辊而形成，断断续续地形成了线状的裂纹9’。
图6表示示意性地示出在树脂膜6A上层叠多个纳米结晶合金薄带而成的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的俯视图(a)和截面图(b)。此处，截面图(b)为俯视图(a)的D-D截面图。
如图6(a)所示，在粘接于树脂膜6a的纳米结晶合金薄带4’上层叠有片构件10c1～片构件10c3。分别形成于第一片构件10c1～第三片构件10c3的裂纹9、9-1、9-2以及在粘接于树脂膜6A的纳米结晶合金薄带4’中形成的裂纹9’形成在从层叠方向观察时的不同位置。这样，在本公开的优选实施方式中，由于直接对各个纳米结晶合金薄带施加外力而形成了裂纹，因此，与同时在多个纳米结晶合金薄带上形成裂纹的以往的制造方法不同，能够对每个纳米结晶合金薄带的层改变裂纹的位置，因此能够制成均匀地形成了磁间隙的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带。因此，即使对该带有树脂膜的纳米结晶合金薄带进一步实施冲压或切断成所需形状的加工，也能够制造磁导率随加工位置的变动小且具有稳定的屏蔽特性的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带。
在该带有树脂膜的纳米结晶合金薄带中，可以在层叠方向上在树脂膜6A的相反侧的面上层叠另一树脂膜。不管是哪个树脂膜，均能够介由粘接层(例如双面胶带)来粘接。
在本公开的优选实施方式中，并非在层叠纳米结晶合金薄带之后，而是在层叠合金薄带之前且直接对合金薄带施加外力而形成了裂纹。因此，关于所施加的外力，除了直接施加于合金薄带之外，还成为仅在一层合金薄带上形成裂纹的强度。因此，与在多个合金薄带上同时形成裂纹的方法、或从保护膜的上方施加外力而形成裂纹的方法相比，能够用较小的外力来形成裂纹。由于用于形成裂纹的外力较小，因此能够抑制形成有裂纹的纳米结晶合金薄带的表面凹凸，能够使纳米结晶合金薄带的平面状态良好。
本公开中，在纳米结晶合金薄带上形成直线状的裂纹时，例如如图7所示，优选形成为平行于纳米结晶合金薄带的铸造方向(相当于通过辊冷却进行连续铸造(骤冷凝固)时的长度方向，即沿着辊旋转方向的方向)。需说明的是，图7所示的箭头表示铸造方向。
表1显示对本公开涉及的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的一例的磁性片(如图4中说明)的交流相对磁导率μr(128kHz)进行评价所得的结果。此处，显示对2种试样进行评价所得到的结果。通过本公开涉及的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法所获得的磁性片中，300天后的变化率为3％左右或更小。
在以往的磁性片(将介由粘接层而层叠的4层合金薄带夹在2层树脂膜之间，并从树脂膜上方施加外力而形成了裂纹的磁性片)中，经过100小时时产生了7％～10％程度的变化，而在本实施方式中，即使是在300天后(7200小时后)也为3％程度或更小，根据本公开的实施例，获得了导磁率变化小的磁性片。
[表1]
No 初期 300天后 变化率
1 1,085 1,053 3.0％
2 1,009 1,029 -2.0％
本实施方式的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带可应用于磁性片。作为该磁性片的应用制品的一例，图8示出非接触充电装置的一例的电路结构。供电装置200具备：供给交流电的供电部207；整流电路202，为了将交流电整流为直流电而与供电部207连接；开关电路203，输入直流电并将其转换为预定频率的高频电流；初级传输线圈201，与开关电路203连接以使高频电流流过；谐振用电容器206，与初级传输线圈201并联，以便与开关电路203以相同的频率谐振；与开关电路203连接的控制电路204；以及与控制电路204连接的控制用初级线圈205。控制电路204基于由控制用初级线圈205获得的感应电流来控制开关电路203的动作。
受电装置300具备：次级传输线圈301，接收由初级传输线圈201产生的磁通量；整流电路302，与次级传输线圈301连接；二次电池303，与整流电路302连接；电池控制电路304，为了由二次电池303的电压来检测蓄电状况而与二次电池303连接；以及控制用次级线圈305，与电池控制电路304连接。也可以将谐振用电容器(未图示)与次级传输线圈301并联。整流后的电流除了可蓄电于二次电池303之外，还可以用于例如电子电路和驱动构件(未图示)等。电池控制电路304根据二次电池303的蓄电状况而将用于进行最优充电的信号传送至控制用次级线圈305。例如，在二次电池303已完全充电时，将该信息的信号传送至控制用次级线圈305，介由与控制用次级线圈305电磁耦合的控制用初级线圈205而将信号传送至供电装置200的控制电路204。控制电路204基于该信号而停止开关电路203。
在上述非接触充电装置中，磁性片作为初级传输线圈201的线圈轭，设置于初级传输线圈201的与次级传输线圈301相向侧的相反侧，在提高初级传输线圈201与次级传输线圈301的耦合性的同时，还发挥初级传输线圈201与其他部件等的屏蔽作用。另外，本实施方式的磁性片设置于次级传输线圈301的与初级传输线圈201相向侧的相反侧，在提高初级传输线圈201与次级传输线圈301的耦合性的同时，还发挥次级传输线圈301与其他部件(二次电池)等的屏蔽作用。
另外，本实施方式的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带也可形成为块状的层叠体或环状来使用。例如，带有树脂膜的纳米结晶合金薄带可作为电感元件等来使用。
实施例
以下基于实施例详细说明本公开。但本公开并不限制于以下实施例。
＜实施例1＞
[纳米结晶合金薄带的制造]
使用具有图1所示构成要素的制造装置，在对长条状的非晶质合金薄带(Fe-Cu-Nb-Si-B系合金)施加张力的状态下进行热处理，制造长条状的纳米结晶合金薄带(Fe-Cu-Nb-Si-B系合金)。对非晶质合金薄带施加的张力为40MPa。热处理时的非晶质合金薄带的到达温度为600℃。纳米结晶合金薄带的厚度为16μm。
[带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造]
接着，使用具有图4所示构成要素的制造装置，在具有包含PET制树脂膜和粘接层的2层结构的树脂膜上，依次层叠具有包含纳米结晶合金薄带和粘接层的2层结构的4个片构件。通过以上步骤来制造带有树脂膜的纳米结晶合金薄带。带有树脂膜的纳米结晶合金薄带所含的各个纳米结晶合金薄带上形成有裂纹。使用带有树脂膜的纳米结晶合金薄带而测定的纳米结晶合金薄带的交流相对磁导率μr如表1所示。
＜比较例1＞
除了在不施加张力的情况下进行热处理之外，通过与实施例1同样的步骤，分别制作纳米结晶合金薄带、以及带有树脂膜的纳米结晶合金薄带。使用带有树脂膜的纳米结晶合金薄带而测定的纳米结晶合金薄带的交流相对磁导率μr为约12000。
2019年5月21日申请的日本专利申请2019-095278号的公开内容以及2019年5月21日申请的日本专利申请2019-095279号的公开内容，其整体通过参照而被引入本说明书中。本说明书所记载的全部文献、专利申请和技术标准，与具体且分别记载了各个文献、专利申请和技术标准通过参照被引入的情况同等程度地，通过参照而引入本说明书中。
符号说明
1、105：带有树脂膜的纳米结晶合金薄带；1A、1B、1C、1D：离型膜；2A、2B：双面胶带；3、6b、102：粘接层；4、4'、101、110：纳米结晶合金薄带；5：裂纹辊；6A、6a、103：树脂膜；7：切割器；8：托盘；9、9'、9-1、9-2：裂纹；10c1、10c2、10c3：片构件；41、42、43A、43B、44A、44B、45A、45B、46A、46B、47、48、49、50：引导辊；112：卷出辊；114：卷取辊；122：加热板(传热介质)；132：冷却板(传热介质)；60、62：张力调节辊；104：加压辊；150：在线退火装置；200：供电装置；201：初级传输线圈；202：整流电路；203：开关电路；204：控制电路；205：控制用初级线圈；206：谐振用电容器；207：供电部；300：受电装置；301：次级传输线圈；302：整流电路；304：电池控制电路；305：控制用次级线圈。

Claims (8)

1.一种带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，其具备：
准备可纳米结晶化的非晶质合金薄带的工序；
在对所述非晶质合金薄带施加张力的状态下进行纳米结晶化的热处理，获得纳米结晶合金薄带的工序；以及
介由粘接层将所述纳米结晶合金薄带保持于树脂膜上的工序，
所述纳米结晶合金薄带的128kHz下的交流相对磁导率μr大于或等于100且小于或等于2000。
2.根据权利要求1所述的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，具备在所述树脂膜上堆叠多个所述纳米结晶合金薄带的工序。
3.根据权利要求2所述的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，在堆叠的多个所述纳米结晶合金薄带之间具备粘接层。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，所述非晶质合金薄带为通过辊冷却而制造的长条状的非晶质合金薄带，
获得所述纳米结晶合金薄带的工序具备：在沿着所述非晶质合金薄带的长度方向对所述非晶质合金薄带施加张力的同时，使所述非晶质合金薄带沿着所述长度方向行进，并连续性地对所述非晶质合金薄带进行纳米结晶化的热处理的工序。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，具备在所述纳米结晶合金薄带上形成裂纹的工序。
6.根据权利要求5所述的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，在所述纳米结晶合金薄带上形成裂纹的工序具有对所述纳米结晶合金薄带直接施加外力的工序。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，所述纳米结晶合金薄带具有以原子％计由通式(Fe1-aMa)100-x-y-z-α-β-γCuxSiyBzM’αM”βXγ表示的组成，在所述通式中，M为Co和/或Ni，M’为选自由Nb、Mo、Ta、Ti、Zr、Hf、V、Cr、Mn和W组成的组中的至少一种元素，M”为选自由Al、铂族元素、Sc、稀土元素、Zn、Sn和Re组成的组中的至少一种元素，X为选自由C、Ge、P、Ga、Sb、In、Be和As组成的组中的至少一种元素，a、x、y、z、α、β和γ分别满足0≤a≤0.5、0.1≤x≤3、0≤y≤30、0≤z≤25、5≤y+z≤30、0≤α≤20、0≤β≤20以及0≤γ≤20。
8.根据权利要求7所述的带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法，在所述通式中，a、x、y、z、α、β和γ分别满足0≤a≤0.1、0.7≤x≤1.3、12≤y≤17、5≤z≤10、1.5≤α≤5、0≤β≤1以及0≤γ≤1。
CN202080030755.XA 2019-05-21 2020-05-21 带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法 Active CN113748473B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019095279 2019-05-21
JP2019-095279 2019-05-21
JP2019095278 2019-05-21
JP2019-095278 2019-05-21
PCT/JP2020/020159 WO2020235643A1 (ja) 2019-05-21 2020-05-21 樹脂フィルム付きナノ結晶合金薄帯の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113748473A CN113748473A (zh) 2021-12-03
CN113748473B true CN113748473B (zh) 2023-06-16

Family

ID=73458512

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080031374.3A Pending CN113767443A (zh) 2019-05-21 2020-05-21 合金薄带层叠体的制造方法和合金薄带层叠体的制造装置
CN202080030755.XA Active CN113748473B (zh) 2019-05-21 2020-05-21 带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080031374.3A Pending CN113767443A (zh) 2019-05-21 2020-05-21 合金薄带层叠体的制造方法和合金薄带层叠体的制造装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20220298593A1 (zh)
EP (1) EP3974546A4 (zh)
JP (3) JP7409376B2 (zh)
CN (2) CN113767443A (zh)
TW (2) TW202102360A (zh)
WO (2) WO2020235642A1 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112735801B (zh) 2020-12-22 2022-05-13 横店集团东磁股份有限公司 一种改性纳米晶带材及其制备方法与应用
CN114171273A (zh) * 2021-05-28 2022-03-11 苏州威斯东山电子技术有限公司 一种高磁导率低损耗大功率无线充电磁性材料及制备方法
EP4358078A1 (en) * 2021-11-04 2024-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Display system and driving method of display module
JP2023144882A (ja) 2022-03-28 2023-10-11 株式会社プロテリアル 磁性シート、巻体状磁性シート、及び多層磁性シート
EP4254448A1 (en) 2022-03-28 2023-10-04 Proterial, Ltd. Multilayer magnetic sheet
WO2023190963A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 株式会社プロテリアル ナノ結晶合金薄帯の製造方法、及び磁性シートの製造方法
WO2023190770A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 株式会社プロテリアル 磁性シートの製造方法
JP7424549B1 (ja) 2022-03-30 2024-01-30 株式会社プロテリアル ナノ結晶合金薄帯及び磁性シート
JP2023152053A (ja) 2022-04-01 2023-10-16 株式会社プロテリアル 磁性シート、多層磁性シート、および、磁性シートの製造方法
EP4254442A1 (en) 2022-04-01 2023-10-04 Proterial, Ltd. Multilayer magnetic sheet
JP2023155003A (ja) 2022-04-08 2023-10-20 株式会社プロテリアル 多層磁性シート
JP2023155005A (ja) 2022-04-08 2023-10-20 株式会社プロテリアル 多層磁性シート
JP2023155004A (ja) 2022-04-08 2023-10-20 株式会社プロテリアル 多層磁性シート
JP2024009722A (ja) 2022-07-11 2024-01-23 株式会社プロテリアル 磁性シートの製造方法及び磁性シート製造装置
CN115356033A (zh) * 2022-08-16 2022-11-18 上海兰宝传感科技股份有限公司 一种应用电涡流原理的张力传感器及其检测方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61227156A (ja) * 1985-04-01 1986-10-09 Toa Kikai Seisakusho:Kk 非鉄金属板の連続熱処理装置
JPH07335450A (ja) * 1994-06-10 1995-12-22 Hitachi Metals Ltd 小型トランスおよびそれを用いたインバータ回路ならびに放電管点灯回路
FR2823507B1 (fr) * 2001-04-12 2004-03-19 Imphy Ugine Precision Procede de fabrication d'une bande en materiau nanocristallin, procede et dispositif de fabrication d'un tore magnetique, tore magnetique et utilisation du tore magnetique comme element d'un composant inductif
US6830634B2 (en) 2002-06-11 2004-12-14 Sensormatic Electronics Corporation Method and device for continuous annealing metallic ribbons with improved process efficiency
JP3753320B2 (ja) * 2002-11-14 2006-03-08 日立金属株式会社 シールド材の製造方法
EP1724792A1 (fr) * 2005-05-20 2006-11-22 Imphy Alloys Procédé de fabrication d'une bande en matériau nanocristallin et dispositif de fabrication d'un tore enroulé à partir de cette bande
JP4836749B2 (ja) 2006-10-30 2011-12-14 株式会社東芝 磁性シートの製造方法
JP2011134959A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Hitachi Metals Ltd 磁性シート
CN104011814B (zh) * 2011-12-21 2017-08-15 阿莫先恩电子电器有限公司 磁场屏蔽片及其制造方法和无线充电器用接收装置
US9507390B2 (en) * 2012-02-03 2016-11-29 Amosense Co., Ltd. Magnetic field shielding sheet for digitizer, manufacturing method thereof, and portable terminal device using same
EP2980810B1 (en) * 2013-03-28 2020-09-09 Hitachi Metals, Ltd. Magnetic sheet, electronic device using same, and method for manufacturing magnetic sheet
EP3050977B1 (en) * 2013-09-27 2018-11-21 Hitachi Metals, Ltd. Method for producing fe-based nano-crystal alloy, and method for producing fe-based nano-crystal alloy magnetic core
CN104376950B (zh) * 2014-12-12 2018-02-23 安泰科技股份有限公司 一种铁基恒导磁纳米晶磁芯及其制备方法
CN104900383B (zh) * 2015-04-27 2017-04-19 安泰科技股份有限公司 无线充电用单/多层导磁片及其制备方法
CN105632678B (zh) * 2015-12-31 2017-07-28 安泰科技股份有限公司 一种非接触式充电用柔性导磁薄片及其制备方法
JP6709839B2 (ja) * 2016-02-29 2020-06-17 日立金属株式会社 ナノ結晶合金リボンの製造方法
JP6729705B2 (ja) * 2016-09-29 2020-07-22 日立金属株式会社 ナノ結晶合金磁心、磁心ユニットおよびナノ結晶合金磁心の製造方法
KR101889226B1 (ko) * 2017-09-05 2018-08-16 삼성전기주식회사 연성 자성체 적층시트 및 그 제조방법
CN107742575A (zh) * 2017-10-10 2018-02-27 深圳市信维通信股份有限公司 一种非晶或纳米晶带材叠层的制备方法及制造系统
JP7180972B2 (ja) 2017-11-22 2022-11-30 古野電気株式会社 解析データ処理装置、解析データ処理方法、および、解析データ処理プログラム
JP2019095279A (ja) 2017-11-22 2019-06-20 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 車両位置特定システムおよび車両位置特定プログラム

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020235643A1 (ja) 2020-11-26
JPWO2020235642A1 (zh) 2020-11-26
JP2023103450A (ja) 2023-07-26
TW202102360A (zh) 2021-01-16
CN113748473A (zh) 2021-12-03
CN113767443A (zh) 2021-12-07
JP7409376B2 (ja) 2024-01-09
EP3974546A4 (en) 2023-08-02
JP7074258B2 (ja) 2022-05-24
JPWO2020235643A1 (zh) 2020-11-26
EP3974546A1 (en) 2022-03-30
US20220298593A1 (en) 2022-09-22
WO2020235642A1 (ja) 2020-11-26
TW202108787A (zh) 2021-03-01
US20220293313A1 (en) 2022-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113748473B (zh) 带有树脂膜的纳米结晶合金薄带的制造方法
CN110098043B (zh) 一种可控的阵列式无线充电导磁片制备方法
CN109741933B (zh) 一种超声波辅助的无线充电导磁片制备方法
JP2023054287A (ja) 軟磁性シートの製造方法
US12076960B2 (en) Multilayer magnetic sheet
JP2023145331A (ja) 多層磁性シート
US20230360837A1 (en) Magnetic sheet, multilayer magnetic sheet, and method for manufacturing magnetic sheet
JP2023152668A (ja) 多層磁性シート
US20230326644A1 (en) Multilayer magnetic sheet
US20230317330A1 (en) Multilayer magnetic sheet
US20230307162A1 (en) Magnetic sheet, wound magnetic sheet, and multilayer magnetic sheet
US20230321950A1 (en) Multilayer magnetic sheet
WO2023190770A1 (ja) 磁性シートの製造方法
JP7424549B1 (ja) ナノ結晶合金薄帯及び磁性シート
EP4390986A1 (en) Sheet-like magnetic member
US20230326639A1 (en) Multilayer magnetic sheet
CN116895458A (zh) 多层磁性片
CN116825500A (zh) 多层磁性片
CN117393296A (zh) 磁性片的制造方法以及磁性片制造装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: Tokyo, Japan

Applicant after: Bomeilicheng Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Applicant before: HITACHI METALS, Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant