CN113767443A - 合金薄带层叠体的制造方法和合金薄带层叠体的制造装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种合金薄带层叠体的制造方法、以及合金薄带层叠体的制造装置,该合金薄带层叠体的制造方法具有:通过直接对具有粘接层和合金薄带的第一层叠构件的上述合金薄带施加外力而在上述合金薄带中形成裂缝,得到具有上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的第一层叠体的工序;通过直接对具有粘接层和合金薄带的第二层叠构件的上述合金薄带施加外力而在上述合金薄带中形成裂缝,得到具有上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的至少1个第二层叠体的工序;以及在上述第一层叠体上层叠上述至少1个第二层叠体,得到上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带交替层叠而成的合金薄带层叠体的工序。
Description
技术领域
本公开涉及合金薄带层叠体的制造方法和合金薄带层叠体的制造装置。
背景技术
近年来,智能手机、平板电脑型信息终端或手机等电子设备正迅速普及。尤其是手机(例如智能手机)、Web终端、音乐播放器等,为了作为便携设备的利便性,需要可长时间连续使用。这些小型便携设备中使用锂离子电池等二次电池作为电源。该二次电池的充电方法有:使电力接受侧的电极与供电侧的电极直接接触而进行充电的接触充电方式;以及在供电侧和电力接受侧双方设置传输线圈,通过利用电磁感应的电力传输来进行充电的非接触充电方式。非接触充电方式中,不需要用于使供电装置与电力接受装置直接接触的电极,因此还能够使用相同供电装置对不同的电力接受装置进行充电。此外,非接触充电方式是不仅可用于便携设备、而且可用于其他电子设备、电动汽车、无人机等的技术。
非接触充电方式中,供电装置的一级传输线圈中产生的磁通量隔着供电装置和电力接受装置的壳体在电力接受装置的二级传输线圈中产生电动势从而进行供电。为了获得高电力传输效率,对于传输线圈,在与供电装置和电力接受装置的接触面的相反侧,设置作为线圈轭的磁性片。该磁性片具有以下那样的作用。
第一作用是作为磁屏蔽材料的作用。例如,如果非接触充电装置的充电作业中产生的泄漏磁通量在构成二次电池的金属构件等其他部件中流动,则这些部件由于涡流而发热。磁性片能够作为磁屏蔽材料抑制该发热。
磁性片的第二作用是,作为使充电中在线圈中产生的磁通量回流的轭构件发挥作用。
以往,非接触充电装置的磁性片中使用的主流的软磁性材料是铁氧体材料,最近,如日本特开2008-112830号公报所示,也开始使用由包含非晶合金、纳米晶合金的软磁性材料构成的合金薄带。
日本特开2008-112830号公报公开了一种磁性片的制造方法,具备在片基材上隔着粘接层粘接薄板状磁性体(合金薄带)而形成磁性片的工序、以及将上述合金薄带维持于粘接在上述片基材上的状态并为了提高Q值或降低涡流损耗而利用外力分割为多个的工序。此外,日本特开2008-112830号公报公开了下述内容:通过对合金薄带施加外力而分割成多个,在将磁性片用作例如感应器用磁性体时,能够实现Q值的提高。此外,日本特开2008-112830号公报公开了下述内容:将磁性片用作磁屏蔽用磁性体时,能够阻断合金薄带的电流通路,降低涡流损耗。进一步,日本特开2008-112830号公报公开了下述内容:将合金薄带分割成多个时,经分割的磁性体片的面积优选在0.01mm2以上25mm2以下的范围。
此外,日本特表2015-505166号公报中,作为磁性片的制造方法的一例,公开了应用下面两个步骤,也就是:1)在由至少1层非晶带构成的薄膜磁性片(合金薄带)的两个侧面附着保护膜和在露出面形成有离型膜的双面胶带,形成层叠片的步骤;以及,2)对上述层叠片进行切片处理(フレーク処理),将上述合金薄带分割成多个细片的步骤。
而且,进一步作为后续的步骤还公开了进行下述步骤:3)进一步对上述经切片处理的层叠片进行层压处理,在层叠片平坦化和纤细化的同时,将上述保护膜和双面胶带具有的第一和第二粘接层的一部分填充于上述多个细片的间隙而使其绝缘(isolation)的步骤。通过上述步骤3),进行上述片的平坦化和纤细化。
发明内容
发明所要解决的课题
将使用经分割的多个合金薄带的磁性片用于非接触充电装置的情况下,作为用于对其分割状态进行定量化的磁特性,多会代用导磁率。通常希望是128kHz的交流相对导磁率μr为100以上2000以下的磁性片。为了制成具有该导磁率数值的磁性片,有必要将合金薄带以1mm左右的间隔细小地分割。
但在如日本特表2015-505166号公报那样通过隔着树脂膜施加外力而将内部的合金薄带细小地分割为多个的情况下,因为磁性片的树脂膜的弹力大,所以在施加的外力小的情况下,无法将合金薄带细小地分割。另一方面,施加的外力大到能够将合金薄带细小地分割的程度的情况下,会在树脂膜、合金薄带表面留有凹凸。这种情况下,磁性片中,树脂膜的弹力导致合金薄带的凹凸发生变形、或分割成多个的薄带的间隔发生变化,从而交流相对导磁率μr会随着时间的经过而缓慢变化。因此,在量产时和将磁性片组装至电子设备后,交流相对导磁率μr会有所不同。结果,会产生无法充分获得电子设备的特性的问题。
因此,发明所要解决的课题在于,提供可实现减小将合金薄带分割成多个的外力的大小、使经分割的合金薄带的平面状态良好、抑制磁特性的经时变化这几者中的至少一者的合金薄带层叠体的制造方法和上述合金薄带层叠体的制造装置。
需说明的是,该合金薄带层叠体例如可适用于磁性片。但合金薄带层叠体不限定于磁性片,也可以作为形成有裂缝的合金薄带的层叠体适用于其他用途。
用于解决课题的方法
用于解决上述课题的具体方法包括以下的方式。
<1>一种合金薄带层叠体的制造方法,具有:通过直接对具有粘接层和合金薄带的第一层叠构件的上述合金薄带施加外力而在上述合金薄带中形成裂缝,得到具有上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的第一层叠体的工序;通过直接对具有粘接层和合金薄带的第二层叠构件的上述合金薄带施加外力而在上述合金薄带中形成裂缝,得到具有上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的至少1个第二层叠体的工序;以及在上述第一层叠体上层叠上述至少1个第二层叠体,得到上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带交替层叠而成的合金薄带层叠体的工序。
<2>根据<1>所述的合金薄带层叠体的制造方法,得到上述第二层叠体的工序具有:将合金薄带粘接在具有粘接层和可从上述粘接层剥离的离型膜的裂缝用胶带的上述粘接层上,得到具有上述离型膜、上述粘接层和上述合金薄带的第二层叠构件的工序;通过直接对上述第二层叠构件的上述合金薄带施加外力而在上述合金薄带中形成裂缝的工序;以及将上述离型膜剥离,得到具有上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的第二层叠体的工序。
<3>根据<1>或<2>所述的合金薄带层叠体的制造方法,得到上述第一层叠体的工序具有:将合金薄带粘接在具有粘接层和可从上述粘接层剥离的离型膜的裂缝用胶带的上述粘接层上,得到具有上述离型膜、上述粘接层和上述合金薄带的第一层叠构件的工序;通过直接对上述第一层叠构件的上述合金薄带施加外力而在上述合金薄带中形成裂缝的工序;以及将上述离型膜剥离,得到具有上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的第一层叠体的工序。
<4>根据<2>或<3>所述的合金薄带层叠体的制造方法,上述离型膜为树脂制的离型膜。
<5>根据<1>~<4>中任一项所述的合金薄带层叠体的制造方法,上述粘接层为两面被覆有粘接剂的基材膜。
<6>根据<1>~<5>中任一项所述的合金薄带层叠体的制造方法,具有:在具有粘接层和保护膜的保护层上层叠上述第一层叠体的工序。
<7>根据<1>或<2>所述的合金薄带层叠体的制造方法,得到上述第一层叠体的工序具有:将合金薄带粘接在具有粘接层和保护膜的保护层的上述粘接层上,得到具有上述保护膜、上述粘接层和上述合金薄带的第一层叠构件的工序;以及通过直接对上述第一层叠构件的上述合金薄带施加外力而在上述合金薄带中形成裂缝,得到依次具有上述保护膜、上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的第一层叠体的工序。
<8>根据<1>~<7>中任一项所述的合金薄带层叠体的制造方法,具有:将保护膜粘接在上述合金薄带层叠体的层叠方向的一个端面或两个端面上的工序。
<9>根据<6>~<8>中任一项所述的合金薄带层叠体的制造方法,上述保护膜为树脂制的保护膜。
<10>根据<1>所述的合金薄带层叠体的制造方法,得到上述第二层叠体的工序具有:在上述粘接层的与配置有上述合金薄带的面相反侧的面上配置有可从上述粘接层剥离的离型膜的状态下,直接对上述合金薄带施加外力,从而在上述合金薄带中形成上述裂缝的工序;以及将上述离型膜剥离的工序。
<11>根据<1>所述的合金薄带层叠体的制造方法,得到上述第一层叠体的工序中,上述裂缝的形成具有:在上述粘接层的与配置有上述合金薄带的面相反侧的面上配置有保护膜或可从上述粘接层剥离的离型膜的状态下,直接对上述合金薄带施加外力,从而在上述合金薄带中形成上述裂缝的工序。
<12>根据<1>~<11>中任一项所述的合金薄带层叠体的制造方法,上述裂缝的形成中,使凸状构件按压于上述合金薄带表面的多个位置而在上述合金薄带中形成多个裂缝。
<13>根据<12>所述的合金薄带层叠体的制造方法,在使上述凸状构件按压于上述合金薄带而形成上述多个裂缝后,具有形成将上述多个裂缝彼此连接的网络裂缝的工序。
<14>根据<1>~<13>中任一项所述的合金薄带层叠体的制造方法,上述合金薄带为纳米晶合金薄带。
<15>根据<14>所述的合金薄带层叠体的制造方法,上述纳米晶合金薄带是在对可纳米晶化的非晶质合金薄带施加张力的状态下进行纳米晶化的热处理而得到的纳米晶合金薄带。
<16>根据<14>或<15>所述的合金薄带层叠体的制造方法,上述纳米晶合金薄带具有通式(Fe1-aMa)100-x-y-z-α-β-γCuxSiyBzM’αM”βXγ(原子%)所示的组成,上述通式中,M为Co和/或Ni,M’为选自由Nb、Mo、Ta、Ti、Zr、Hf、V、Cr、Mn和W组成的组的至少1种元素,M”为选自由Al、铂族元素、Sc、稀土元素、Zn、Sn和Re组成的组的至少1种元素,X为选自由C、Ge、P、Ga、Sb、In、Be和As组成的组的至少1种元素,a、x、y、z、α、β和γ分别满足0≦a≦0.5、0.1≦x≦3、0≦y≦30、0≦z≦25,5≦y+z≦30、0≦α≦20、0≦β≦20和0≦γ≦20。
<17>根据<1>~<16>中任一项所述的合金薄带层叠体的制造方法,得到上述合金薄带层叠体的工序中,在上述第一层叠体上层叠上述至少1个第二层叠体而得到的上述合金薄带层叠体为长条状的合金薄带层叠体,在得到上述合金薄带层叠体的工序之后,具有将上述长条状的合金薄带层叠体卷成卷状的工序。
<18>根据<17>所述的合金薄带层叠体的制造方法,具有将卷成卷状的上述长条状的合金薄带层叠体放卷、切出的工序。
<19>根据<1>~<16>中任一项所述的合金薄带层叠体的制造方法,得到上述合金薄带层叠体的工序中,在上述第一层叠体上层叠上述至少1个第二层叠体而得到的上述合金薄带层叠体为长条状的合金薄带层叠体,在得到上述合金薄带层叠体的工序后,具有对上述长条状的合金薄带层叠体进行加工的工序。
<20>一种合金薄带层叠体的制造装置,具备:将合金薄带粘接于具有粘接层和可从上述粘接层剥离的离型膜的裂缝用胶带的上述粘接层的多个机构A;直接对粘接于上述裂缝用胶带的上述合金薄带施加外力而在上述合金薄带中形成裂缝的多个机构B;将上述离型膜剥离,形成具有上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的层叠体的多个机构C;以及将由多个上述机构A、多个上述机构B和多个上述机构C形成的具有上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的多个层叠体层叠而制成合金薄带层叠体的机构D。
<21>根据<20>所述的合金薄带层叠体的制造装置,具备对上述合金薄带层叠体进行加工的机构。
<22>根据<20>或<21>所述的合金薄带层叠体的制造装置,具备将卷成卷状的上述合金薄带放卷的机构。
发明效果
根据本公开,提供可实现减小将合金薄带分割成多个的外力的大小、使经分割的合金薄带的平面状态良好、抑制磁特性的经时变化这几者中的至少一者的合金薄带层叠体的制造方法和上述合金薄带层叠体的制造装置。例如,根据本公开,能够减小为了形成裂缝而对合金薄带施加的外力的大小,能够使形成有裂缝的合金薄带的平面状态良好。由此,在将形成有裂缝的合金薄带层叠而构成合金薄带层叠体时,能够获得平面状态良好的合金薄带层叠体。此外,能够抑制合金薄带层叠体的磁特性的经时变化。此外,能够获得可适用于磁性片的合金薄带层叠体。
附图说明
[图1]图1为显示第一实施方式的流程图。
[图2]图2为显示第二实施方式的流程图。
[图3]图3为显示第二实施方式的变形例的流程图。
[图4]图4为示意性显示通过工序(1)得到的层叠体的截面的图。
[图5]图5为示意性显示通过工序(2)得到的层叠体的图。
[图6]图6为示意性显示通过工序(3)得到的层叠体的图。
[图7]图7为示意性显示通过工序(4)得到的磁性片的图。
[图8]图8为用于说明将裂缝彼此连接的合金薄带的破裂和/或裂痕(网络裂缝)的状态的图。
[图9]图9为示意性显示通过工序(5)得到的层叠体的截面的图。
[图10]图10为示意性显示通过工序(6)得到的层叠体的图。
[图11]图11为示意性显示通过工序(7)得到的磁性片的图。
[图12]图12为示意性显示第二实施方式中得到的另外的磁性片的图。
[图13]图13为显示第一实施方式中使用的制造装置的图。
[图14]图14为显示第二实施方式中使用的制造装置的图。
[图15]图15为显示用凸状构件施加外力的位置的合金薄带的平面图。
[图16]图16为显示通过本公开涉及的合金薄带层叠体的制造方法得到的磁性片的一例的截面照片。
[图17]图17为通过以往的制造方法得到的磁性片的截面照片。
[图18]图18为通过以往的制造方法得到的磁性片的截面照片。
[图19]图19为显示制造以往的磁性片后进行了放置时导磁率的变化的图。
[图20]图20为非接触充电装置的概要图。
[图21]图21为获得纳米晶合金薄带的在线退火装置的示意图。
[图22]图22为显示形成于合金薄带的裂缝的情形的平面图。
具体实施方式
以下详细地对本公开的实施方式进行说明。本公开不受以下实施方式的任何限制,在本公开目的范围内,可以进行适当变更来实施。
参照附图对本公开的实施方式进行说明时,对于附图中重复的构成要素和符号,有时会省略说明。附图中使用相同符号表示的构成要素的意思是相同构成要素。附图中的尺寸比率不一定表示实际的尺寸比率。
本公开中,用“~”表示的数值范围表示的是包括“~”前后记载的数值分别作为下限值和上限值的范围。本公开中分段记载的数值范围中,某数值范围中记载的上限值或下限值可以替换为其他分段记载的数值范围的上限值或下限值。此外,本公开中记载的数值范围中,某数值范围中记载的上限值或下限值也可以替换为实施例所示的值。
本公开中,序数词(例如“第一”和“第二”)是为了对构成要素进行区别而使用的术语,并非对构成要素的数量和构成要素的优劣进行的限制。
本公开中,术语“工序”中,不仅包括独立的工序,在无法与其他工序明确区别的情况下,只要可实现工序希望的目的,则包括在本术语中。
本公开中,2个以上优选方式的组合是更优选的方式。
以往,为了制造层叠有多个由软磁性材料构成的合金薄带且上述合金薄带中形成有裂缝的磁性片,在将多个合金薄带层叠制成磁性片后施加外力而在合金薄带中形成裂缝。此外,使保护膜等附着在至少1层合金薄带的两个侧面形成层叠片后,进行切片处理。
本公开的一个特征在于,在层叠多个合金薄带前,直接对各合金薄带施加外力而在各合金薄带中形成裂缝。
本公开中,直接对合金薄带施加外力而形成裂缝、并且在每片合金薄带中分别形成裂缝,从而不需要用于形成裂缝的过大的外力,能够抑制合金薄带的过大变形。也就是说,能够减小为了形成裂缝而对合金薄带施加的外力的大小,能够使形成有裂缝的合金薄带的平面状态良好。
层叠多个通过上述操作得到的合金薄带,构成形成有裂缝的合金薄带与粘接层交替层叠而成的合金薄带层叠体,从而得到具有希望的特性、抑制了变形的合金薄带层叠体。本公开涉及的合金薄带层叠体例如可以作为磁性片应用。此外,本公开涉及的合金薄带层叠体也可以形成块状层叠体或环面状层叠体来使用。例如,本公开涉及的合金薄带层叠体可以作为感应元件等来使用。
本公开的一个实施方式为一种合金薄带层叠体的制造方法,具有:(1)通过直接对具有粘接层和合金薄带的第一层叠构件的上述合金薄带施加外力而在上述合金薄带中形成裂缝,得到具有上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的第一层叠体的工序;(2)通过直接对具有粘接层和合金薄带的第二层叠构件的上述合金薄带施加外力而在上述合金薄带中形成裂缝,得到具有上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的至少1个第二层叠体的工序;以及(3)在上述第一层叠体上层叠上述至少1个第二层叠体,得到上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带交替层叠而成的合金薄带层叠体的工序。
本公开一个实施方式涉及的合金薄带层叠体的制造方法中,直接对1片合金薄带施加外力而形成裂缝,因此,施加的外力在直接施加于合金薄带的基础上,是仅在1片合金薄带的量中产生裂缝的强度。结果,与层叠多个合金薄带后同时施加外力而形成裂缝的以往的制造方法、或从保护膜之上施加外力而形成裂缝的以往的制造方法相比,能够使施加的外力小,分割的合金薄带表面状态的凹凸也受到抑制,能够形成良好的平面状态。需说明的是,“良好的平面状态”的意思是,对象物表面没有凹凸或处于对象物表面的凹凸少。关于经分割的合金薄带,使用术语“良好的平面状态”的情况下,“良好的平面状态”在除了上述意思以外,还指连续观察经分割的各合金薄带时,整体处于平坦的状态。
本公开中的术语“层叠构件”是为了与具有形成有裂缝的合金薄带的层叠体进行区别而使用的,是指具有形成裂缝前的合金薄带的层叠体。如下所述,例如,通过将合金薄带粘接于具有粘接层和可从上述粘接层剥离的离型膜的裂缝用胶带的上述粘接层,可以形成层叠构件。此外,例如,通过将合金薄带粘接于具有粘接层和保护膜的保护层的上述粘接层,也可以形成层叠构件。
本公开中的术语“第二层叠体”是为了与第一层叠体进行区别而使用的,是指层叠在第一层叠体上的1个或2个以上层叠体。
本公开一个实施方式涉及的合金薄带层叠体的制造方法中,通过在第一层叠体上层叠至少1个第二层叠体,形成粘接层与形成有裂缝的合金薄带交替层叠而成的区域。例如,通过使某层叠体(例如第一层叠体)的合金薄带与另外的层叠体(例如第二层叠体)的粘接层接触,可以形成粘接层与形成有裂缝的合金薄带交替层叠而成的区域。关于合金薄带层叠体的层构成,只要具有粘接层与形成有裂缝的合金薄带交替层叠而成的区域就不受限制。粘接层与形成有裂缝的合金薄带交替层叠而成的区域的最小单位是通过层叠2个层叠体(即第一层叠体和第二层叠体)形成的“粘接层/形成有裂缝的合金薄带/粘接层/形成有裂缝的合金薄带”。层叠在第一层叠体上的第二层叠体的数量可以为2个以上。第二层叠体的数量为2个以上的情况下,例如,可以在第一层叠体上逐一层叠第二层叠体。位于合金薄带层叠体的层叠方向一方或两方的最外层可以是粘接层和形成有裂缝的金属薄带以外的层(例如保护膜)。只要能够获得粘接层与形成有裂缝的合金薄带交替层叠而成的合金薄带层叠体,也可以在第二层叠体上层叠第一层叠体。
此外,某实施方式中,合金薄带在形成裂缝时处于隔着粘接层粘接于离型膜或保护膜的状态,因此由于离型膜或保护膜的弹力,合金薄带表面凹凸的产生进一步被抑制。此外,即便合金薄带表面产生了凹凸,由于离型膜或保护膜的弹力,也会以凹凸变得平坦的方式变形。以下对在合金薄带中形成裂缝时使用离型膜或保护膜的一些实施方式进行说明。
例如,得到第一层叠体的工序中,裂缝的形成优选具有:在粘接层的与配置有合金薄带的面相反侧的面上配置有“保护膜”或可从上述粘接层剥离的“离型膜”的状态下,直接对上述合金薄带施加外力,从而在上述合金薄带中形成上述裂缝的工序。通过直接对隔着粘接层粘接于保护膜或离型膜的合金薄带施加外力,能够获得表面状态良好的合金薄带。上述方法中,保护膜或离型膜至少在直接对合金薄带施加外力时配置为好。例如,可以在分别准备具有粘接层和合金薄带的第一层叠构件与保护膜或离型膜后,在使上述第一层叠构件的上述粘接层与上述保护膜或上述离型膜接触时,直接对上述合金薄带施加外力。例如,可以在事先制作保护膜或离型膜以及具有粘接层和合金薄带的第一层叠构件后直接对上述合金薄带施加外力。可以在形成裂缝后根据需要将离型膜剥离。
例如,得到第一层叠体的工序优选具有:(1)将合金薄带粘接在具有粘接层和可从上述粘接层剥离的离型膜的裂缝用胶带的上述粘接层上,得到具有上述离型膜、上述粘接层和上述合金薄带的第一层叠构件的工序;(2)通过直接对上述第一层叠构件的上述合金薄带施加外力而在上述合金薄带中形成裂缝的工序;以及(3)将上述离型膜剥离,得到具有上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的第一层叠体的工序。通过直接对隔着粘接层粘接于离型膜的合金薄带施加外力,能够获得表面状态良好的合金薄带。
例如,得到第一层叠体的工序优选具有:(1)将合金薄带粘接在具有粘接层和保护膜的保护层的上述粘接层上,得到具有上述保护膜、上述粘接层和上述合金薄带的第一层叠构件的工序;以及(2)通过直接对上述第一层叠构件的上述合金薄带施加外力而在上述合金薄带中形成裂缝,得到依次具有上述保护膜、上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的第一层叠体的工序。通过直接对隔着粘接层粘接于保护膜的合金薄带施加外力,能够获得表面状态良好的合金薄带。
例如,得到第二层叠体的工序优选具有:(1)在粘接层的与配置有合金薄带的面相反侧的面上配置有可从上述粘接层剥离的离型膜的状态下,直接对上述合金薄带施加外力,从而在上述合金薄带中形成上述裂缝的工序;以及(2)将上述离型膜剥离的工序。通过直接对隔着粘接层粘接于离型膜的合金薄带施加外力,能够获得表面状态良好的合金薄带。上述方法中,离型膜至少在直接对合金薄带施加外力时配置为好。例如,可以在分别准备具有粘接层和合金薄带的第二层叠构件以及离型膜后,在使上述第二层叠构件的上述粘接层与上述离型膜接触时,直接对上述合金薄带施加外力。例如,可以在事先制作离型膜以及具有粘接层和合金薄带的第二层叠构件后,直接对上述合金薄带施加外力。
例如,得到第二层叠体的工序优选具有:(1)将合金薄带粘接在具有粘接层和可从上述粘接层剥离的离型膜的裂缝用胶带的上述粘接层上,得到具有上述离型膜、上述粘接层和上述合金薄带的第二层叠构件的工序;(2)通过直接对上述第二层叠构件的上述合金薄带施加外力而在上述合金薄带中形成裂缝的工序;以及(3)将上述离型膜剥离,得到具有上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的第二层叠体的工序。通过直接对隔着粘接层粘接于离型膜的合金薄带施加外力,能够获得表面状态良好的合金薄带。
如上所述,本公开涉及的合金薄带层叠体是将平面状态良好的合金薄带层叠而制造的,因而,合金薄带层叠体表面也为良好的平面状态。
上述的结果是,减少了使磁特性变动的要因,因而能够获得磁特性的经时变化小的合金薄带层叠体。
本公开涉及的合金薄带层叠体可以是长条状的合金薄带层叠体。得到合金薄带层叠体的工序中,在第一层叠体上重叠至少1个第二层叠体而得到的上述合金薄带层叠体优选为长条状的合金薄带层叠体。长条状的合金薄带层叠体例如可以使用长条的合金薄带来制造。在得到合金薄带层叠体的工序中得到长条状的合金薄带层叠体的情况下,本公开一个实施方式涉及的合金薄带层叠体的制造方法优选在得到合金薄带层叠体的工序之后具有将长条状的合金薄带层叠体卷成卷状的工序。进一步,本公开一个实施方式涉及的合金薄带层叠体的制造方法优选具有将卷成卷状的长条状的合金薄带层叠体放卷、切出的工序。此外,在得到合金薄带层叠体的工序中得到长条状的合金薄带层叠体的情况下,本公开一个实施方式涉及的合金薄带层叠体的制造方法优选在得到上述合金薄带层叠体的工序之后具有对上述长条状的合金薄带层叠体进行加工(优选为切出)的工序。通过上述工序,能够获得加工成希望的形状的合金薄带层叠体。
以下进一步详细地对本公开进行说明,但本公开不受这些实施方式的限定。
需说明的是,以下,对本公开的合金薄带层叠体进行说明时,以作为合金薄带层叠体的一个方式的磁性片为例进行说明。该磁性片对应于本公开的合金薄带层叠体。
[磁性片]
本公开的磁性片的一例是:层叠有多个由软磁性材料构成的合金薄带、而且合金薄带中形成有裂缝的磁性片。需说明的是,本公开中的裂缝是指合金薄带中形成的磁隙,例如包括合金薄带的破裂和/或裂痕。
磁性片优选具有形成有将裂缝彼此连接的合金薄带的破裂和/或裂痕(以后称为网络裂缝)的合金薄带。
通过在合金薄带中形成网络裂缝,例如得到日本特开2018-112830号公报中记载的效果。也就是说,在将磁性片用作感应器用磁性体时,进一步实现了Q值的提高。此外,将磁性片用作磁屏蔽用磁性体时,能够将合金薄带的电流通路阻断,使涡流损耗进一步降低。
本公开的磁性片中层叠有多个合金薄带。合金薄带彼此例如通过粘接层层叠。粘接层例如可以使用丙烯酸系粘接剂、有机硅系粘接剂、氨基甲酸酯系粘接剂、合成橡胶、天然橡胶等已知的粘接剂来形成。丙烯酸系粘接剂的耐热性、耐湿性优异,而且可粘接的材质范围也很宽,因此是优选的。本公开的粘接层可以具有单层结构或多层结构。例如,粘接层可以是含有粘接剂、具有单层结构的粘接层。粘接层也可以是两面被覆有粘接剂的基材膜(层构成:粘接剂/基材膜/粘接剂)。
合金薄带层叠有3层以上的情况下,各层之间的粘接层可以相同也可以不同。
[保护膜]
此外,磁性片可以进一步层叠有保护膜。保护膜以使合金薄带不会由于非故意的外力导致裂缝或网络裂缝不必要地增加、或者脱落、或者生锈的方式发挥功能。此外,以使得在将磁性片加工成规定形状时不会发生表面凹凸的产生等不必要的变形的方式发挥功能。
保护膜可以以单体形式层叠,也可以作为具有粘接层和保护膜的保护层来层叠。以单体形式层叠的情况下,合金薄带与保护膜通过后述片构件(是本公开中的层叠体的一例。以下同。)的粘接层粘接。作为保护层来层叠的情况下,合金薄带与保护膜通过保护层的粘接层粘接。
保护膜优选以将露出的合金薄带覆盖的方式层叠。
此外,在磁性片上形成保护层的情况下,可以使用下述方法:在保护层上层叠片构件的方法;或者在保护层上粘接合金薄带,直接对该合金薄带施加外力而在合金薄带中形成裂缝,在形成有裂缝的合金薄带上层叠片构件的方法。作为前一方法的具体例子,可列举在具有粘接层和保护膜的保护层上层叠第一层叠体的工序。上述工序中,优选使保护层的粘接层与第一层叠体的粘接层接触。
保护膜优选为树脂制的保护膜,更优选为具有弹性的树脂制的保护膜。如上所述,例如,得到第一层叠体的工序可以具有:(1)将合金薄带粘接在具有粘接层和保护膜的保护层的上述粘接层上,得到具有上述保护膜、上述粘接层和上述合金薄带的第一层叠构件的工序;以及(2)通过直接对上述第一层叠构件的上述合金薄带施加外力而在上述合金薄带中形成裂缝,得到依次具有上述保护膜、上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的第一层叠体的工序。如果保护膜为树脂制,则由于保护膜的弹力,合金薄带表面凹凸的产生本身进一步被抑制。此外,即便合金薄带表面产生了凹凸,由于保护膜的弹力,也会以凹凸变得平坦的方式变形。由此,能够制成平面状态良好的合金薄带,能够获得磁特性的经时变化小的磁性片。例如,作为保护膜的树脂,可以使用拉伸模量的下限为0.1GPa的树脂。如果拉伸模量为0.1GPa以上,则容易充分获得上述效果。拉伸模量的下限优选为0.5GPa,进一步优选为1.0GPa。拉伸模量的上限优选设为10GPa。如果拉伸模量超过10GPa,则在形成裂缝时,有时会抑制合金薄带的变形。拉伸模量的上限优选为7GPa,进一步优选为5GPa。
此外,保护膜优选为厚度1μm~100μm的保护膜。如果保护膜的厚度增加,则变得难以变形,有时会阻碍将磁性片沿着曲面或弯曲面配置。此外,如果厚度小于1μm,则保护膜本身的变形更为容易,因而存在操作变得困难、同时无法充分获得支撑合金薄带的功能的情况。此外,膜的强度变弱,因而存在保护功能不充分的情况。
智能手机、手机等便携设备中使用的磁性片要求较薄。因此,便携设备用的磁性片优选将保护膜的厚度的上限设为100μm以下,进一步优选设为20μm。
此外,保护层中,保护膜可以是可从粘接层剥离的离型膜。这种情况下,保护层作为保护层发挥功能直至将保护膜剥离。
将保护膜剥离后,磁性片通过粘接层被粘接在电子设备等被屏蔽物上。
这种情况下,以提高磁性片的加工性为目的,保护膜也可以使用厚度超过20μm的膜。
保护膜可以层叠在磁性片的层叠方向的一个端面或两个端面上。可以将配置在磁性片的层叠方向的两个端面上的保护膜的至少一方设为可从粘接层剥离的膜。例如,可以通过在磁性片的层叠方向的一个端面或两个端面粘接保护膜的工序,在磁性片的层叠方向的一个端面或两个端面上层叠保护膜。
此外,保护膜可以在层叠多个片构件而得到合金薄带层叠体后,粘接在合金薄带层叠体的层叠方向的一个端面或两个端面上。
作为保护膜的树脂,例如可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚砜、聚醚酮、聚氯乙烯、聚乙烯醇、氟树脂、丙烯酸系树脂、纤维素等。从耐热性和介电损耗的观点出发,特别优选聚酰胺和聚酰亚胺。
作为保护层的粘接层,可以使用已知物质,例如可以使用压敏粘接剂。作为压敏粘接剂,例如可以使用丙烯酸系、有机硅系、氨基甲酸酯系、合成橡胶、天然橡胶等压敏粘接剂。粘接层也可以是两面被覆有粘接剂的基材膜(层构成:粘接剂/基材膜/粘接剂)。
[合金薄带]
作为合金薄带,例如可以使用通过辊骤冷制造的厚度100μm以下的合金薄带。合金薄带的厚度优选为50μm以下,进一步优选为30μm以下,特别优选为25μm以下。此外,如果合金薄带的厚度太薄,则难以操作,因此合金薄带的厚度优选为5μm以上,进一步优选为10μm以上。
例如,合金薄带是Fe基或Co基的合金组成,可以使用纳米晶合金或非晶合金的合金薄带。
作为合金薄带,特别优选使用由纳米晶合金构成的合金薄带(以下有时称为“纳米晶合金薄带”。)。纳米晶合金薄带在机械性上比非晶合金薄带脆,直接对合金薄带施加外力而形成裂缝时,可利用小的外力形成裂缝。因此,能够形成裂缝而基本不在合金薄带表面形成凹凸,因而能够制成平面状态良好的合金薄带,制成磁性片后合金薄带的形状的经时变化也小,能够抑制磁特性的经时变化。
如上所述,某实施方式中,裂缝的形成是通过在粘接层的与配置有合金薄带的面相反侧的面上配置有保护膜或可从上述粘接层剥离的离型膜的状态下直接对上述合金薄带施加外力来进行。根据上述方法,能够简单地在纳米晶合金薄带中形成裂缝,因而能够抑制外力导致的离型膜或保护膜的变形。因此,能够制成平面状态良好的合金薄带,能够获得磁特性的经时变化小的磁性片。
由纳米晶合金构成的合金薄带例如通过包括下述工序的制造方法来制造:使合金熔液骤冷,得到可纳米晶化的非晶合金薄带的工序;以及将该非晶合金薄带在结晶化起始温度以上进行热处理,形成微细的晶粒的热处理工序。热处理的温度根据合金组成的不同而不同,一般为450℃以上。
微细晶粒例如是有Si等固溶的体心立方晶格结构的Fe。该微细晶粒的分析可以使用X射线衍射和透射电子显微镜来进行。纳米晶合金中,纳米晶合金的至少50体积%被按最大尺寸测定的粒径的平均值为100nm以下的微细晶粒占据。此外,纳米晶合金中微细晶粒以外的部分主要是非晶质。微细晶粒的比例可以基本上为100体积%。
此外,作为纳米晶合金薄带,可以使用在对可纳米晶化的非晶质合金薄带施加张力的状态下进行纳米晶化的热处理而得到的纳米晶合金薄带。
作为可纳米晶化的非晶合金薄带的合金组成,例如可列举下面通式所示的组成。例如,通过对具有下面通式所示组成的非晶合金薄带进行热处理,能够获得具有下面通式所示组成的纳米晶合金薄带。纳米晶合金薄带优选具有下面通式所示的组成。
通式:(Fe1-aMa)100-x-y-z-α-β-γCuxSiyBzM’αM”βXγ(原子%)
上述通式中,M为Co和/或Ni,M’为选自由Nb、Mo、Ta、Ti、Zr、Hf、V、Cr、Mn和W组成的组的至少1种元素,M”为选自由Al、铂族元素、Sc、稀土元素、Zn、Sn和Re组成的组的至少1种元素,X为选自由C、Ge、P、Ga、Sb、In、Be和As组成的组的至少1种元素,a、x、y、z、α、β和γ分别满足0≦a≦0.5、0.1≦x≦3、0≦y≦30、0≦z≦25、5≦y+z≦30、0≦α≦20、0≦β≦20和0≦γ≦20。
优选上述通式中,a、x、y、z、α、β和γ分别为0≦a≦0.1、0.7≦x≦1.3、12≦y≦17、5≦z≦10、1.5≦α≦5、0≦β≦1和0≦γ≦1。
接下来,对使用在对可纳米晶化的非晶质合金薄带施加张力的状态下进行纳米晶化的热处理而得到的纳米晶合金薄带作为合金薄带时的热处理的实施方式进行说明。
首先,对准备本实施方式的可纳米晶化的非晶质合金薄带的工序进行记载。
可纳米晶化的非晶质合金薄带例如是指通过热处理生成纳米晶的非晶质状态的合金薄带,可以通过使配合在作为纳米晶合金的合金组成中的金属液骤冷凝固来制造。使金属液骤冷凝固的方法可以使用被称为单辊法或双辊法的方法。这些是使用辊冷却的方法。该使用辊冷却的方法可以应用众所周知的方法。该使用辊冷却的方法中,使金属液连续骤冷,得到长条的非晶质合金薄带。呈薄带状骤冷凝固的是不具备纳米晶的非晶质状态的物质,然后,通过进行热处理生成纳米晶(纳米晶化),形成纳米晶合金薄带。需说明的是,该长条的非晶质合金薄带大多卷曲在卷轴上,作为卷状的卷绕体输送。需说明的是,有时,可纳米晶化的非晶质合金薄带中也存在微细结晶。这种情况下,微细结晶通过热处理形成纳米晶。
接下来,对于在对本实施方式的非晶质合金薄带施加张力的状态下进行纳米晶化的热处理、得到纳米晶合金薄带的工序进行记载。
通过在对可纳米晶化的非晶质合金薄带施加张力的状态下进行纳米晶化的热处理,能够对纳米晶合金薄带的交流相对导磁率μr进行调整。而且,优选通过该工序得到交流相对导磁率μr为100以上2000以下的纳米晶合金薄带。需说明的是,纳米晶合金是具有粒径100nm以下的微晶组织的合金。
本实施方式中,例如,使非晶质合金薄带在施加张力的状态下连续走行,使该非晶质合金薄带的部分区域纳米晶化。纳米晶化是通过施加结晶化起始温度以上的热来进行的,例如可以采用使其通过热处理炉之中或与传热介质接触的方法。在具体的本实施方式中,例如使施加了张力的状态下的非晶质合金薄带与传热介质接触,使非晶质合金薄带在维持与传热介质接触的同时连续走行。然后,非晶质合金薄带通过传热介质而被热处理,成为纳米晶合金薄带。
此时,施加于非晶质合金薄带的张力的方向与马上和传热介质接触前的非晶质合金薄带的走行方向、和传热介质接触时的非晶质合金薄带的走行方向、以及刚刚离开传热介质后的纳米晶合金薄带的走行方向是同样的,均为直线状。以这种方式使非晶质合金薄带走行而进行处理情况下的非晶质合金薄带为长条的非晶质合金薄带,该非晶质合金薄带的长度方向与施加的张力的方向是同样的。
但非晶质合金薄带在“马上与传热介质接触前”的走行方向上游侧,可以在经过输送辊等的同时蜿蜒走行。同样地,由非晶质合金薄带得到的纳米晶合金薄带在“刚刚离开传热介质后”的走行方向下游侧,可以在经过输送辊等的同时蜿蜒走行。
作为该张力,优选为1.0N~50.0N,更优选为2.0N~40.0N,特别优选为3.0N~35.0N。
如果张力为1.0N以上,则能够使导磁率充分降低。
如果张力为50.0N以下,则能够进一步抑制非晶质合金薄带或纳米晶合金薄带的断裂。
此外,本实施方式的纳米晶化的热处理中,使非晶质合金薄带升温至结晶化温度Tc1以上(例如430℃以上)的到达温度。由此,纳米晶化在合金薄带的组织中进行。
到达温度优选为430℃~600℃。
到达温度为600℃以下时(特别是B的含量为10原子%以上20原子%以下时),例如,能够使得可使纳米晶合金薄带的软磁特性(Hc、Bs等)劣化的Fe-B化合物的析出频率更低。
此外,优选将设定的到达温度与传热介质的温度设为相同温度。
此外,纳米晶化的热处理中使用传热介质的情况下,作为传热介质,可列举例如板、双辊等,优选与非晶质合金薄带接触的面多的板状介质。板状的接触面优选为平面,也可以设置一些曲面。此外,还可以在传热介质与合金薄带的接触面设置吸引孔,从吸引孔进行减压吸引。由此,能够将合金薄带吸引吸附至传热介质的具有吸引孔的面,合金薄带与传热介质的接触性提高,能够提高热处理效率。
此外,作为传热介质的材质,可列举例如铜、铜合金(青铜、黄铜等)、铝、铁、铁合金(不锈钢等)等。其中,铜、铜合金或铝的热传导率(热导率)高,是优选的。
传热介质可以实施镀Ni、镀Ag等电镀处理。
此外,可以另外设置对该传热介质进行加热的构件,使经加热的传热介质与非晶质合金薄带接触而将非晶质合金薄带加热,进行热处理。此外,也可以用任选的构件围绕在传热介质周围。
此外,本实施方式中,可以在升温至到达温度后,在传热介质上使纳米晶合金薄带的温度保持一定时间。
此外,本实施方式中,优选对得到的纳米晶合金薄带进行冷却(优选至室温)。
此外,本实施方式可以包括通过将得到的纳米晶合金薄带(优选为上述冷却后的纳米晶合金薄带)卷起来而得到纳米晶合金薄带的卷绕体。
本实施方式的可纳米晶化的非晶质合金薄带的厚度优选在10μm~50μm的范围。小于10μm则合金薄带本身的机械强度低,因此难以稳定铸造长条的合金薄带。此外,如果超过50μm,则合金容易部分结晶化,存在特性劣化的情况。非晶质合金薄带的厚度更优选为11μm~30μm,进一步优选为12μm~27μm。
此外,非晶质合金薄带的宽度没有特别限制,优选为5mm~300mm。如果非晶质合金薄带的宽度为5mm以上,则非晶质合金薄带的制造适性优异。如果非晶质合金薄带的宽度为300mm以下,则在得到纳米晶合金薄带的工序中,纳米晶化的均匀性更高。非晶质合金薄带的宽度优选为200mm以下。
需说明的是,本实施方式中,也可以设置下述连续生产线(連続ライン)来制作纳米晶合金薄带:从构成为卷状卷绕体的非晶质合金薄带将非晶质合金薄带放卷,在对该非晶质合金薄带施加张力的同时使非晶质合金薄带走行,使该走行的非晶质合金薄带与传热介质接触而进行加热,通过该加热进行热处理,由此进行纳米晶化,得到纳米晶合金薄带,将该纳米晶合金薄带卷成卷状卷绕体。
使用图21对设置连续生产线而制作纳米晶合金薄带的方法的一个实施方式进行说明。图21显示的是在线退火装置150,是进行下述在线退火工序的装置:从放卷辊到卷绕辊,对于长条的非晶质合金薄带实施包括升温工序~降温(冷却)工序的连续热处理工序,得到纳米晶合金薄带。
在线退火装置150具备从非晶质合金薄带的卷绕体111将合金薄带110放卷的放卷辊112(放卷装置)、对从放卷辊112放卷的合金薄带110进行加热的加热板(传热介质)122、使被加热板122加热的合金薄带110降温的冷却板(传热介质)132、以及将被冷却板132降温的合金薄带110卷绕的卷绕辊114(卷绕装置)。图21中,用箭头R表示合金薄带110的走行方向。
放卷辊112上放置有非晶质合金薄带的卷绕体111。
通过放卷辊112在箭头U的方向上轴旋转,合金薄带110从非晶质合金薄带的卷绕体111放卷。
该例子中,放卷辊112本身可以具备旋转机构(例如马达),放卷辊112本身也可以不具备旋转机构。
放卷辊112本身不具备旋转机构时,与后述通过卷绕辊114进行的合金薄带110的卷绕动作联动,将合金薄带110从置于放卷辊112的非晶质合金薄带的卷绕体111放卷。
图21中,如圆圈包围的放大部分所示,加热板122包括从放卷辊112放卷的合金薄带110一边接触一边走行的第一平面122S。该加热板122通过第一平面122S对一边与第一平面122S接触一边在第一平面122S上走行的合金薄带110进行加热。由此,走行中的合金薄带110被稳定地迅速加热而纳米晶化。
加热板122与图中未显示的热源连接,利用从该热源供应的热,加热至希望的温度。加热板122中,代替与热源连接或在与热源连接的基础上,可以在加热板122自身内部具备热源。
作为加热板122的材质,可列举例如不锈钢、Cu、Cu合金、Al合金等。
加热板122收纳在加热室120中。
加热室120也可以具备与针对加热板122的热源不同的用于控制加热室的温度的热源。
加热室120分别在合金薄带110的走行方向(箭头R)上游侧和下游侧具有合金薄带进入或退出的开口部(图中未显示)。合金薄带110通过作为上游侧的开口部的进入口进入加热室120内,通过作为下游侧的开口部的退出口从加热室120内退出。
此外,图21中,如圆圈包围的放大部分所示,冷却板132包括合金薄带110一边接触一边走行的第二平面132S。该冷却板132通过第二平面132S对一边与第二平面132S接触一边在第二平面132S上走行的合金薄带110进行降温。
冷却板132可以具有冷却机构(例如水冷机构),也可以不具有特别的冷却机构。
作为冷却板132的材质,可列举例如不锈钢、Cu、Cu合金、Al合金等。
冷却板132收纳在冷却室130中。
冷却室130可以具有冷却机构(例如水冷机构),也可以不具有特别的冷却机构。即,利用冷却室130冷却的方式可以是水冷,也可以是气冷。
冷却室130分别在合金薄带110的走行方向(箭头R)上游侧和下游侧具有合金薄带进入或退出的开口部(图中未显示)。合金薄带110通过作为上游侧的开口部的进入口进入冷却室130内,通过作为下游侧的开口部的退出口从冷却室130内退出。
卷绕辊114具备在箭头W的方向上轴旋转的旋转机构(例如马达)。通过卷绕辊114的旋转,合金薄带110以希望的速度被卷绕。
在线退火装置150中,在放卷辊112与加热室120之间,沿着合金薄带110的走行路径,具备导辊41、松紧调节辊60(拉伸应力调节装置的一种)、导辊42、以及一对导辊43A和43B。拉伸应力的调节也通过放卷辊112和卷绕辊114的动作控制来进行。
松紧调节辊60以可在铅直方向(图21中两侧箭头的方向)上移动的方式设置。通过调整该松紧调节辊60在铅直方向的位置,可以调整合金薄带110的拉伸应力。
由此,能够在对非晶质合金薄带施加张力的状态下进行纳米晶化的热处理。
从放卷辊112放卷的合金薄带110经由这些导辊和松紧调节辊被导入加热室120内。
在线退火装置150在加热室120与冷却室130之间具备一对导辊44A和44B、以及一对导辊45A和45B。
从加热室120退出的合金薄带110经由这些导辊被导入冷却室130内。
在线退火装置150中,在冷却室130与卷绕辊114之间,沿着合金薄带110的走行路径,具备一对导辊46A和46B、导辊47、松紧调节辊62、导辊48、导辊49、以及导辊50。
松紧调节辊62以可在铅直方向(图21中两侧箭头的方向)上移动的方式设置。通过调节该松紧调节辊62在铅直方向的位置,可以调整合金薄带110的拉伸应力。
从冷却室130退出的合金薄带110经由这些导辊和松紧调节辊被引导至卷绕辊114。
在线退火装置150中,为了使合金薄带110与加热板122的第一平面122S全面接触,配置在加热室120上游侧和下游侧的导辊(43A、43B、44A和44B)具有调整合金薄带110的位置的功能。
在线退火装置150中,为了使合金薄带110与冷却板132的第二平面132S全面接触,配置在冷却室130上游侧和下游侧的导辊(45A、45B、46A和46B)具有调整合金薄带110的位置的功能。
可以利用该在线退火装置150制作纳米晶合金薄带、使用该纳米晶合金薄带制作上述合金薄带层叠体。
[裂缝用胶带]
某实施方式中,在合金薄带中形成裂缝时,在上述合金薄带上粘接有裂缝用胶带。
裂缝用胶带具有粘接层和可从上述粘接层剥离的离型膜。上述裂缝用胶带粘接于合金薄带的单侧,在合金薄带产生裂缝时支撑合金薄带。然后,将离型膜剥离,使粘接层露出,制成具有粘接层和形成有裂缝的合金薄带的片构件(本公开的层叠体的一例)。片构件可以通过粘接层与其他合金薄带等粘接。裂缝用胶带的粘接层残留在磁性片上。有时,离型膜在制造过程中会从粘接层剥离,因而存在不残留在磁性片上的情况。
[离型膜]
离型膜优选为树脂制的离型膜,更优选为具有弹性的树脂制的离型膜。
本公开一个实施方式涉及的合金薄带层叠体的制造方法具有在具有粘接层和可从粘接层剥离的离型膜的裂缝用胶带上粘接合金薄带的工序、以及直接对合金薄带施加外力而形成裂缝的工序。这种情况下,如果离型膜是树脂制的,则由于离型膜的弹力,合金薄带表面凹凸的产生本身受到抑制。此外,即便合金薄带表面产生了凹凸,由于离型膜的弹力,也会以凹凸变得平坦的方式变形。由此,能够制成平面状态良好的合金薄带,能够获得磁特性的经时变化小的磁性片。
例如,作为离型膜的树脂,可以使用拉伸模量的下限为0.1GPa的树脂。如果拉伸模量为0.1GPa以上,则容易充分获得上述效果。拉伸模量的下限优选为0.5GPa,进一步优选为1.0GPa。拉伸模量的上限优选设为10GPa。如果超过10GPa,则在形成裂缝时,有时会抑制合金薄带的变形。拉伸模量的上限优选为7GPa,进一步优选为5GPa。离型膜的树脂可以使用与保护层的保护膜的树脂相同的物质。
此外,离型膜优选为厚度1μm~100μm的离型膜。如果离型膜的厚度增加则难以变形,有时会阻碍磁性片沿着曲面或弯曲面配置。此外,如果厚度小于1μm,则离型膜本身更容易变形,因而难以操作,有时会无法充分获得支撑合金薄带的功能。
粘接层可以使用与保护层的粘接层相同的粘接层。
[裂缝]
裂缝例如可以将凸状构件按压于合金薄带表面而形成。凸状构件的形状例如可以是棒状或锥状。凸状构件端部的前端可以是平坦、锥状、中央凹陷的倒锥形或筒状。
裂缝的形成中,优选在合金薄带表面的多个位置按压凸状构件而在上述合金薄带中形成多个裂缝。例如,裂缝的形成中,可以使用规则地配置有多个凸状构件的加压构件。例如,可以使用周面配置有多个凸状构件的辊(以下称为碎裂辊)进行裂缝的形成。例如,通过将长条的合金薄带按压在碎裂辊上或使长条的合金薄带通过碎裂辊彼此的间隙,能够连续地形成裂缝。此外,也可以使用多个碎裂辊形成裂缝。
图15为显示用凸状构件施加外力的位置的合金薄带的平面图。合金薄带内花纹的形状与施加外力部分的凸状构件的前端形状对应。
图15(a)为概念性显示使用端部截面形状为圆形的凸状构件时施加外力的位置的图。
图15(b)为概念性显示使用端部外形为十字状的凸状构件时施加外力的位置的图。
图15(c)为概念性显示分别使用端部外形是图形纵向为线状的凸状构件和横向为线状的凸状构件时施加外力的位置的图。本图中,施加外力的位置以各不连续且呈矩阵状的方式配置。
图15(d)为概念性显示使用端部外形是相对于图形纵向倾斜θ°的(图15(d)中倾斜45°)线状的凸状构件和倾斜-θ°的(图15(d)中倾斜-45°)线状的凸状构件时施加外力的位置的图。本图中,施加外力的位置以各不连续且一个线状施加外力的位置在其延长线上在另一施加外力位置的两端之间交叉的方式配置。
图15(e)为概念性显示使用端部外形是相对于图形纵向倾斜θ°的(图15(e)中倾斜45°)线状的凸状构件和-θ°的(图15(e)中倾斜-45°)线状的凸状构件时施加外力的位置的图。本图中,施加外力的位置以各不连续且形成倾斜的矩阵状的方式配置。
图15(f)为概念性显示分别使用端部外形是图形纵向为线状的凸状构件和横向为线状的凸状构件时施加外力的位置的图,是相对于图15(c)而言改变了位置关系的图。凸状构件的配置不限于图示情况,可以适当设定。
这些施加外力的位置优选形成与该施加外力的位置完全相同形态的裂缝。但也可以是形成其他裂缝的情况、不形成相同形态的裂缝的(部分不形成裂缝)情况。
此外,也可以以将裂缝设为线状、使多个裂缝连续地连接的方式形成。
形成图15(c)、图15(d)、图15(e)或图15(f)的裂缝的情况下,例如,可以将一个凸状构件配置于碎裂辊、将另一凸状构件配置于另外的碎裂辊,利用两个碎裂辊依次直接对合金薄带施加外力而形成裂缝。
使用凸状构件的裂缝形成中,优选进一步将多个裂缝彼此连接形成网络裂缝。具体地,某实施方式中,在将凸状构件按压于合金薄带而形成多个裂缝后,优选具有形成将上述多个裂缝彼此连接的网络裂缝的工序。例如,可以在直接用凸状构件对合金薄带施加外力而形成裂缝后,利用使合金薄带弯曲或卷绕等的装置施加第二外力。由此,能够以裂缝为脆性破坏和/或龟裂破坏的起点,形成将裂缝彼此连接的破裂和/或裂痕(将裂缝彼此连接的磁隙)。形成网络裂缝的工序中,也可以不施加上述那样的第二外力,而是在形成多个裂缝的过程中形成网络裂缝。
[制造工序]
以下,给出具体的实施方式,对本公开涉及的合金薄带层叠体的制造方法进行说明。首先,对第一实施方式进行说明。图1为第一实施方式的流程图。
第一实施方式为以下记载的磁性片的制造方法。
第一实施方式为一种磁性片的制造方法,其为层叠有多个由软磁性材料构成的合金薄带且上述合金薄带中形成有裂缝的磁性片的制造方法,具有:将合金薄带粘接在具有粘接层和可从上述粘接层剥离的离型膜的裂缝用胶带的上述粘接层上的工序(图1的工序(1))、直接对上述合金薄带施加外力而形成裂缝的工序(图1的工序(2))、将上述离型膜从上述粘接层剥离而形成具有上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的片构件的工序(图1的工序(3))、以及将多个上述片构件层叠的工序(图1的工序(4))。上述工序(4)中使用的多个片构件例如通过将包括上述工序(1)、上述工序(2)和上述工序(3)的一系列过程重复多次来供应。
第一实施方式中,在工序(1)中,将合金薄带粘接在具有粘接层和可从粘接层剥离的离型膜的裂缝用胶带上。
裂缝用胶带可以使用粘接层与离型膜为一体的胶带。同样地,也可以使用分别准备粘接层和离型膜、然后使其一体化而得的胶带。
图4为示意性显示通过工序(1)得到的层叠构件10a的截面的图。层叠构件10a中层叠有合金薄带4、粘接层3和离型膜1。
第一实施方式中,在工序(2)中,直接对合金薄带施加外力而形成裂缝。
以这种方式,本公开中,不是在层叠多个合金薄带之后、而是在层叠合金薄带之前、而且是直接对合金薄带施加外力而形成裂缝,因此在施加的外力直接施加于合金薄带的基础上,是仅在一层合金薄带的量中产生裂缝的强度。结果,与在多个合金薄带中同时形成裂缝的以往的制造方法或从保护膜上施加外力而形成裂缝的以往的制造方法相比,能够以更小的外力形成裂缝。因此,能够抑制形成有裂缝的合金薄带表面的凹凸,能够使合金薄带的平面状态良好。
此外,工序(2)中,裂缝的形成是在合金薄带粘接于离型膜的状态下进行的,因此由于离型膜的弹力,合金薄带表面凹凸的产生本身受到抑制,能够使合金薄带的平面状态良好。此外,即便合金薄带表面产生了凹凸,由于离型膜的弹力,也会以凹凸变得平坦的方式变形。结果,能够获得磁特性的经时变化小的磁性片。
图5为示意性显示通过工序(2)得到的层叠体10b的图。图5(2-a)为从层叠方向观察到的平面图,图5(2-b)为图5(2-a)的A-A截面图。需说明的是,后述图6、图7、图10、图11和图12中,上下的(*-a)和(*-b)的图也为相同的关系,省略以后的说明。
层叠体10b中层叠有合金薄带4、粘接层3和离型膜1。此外,合金薄带4中,有规则地形成有多个在附图的上下方向上延伸的线状裂缝9。如图5(2-b)所示,裂缝9是合金薄带4中形成的破裂和/或裂痕。离型膜如上所述优选为具有弹性的树脂制。
需说明的是,在合金薄带中形成线状裂缝的情况下,优选例如如图22所示,与合金薄带的铸造方向(相当于利用辊冷却连续地铸造(骤冷凝固)时的长度方向,是沿辊的旋转方向的方向)平行地形成。需说明的是,图22所示箭头表示铸造方向。
第一实施方式中,在工序(3)中,离型膜被剥离。离型膜在以往的制造方法中是不应用的,但本公开中,在工序(2)中,作为直接对合金薄带施加外力而形成裂缝时用来使合金薄带中不会出现凹凸的辅助构件使用。
图6为示意性显示通过工序(3)得到的层叠体10c(即片构件)的图。层叠体10c(即片构件)中层叠有合金薄带4和粘接层3。需说明的是,离型膜被剥离。
第一实施方式中,在工序(4)中,层叠多个片构件。磁性片是将工序(2)中形成了裂缝的表面没有凹凸或凹凸少且平面状态良好的合金薄带直接层叠而制造的,因而制成磁性片后合金薄带表面凹凸也少、平面状态良好,能够获得磁特性的经时变化小的磁性片。
图7为示意性显示通过工序(4)得到的磁性片20a(合金薄带层叠体)的图。磁性片20a中层叠有多个片构件。多个片构件包括3个第二层叠体(10c1~10c3)和第一层叠体10c4。
该实施方式的磁性片20a中,如图7(4-a)所示,第二层叠体10c1中形成的裂缝9、第二层叠体10c2中形成的裂缝9-1、以及第二层叠体10c3中形成的裂缝9-2从层叠方向观察时形成于不同位置。以这种方式,本公开的一例中,直接对各合金薄带施加外力而形成裂缝,因此与在多个合金薄带中同时形成裂缝的以往的制造方法不同,能够改变合金薄带的每个层中裂缝的位置,因而能够成为均等地形成有磁隙的磁性片。因此,对该磁性片进一步进行冲切或切割成希望的形状的加工的情况下,加工位置导致的导磁率的变动小,能够制造具有稳定的屏蔽特性的磁性片。需说明的是,第一层叠体10c4的裂缝9-4在与形成于第二层叠体10c1中的裂缝9重合的位置形成。
作为第一实施方式中的其他工序,例如,可以采用在第二层叠体10c1上层叠保护膜的工序。利用保护膜,能够抑制合金薄带由于非故意的外力导致裂缝和网络裂缝不必要地增加、或者合金薄带脱落、或者合金薄带生锈。此外,保护膜以在将磁性片加工成规定形状时不会产生不必要的表面凹凸的方式发挥功能。
层叠保护膜的工序可以在工序(1)~工序(4)中的任一工序中进行。
图8为用于说明将裂缝彼此连接的合金薄带的破裂和/或裂痕(网络裂缝)的状态的图。具体地,图8为显示合金薄带中形成的裂缝9和网络裂缝11的形态的示意图。裂缝9不连续的情况下,可以对合金薄带4施加弯曲、卷绕等第二外力,以裂缝9为脆性破坏的起点,在合金薄带4中形成破裂和/或裂痕,形成由该破裂和/或裂痕(将裂缝9彼此连接的磁隙)将裂缝9彼此连接的网络裂缝11。
网络裂缝11的形成只要是在工序(2)以后,都是可以的。
接下来,用图13对第一实施方式中使用的磁性片的制造装置的一例和使用上述制造装置的磁性片的制造方法进行说明。图13所示磁性片的制造装置具备:将合金薄带粘接于具有粘接层和可从上述粘接层剥离的离型膜的裂缝用胶带的上述粘接层的多个机构A;直接对粘接于上述裂缝用胶带的上述合金薄带施加外力而在上述合金薄带中形成裂缝的多个机构B;将上述离型膜剥离,形成具有上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的层叠体的多个机构C;以及将由多个上述机构A、多个上述机构B和多个上述机构C形成的具有上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的多个层叠体层叠而制成合金薄带层叠体的机构D。进一步,图13所示磁性片的制造装置具备将卷成卷状的合金薄带放卷的机构和对磁性片进行加工的机构。以下所示的具体品名和数值是用来详细地对磁性片的制造方法和磁性片的制造装置进行说明的例子。
·工序(1)“将合金薄带粘接在具有粘接层和可从上述粘接层剥离的离型膜的裂缝用胶带的上述粘接层上的工序”的实施方式
首先,将胶带2A卷绕而成的辊配置在4个位置。然后,胶带2A从辊抽出。胶带2A是离型膜1A(25μm)、粘接层(5μm)和离型膜1B(25μm)的3层结构。离型膜1A和离型膜1B为相同材质(PET),拉伸弹力为3.9GPa。粘接层是两面被覆有丙烯酸系粘接剂的基材膜。离型膜1A、1B可从粘接层剥离。
将离型膜1A从胶带2A剥离。离型膜1A的剥离在与胶带2A从辊抽出的时刻大体相同的时刻进行。本实施方式中,将通过离型膜1A的剥离得到的由粘接层和离型膜1B构成的胶带用作裂缝用胶带。
工序(1)中使用的合金薄带4是长条的合金薄带。合金薄带4卷在辊上。卷有合金薄带4的辊是对卷成卷状的合金薄带进行放卷的机构的一例。将合金薄带4从辊抽出,利用作为机构A的一例的压合辊,粘接至裂缝用胶带的粘接层。合金薄带4是由Fe-Cu-Nb-Si-B系纳米晶合金构成的合金薄带(日立金属株式会社制FT-3)。图13所示制造装置中,合金薄带4连续移动,直至被后述切割机7切割。
·工序(2)“直接对合金薄带施加外力而形成裂缝的工序”的实施方式
利用作为机构B的一例的碎裂辊5直接对粘接于裂缝用胶带的合金薄带4施加外力而形成裂缝。碎裂辊5中,在周面上有规则地配置有多个突出构件。形成裂缝时,也可以在离型膜1B侧配置将合金薄带4向碎裂辊侧按压的压缩辊,以使得来自碎裂辊的外力不会逃脱。
·工序(3)“将离型膜从粘接层剥离而形成具有粘接层和形成有裂缝的合金薄带的片构件的工序”的实施方式
将离型膜1B从裂缝用胶带的粘接层剥离,使粘接层露出。通过将离型膜1B剥离,形成具有粘接层和形成有裂缝的合金薄带的片构件。离型膜1B的剥离利用作为机构C的一例的辊来进行。也可以利用剥离离型膜1B时对合金薄带4产生的外力,形成网络裂缝。图13所示制造装置具备用于进行工序(1)至工序(3)的机构A、机构B和机构C的四个组合,但上述组合的数量不限定为4个,根据目的,可以设为5个以上,也可以设为3个以下。
·工序(4)“将多个片构件层叠的工序”的实施方式
将经工序(1)~工序(3)制造的多个片构件以粘接层与合金薄带交替的方式分别用压缩辊层叠,得到磁性片。压缩辊是机构D的一例。多个片构件层叠在保护层6A上。
需说明的是,图13所示第一实施方式中,磁性片的层叠方向的一个端面粘接有保护层6A,另一端面粘接有保护膜6a。
保护层6A粘接于磁性片的层叠方向的一个端面的粘接层。保护层6A是厚度5μm的粘接层与厚度75μm的保护膜的2层结构。需说明的是,该保护膜可从粘接层剥离。片构件的粘接层与保护层的粘接层利用压合辊粘接。如果保护膜被剥离,则保护层的粘接层露出,可将磁性片粘接于电子设备等。
保护膜6a隔着另外的胶带2B的粘接层而粘接于磁性片的另一端面的合金薄带。胶带2B是离型膜1C、粘接层(5μm)和离型膜1D的三层结构。离型膜1C和离型膜1D可从粘接层剥离。将离型膜1C从胶带2B剥离,露出的粘接层与合金薄带利用压合辊粘接。然后,离型膜1D被剥离。然后进一步,保护膜6a与胶带2B的粘接层压合。保护膜6a是厚度25μm的PET制保护膜。
第一实施方式中,将该保护膜6a层叠后,将磁性片用切割机7切成必要的大小,输送至托盘8。切割机7是对磁性片进行加工的机构的一例。代替切割机7,也可以利用冲切模具等加工装置,加工成希望的形状。
对第二实施方式进行说明。图2为显示第二实施方式的流程图。
第二实施方式是以下记载的磁性片的制造方法。
第二实施方式为一种磁性片的制造方法,其为层叠有多个由软磁性材料构成的合金薄带且上述合金薄带中形成有裂缝的磁性片的制造方法,具有:将合金薄带粘接在具有粘接层和可从上述粘接层剥离的离型膜的裂缝用胶带的上述粘接层上的工序(图2的工序(1))、直接对上述合金薄带施加外力而形成裂缝的工序(图2的工序(2))、将上述离型膜从上述粘接层剥离而形成具有上述粘接层和形成有上述裂缝的上述合金薄带的片构件的工序(图2的工序(3))、将合金薄带粘接在具有粘接层和保护膜的保护层的上述粘接层上的工序(图2的工序(5))、直接对粘接在上述保护层上的上述合金薄带施加外力而形成裂缝的工序(图2的工序(6))、以及在粘接于上述保护层的上述合金薄带上层叠上述片构件的工序(图2的工序(7))。
第二实施方式中,具有与第一实施方式同样的工序(1)~工序(3)。
省略工序(1)~工序(3)的说明。
第二实施方式中,在工序(5)中,将合金薄带粘接在具有粘接层和保护膜的保护层的粘接层上。
保护层可以使用粘接层与保护膜为一体的保护层,也可以使用分别准备粘接层和保护膜、然后一体化而得的保护层。
需说明的是,工序(5)可以与工序(1)~工序(3)同时进行。
图9为示意性显示通过工序(5)得到的层叠构件10d的截面的图。层叠构件10d中,层叠有合金薄带4’以及由粘接层6b和保护膜6a构成的保护层6。
保护层可以使用以粘接层与保护膜为一体的状态售卖的保护层,也可以使用分别准备粘接层和保护膜、然后一体化而得的保护层。
保护层的粘接层和保护膜的材质与前述是同样的。
第二实施方式中,在工序(6)中,直接对粘接于保护层的合金薄带施加外力而形成裂缝。
以这种方式,本公开中,不是在层叠合金薄带之后,而是在层叠合金薄带之前、并且是直接对合金薄带施加外力而形成裂缝,因此,在施加的外力直接施加于合金薄带的基础上,是仅在一层合金薄带的量中产生裂缝的强度。因此,与在多个合金薄带中同时形成裂缝的以往的制造方法或从保护膜之上施加外力而形成裂缝的以往的制造方法相比,能够以更小的外力形成裂缝。因为用于形成裂缝的外力小,所以能够抑制形成有裂缝的合金薄带表面的凹凸,能够使合金薄带的平面状态良好。
此外,在工序(6)中,裂缝的形成在合金薄带粘接于保护膜的状态下进行,因此,由于保护膜的弹力,合金薄带表面凹凸的产生本身受到抑制,能够使合金薄带的平面状态良好。此外,即便合金薄带表面产生了凹凸,由于保护膜的弹力,也会以凹凸变得平坦的方式变形。结果,能够获得磁特性的经时变化小的磁性片(合金薄带层叠体)。
图10为示意性显示通过工序(6)得到的第一层叠体10e的图。合金薄带4’中,有规则地形成有沿附图的上下方向延伸的多个线状裂缝9’。如图10(6-b)所示,裂缝9’是在合金薄带4’中形成的破裂和/或裂痕。
保护膜优选为具有弹性的树脂制的保护膜。保护膜中树脂的拉伸模量、厚度的优选范围和树脂的种类如上所述。
第二实施方式中,在工序(7)中,在粘接于保护层的合金薄带上层叠工序(1)~工序(3)中得到的片构件(即第二层叠体10c3)。片构件的合金薄带和粘接于保护层的合金薄带均为没有表面凹凸或表面凹凸少且平面状态良好的合金薄带。这些合金薄带是直接层叠的,因而制成磁性片后合金薄带表面的凹凸也小,平面状态良好,能够获得磁特性的经时变化小的磁性片。
图11为示意性显示通过工序(7)得到的磁性片20b的图。如图11(7-a)所示,磁性片20b中,在粘接于保护层6的合金薄带4’上层叠有第二层叠体10c3。该磁性片20b中,第二层叠体10c3的合金薄带4中形成的裂缝9与粘接于保护层6的合金薄带4’中形成的裂缝9’从层叠方向观察时是在不同位置形成的。以这种方式,本公开中,直接对各合金薄带施加外力而形成裂缝,因此与在多个合金薄带中同时形成裂缝的以往的制造方法不同,能够在合金薄带的每个层中改变裂缝的位置,因而能够成为均等地形成有磁隙的磁性片。因此,将该磁性片进一步冲切或切割成希望的形状而进行加工的情况下,加工位置导致的导磁率变动小,能够制造具有稳定的屏蔽特性的磁性片。
磁性片可以在层叠方向上在与保护层6相反侧的面上层叠另外的保护膜或保护层。任一保护层中均可以使用可从粘接层剥离的离型膜作为保护膜。
第二实施方式中也可以与图8的说明同样地形成网络裂缝11。
第二实施方式中,可以进行在片构件上进一步层叠另外的片构件的工序(图3的工序(4))。在该片构件上进一步层叠另外的片构件的工序(工序(4))可以设为在粘接于保护层的合金薄带上层叠片构件后在该片构件上进一步层叠另外的片构件的工序。这种情况下,图2所示流程图中,在工序(7)之后进行工序(4)。
此外,作为另外的方法,也可以在层叠多个片构件后,使该片构件的层叠体层叠在粘接于保护层的合金薄带上。图3为该方法的流程图。
图3的流程图中,在第二实施方式的工序(3)之后进行第一实施方式的工序(4)。关于各工序的说明与前述是同样的。
需说明的是,不限为这种情况,层叠合金薄带的步骤可以每次进行设定。
图12为示意性显示第二实施方式中得到的另外的磁性片的图。具体地,图12所示磁性片是通过图3的流程图所示工序得到的。如图12(a)所示,磁性片20c中,在粘接于保护层6的合金薄带4’上层叠有第二层叠体10c1~第二层叠体10c3。磁性片20c中,第二层叠体10c1~第二层叠体10c3中分别形成的裂缝9、裂缝9-1和裂缝9-2以及粘接于保护层6的合金薄带4’中形成的裂缝9’从层叠方向观察时是在不同位置形成的。以这种方式,本公开中,直接对各合金薄带施加外力而形成裂缝,因此,与在多个合金薄带中同时形成裂缝的以往的制造方法不同,能够在合金薄带的每个层中改变裂缝的位置,因而能够成为均等地形成有磁隙的磁性片。因此,即使对该磁性片实施进一步冲切或切割成希望的形状的加工,加工位置导致的导磁率的变动也很小,能够制造具有稳定的屏蔽特性的磁性片。
磁性片20c中,可以在层叠方向上,在与保护层6相反侧的面上层叠另外的保护膜或保护层。任一保护层中均可以使用可从粘接层剥离的离型膜作为保护膜。
接下来,利用图14对第二实施方式中使用的磁性片的制造装置的一例进行说明。图14所示磁性片的制造装置具有与图13所示磁性片的制造装置所包括的机构同样的机构。需说明的是,作为第二实施方式,对图2所示工序的制造方法进行描述。
·工序(1)“将合金薄带粘接在具有粘接层和可从上述粘接层剥离的离型膜的裂缝用胶带的上述粘接层上的工序”的实施方式
首先,卷绕有离型膜1E的辊被配置在3个位置。此外,卷绕有用于使粘接层粘接于离型膜1E的胶带2C的辊被配置在3个位置。胶带2C为粘接层(5μm)和离型膜1F(25μm)的两层结构。离型膜1E与离型膜1F为相同材质(PET),拉伸弹力为3.9GPa。
然后,离型膜1E和胶带2C被从辊抽出,利用压合辊被粘接。粘接层是两面被覆有丙烯酸系粘接剂的基材膜。离型膜1F可从粘接层剥离。离型膜1E在粘接于粘接层后可剥离。
然后,离型膜1F被从粘接层剥离。本实施方式中,将通过离型膜1F的剥离得到的由粘接层和离型膜1E构成的胶带用作裂缝用胶带。
然后,合金薄带4被从辊抽出,利用压合辊,与露出的粘接层粘接。合金薄带4是由Fe-Cu-Nb-Si-B系纳米晶合金构成的合金薄带(日立金属株式会社制FT-3)。
·工序(2)“直接对合金薄带施加外力而形成裂缝的工序”的实施方式
利用周面有规则地配置有多个突出构件的碎裂辊5,直接对粘接于裂缝用胶带的合金薄带4施加外力而形成裂缝。形成裂缝时,可以在离型膜1E侧配置压缩辊,以使得来自碎裂辊5的外力不会逃脱。
·工序(3)“将离型膜从粘接层剥离而形成具有粘接层和形成有裂缝的合金薄带的片构件的工序”的实施方式
将离型膜1E从裂缝用胶带的粘接层剥离,使粘接层露出。也可以利用剥离离型膜1E时对合金薄带4产生的外力来形成网络裂缝。
·工序(5)“将合金薄带粘接于具有粘接层和保护膜的保护层的粘接层上的工序”的实施方式
首先,配置卷绕有保护膜6a1的辊。此外,在卷绕有保护膜6a1的辊附近配置卷绕有胶带2C的辊。保护膜6a1和胶带2C被从辊抽出,利用压合辊,保护膜6a1被粘接于胶带2C的粘接层。胶带2C如上所述为粘接层(5μm)和离型膜1F(25μm)的两层结构。
离型膜1F与保护膜6a1的材质为相同材质(PET),拉伸弹力为3.9GPa。此外,作为粘接层,使用两面被覆有丙烯酸系粘接剂的基材膜。
离型膜1F可从粘接层剥离。保护膜6a1在粘接于粘接层后可剥离。
然后,离型膜1F被从胶带2C剥离。本实施方式中,将由此得到的由粘接层和保护膜6a1构成的胶带用作保护层。
然后,合金薄带4’被从辊抽出,利用压合辊,与露出的粘接层粘接。合金薄带4’可以与合金薄带4为相同材质,也可以为不同材质。
·工序(6)“直接对粘接于保护层上的合金薄带施加外力而形成裂缝的工序”的实施方式
利用在周面有规则地配置有多个突出构件的碎裂辊5,直接对粘接于保护层6a1的合金薄带4’施加外力而形成裂缝。此时,可以在保护膜6a1侧配置压缩辊,以使得来自碎裂辊的外力不会逃脱。
·工序(7)“在粘接于保护层的合金薄带上层叠片构件”的实施方式
在粘接于保护层的粘接层的合金薄带4’上层叠通过工序(1)~工序(3)制造的片构件。
本实施方式中,首先将1片的片构件粘接在粘接于保护层的合金薄带4’上,然后依次层叠另外的2片的片构件。
需说明的是,该第二实施方式中,在层叠方向上,在与粘接有保护膜6a1的端面相反侧的端面上,粘接保护膜6a2(厚度10μm)。
胶带2C被粘接在工序(7)中得到的磁性片上。然后,离型膜1F被从胶带2C剥离,得到在最外层形成有保护膜用的粘接层的磁性片。然后,保护膜6a2被粘接在该粘接层上。
需说明的是,保护膜6a1和保护膜6a2也可以使用在粘接于保护层的粘接层之后可剥离的膜。这种情况下,通过剥离保护膜而露出保护层的粘接层,可以粘接在进行磁屏蔽的对象的电子设备上。
第二实施方式中,在层叠保护膜6a2之后,磁性片用切割机7切成必要的大小,输送至托盘8。也可以代替切割机7,通过冲切而加工成希望的形状。
图16为显示通过本公开涉及的合金薄带层叠体的制造方法得到的磁性片的一例的截面照片。照片中,白色部分是合金薄带,合金薄带间的灰色部分为粘接层。此外,在比4层合金薄带更靠近层叠方向的外侧,有片构件的粘接层或保护层。
从下方开始的第一层~第三层的合金薄带中,能够观察到破裂或裂痕的存在,可见磁隙是存在的。此外,全部合金薄带的面上实质上不存在凹凸(从面上突出的立体结构),合金薄带的平面状态良好。此外,作为4层层叠体的磁性片的平面状态也良好。
图18是通过以往的制造方法(层叠多个合金薄带后施加外力而形成裂缝的制造方法)得到的磁性片的截面照片。以往的磁性片以合金薄带起伏的方式变形,而且,粘接层和端部的保护层也同样地以起伏的方式变形。
图17为通过以往的制造方法得到的磁性片的截面照片。具体地,图17所示磁性片是用平坦的板状构件对图18的磁性片的两面进行加压成型并且平坦化的磁性片。图17的磁性片中,与图18的磁性片相比,合金薄带更平坦地排列,因此在照片中央下侧的部分,最下侧的合金薄带形成双重结构,合金薄带形成表面突出的立体结构。
图19为显示制造以往的磁性片后进行了放置时导磁率的变化的图。具体地,图19为显示将刚刚制造以往的磁性片之后设为0小时、测定在70℃的大气中经过1000小时过程中的交流相对导磁率,求出与0小时的值相比的变化率的结果的图。图19中,(a)是显示交流相对导磁率μr的实数值部分(实部)μr’的曲线图,(b)是显示交流相对导磁率μr的虚数值(虚部)μr”的曲线图。图19所示测定中,使用的是通过以往的制造方法(层叠多个合金薄带后施加外力而形成裂缝的制造方法)制作的磁性片。
交流相对导磁率μr的测定中,利用阻抗分析仪(是德科技公司制E4990A,测定夹具:16454A),将OSC水平设为0.03V,在25℃的温度下以128kHz的频率测定阻抗(Z)和串联等效电路的电感(LS),基于以下的算式,算出交流相对导磁率μr。评价样品使用的是将冲切成外径20mm、内径9mm的环状的片重叠10~20层而得的样品。
μr=2π×Z/(2π×μ0×f×t×n×ln(OD/ID))
Z:阻抗的绝对值
f:频率(Hz)
t:薄带厚度(m)
n:层数
μ0:真空导磁率(4×π×10-7H/m)
OD:外径(m)
ID:内径(m)
如图19所示,通过以往的制造方法得到的磁性片中,经时变化导致的交流相对导磁率μr的变化大。
[非接触充电装置]
作为使用本公开的磁性片的例子,给出非接触充电装置的一例。非接触充电装置例如具有图20所示电路构成。供电装置200具备:供应交流电流的供电部21、用于将交流电流整流为直流电流而与供电部21连接的整流电路22、输入直流电流并转换为规定频率的高频电流的开关电路23、以流通高频电流的方式连接于开关电路23的一级线圈201、以与开关电路23以相同频率共振的方式与一级线圈201并联连接的共振用电容器26、与开关电路23连接的控制电路24、以及与控制电路24连接的控制用一级线圈25。控制电路24基于由控制用一级线圈25得到的感应电流,控制开关电路23的动作。
电力接受装置300具备:接收从一级线圈201产生的磁通量的二级线圈301、与二级线圈301连接的整流电路32、与整流电路32连接的二次电池33、为了根据二次电池33的电压检测蓄电状况而与二次电池33连接的电池控制电路34、以及与电池控制电路34连接的控制用二级线圈35。二级线圈301上可以并联连接共振用电容器(图中未显示)。经整流的电流除了用于在二次电池33中蓄电以外,例如还用于电子电路和驱动构件(图中未显示)等。电池控制电路34根据二次电池33的蓄电状况使得用于进行最适充电的信号在控制用二级线圈35中流过。例如,二次电池33完全充电的情况下,使该信息的信号在控制用二级线圈35中流过,经由与控制用二级线圈35电磁耦合的控制用一级线圈25,将信号传导至供电装置200的控制电路24。控制电路24基于该信号使开关电路23停止。
本公开的磁性片在供电装置中用于例如一级线圈201与其他供电装置的电子构件之间、以及控制用一级线圈25与其他供电装置的电子构件之间。本公开的磁性片在电力接受装置中用于例如二级线圈301与其他供电装置的电子构件之间、以及控制用二级线圈35与其他供电装置的电子构件之间。
实施例
以下通过实施例详细地对本公开进行说明。但本公开不受以下实施例的限制。
<实施例1>
使用具有图13所示构成要素的制造装置制作磁性片。磁性片的制造方法(包括条件和材料。)与上述第一实施方式是同样的。将具体的条件和材料示于下文。
·合金薄带:FT-3(日立金属株式会社制)
·合金薄带的厚度:16μm
·合金薄带的宽度:60mm
·层叠数:4片
·碎裂辊的压力:0.3MPa
·磁性片的尺寸:50mm×50mm
<实施例2>
通过与实施例1同样的顺序,制作磁性片。
<评价>
对磁性片的交流相对导磁率μr(128kHz)进行评价。将评价结果示于表1。
[表1]
初始 | 300天后 | 变化率 | |
实施例1 | 1,085 | 1,053 | 3.0% |
实施例2 | 1,009 | 1,029 | -2.0% |
如表1所示,实施例1~2中,300天后(7200小时后)的变化率在±3.0%以内。而通过以往的制造方法(将隔着粘接层层叠的4层合金薄带夹在2层树脂膜之间,从树脂膜的上方施加外力而形成裂缝)制作的磁性片中,100小时后的变化率为7%~10%。上述结果表明,实施例1~2中得到了导磁率的变化小的磁性片。
2019年5月21日申请的日本专利申请2019-095278号的公开内容和2019年5月21日申请的日本专利申请2019-095279号的公开内容整体通过参照并入本说明书。关于本说明书中记载的全部文献、专利申请和技术标准,各个文献、专利申请和技术标准通过参照并入,与具体并分别记载的情况同等程度地通过参照并入本说明书。
符号说明
1、1A、1B、1C、1D、1E、1F:离型膜;2、2A、2B、2C:胶带;3:粘接层;4、4’、110:合金薄带;5:碎裂辊;6、6A:保护层;6a、6a1、6a2:保护膜;6b:粘接层;7:切割机;8:托盘;9、9’、9-1、9-2:裂缝;10a、10d:层叠构件;10b、10c:层叠体;10c4、10e:第一层叠体;10c1、10c2、10c3:第二层叠体;11:网络裂缝;20a、20b、20c:磁性片;200:供电装置;21:供电部;22:整流电路;23:开关电路;24:控制电路;25:控制用一级线圈;26:共振用电容器;201:一级线圈;300:电力接受装置;32:整流电路;33:二次电池;34:电池控制电路;35:控制用二级线圈;41、42、43A、43B、44A、44B、45A、45B、46A、46B、47、48、49、50:导辊;60、62:松紧调节辊;301:二级线圈;111:卷绕体;112:放卷辊;114:卷绕辊;120:加热室;122:加热板;122S:第一平面;130:冷却室;132:冷却板;132S:第二平面;150:在线退火装置。
Claims (22)
1.一种合金薄带层叠体的制造方法,具有:
通过直接对具有粘接层和合金薄带的第一层叠构件的所述合金薄带施加外力而在所述合金薄带中形成裂缝,得到具有所述粘接层和形成有所述裂缝的所述合金薄带的第一层叠体的工序,
通过直接对具有粘接层和合金薄带的第二层叠构件的所述合金薄带施加外力而在所述合金薄带中形成裂缝,得到具有所述粘接层和形成有所述裂缝的所述合金薄带的至少1个第二层叠体的工序,以及
在所述第一层叠体上层叠所述至少1个第二层叠体,得到所述粘接层和形成有所述裂缝的所述合金薄带交替层叠而成的合金薄带层叠体的工序。
2.根据权利要求1所述的合金薄带层叠体的制造方法,
得到所述第二层叠体的工序具有:在具有粘接层和可从所述粘接层剥离的离型膜的裂缝用胶带的所述粘接层上粘接合金薄带,得到具有所述离型膜、所述粘接层和所述合金薄带的第二层叠构件的工序;通过直接对所述第二层叠构件的所述合金薄带施加外力而在所述合金薄带中形成裂缝的工序;以及将所述离型膜剥离,得到具有所述粘接层和形成有所述裂缝的所述合金薄带的第二层叠体的工序。
3.根据权利要求1或2所述的合金薄带层叠体的制造方法,
得到所述第一层叠体的工序具有:在具有粘接层和可从所述粘接层剥离的离型膜的裂缝用胶带的所述粘接层上粘接合金薄带,得到具有所述离型膜、所述粘接层和所述合金薄带的第一层叠构件的工序;通过直接对所述第一层叠构件的所述合金薄带施加外力而在所述合金薄带中形成裂缝的工序;以及将所述离型膜剥离,得到具有所述粘接层和形成有所述裂缝的所述合金薄带的第一层叠体的工序。
4.根据权利要求2或3所述的合金薄带层叠体的制造方法,所述离型膜为树脂制的离型膜。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的合金薄带层叠体的制造方法,所述粘接层为两面被覆有粘接剂的基材膜。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的合金薄带层叠体的制造方法,具有:在具有粘接层和保护膜的保护层上层叠所述第一层叠体的工序。
7.根据权利要求1或2所述的合金薄带层叠体的制造方法,
得到所述第一层叠体的工序具有:在具有粘接层和保护膜的保护层的所述粘接层上粘接合金薄带,得到具有所述保护膜、所述粘接层和所述合金薄带的第一层叠构件的工序;以及通过直接对所述第一层叠构件的所述合金薄带施加外力而在所述合金薄带中形成裂缝,得到依次具有所述保护膜、所述粘接层和形成有所述裂缝的所述合金薄带的第一层叠体的工序。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的合金薄带层叠体的制造方法,具有:在所述合金薄带层叠体的层叠方向的一个端面或两个端面上粘接保护膜的工序。
9.根据权利要求6~8中任一项所述的合金薄带层叠体的制造方法,所述保护膜为树脂制的保护膜。
10.根据权利要求1所述的合金薄带层叠体的制造方法,
得到所述第二层叠体的工序具有:在所述粘接层的与配置有所述合金薄带的面相反侧的面上配置有可从所述粘接层剥离的离型膜的状态下,直接对所述合金薄带施加外力,从而在所述合金薄带中形成所述裂缝的工序;以及将所述离型膜剥离的工序。
11.根据权利要求1所述的合金薄带层叠体的制造方法,
得到所述第一层叠体的工序中,所述裂缝的形成具有:在所述粘接层的与配置有所述合金薄带的面相反侧的面上配置有保护膜或可从所述粘接层剥离的离型膜的状态下,直接对所述合金薄带施加外力,从而在所述合金薄带中形成所述裂缝的工序。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的合金薄带层叠体的制造方法,所述裂缝的形成中,将凸状构件按压于所述合金薄带表面的多个位置而在所述合金薄带中形成多个裂缝。
13.根据权利要求12所述的合金薄带层叠体的制造方法,在将所述凸状构件按压于所述合金薄带而形成所述多个裂缝后,具有形成将所述多个裂缝彼此连接的网络裂缝的工序。
14.根据权利要求1~13中任一项所述的合金薄带层叠体的制造方法,所述合金薄带为纳米晶合金薄带。
15.根据权利要求14所述的合金薄带层叠体的制造方法,所述纳米晶合金薄带是在对可纳米晶化的非晶质合金薄带施加张力的状态下进行纳米晶化的热处理而得到的纳米晶合金薄带。
16.根据权利要求14或15所述的合金薄带层叠体的制造方法,所述纳米晶合金薄带具有以原子%计的通式(Fe1-aMa)100-x-y-z-α-β-γCuxSiyBzM’αM”βXγ所示的组成,所述通式中,M为Co和/或Ni,M’为选自由Nb、Mo、Ta、Ti、Zr、Hf、V、Cr、Mn和W组成的组的至少1种元素,M”为选自由Al、铂族元素、Sc、稀土元素、Zn、Sn和Re组成的组的至少1种元素,X为选自由C、Ge、P、Ga、Sb、In、Be和As组成的组的至少1种元素,a、x、y、z、α、β和γ分别满足0≦a≦0.5、0.1≦x≦3、0≦y≦30、0≦z≦25,5≦y+z≦30、0≦α≦20、0≦β≦20和0≦γ≦20。
17.根据权利要求1~16中任一项所述的合金薄带层叠体的制造方法,在得到所述合金薄带层叠体的工序中,在所述第一层叠体上层叠所述至少1个第二层叠体而得到的所述合金薄带层叠体为长条状的合金薄带层叠体,在得到所述合金薄带层叠体的工序之后,具有将所述长条状的合金薄带层叠体卷成卷状的工序。
18.根据权利要求17所述的合金薄带层叠体的制造方法,具有将卷成卷状的所述长条状的合金薄带层叠体放卷、切出的工序。
19.根据权利要求1~16中任一项所述的合金薄带层叠体的制造方法,在得到所述合金薄带层叠体的工序中,在所述第一层叠体上层叠所述至少1个第二层叠体而得到的所述合金薄带层叠体为长条状的合金薄带层叠体,在得到所述合金薄带层叠体的工序后,具有对所述长条状的合金薄带层叠体进行加工的工序。
20.一种合金薄带层叠体的制造装置,具备:
将合金薄带粘接于具有粘接层和可从所述粘接层剥离的离型膜的裂缝用胶带的所述粘接层上的多个机构A,
直接对粘接于所述裂缝用胶带的所述合金薄带施加外力而在所述合金薄带中形成裂缝的多个机构B,
将所述离型膜剥离,形成具有所述粘接层和形成有所述裂缝的所述合金薄带的层叠体的多个机构C,以及
将由多个所述机构A、多个所述机构B和多个所述机构C形成的具有所述粘接层和形成有所述裂缝的所述合金薄带的多个层叠体层叠而制成合金薄带层叠体的机构D。
21.根据权利要求20所述的合金薄带层叠体的制造装置,具备对所述合金薄带层叠体进行加工的机构。
22.根据权利要求20或21所述的合金薄带层叠体的制造装置,具备将卷成卷状的所述合金薄带放卷的机构。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117616495A (zh) * | 2021-11-04 | 2024-02-27 | 三星电子株式会社 | 显示系统、以及显示模块的驱动方法 |
JP2023144882A (ja) | 2022-03-28 | 2023-10-11 | 株式会社プロテリアル | 磁性シート、巻体状磁性シート、及び多層磁性シート |
EP4254448A1 (en) | 2022-03-28 | 2023-10-04 | Proterial, Ltd. | Multilayer magnetic sheet |
WO2023190770A1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 株式会社プロテリアル | 磁性シートの製造方法 |
WO2023190963A1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 株式会社プロテリアル | ナノ結晶合金薄帯の製造方法、及び磁性シートの製造方法 |
JP7424549B1 (ja) | 2022-03-30 | 2024-01-30 | 株式会社プロテリアル | ナノ結晶合金薄帯及び磁性シート |
JP2023152053A (ja) | 2022-04-01 | 2023-10-16 | 株式会社プロテリアル | 磁性シート、多層磁性シート、および、磁性シートの製造方法 |
EP4254442A1 (en) | 2022-04-01 | 2023-10-04 | Proterial, Ltd. | Multilayer magnetic sheet |
JP2023155003A (ja) | 2022-04-08 | 2023-10-20 | 株式会社プロテリアル | 多層磁性シート |
JP2023155004A (ja) | 2022-04-08 | 2023-10-20 | 株式会社プロテリアル | 多層磁性シート |
JP2023155005A (ja) | 2022-04-08 | 2023-10-20 | 株式会社プロテリアル | 多層磁性シート |
JP2024009722A (ja) | 2022-07-11 | 2024-01-23 | 株式会社プロテリアル | 磁性シートの製造方法及び磁性シート製造装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61227156A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-09 | Toa Kikai Seisakusho:Kk | 非鉄金属板の連続熱処理装置 |
CN101371321A (zh) * | 2005-05-20 | 2009-02-18 | 安费合金公司 | 纳米结晶材料的带材的生产方法和由所述带材生产卷绕芯的设备 |
JP2011134959A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Hitachi Metals Ltd | 磁性シート |
CN104376950A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-02-25 | 安泰科技股份有限公司 | 一种铁基恒导磁纳米晶磁芯及其制备方法 |
CN104900383A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-09-09 | 安泰科技股份有限公司 | 无线充电用单/多层导磁片及其制备方法 |
CN105074838A (zh) * | 2013-03-28 | 2015-11-18 | 日立金属株式会社 | 磁性片、使用该磁性片的电子设备及磁性片的制造方法 |
CN105632678A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-06-01 | 安泰科技股份有限公司 | 一种非接触式充电用柔性导磁薄片及其制备方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07335450A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Hitachi Metals Ltd | 小型トランスおよびそれを用いたインバータ回路ならびに放電管点灯回路 |
FR2823507B1 (fr) * | 2001-04-12 | 2004-03-19 | Imphy Ugine Precision | Procede de fabrication d'une bande en materiau nanocristallin, procede et dispositif de fabrication d'un tore magnetique, tore magnetique et utilisation du tore magnetique comme element d'un composant inductif |
US6830634B2 (en) * | 2002-06-11 | 2004-12-14 | Sensormatic Electronics Corporation | Method and device for continuous annealing metallic ribbons with improved process efficiency |
JP3753320B2 (ja) * | 2002-11-14 | 2006-03-08 | 日立金属株式会社 | シールド材の製造方法 |
JP4836749B2 (ja) | 2006-10-30 | 2011-12-14 | 株式会社東芝 | 磁性シートの製造方法 |
US9252611B2 (en) | 2011-12-21 | 2016-02-02 | Amosense Co., Ltd. | Magnetic field shielding sheet for a wireless charger, method for manufacturing same, and receiving apparatus for a wireless charger using the sheet |
US9507390B2 (en) * | 2012-02-03 | 2016-11-29 | Amosense Co., Ltd. | Magnetic field shielding sheet for digitizer, manufacturing method thereof, and portable terminal device using same |
EP3050977B1 (en) | 2013-09-27 | 2018-11-21 | Hitachi Metals, Ltd. | Method for producing fe-based nano-crystal alloy, and method for producing fe-based nano-crystal alloy magnetic core |
WO2017150440A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 日立金属株式会社 | ナノ結晶合金リボンの製造方法 |
EP3522186B1 (en) * | 2016-09-29 | 2022-11-02 | Hitachi Metals, Ltd. | Nanocrystal alloy magnetic core, magnetic core unit, and method for manufacturing nanocrystal alloy magnetic core |
KR101889226B1 (ko) * | 2017-09-05 | 2018-08-16 | 삼성전기주식회사 | 연성 자성체 적층시트 및 그 제조방법 |
JP7180972B2 (ja) | 2017-11-22 | 2022-11-30 | 古野電気株式会社 | 解析データ処理装置、解析データ処理方法、および、解析データ処理プログラム |
JP2019095279A (ja) | 2017-11-22 | 2019-06-20 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | 車両位置特定システムおよび車両位置特定プログラム |
-
2020
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2023
- 2023-05-19 JP JP2023083520A patent/JP2023103450A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61227156A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-09 | Toa Kikai Seisakusho:Kk | 非鉄金属板の連続熱処理装置 |
CN101371321A (zh) * | 2005-05-20 | 2009-02-18 | 安费合金公司 | 纳米结晶材料的带材的生产方法和由所述带材生产卷绕芯的设备 |
JP2011134959A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Hitachi Metals Ltd | 磁性シート |
CN105074838A (zh) * | 2013-03-28 | 2015-11-18 | 日立金属株式会社 | 磁性片、使用该磁性片的电子设备及磁性片的制造方法 |
CN104376950A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-02-25 | 安泰科技股份有限公司 | 一种铁基恒导磁纳米晶磁芯及其制备方法 |
CN104900383A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-09-09 | 安泰科技股份有限公司 | 无线充电用单/多层导磁片及其制备方法 |
CN105632678A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-06-01 | 安泰科技股份有限公司 | 一种非接触式充电用柔性导磁薄片及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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