CN104412728B - 数字转换器用磁场屏蔽片及其制备方法和利用其的便携式终端设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及数字转换器用磁场屏蔽片及其制备方法和利用其的便携式终端设备，上述数字转换器用磁场屏蔽片能够将对地磁传感器产生的影响最小化，且当便携式终端设备体现数字转换器功能时，能够屏蔽从便携式终端设备本体的各种部件发生的磁场，同时还有助于提高数字转换器的功能的灵敏度。本发明的磁场屏蔽片的特征在于，包括：至少一层薄片状磁片，由Fe类非晶质合金形成，经过碎片化处理而分离成多个微细碎片，保护膜，通过第一粘结层粘结于上述薄片状磁片的一面，以及双面胶，通过形成于一面的第二粘结层粘结于上述薄片状磁片的另一面；上述薄片状磁片是在300℃至480℃的温度下对由Fe类非晶质合金形成的非晶质带状薄片进行热处理而成的。

Description

数字转换器用磁场屏蔽片及其制备方法和利用其的便携式终 端设备

技术领域

本发明涉及数字转换器用磁场屏蔽片及其制备方法和利用其的便携式终端设备，上述数字转换器用磁场屏蔽片能够将对地磁传感器产生的影响最小化，且当便携式终端设备使用数字转换器功能时，能够屏蔽从便携式终端设备本体的各种部件发生的磁场，同时还有助于提高数字转换器的功能的灵敏度。

背景技术

近年来，如搭载有数字转换器，即写字板功能的智能手机的便携式终端设备上市，并很受欢迎。如上所述的数字转换器能够绘制约0.7mm厚度的线，相比于以3mm～4mm厚度识别的电容式触控面板，其更加精致，因此能够容易实施细致的作业。

并且，利用数字转换器能够进行笔记记录、绘图，还能够进行图像或照片的编辑。加上，能够检测到当用户手握笔使用时施加于笔的压力，而根据检测到的力，字的粗细不同，由此能够实施具有高分辨率的作业。

根据这种写字板的功能，在触摸屏或显示面板的下侧设有数字转换器面板，数字转换器面板为薄的金属制膜，将电接通到该膜时，构成薄的电磁场，且由于在手提式电子笔的端部内置有超微型金属线圈，因此，当使用电子笔时会发生交流磁场。

因此，若电子笔的末端接近于触摸屏，则发生电磁感应现象，随之在配置于触摸屏或显示面板的下侧的数字转换器面板中，已形成的电磁场发生变形，通过配置于一侧角部的传感器检测这种变形，并将其解读为电子笔的实际动作。

这种数字转换器功能不仅适用于智能手机等小型便携式终端设备，还适用于采用大型显示装置的大画面平板电脑等。

为了将利用电磁感应现象的数字转换器功能用于便携式终端设备，在数字转换器面板和主电路板之间插入用于屏蔽从便携式终端设备本体的各种部件发生的电磁场的磁场屏蔽片。在便携式终端设备本体中，使用各种通信用芯片和天线，因而发生用于无线通信的电磁场。

近年来，在体现第四代移动通信技术的长期演进技术(LTE，Lon g TermEvolution)的电波中，较以往的第三代移动通信方式的无线通信终端机采用更强的电波，因此需要一种可靠的磁场屏蔽，以免数字转换器面板受到这种强电磁场的影响，确保在无线电子笔和数字转换器面板之间进行顺畅的磁场通信。

另一方面，在便携式终端设备中设有利用全球定位系统(GPS，G lobalPositioning System)技术的导航或用于体现增强现实等功能的地磁传感器。并且，在适用了安卓操作系统的智能手机中，要求必须采用地磁传感器。

上述磁场屏蔽片为了避免对电子笔的功能产生影响，采用对应于数字转换器，即对应于显示装置的尺寸，因此，难以在便携式终端机的内部将磁场屏蔽片和地磁传感器之间的间距设计为2mm以上。

然而，在上述磁场屏蔽片和地磁传感器相互接近并一起用于便携式终端机的情况下，磁场屏蔽片将影响地磁传感器，而诱发地磁传感器的运行错误。

即，磁场屏蔽片会导致地磁传感器发生方位角失真、传感器灵敏度失真、磁滞现象(magnetic hysteresis)失真。

上述方位角失真是指磁场屏蔽片导致磁北的方向失真的现象，传感器灵敏度失真是指由于磁场屏蔽片导致磁场的强度也发生变化，因此，构成地磁传感器的X、Y、Z轴传感器间的灵敏度也失真的现象，磁滞现象失真是指由于磁性体具有的磁滞现象，而随着搭载有传感器的便携式终端机的旋转方向，发生方位角误差的现象。

因此，为了防止地磁传感器的上述失真，并测定正确的方位角，需要校正地磁传感器。但是，虽然能够通过信号处理对上述方位角失真和传感器灵敏度失真进行正确的校正，但对于磁滞现象失真，则难以进行正确的校正，因此，存在因地磁传感器的运行错误而存在方位角误差的问题。

通常，使用Fe类及Co类非晶质带、铁氧体片或包含磁性粉末的聚合物片等磁性体作为磁场屏蔽片。能够提高磁场屏蔽及电子笔功能性能的磁场集束效果从高到低依次是磁导率高的Fe类及Co类非晶质带、铁氧体片、包含磁性粉末的聚合物片。

就上述Fe类及Co类非晶质带而言，带本身就是金属薄片状，因此厚度不成问题，但因磁导率过大，而影响地磁传感器，导致不能将其用作磁场屏蔽片，铁氧体片的磁导率也过大，而影响地磁传感器，还存在厚度大的缺点。

因此，以往是使用磁导率相对低的包含磁性粉末的聚合物片作为磁场屏蔽片，但是由于其磁导率低，相比于Fe类及Co类非晶质带，存在数字转换器的灵敏度下降到一半的问题，且存在价格过高的问题。尽管如此，聚合物片因磁导率低而不影响地磁传感器，因此用于数字转换器。

并且，就含有磁性粉末的聚合物片而言，其磁导率低于Fe类及C o类非晶质带，且为了改善这种低磁导率的问题而增加片的厚度的情况下，随着厚度的增加，存在材料费用也增加的问题，而且相对于作为具有几十μm厚度的薄片状的Fe类及Co类非晶质带，其厚度变厚，从而难以适应日益变薄的终端机的趋势。

韩国公开特许公报10-2005-37015号提出了具有低频磁场屏蔽功能的金属及高分子复合体，其特征在于，以粉末状、薄片状或纤维状中的一种形态含有10～80重量％的作为具有低频磁场屏蔽功能的金属合金的透磁合金、铝硅铁粉及急速凝固合金中的一种或两种以上，作为分散有上述金属合金的基体含有15～65重量％的软质高分子物质，含有5～25％的用于混合上述金属合金和软质高分子物质的各种添加剂。

在上述韩国公开特许公报10-2005-37015号中提出的片为聚合物片的一种，当用于数字转换器用磁场屏蔽片时存在磁导率低的问题。

韩国公开特许公报10-2011-92833号中提出了含有Fe类纳米晶粒软磁性粉末及碳素类导电体粉末的电磁波吸收片，且使用如下的上述F e类纳米晶粒软磁性粉末：使用Fe-Si-B-Nb-Cu类合金作为非晶质合金，在350℃～500℃的温度中对该合金进行45分钟～90分钟的预热处理来对粉末进行第一次及第二次破碎，以使破碎的粉末的粒子大小成270目以下的方式进行筛分，来形成具有纳米大小的晶粒的Fe类纳米晶粒软磁性粉末。

上述电磁波吸收片以0.5mm的厚度制备，吸收10MHz至10GHz带宽的电磁波。

但是，上述电磁波吸收片作为聚合物片的一种，不仅用于高频，而且还将具有纳米大小的晶粒的Fe类纳米晶粒软磁性粉末和粘接剂进行混合，来以0.5mm的厚度进行制备，相比于使用非晶质带状薄片(r ibbon sheet)的情况(厚度为约0.06mm左右)，存在厚度大，且因混合粘接剂而导致片的磁导率低的问题。

韩国公开特许公报10-2003-86122号提出利用高磁导率的金属箔带的电磁波屏蔽材料的制备方法，其包括：利用急冷凝固法，来将选自Ni-Fe-Mo、Fe-Si及锰游合金中的相对磁导率为1000以上的金属或合金制备成厚度为1μm至900μm以下且宽度在1mm至90mm的范围的金属箔带，并在700～1300℃的温度范围、氢或真空气氛下对金属箔带进行热处理，并在金属箔带的至少一面形成粘结层的步骤。

并且，上述电磁波屏蔽材料的制备方法还包括借助电镀或真空蒸镀来在金属箔带的至少一面形成Cu、Ni、Ag、Al、Au、Sn或这些金属的组合的薄膜层。

然而，根据上述韩国公开特许公报10-2003-86122号的制备方法来制备的电磁波屏蔽材料的磁导率高，因此无法适用于数字转换器用磁场屏蔽片。

发明内容

技术问题

上述以往技术涉及电磁波吸收片或磁场屏蔽片，在智能手机等便携式终端机中同时体现数字转换器及导航功能时，以往的由铝硅铁粉或未经热处理的Fe类非晶质带状薄片形成的磁场屏蔽片存在因数字转换器的灵敏度低或磁导率过高而导致地磁传感器失真的问题，或者针对厚度大、材料费用昂贵的问题未能提出相应的解决方案。

在因屏蔽片导致地磁传感器出现的失真中，能够正确校正方位角失真和传感器灵敏度失真，但是难以校正因磁滞现象所致的方向性失真的问题，本发明人考虑这一点，试图开发一种不发生磁滞现象失真问题的屏蔽片，并认识到在对Fe类非晶质带进行热处理来降低磁导率的情况下，不影响地磁传感器，进而提出了本发明。

另一方面，磁滞现象是指向磁性体以反复增加和减少的方式施加磁场时，磁性体内部的磁感应值不一致而具有磁滞的现象，它是在对磁性体施加磁场直到磁性体饱和的情况下发生的现象，在磁场未达到饱和区域的情况下，将沿着初始磁化曲线无磁滞地反复增加和减少磁感应值。

就无热处理Fe类非晶质带而言，观察磁滞曲线(magnetic hyster esis loop)时，作为用于获得饱和感应的最小磁场的饱和磁场(Satura tion field，Hs)值为约0.4G，低于约为0.5G的地球磁场值。

因此，Fe类非晶质带状薄片对地球磁场的变化也表现出磁滞现象，其结果，导致适用Fe类非晶质带状薄片的终端机所采用的地磁传感器存在致命的缺点，即，需要校正因Fe类非晶质带状薄片导致的磁滞现象。

本发明是考虑如下几点而提出的：对Fe类非晶质合金的带状薄片进行热处理，并借助碎片化处理来增加退磁磁场，来防止发生磁饱和，由此能够防止磁滞现象失真问题；影响地磁传感器的方位角失真和传感器灵敏度失真能够通过软件进行校正；屏蔽片的磁导率高有助于数字转换器的电子笔的灵敏度。

并且，借助热处理而具有纳米晶粒组织的纳米晶粒带状薄片在热处理过程中纳米晶粒的大小不均匀，而片整体存在磁导率的均匀性下降的问题，这种磁导率的均匀性下降可以成为数字转换器的特性均匀性下降的重要原因。相反，在结晶化以下的温度下对Fe类非晶质带进行热处理来使其具有非晶质状态的组织的情况下，由于组织的特性均匀，因而与具有微细的晶粒结构的纳米晶粒带状薄片相比，片整体磁导率的均匀性高，考虑这一点提出了本发明。

通常，纳米晶粒带状薄片难以制备成50mm以上的宽幅的带。因此，要制备50mm以上宽度的大面积的数字转换器用磁场屏蔽片的情况下，需对接或交叠至少两张片来覆盖所需的大面积，因此，存在难以确保片整体磁导率的均匀性的问题。

以往的Fe类非晶质带的情况下，未经热处理或进行热处理的情况下，热处理的主要目的在于缓解应力或改变磁性特性，例如进行了用于提高磁导率、减少铁芯损耗或增加饱和磁通量密度的磁场热处理，及用于形成粉的脆化热处理等，但是未试图进行用于降低磁导率的热处理。

因此，本发明为为了解决以往技术中存在的问题而提出的，基本目的在于提供如下的数字转换器用磁场屏蔽片及其制备方法：当对Fe类非晶质合金的带状薄片进行热处理时，以临界温度以上的温度实施过热处理，来将片的磁导率降低至最佳磁导率，因而不影响地磁传感器，并屏蔽从便携式终端设备本体的各种部件所发生的电磁场。

本发明的另一目的在于提供如下的数字转换器用磁场屏蔽片及其制备方法：在小于结晶化温度的温度下，对非晶质合金的带状薄片进行热处理，来将磁导率降低至所需的范围，维持非晶质状态，并借助碎片化处理来分离成多个微细碎片，来增加退磁磁场，从而去除磁滞损耗，由此提高磁导率的均匀性，体现均匀的特性的数字转换器。

本发明的另一目的在于提供如下的具有数字转换器功能的便携式终端设备：对Fe类非晶质合金的带状薄片进行热处理后，进行碎片化处理来增加退磁磁场，从而防止发生磁饱和，并防止地磁传感器的磁滞现象失真问题，同时提高屏蔽片的磁导率，有助于提高数字转换器的电子笔的灵敏度。

本发明的另一目的在于提供制备工序简单、生产率优秀、制备费用低廉的数字转换器用磁场屏蔽片及其制备方法。

解决问题的手段

为了达到上述目的，本发明提供一种数字转换器用磁场屏蔽片，其特征在于，包括：至少一层薄片状磁片，经过碎片化处理而分离成多个微细碎片，保护膜，通过第一粘结层粘结于上述薄片状磁片的一面，以及双面胶，通过第二粘结层粘结于上述薄片状磁片的另一面；上述薄片状磁片是对由Fe类合金形成的非晶质带状薄片进行热处理而成的。

根据本发明的再一特征，本发明提供一种数字转换器用磁场屏蔽片的制备方法，其特征在于，包括：在300℃至480℃的温度下，对Fe类非晶质带状薄片进行30分钟至两个小时的热处理，来形成薄片状磁片的步骤，在上述薄片状磁片的两侧面分别附着保护膜和双面胶来形成层叠片的步骤，上述双面胶的露出面形成有离型膜，对上述层叠片进行碎片化处理，来将上述薄片状磁片分割为多个微细碎片的步骤，以及对经过碎片化处理的上述层叠片进行层压的步骤；上述层叠片借助层压处理而实现平坦化及轻薄化，形成于上述保护膜和双面胶的第一粘结层及第二粘结层的一部分填充于上述多个微细碎片的缝隙。

根据本发明的另一特征，本发明提供一种便携式终端设备，具有第一磁场屏蔽片，上述第一磁场屏蔽片插入于数字转换器面板和主电路板之间，用于屏蔽从上述主电路板发生的交流磁场，上述便携式终端设备的特征在于，上述第一磁场屏蔽片包括：至少一层薄片状第一磁片，经过碎片化处理而分离成多个微细碎片，保护膜，通过第一粘结层粘结于上述薄片状第一磁片的一面，以及双面胶，通过形成于一面的第二粘结层粘结于上述薄片状磁片的另一面；上述薄片状第一磁片是对由Fe类合金形成的非晶质带状薄片进行热处理而成的。

发明的效果

如上所述，在本发明中，对Fe类非晶质合金的带状薄片进行热处理后，进行碎片化处理来增加退磁磁场，从而防止发生磁饱和，并防止地磁传感器的磁滞现象失真问题，同时提高屏蔽片的磁导率，有助于提高数字转换器的电子笔的灵敏度。

并且，在本发明中，当对Fe类非晶质合金的带或条进行热处理时，以临界温度以上的温度实施过热处理，因而具有不影响地磁传感器，还有助于提高数字转换器的灵敏度的最佳磁导率。

结果，本发明的磁场屏蔽片能够替代屏蔽片中的昂贵且磁导率低的聚合物片或虽具有厚度优势及优秀的磁导率特性但地磁传感器发生磁滞现象失真的高磁导率的Fe类或Co类非晶质带状薄片，由此，屏蔽从便携式终端设备本体的各种部件发生的电磁场，从而不影响数字转换器，还有助于提高数字转换器功能的灵敏度。

在本发明的磁场屏蔽片中，在小于结晶化温度的温度下，对非晶质合金的带状薄片进行无磁场热处理，来提高带的表面电阻来将磁导率降低至所需的范围，维持非晶质状态，并借助碎片化处理来分离成多个微细碎片，来增加退磁磁场，从而去除磁滞损耗，由此提高对薄片的磁导率的均匀性，而能够体现均匀的特性的数字转换器，并且，通过减少带的表面积来增加退磁磁场，由此能够增加退磁磁场，防止发生磁饱和，并减少因涡电流(EddyCurrent)导致的损失而将放热最小化。

在本发明中，对非晶质合金的带或条进行过热处理，来能够调整磁导率，与此同时，在后续工序中易于进行碎片化，从而能够易于制备磁场屏蔽片。

并且，由于使用Fe类非晶质带，能够易于制备与便携式终端机的显示屏，即数字转换器的面积相对应的宽幅的非晶质带，由此能够缓解当对接或交叠一张以上的片时所发生的局部的磁导率偏差，从而有助于提高生产率。

本发明的利用Fe类非晶质带的磁场屏蔽片经过碎片化处理而分离成多个微细碎片和/或形成有裂缝，因此在沿着片的一面从外部施加磁场的情况下，也由于磁场通过多个微细碎片而发生衰减，因而几乎不向被施加磁场的片的相反侧发散。结果，在本发明中，在便携式终端机中使用具有Fe类非晶质带状薄片的磁场屏蔽片时，在沿着片的一面从外部施加磁场的情况下，也几乎不影响地磁传感器。

进而，在本发明中，在对Fe类非晶质带进行碎片化处理后，通过压接层压处理来向Fe类非晶质带的微细碎片之间的缝隙填充粘结剂，以此防止水分的渗透，同时以粘结剂(电介质)包覆微细碎片的所有面，来对微细碎片进行相互绝缘(isolation)，从而降低涡电流，防止屏蔽性能下降。

并且，在本发明中，利用卷对卷方法依次执行碎片化和层压处理，由此能够实现片成形，能够保持片的原来厚度，还能够提高生产率，降低制备费用。

进而，在本发明中，由于制备工序简单，因而生产率高、制备费用低。

附图说明

图1为示出本发明优选实施例的数字转换器用磁场屏蔽片的分解立体图。

图2为示出图1的实施例中使用一张Fe类非晶质带状薄片的第一实施例的剖视图。

图3及图4为示出本发明中所使用的保护膜和双面胶的结构的剖视图。

图5为用于说明本发明的磁场屏蔽片的制备工序的工序图。

图6为示出本发明的磁场屏蔽片中所使用的Fe类非晶质带状薄片的热处理温度和片的电感值(磁导率)之间的关系的图表。

图7及图8分别为示出本发明的层叠片的碎片化工序的剖视图。

图9为示出对本发明的层叠片进行碎片化处理的状态的剖视图。

图10及图11分别为示出本发明的经过碎片化处理的层叠片的层压工序的剖视图。

图12为示出本发明的第一实施例的对磁场屏蔽片进行碎片化处理后进行层压的状态的剖视图。

图13a及图13b分别为示出经过碎片化处理后未进行层压工序的磁场屏蔽片和经过碎片化处理后进行了层压工序的磁场屏蔽片经过湿度测试的放大照片。

图14a至图14c分别为根据本发明的第二实施例使用具有相互不同的磁导率的异种材料而形成的混合型磁场屏蔽片的结构图。

图15为示出根据本发明的第三实施例具有电磁波屏蔽功能的数字转换器用磁场屏蔽片的剖视图。

图16为示出本发明的磁场屏蔽片适用于具有数字转换器功能的便携式终端机的结构的简要分解立体图。

图17a及图17b分别为示出无热处理Fe类非晶质带状薄片和根据本发明进行了热处理的Fe类非晶质带状薄片的表面的电感值分布的图表。

图18a及图18b分别为Fe类非晶质带状薄片进行热处理后未进行碎片化处理的和进行了碎片化处理的Fe类非晶质带状薄片的表面的电感值分布的图表。

具体实施方式

通过参照附图进行的以下详细的说明，上述目的、特征及优点将会更加明确，因此，本发明所属领域的普通技术人员能够容易实施本发明的技术思想。

并且，在说明本发明的过程中，若判断为有关本发明的公知技术的说明会对本发明的要旨造成不必要的混淆，则省略其详细的说明。

所附的图1为示出本发明优选实施例的磁场屏蔽片的分解立体图，图2为示出图1的实施例中使用一张Fe类非晶质带状薄片的第一实施例的剖视图，图3及图4为示出本发明中所使用的保护膜和双面胶的结构的剖视图，图5为用于说明本发明的磁场屏蔽片的制备工序的工序图。

参照图1至图4，本发明一实施例的磁场屏蔽片10包括：一层或二层非晶质带状薄片2，对非晶质合金的带或条(以下，简称为“带”)进行热处理之后经过碎片化处理而分离成多个微细碎片和/或形成有裂缝；保护膜1，粘结于上述非晶质带状薄片2的上部；一层双面胶3，粘结于上述非晶质带状薄片2的下部；离型膜4，粘结于上述双面胶3的下部。上述离型膜4在制备双面胶3时以形成一体的方式形成，并在屏蔽片10附着于数字转换器面板时被去除。

例如，上述非晶质带状薄片2可以使用由Fe类磁性合金形成的薄片状的带。

例如，Fe类磁性合金可以使用Fe-Si-B合金，优选地，Fe为70-90原子百分比，Si及B之和为10-30原子百分比。Fe等金属的含量越高，饱和磁通量密度越高，但是，Fe元素的含量过多的情况下，难以形成非晶质，因此，本发明中Fe的含量优选为70-90原子百分比。并且，Si及B之和在10-30原子百分比的范围时，合金的非晶质型性能最优秀。为了防止腐蚀，可对这种基本组成添加几原子百分比以内的Cr等防腐蚀性元素，根据需要，可包含少量的其他金属元素，以赋予其他特性。

例如，上述Fe-Si-B合金可以使用结晶化温度为508℃且居里温度Tc为399℃的。然而，这种结晶化温度可以根据Si及B的含量或除了三元类合金成分以外添加的其他金属元素及它们的含量而不同。

如图2所示，本发明的磁场屏蔽片10具有这样一种结构，即，使用一张非晶质带状薄片2，在非晶质带状薄片2的一面粘结有保护膜1，在非晶质带状薄片2的另一面粘结有具有离型膜4的双面胶3。

通常，目前生产的Fe类非晶质带可以制备成宽度为约100mm以上的宽幅带状薄片。其结果，本发明的磁场屏蔽片10在适用于面积大于智能手机的大型显示屏，例如，宽度为100mm的便携式终端设备的情况下，无需沿着长度方向对接两张片，也能够裁剪一张宽幅带状薄片来覆盖宽度为100mm的便携式终端设备用磁场屏蔽片10。

因此，通常需要沿着长度方向以对接或交叠的方式连接宽度为50mm的两张片来使用的纳米晶粒带状薄片的情况下，在片间或片的连接部分发生磁导率的偏差，而存在数字转换器难以表现均匀的特性的问题，但是使用一张宽幅的带状薄片的本发明能够解决这种局部的磁导率的偏差。

如图3所示，在本发明中所使用的保护膜1例如能够使用如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、聚酰亚胺膜、聚酯膜、聚苯硫醚(PPS)膜、聚丙烯(PP)膜、聚四氟乙烯(PTFE)膜的氟树脂类膜等基材11，且基材11的一面形成有第一粘结层12，当附着于非晶质带状薄片2的一面时，去除为了保护第一粘结层12而附着在第一粘结层12的另一面的离型膜4a后附着。

并且，双面胶3如图4所示，例如，在由如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的氟树脂类膜构成的基材32的两侧面形成有粘结层31、33，在第二粘结层31及第三粘结层33的外侧面分别附着有离型膜4、4b，以保护第二粘结层31及第三粘结层33。

当将上述双面胶3附着于非晶质带状薄片2的下部时，以去除上部的离型膜4b的状态附着，当将磁场屏蔽片10附着于数字转换器面板时，下部的离型膜4被剥离。

双面胶3可适用如上所述的所有基材的类型，也可适用没有基材而仅由粘结层形成的无基材类型。优选地，插入于非晶质带状薄片2之间的双面胶，使用无基材类型有利于薄膜化。

例如，用于上述保护膜1和离型膜4的第二粘结层31及第三粘结层33能够使用丙烯酸类粘结剂，当然也能够使用其他类型的粘结剂。

如图1所示，本发明实施例的磁场屏蔽片10能够由对应于数字转换器54的矩形形成，优选地，根据要求磁场屏蔽的部位的形状，具有与此相对应的形状。

例如，用于上述磁场屏蔽片10的非晶质带状薄片2，每张的厚度可以是15μm至35μm。在此情况下，考虑到对非晶质带状薄片2进行热处理后的操作，优选地，非晶质带状薄片2的厚度设定为25至30μm。带的厚度越薄，在热处理后进行操作时，轻微的冲击也会导致发生带的破碎现象。

并且，保护膜1可使用厚度为10～30μm范围的膜，优选地，具有10μm的厚度。双面胶3可使用厚度为10、20、30μm的，优选地，具有10μm的厚度。

以下，参照图5对本发明的实施例的磁场屏蔽片10的制备方法进行说明。

首先，利用借助熔体纺丝的急冷凝固法(RSP)制备Fe类非晶质带，例如，制备由Fe-Si-B合金形成的30μm以下的极薄型非晶质带后(步骤S11)，首先按照规定长度切割后以片形态进行层叠，以容易进行热处理后的后处理(步骤S12)。

在本发明中，非晶质带状薄片2的所需范围的磁导率(电感值)应设定为不影响地磁传感器，屏蔽终端机的本体发生的磁场来防止影响数字转换器，还有助于提高数字转换器的灵敏度。

如图6所示，使用Fe类非晶质带状薄片2的磁场屏蔽片10和地磁传感器60之间的距离设定为约2mm间距的情况下，测定地磁传感器60方位角时不产生影响的非晶质带状薄片2的磁导率的范围要求以电感值为基准15μH至18μH。

为了满足这种要求，在445℃T3至460℃T4的第二温度范围To，对所层叠的上述Fe类非晶质带状薄片进行30分钟至两个小时的无磁场热处理，由此得到磁导率值(电感值)在15μH至18μH范围的非晶质带状薄片2(步骤S13)。

在此情况下，就热处理气氛而言，因为在即使非晶质带状薄片2的Fe含量高也不发生氧化的温度范围进行热处理，因此无需在气氛炉进行，在大气中进行热处理也无妨。并且，即使在氧气氛或氮气氛下进行热处理，只要是相同的温度条件，薄片的磁导率实质上就没有差异。

如图6所示，由上述Fe-Si-B合金构成的Fe类非晶质带状薄片2在热处理温度小于430℃T0的情况下，电感值(磁导率与电感值成正比例)维持约20.7μH的值，以430℃T0为起点，随着热处理温度增加，生成部分结晶，片的表面电阻增加，从而电感值(磁导率)急剧减少。

因此，对上述非晶质带状薄片2采用这样一种方法，即，将Fe-Si-B合金制备成非晶质带或条形态后，在445℃T3至460℃T4的第二温度范围To进行30分钟至两个小时的无磁场热处理，来降低减电感值(磁导率)，通过这种方法来得到磁导率值(电感值)在15μH至18μH范围的非晶质带状薄片2。

例如，可使用12.1μH的线圈，在电感电容电阻测试器(LCR meter)中，以100kHz、1V的条件测定片的电感值后，从测出的片的电感值换算出上述片的磁导率。

为了满足上述的电感值(磁导率)的范围而使热处理温度小于445℃T3的情况下，存在磁导率高于所需磁导率且热处理时间长的问题，超过460℃T4的情况下，因过热处理而磁导率明显降低，而存在无法达到所需磁导率的问题。通常，若热处理温度低，则所需的处理时间长，相反，若热处理温度高，则处理时间缩短。

另一方面，本发明的Fe类非晶质带状薄片2的厚度在15μm至35μm范围，Fe类非晶质带状薄片2的磁导率以与带的厚度成正比的方式增加。

并且，就非晶质带而言，因各片的原材料的不均匀性，片的厚度及热处理炉(furnace)的内部的环境等，经热处理的非晶质带状薄片2的磁导率会发生个别的偏差。

但是，对本发明的Fe类非晶质带状薄片2的上述第二温度范围To中的热处理条件为使用Fe类非晶质带状薄片2的磁场屏蔽片10和地磁传感器60之间的距离设定为约2mm的间距的情况下所需的条件。

如果，如图16所示，磁场屏蔽片10和地磁传感器60之间的距离设定为2mm以内的情况下，带状薄片2的磁导率可设定为更低，且距离设定为大于2mm的情况下，带状薄片2的磁导率也可设定为更高。

因此，考虑这种大范围的磁导率，Fe类非晶质带状薄片2的热处理条件可设定为在440℃T1至480℃T2的第一温度范围Tp进行30分钟至两个小时。

并且，若超过430℃至500℃之间的温度下进行过热处理，则可利用片的电感值几乎线性减少的特性，来容易制备具有所需磁导率的片。

另一方面，之所以将上述热处理温度设定在上述范围，是因为在磁场屏蔽片10和地磁传感器60之间的距离设定为2mm以内的情况下，当测定地磁传感器60的方位角时不进行软件性校正时，将带状薄片2的磁导率设定为适当范围。

在本发明中发现，对Fe类非晶质合金的带状薄片进行热处理后，进行碎片化处理来增加退磁磁场，则能够防止发生磁饱和，防止地磁传感器的磁滞现象失真。

因此，即使屏蔽片的磁导率超过上述18μH范围的磁导率值(电感值)，地磁传感器也不发生磁滞现象失真，只发生方位角失真和传感器灵敏度失真的情况下，能够对方位角失真和传感器灵敏度失真进行软件校正，因此，用于磁场屏蔽片10的带状薄片的磁导率高有助于提高数字转换器的电子笔的灵敏度而优选。

或者借助软件校正来解决地磁传感器60的方位角失真和传感器灵敏度失真，或者磁场屏蔽片10和地磁传感器60之间的距离设定为大于2mm，或者不采用地磁传感器60的情况下，也可采用磁导率更大的带状薄片2。

考虑这几点，在本发明中，将对于Fe类非晶质带状薄片2的热处理温度的下限值设定为在作为热处理的后续工序的带状薄片2的碎片化处理工序中容易进行非晶质带状薄片的碎片化的温度，即300℃。

这种情况下，热处理温度在300℃至430℃T0之间的情况下，电感值约为20.7μH，但是当进行碎片化处理时电感值减少0.7μH，因此，当适用于磁场屏蔽片10时，电感值设定为约20μH。

接着，使用一张或两张经过热处理的非晶质带状薄片2，以附着有双面胶3的状态进行碎片化处理，上述双面胶3的一侧附着有保护膜1，另一侧附着有离型膜4(步骤S14)。

在层叠二层非晶质带状薄片2的情况下，在带状薄片2之间插入双面胶，以能够实现相互粘结。

例如，上述碎片化处理以如下方式进行，使依次层叠有保护膜1、非晶质带状薄片2、双面胶3及离型膜4的层叠片100通过图7及图8所示的第一碎片化装置110及第二碎片化装置120，来将非晶质带状薄片2分离成多个微细碎片20。在此情况下，如图9所示，分离后的多个微细碎片20借助在两侧面粘结的第一粘结层12及第二粘结层31而保持分离的状态。

例如，如图7所示，可使用的第一碎片化装置110可由金属辊112和橡胶辊114构成，在上述橡胶辊112的外面形成有多个凹凸116，上述橡胶辊114与上述金属辊112相向配置。如图8所示，第二碎片化装置120可由金属辊122和橡胶辊124构成，上述金属辊122的外面安装有多个圆球126，上述橡胶辊124与上述金属辊122相向配置。

这样，若使层叠片100通过第一碎片化装置110及第二碎片化装置120，则如图9所示，非晶质带状薄片2分离成多个微细碎片20，并在微细碎片20之间发生缝隙20a。

非晶质带状薄片2的多个微细碎片20的大小为几十μm～3mm，优选地，其大小在几百μm～1mm的范围内，因此增加退磁磁场来去除磁滞损耗，由此能够提高片磁导率的均匀性。

并且，非晶质带状薄片2借助碎片化处理来减少微细碎片20的表面积，由此能够防止因交流磁场而生成的涡电流(Eddy Current)所导致的放热问题。

经过碎片化处理的层叠片200的微细碎片20之间存在缝隙20a，若水分渗透到该缝隙20a中，则非晶质带将会被氧化，导致非晶质带的外观不美观和屏蔽性能有所下降。

并且，在仅实施碎片化处理的情况下，随着微细碎片20的移动，微细碎片20之间相互接触，微细碎片20的大小会增加，由此，会导致出现涡电流损耗增加的问题。

加上，经过碎片化处理的上述层叠片200，在进行碎片化处理时片的表面会发生不均匀的现象，经过碎片化处理的带需要稳定化。

因此，在经过碎片化处理的层叠片200中，将粘结剂填充于微细碎片20之间的缝隙20a，同时实施用于平坦化、轻薄化及稳定化的层压工序(步骤S15)。结果，能够防止水分的渗透，还能够用粘结剂包覆微细碎片20的所有面，来将微细碎片20进行相互分离，从而能够减少涡电流。

如图10所示，用于上述层压工序的层压装置400、500能够适用辊压机(rollpress)类型，上述辊压机由第一加压辊210和第二加压辊220构成，经过碎片化处理的层叠片200通过上述第一加压辊210，上述第二加压辊220以与第一加压辊210隔开规定间距的方式进行配置。如图11所示，上述层压装置400、500还能够使用液压机类型，上述液压机由下部加压部件240和上部加压部件250构成，上述上部加压部件250以能够移动的方式沿着垂直方向配置于下部加压部件240的上侧。

若以常温或50至80℃的温度对经过碎片化处理的层叠片200进行加热后，使其通过层压装置400、500，则随着对保护膜1的第一粘结层12进行加压，第一粘结层12的一部分粘结剂流入缝隙20a中，并且随着对双面胶30进行加压，第二粘结层31的一部分粘结剂流入缝隙20a中，由此密封缝隙20a。

其中，第一粘结层12和第二粘结层31能够使用在常温下加压时可变形的粘结剂或加热即可变形的热塑性粘结剂。

并且，优选地，第一粘结层12和第二粘结层31的厚度为非晶质带的厚度的50％以上，以能够充分填充于多个微细碎片之间的缝隙20a。

并且，优选地，第一加压辊210和第二加压辊220之间的间距及当上部加压部件处于下降的状态时上部加压部件250和下部加压部件240之间的间距为层叠片200的厚度的50％以下，以使第一粘结层12和第二粘结层31的粘结剂流入缝隙20a。

在本发明中，只要能够进行层叠片100、200的碎片化及压接处理，能够使用任何装置。

若上述层压工序结束，如图12所示，本发明的电磁波吸收片10具有如下的结构，以非晶质带状薄片2分离成多个微细碎片20的状态，第一粘结层12和第二粘结层31分别部分地填充于微细碎片20之间的缝隙20a，由此防止非晶质带状薄片2的氧化及移动。

最后，经过上述层压的磁场屏蔽片10以对应于数字转换器54的大小的四角形状进行冲压加工，来实现产品化(步骤S16)。

在上述实施例中，示出了将一个保护膜1附着于磁片2的一侧，并进行碎片化及层压处理的情况，但是经过碎片化处理工序后会发生保护膜1的损伤。因此，优选地，在保护膜1的上部附着用于保护保护膜1的另一保护膜后进行处理工序，完成处理后最好剥离并去除表面的保护膜。

湿度测试

在85℃的温度、85％的湿度下，对经过上述碎片化和层压工序而得到的本发明的磁场屏蔽片10和经过碎片化处理后未经过层压工序的层叠片200进行120小时的湿度测试。

其结果，仅实施碎片化处理的层叠片200如图13a所示，在非晶质带分离成多个微细碎片的状态时，水分渗透到各碎片之间的缝隙中，导致非晶质带被氧化，外观发生了变化，而本发明的磁场屏蔽片10如图13b所示，其外观没有发生变化。

另一方面，在上述的图1及图2中所示的第一实施例的磁场屏蔽片10利用相同的非晶质带状薄片2构成一层或二层结构的磁片，但是本发明的磁场屏蔽片，如图14a至图14c所示的第二实施例，能够使用由异种材料构成的混合型薄片状磁片来构成。

参照图14a，第二实施例的混合型薄片状磁片35能够由在高磁导率的第一磁片35a和低磁导率的第二磁片35b之间插入粘结层35c来进行组合的混合形态构成，上述低磁导率的第二磁片35b的磁导率低于上述第一磁片。

作为上述第一磁片35a，能够适用由Fe类非晶质合金形成的上述非晶质带状薄片。

第二磁片35b能够使用由非晶质合金粉末、软磁性体粉末、铝硅铁粉等高磁导率的磁性粉末和树脂形成的聚合物片。

在此情况下，优选地，非晶质合金粉末例如使用具有选自主要由Fe-Si-B、Fe-Si-B-Cu-Nb、Fe-Zr-B及Co-Fe-Si-B组合的组中的组成并包含一种以上的非晶质合金的非晶质合金粉末。

并且，如图14b所示，混合型薄片状磁片36在中央部使用规定面积的纳米晶粒带状薄片作为第一磁片36a，在上述第一磁片36a的外部能够组合聚合物片或铁氧体环来形成整体包覆第一磁片36a的环形的第二磁片36b。即，将磁导率相对低于纳米晶粒带状薄片的聚合物片或铁氧体以环形态形成，并配置于纳米晶粒带状薄片的外围。其结果，能够将对地磁传感器60产生的影响最小化，并能够屏蔽涉及到数字转换器的磁场。

加上，参照图14c，第二实施例的混合型薄片状磁片37由面积不同的第一磁片37a及第二磁片37b构成，第一磁片37a在大面积上使用非晶质带状薄片，第二磁片37b在第一磁片37a的一面由磁导率高于非晶质带状薄片的磁导率的磁片，例如无热处理Fe类非晶质片以2～3mm左右的宽度组合成混合形态。

在形成上述混合形态的薄片状磁片37的情况下，第二磁片37b能够以与第一磁片37a重叠或者部分交叠的方式延伸形成，或者能够以相对第一磁片37a平坦延伸的方式形成。在使用混合形态的薄片状磁片37的磁场屏蔽片适用于便携式终端机50的情况下，由Fe类非晶质片构成的第二磁片37b以远离配置在主电路板57的地磁传感器60的方式进行设置。

由上述Fe类非晶质片构成的高磁导率的第二磁片37b采用能够将对地磁传感器60产生的影响最小化的范围，高磁导率的磁场屏蔽片起到有助于吸收用于执行数字转换器功能所需的电磁波的作用，即，随着磁通量的传递率增加，电子笔的灵敏度会提高。

另一方面，图14c所示的第二实施例的混合型薄片状磁片37使用了第二磁片37b的磁导率高于第一磁片37a的磁片，但是相反地，也能够使用第二磁片37b的磁导率低于第一磁片37a的磁片。

即，第一磁片37a使用上述Fe类非晶质带状薄片，第二磁片37b使用聚合物片，磁导率低的第二磁片37b设置在与配置在主电路板57的地磁传感器60接近的一侧。其结果，能够将对地磁传感器60产生的影响最小化，并能够屏蔽涉及到数字转换器的磁场。

另一方面，图15示出了根据本发明第三实施例的具有电磁波屏蔽功能的屏蔽片。

第三实施例的屏蔽片10c具有在第一实施例的磁场屏蔽片10的一面利用双面胶或粘结剂来粘结导电体片5的结构，上述导电体片5由导电率优秀的铜(Cu)箔或铝箔(Alfoil)构成，具有用于屏蔽电磁波的附加功能。上述导电体片5的厚度为5至100μm，优选地，10至20μm。

并且，上述导电体片5，也能够利用溅射法来形成Cu、Ni、Ag、Al、Au、Sn、Zn、Mn或这些金属的组合的薄膜金属层，来代替由箔形态构成的方法。

例如，如需要在发生严重的电源噪声等电磁波的笔记本电脑中实现数字转换器功能，能够使用具有上述电磁波屏蔽功能的屏蔽片10c，来防止从笔记本电脑本体发生的电磁波影响数字转换器。

在此情况下，第三实施例的屏蔽片10c以使导电体片5面向主电路板露出的方式通过双面胶3附着于数字转换器面板(PCB)的背面。

另一方面，以下将参照图16对本发明的上述磁场屏蔽片适用于具有数字转换器功能的便携式终端机的结构进行说明。

图16为示出本发明的磁场屏蔽片适用于具有数字转换器功能的便携式终端机的结构的简要分解立体图。

参照图16，适用本发明的磁场屏蔽片的具有数字转换器功能的便携式终端机50以触摸屏面板52、显示面板53、数字转换器面板54、磁场屏蔽片10、支架56、主电路板57及背面盖58依次结合的方式构成，并具有以非接触方式从终端机50接收电力后被激活的电子笔51。

在便携式终端机50的上部面，在液晶显示装置(LCD)或有源矩阵有机发光二极体面板(AMOLED)类型的显示面板53的前面配置有一体型触控面板52，以起到终端机和用户之间的界面作用。例如，上述触摸屏面板能够以在有源矩阵有机发光二极体面板显示装置的正上方以蒸渡形态涂敷的“全贴合(On-Cell)”方式体现。

为了在上述终端机50中体现数字转换器功能，在上述笔51的内部内置用于无线通信的线圈形状的天线及电路元件，以使上述笔51与终端机50通过无线通信收发信息，由此能够以非接触方式接收电力来驱动电路。

为此，笔51通过基于电感结合方式的无线充电功能，来接收在终端机中发生的100～200kHz带宽的交流磁场，并以无线方式向笔51传输电力来驱动内部的电路元件，再次利用500kHz以上的频率，进行终端机50的数字转换器面板54和笔51之间的无线通信。

电子笔功能借助配置于触摸屏面板52或显示面板53的下侧的数字转换器面板54来体现。数字转换器面板54为薄的金属制膜，将电接通到该膜时，构成薄的电磁场，在笔51的端部设有超微型天线线圈，用于发生交流磁场。

在利用数字转换器功能的情况下，若笔51的前端部接近触摸屏面板52，则发生电磁感应现象，随之在配置于触摸屏面板52或显示面板53的下侧的数字转换器面板54中，已形成的电磁场发生变形，通过配置于一侧角部的传感器来检测这种变形，由此识别X、Y坐标，并识别笔的动作。

为了使用利用上述电磁感应现象的数字转换器功能，需要屏蔽从主电路板56的各种部件发生的电磁场对数字转换器面板54产生的影响。为此，在数字转换器面板54和主电路板57之间插入有磁场屏蔽片10。

上述磁场屏蔽片10可利用双面胶等来紧贴于数字转换器面板54的背面，也可使用单独的固定用支架56以能够装拆的方式与数字转换器面板54的背面相结合。

即，根据附着磁场屏蔽片10的方法，能够去除磁场屏蔽片10的离型膜4，并使双面胶3附着于数字转换器面板54的背面。

并且，作为上述的附着上述磁场屏蔽片10的方法的替代方法，还可在磁场屏蔽片10的保护膜1的上部使用单独的双面胶来附着于数字转换器面板54的背面，而在磁场屏蔽片10的下部，在去除离型膜后外露的双面胶3的粘结层33上附着装饰材料。

另一方面，在终端机中设有地磁传感器60，以实现导航或增强现实等功能，上述地磁传感器60配置于主电路板57的一侧角部。

上述磁场屏蔽片10以对应于数字转换器面板54的大小形成，以免影响数字转换器功能。在此情况下，磁场屏蔽片10的尺寸略小于主电路板57的尺寸，在便携式终端机的内部，磁场屏蔽片10和地磁传感器60之间设定为约2mm的间距。

本发明的非晶质带状薄片2的磁导率(电感值)应设定为不影响地磁传感器60的同时能够屏蔽从终端机本体即主电路板57等发生的磁场，从而不影响数字转换器面板54的同时有助于提高数字转换器的灵敏度的磁导率的范围。

其结果，如上所述，本发明的磁场屏蔽片10接近地磁传感器60而一起用于便携式终端机的情况下，也能够将对地磁传感器60产生的影响最小化。

并且，本发明的磁场屏蔽片10具有非晶质组织，并具有经过碎片化处理而分离成多个微细碎片20和/或形成有裂缝的低磁导率的Fe类非晶质带状薄片2。其结果，在本发明的磁场屏蔽片中，借助碎片化处理分离成多个微细碎片，来增加退磁磁场来去除磁滞损耗，由此提高片的磁导率的均匀性。其结果，能够体现均匀的特性的数字转换器。

并且，上述非晶质带状薄片2借助碎片化处理而减少带的表面积，由此能够防止因交流磁场导致的涡电流(Eddy Current)放热问题。

另一方面，在便携式终端机中采用的磁场屏蔽片以能够屏蔽主要沿着垂直方向施加的垂直磁场的方式进行内置。但是，便携式终端机包括地球磁场，因此会面临从片的侧面施加明显高于地球磁场的磁场的情况。

以往的无热处理或高磁导率的铁(Fe)类非晶质带状薄片用作磁场屏蔽片的情况下，当沿着片的一面从外部施加磁场时，磁场沿着片的平面通过，并向接收磁场的片的相反侧发散。其结果，地磁传感器60发生X、Y、Z方向的灵敏度大小差异，导致发生角度误差的问题。

与此相反，由于本发明的低磁导率的铁(Fe)类非晶质带状薄片2借助碎片化处理而分离成多个微细碎片20和/或形成有裂缝，因此，在沿着片的一面从外部施加磁场的情况下，也能够通过多个微细碎片20发生衰减，也几乎不向接收磁场的片的相反侧几乎发散。

其结果，在本发明中，当具有非晶质带状薄片2的磁场屏蔽片10用于便携式终端机50时，在沿着片的一面从外部施加磁场的情况下，对地磁传感器60也几乎没有影响。

在本发明中，当使用采用经过碎片化处理的Fe类非晶质带状薄片的磁场屏蔽片时，地磁传感器不发生磁滞现象失真问题，只发生方位角失真和传感器灵敏度失真，这种失真能够通过校正来解决，因此，能够实现无失真的导航功能的同时提高数字转换器功能的灵敏度。

并且，如上所述，在磁场屏蔽片10设于便携式终端机10的数字转换器面板54的情况下，能够在便携式终端设备中执行无线通信或近距离无线通信(NFC，Near fieldcommunications)或射频识别(RFID)等附加功能时发生的屏蔽交流磁场对数字转换器面板54产生的影响，并且磁场屏蔽片起到有助于吸收用于执行数字转换器功能所需的电磁波的作用，即，随着磁通量的传递率增加，电子笔的灵敏度随之提高。

便携式终端机中不采用地磁传感器的情况下，只用于屏蔽对于数字转换器的磁场的目的而使用的Fe类非晶质带状薄片的磁导率(电感值)越高，数字转换器的灵敏度越提高。

以下，通过实施例对本发明进行更具体的说明。但是，以下实施例仅仅是用于例示的，本发明的范围不局限于以下实施例。

比较例1

使用高磁导率的Fe类非晶质带状薄片作为磁场屏蔽片时，屏蔽片表面的电感值的分布特性

在比较例1中，对由电感值为19.5μH的常规的Fe-Si-B合金形成的27μm厚度的无热处理Fe类非晶质带状薄片，使用电感值为12.1μH且直径为34mm的圆形平面线圈，来在电感电容电阻测试器中AC(交流电)为1V的条件下，施加数字转换器的通信频率为500kHz的信号，测定屏蔽片表面的电感值的分布，并将其结果表示在图17a。

实施例1

在450℃的温度下，对由Fe-Si-B合金形成的27μm厚度的Fe类非晶质带状薄片进行1.5小时的无磁场热处理，并以与比较例1相同的方法测定屏蔽片表面的电感值的分布，并将其结果表示在图17b。

参照图17a及图17b可知，比较例1的常规的无热处理Fe类非晶质带状薄片表现平坦度低的电感值的分布，但是实施例1的Fe类非晶质带状薄片表现平坦度优秀的电感值的分布。

并且，在比较例1的Fe类非晶质带状薄片中，电感值(磁导率)为19.5μH，即电感值高，用作具有数字转换器功能的便携式终端设备的磁场屏蔽片时，影响地磁传感器，但是实施例1的Fe类非晶质带状薄片借助热处理而电感值(磁导率)为16.5μH，即电感值低，因而不影响地磁传感器。

进而，将比较例1的Fe类非晶质带状薄片用作具有数字转换器功能的便携式终端设备的磁场屏蔽片时，地磁传感器的特性发生约160度左右的角度误差，而处于已失去作为地磁传感器的功能的状态，而且源于旋转方向的磁滞现象也大，因受到Fe类非晶质带状薄片的影响，偏移(offset)(圆脱离圆点的程度)也处于向Y轴的方向扭曲100％的状态，灵敏度也因受到片的磁滞(magnetic hysteresis)影响，X轴相比于Y轴小约60％。

比较例2及实施例2

对上述实施例1的Fe类非晶质带状薄片进行热处理后，调查碎片化处理的影响。

图18a示出对实施例1的Fe类非晶质带状薄片进行热处理后，未经过碎片化处理，并以与上述例相同的方法测定的电感值的分布，图18b示出对实施例1的Fe类非晶质带状薄片进行热处理后，经过碎片化处理，并以与上述例相同的方法测定的电感值的分布。

从比较图18a所示的比较例2和图18b所示的实施例2的电感值的分布可知，对非晶质带状薄片进行热处理后实施碎片化处理时，电感值的分布的平坦度大大改善。

如上所述，具有最佳的磁导率，将碎片化处理的Fe类非晶质带状薄片用作具有数字转换器功能的便携式终端设备作为磁场屏蔽片时，随着片的电感值(即，磁导率)的均匀度增加，而具有遍及在数字转换器面板的整体面积均匀的数字转换器的功能。

以上，有关本发明以特定的优选实施例为例进行了图示和说明，但本发明不局限于上述实施例，本发明所属领域的普通技术人员在不脱离本发明的思想的范围内，能够对本发明进行各种变更及修改。

产业上的可利用性

本发明能够适用于包括具有数字转换器功能的便携式终端设备的各种手提式电子设备，能够将对地磁传感器产生的影响最小化，还能够在便携式终端设备中体现数字转换器功能时，适用于磁场屏蔽片，来屏蔽从便携式终端设备本体的各种部件发生的电磁场，提高电子笔的灵敏度。

Claims (17)

1.一种数字转换器用磁场屏蔽片，其特征在于，

包括：

至少一层薄片状磁片，由Fe类非晶质带状薄片形成，经过碎片化处理而分离成多个微细碎片，

保护膜，通过第一粘结层粘结于上述薄片状磁片的一面，以及

双面胶，通过第二粘结层粘结于上述薄片状磁片的另一面，

上述第一粘结层和第二粘结层的一部分填充于上述多个微细碎片之间的缝隙，来防止水分的渗透，同时以粘结剂包覆微细碎片的表面，来对上述多个微细碎片进行相互绝缘，

上述粘结剂为非导电性粘结剂。

2.根据权利要求1所述的数字转换器用磁场屏蔽片，其特征在于，在300℃至480℃的范围内对上述非晶质带状薄片进行热处理。

3.根据权利要求2所述的数字转换器用磁场屏蔽片，其特征在于，当同时使用上述数字转换器和地磁传感器时，上述薄片状磁片的电感值设定为15μH至18μH的范围。

4.根据权利要求1所述的数字转换器用磁场屏蔽片，其特征在于，上述非晶质带状薄片的厚度在15μm至35μm的范围。

5.根据权利要求1所述的数字转换器用磁场屏蔽片，其特征在于，上述多个微细碎片的大小为几十μm至3mm。

6.根据权利要求1所述的数字转换器用磁场屏蔽片，其特征在于，上述薄片状磁片包括：

Fe类非晶质带状薄片，由多个微细碎片构成；

聚合物片，层叠于上述Fe类非晶质带状薄片，上述聚合物片的磁导率低于上述Fe类非晶质带状薄片的磁导率；以及

粘结层，用于使上述Fe类非晶质带状薄片和聚合物片相粘结。

7.根据权利要求1所述的数字转换器用磁场屏蔽片，其特征在于，还包括辅助磁片，上述辅助磁片以环形层叠于上述薄片状磁片的一侧边或外周。

8.根据权利要求1所述的数字转换器用磁场屏蔽片，其特征在于，还包括导电体片，上述导电体片以薄片状形态形成于上述保护膜的外侧面，用于屏蔽电磁波。

9.一种数字转换器用磁场屏蔽片的制备方法，其特征在于，

包括：

在300℃至480℃的温度下，对Fe类非晶质带状薄片进行30分钟至两个小时的热处理，来形成薄片状磁片的步骤，

在上述薄片状磁片的两侧面分别附着保护膜和双面胶来形成层叠片的步骤，上述双面胶的露出面形成有离型膜，

对上述层叠片进行碎片化处理，来将上述薄片状磁片分割为多个微细碎片的步骤，以及

对经过碎片化处理的上述层叠片进行层压的步骤；

上述层叠片借助层压处理而实现平坦化及轻薄化，形成于上述保护膜和双面胶的第一粘结层及第二粘结层的一部分填充于上述多个微细碎片的缝隙，来防止水分的渗透，同时以粘结剂包覆微细碎片的表面，来对上述多个微细碎片进行相互绝缘，

上述粘结剂为非导电性粘结剂。

10.根据权利要求9所述的数字转换器用磁场屏蔽片的制备方法，其特征在于，在445℃至460℃的温度下对上述Fe类非晶质带状薄片进行30分钟至两个小时的热处理。

11.根据权利要求10所述的数字转换器用磁场屏蔽片的制备方法，其特征在于，上述Fe类非晶质带状薄片的电感值设定为15μH至18μH的范围。

12.根据权利要求9所述的数字转换器用磁场屏蔽片的制备方法，其特征在于，上述Fe类非晶质带状薄片由Fe-Si-B合金形成。

13.根据权利要求9所述的数字转换器用磁场屏蔽片的制备方法，其特征在于，上述多个微细碎片的大小为几十μm至3mm。

14.根据权利要求9所述的数字转换器用磁场屏蔽片的制备方法，其特征在于，在上述层压的步骤之后，还包括在上述保护膜的外侧面粘结铜箔或铝箔的步骤。

15.一种便携式终端设备，具有第一磁场屏蔽片，上述第一磁场屏蔽片插入于数字转换器面板和主电路板之间，用于屏蔽从上述主电路板发生的交流磁场，上述便携式终端设备的特征在于，

上述第一磁场屏蔽片为权利要求1至8中任一项所述的数字转换器用磁场屏蔽片。

16.根据权利要求15所述的便携式终端设备，其特征在于，

还包括配置于上述主电路板的一侧角部的地磁传感器，

上述第一磁场屏蔽片以对应于数字转换器的形状形成，并以与上述地磁传感器隔开间距的方式设置。

17.根据权利要求15所述的便携式终端设备，其特征在于，

还包括第二磁场屏蔽片，上述第二磁场屏蔽片的磁导率高于上述第一磁场屏蔽片的磁导率，上述第二磁场屏蔽片从上述第一磁场屏蔽片的一侧边以重叠或局部交叠的方式延伸形成，或者，上述第二磁场屏蔽片以相对第一磁场屏蔽片平坦延伸的方式形成，

上述第二磁场屏蔽片设于远离地磁传感器的配置位置的位置。