JP4972782B2 - 位置検出装置 - Google Patents
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Description
図9は、ペンタブレットの構成例を示した斜視図である。図9に示したペンタブレットは、鉛筆型の形状を有する位置指示器(ペン)10とセンサ(タブレット)20で構成されており、センサ20にはセンサ基板27が配置されている。詳細は後述するがセンサ基板27には位置検出用のコイルが配置されており、このコイルに発生する誘導起電圧によってセンサ20の描画領域26−a上の位置指示器10の座標が検出されるようになっている。
そして、この位置指示器10側のコイルから送信された電磁波を、センサ20側のコイルで再度受信することで、位置指示器10の現在の座標を知ることができる。
(1)まず、送受信切換スイッチ24は一定時間(T1)、電流ドライバ23に接続し、センサコイル21に交流信号を供給して電磁波を発生させる。
(2)センサコイル21から出力された電磁波はペンコイル11で受信され、位置指示器の共振回路13内で共振する。
(4)このとき、位置指示器10には電磁波が供給されなくなり、共振回路13に蓄えられているエネルギーによりペンコイル11から電磁波が送信される。この電磁波の送信は一定期間(T2)の間行われるが、共振回路13には外部からエネルギーが供給されないので、図10の受信電圧波形に示すように送信される電磁波の振幅は徐々に減衰する。
(5)再び一定期間(T1)、送受信切換スイッチ24が電流ドライバ23側に切り替わり、上記(1)と同様の動作を行う。
(a)まず、センサコイル切換スイッチ22をセンサコイル211に接続し、送受信切換スイッチ24を電流ドライバ側に接続する。これによってセンサコイル211から電磁波が送信される。
(b)次に、上記(1)〜(5)のようにペン10とセンサ20との間で送受信切換スイッチ24を介して電磁波の送受信が行われ、センサコイル211の誘導起電圧の値を検出する。
(c)センサコイル切換スイッチ22をセンサコイル212、213、214と順次切換えて、上記(1)〜(5)の動作を行う。
また、センサ基板と磁路板の間に配置された表示パネルを備え、センサ基板は光透過性を有しており、磁路板は、アモルファス層が表示パネルと非アモルファス層の間に位置するように配置されている。
更に、アモルファス層は、アモルファス層が備える比透磁率によって表示パネルを介して位置するセンサ基板に配置されたセンサコイルによって発生した磁束のための磁路を形成するとともに、渦電流によるセンサコイルによって発生した磁界の減衰を防止するようにしている。そして、非アモルファス層は、アモルファス層が備える比透磁率より低い比透磁率を備えるとともに、金属材料であるアルミニウムで形成されてシールドを行うようにしている。
図1は、本実施の形態の位置検出装置20の分解斜視図である。図示されているように、上側ケース26と下側ケース28の間にセンサ基板27と磁路板30が配置されている。上側ケース26は位置指示器10(図1には示されていない)の描画面26aを有している。磁路板30は、センサ基板27が位置指示器10と対向する面(上側ケース26側)と反対側の面(下側ケース28側)に配置されている。このセンサ基板27には位置指示器10の座標を検出するセンサコイル21が配置されている。
アモルファス層31は、帯状のアモルファス金属31aを長手軸に平行に複数並べて面状に形成する。
このようにアモルファス層31は磁束33、34の通り道を形成するので、磁束がアモルファス層31を貫通せず、外部の磁気的なノイズがセンサコイル21の磁界に影響を及ぼすことはない。
図4は、位置指示器10が発生する誘導起電圧をペン先14近傍の領域で測定したグラフである。ペン先14の座標はグラフのピーク部分に対応する。測定はそれぞれ従来の静電用のシールド板あり、シールド板なし、および本実施の形態の構造に対して行った。グラフの横軸は座標を表しているが任意目盛りである。
この場合、磁路板30は、センサ基板27に対して、表示パネル201の背景に配置される。つまり、表示パネル201に対して、センサ基板27が位置する側と反対側に磁路板30が配置される。またセンサコイル21を形成する材料は透明導電材料だけでなく金属の細線でもよい。
Claims (1)
- 位置指示器から出力された電磁波を受信するセンサコイルを配置したセンサ基板と、
アモルファス層と非アモルファス層とが積層して形成され、前記センサ基板の前記位置指示器と対向する面の側とは反対の面の側に配置された磁路板と、
前記センサ基板と前記磁路板の間に配置された表示パネルを備えており、
前記センサ基板は光透過性を有しており、
前記磁路板は、前記アモルファス層が前記表示パネルと前記非アモルファス層の間に位置するように配置されており、
前記アモルファス層は、前記アモルファス層が備える比透磁率によって前記表示パネルを介して位置する前記センサ基板に配置されたセンサコイルによって発生した磁束のための磁路を形成するとともに、渦電流による前記センサコイルによって発生した磁界の減衰を防止し、
前記非アモルファス層は、前記アモルファス層が備える比透磁率より低い比透磁率を備えるとともに、金属材料であるアルミニウムで形成されてシールドを行うようにした、
ことを特徴とする位置検出装置。
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