KR101244160B1 - 비정질금속 구조체의 열처리 장치 및 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트의 제조방법 - Google Patents

비정질금속 구조체의 열처리 장치 및 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 리본(ribbon) 형태의 비정질금속 구조체를 자기장 열처리를 포함한 열처리 공정을 통해 나노 결정립 금속체로 변환 후 이를 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET:polyethylene terephthalate) 필름으로 덮어씌워 박막형 시트로 형성하는 비정질금속 구조체의 열처리 장치 및 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트의 제조방법은, 리본(ribbon) 형태의 비정질금속(아몰퍼스: amorphous) 구조체를 형성하는 단계와, 상기 비정질금속 구조체에 자기장을 인가하는 자기장 열처리 공정을 포함하는 상태로 상기 비정질금속 구조체를 열처리하여 리본(ribbon) 형태의 나노 결정립 금속체로 변환하는 단계와, 상기 리본 형태의 나노 결정립 금속체를 복수로써 동일 평면 상에 나란히 배치하는 단계와, 상기 동일 평면 상에 나란히 배치된 리본 형태의 나노 결정립 금속체를 비할로겐 원소인 아크릴계의 시트와 기재층이 포함된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET:polyethylene terephthalate) 필름을 덮어씌워 단일 시트를 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.

Description

비정질금속 구조체의 열처리 장치 및 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트의 제조방법{Method for making microwave shielding sheet using amorphous metal and microwave shielding sheet using the same}
본 발명은 비정질금속 구조체의 열처리 장치 및 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 리본(ribbon) 형태의 비정질금속 구조체를 자기장 열처리를 포함한 열처리 공정을 통해 나노 결정립 금속체로 변환 후 이를 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET:polyethylene terephthalate) 필름으로 덮어씌워 박막형 시트로 형성하는 비정질금속 구조체의 열처리 장치 및 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트의 제조방법에 관한 것이다.
최근 들어 전자공학, 반도체 기술, 정보통신 기술 등의 급속한 발전에 힘입어 정보통신 기기들은 점점 다기능화, 소형화, 고속화 및 광대역화 추세에 있다. 그리고, 이런 추세에 부응하기 위해 근래 다양한 소형 정보통신 기기가 개발되어 보급되는 상황이고, 최근 큰 각광을 받는 스마트폰이나 테블릿PC 그리고 디지털 카메라 등이 대표적인 예다.
이러한 소형 정보통신 기기들은 그 내부 구조가 복잡해지는 동시에 소정 공간 내에 다양한 부품이 밀집되어 설치됨에 따라, 부품들 간에 전자 및 전기적 영향이 미쳐 전자파 장해(EMI:electromagnetic interference) 현상이 발생될 수 있다. 그리고, 소형 정보통신 기기들의 유해 전자파는 주변 기기의 기능을 혼란시키고, 성능저하 및 잡음과 영상훼손, 수명 단축 등을 초래할 수 있다. 또한, 인체가 전자파에 장시간 노출될 경우 면역기능 약화 및 유전자 변형 등 악영향을 받을 수 있어 주의가 요구된다. 예를 들어 최근 아이패드, 겔럭시탭으로 대표되는 테블릿PC 또는 스마트폰 등이 큰 인기를 얻어 널리 사용됨에 따라, 그 사용자들은 지하철, 사무실, 가정 등 장소를 가리지 않고 수시로 유해 전자파에 노출되는 상황이다.
상기한 이유로 소형 정보통신 기기의 전자파를 차단하기 위한 다양한 소재 및 구조들이 제공되고 있다. 예를 들어 금속분말과 수지를 혼합 후 이를 핫멜팅(hot-melting) 공정을 통해 전자파 차폐용 시트로 제조하는 방법이 사용되고 있다.
그러나, 이와 같이 금속분말에 수지를 혼합 사용하는 종래의 전자파 차폐용 시트는 상대적으로 고주파 대역인 수백 ㎒ 대역의 전자파 차단에 유리하지만, 상대적으로 저주파 대역인 1㎒ 이하 대역의 전자파 차폐시 그 차폐 기능이 저하되는 문제가 있다. 또한, 비할로겐계의 난연제가 포함되어 있어 그 폐기를 위한 소각 시 유해가스를 다량 발생하는 문제가 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 리본(ribbon) 형태의 비정질금속 구조체를 자기장 열처리를 포함한 열처리 공정을 통해 나노 결정립 금속체로 변환 후 이를 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET:polyethylene terephthalate) 필름으로 덮어씌워 박막형 시트로 형성함으로써, 1㎒ 이하 저주파 대역의 전자파 차폐에 유리한 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트의 제조방법 및 그를 이용한 전자파 차폐용 시트를 제공하는데 목적이 있다.
또한, 본 발명은 그 폐기 시 소각 공정을 포함하지 않아 친환경적인 전자파 차폐용 시트의 제조방법 및 그를 이용한 전자파 차폐용 시트를 제공하는데 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트의 제조방법은, 리본(ribbon) 형태의 비정질금속(아몰퍼스: amorphous) 구조체를 형성하는 단계와, 상기 비정질금속 구조체에 자기장을 인가하는 자기장 열처리 공정을 포함하는 상태로 상기 비정질금속 구조체를 열처리하여 리본(ribbon) 형태의 나노 결정립 금속체로 변환하는 단계와, 상기 리본 형태의 나노 결정립 금속체를 복수로써 동일 평면 상에 나란히 배치하는 단계와, 상기 동일 평면 상에 나란히 배치된 리본 형태의 나노 결정립 금속체를 비할로겐 원소인 아크릴계의 시트와 기재층이 포함된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET:polyethylene terephthalate) 필름을 덮어씌워 단일 시트를 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
또한, 상기 열처리는 6~6.5시간 동안 0~600(℃)의 범위 내에서 진행되되, 열처리 시작 후 3시간이 경과된 시점부터 6시간이 되는 3시간의 범위 내에서 상기 비정질금속 구조체에 30(A) 이상의 자기장을 인가하는 과정이 병행되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 동일 평면 상에 나란히 배치된 리본 형태의 나노 결정립 금속체를 비할로겐 원소인 아크릴계의 시트와 기재층이 포함된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET:polyethylene terephthalate) 필름을 덮어씌워 단일 시트를 형성하는 단계는, 상기 리본 형태의 나노 결정립 금속체 복수 및 상기 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름이 상온의 23~27(℃) 범위에서 합지로울러의 두 로울러 사이를 통과하며 서로 합지되는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 전자파 차폐용 시트는, 자기장 열처리 공정을 포함한 열처리 공정을 거쳐 1㎒~2㎒ 대역의 전자파 차폐에 유리한 특성을 갖는 나노 결정립 금속층과, 상기 나노 결정립 금속층의 적어도 일면에 접합되는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET:polyethylene terephthalate) 필름층을 포함하여 구성된다.
또한, 상기 나노 결정립 금속층은 리본(ribbon) 형태의 비정질금속(아몰퍼스: amorphous) 구조체를 전체 열처리 공정 6~6.5시간 중 30(A)의 자기장을 3시간의 범위 내에서 인가하는 자기장 열처리 공정을 거쳐 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 테레프탈레이트(PET:polyethylene terephthalate) 필름층은 아크릴계의 시트와 기재층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 1㎒ 이하 저주파 대역의 전자파 차폐에 유리한 박막형의 전자파 차폐용 시트를 제조 및 공급할 수 있게 됨으로써, 스마트폰, 테블릿PC 등의 소형 이동통신 기기 등 휴대형의 전자기기에서 방출되는 1㎒ 이하 저주파 대역의 전자파를 효과적으로 차폐할 수 있는 동시에, 그 박막형 단일시트 구조로 인해 협소한 설치 공간에 원활히 설치할 수 있도 휴대형 전자기기의 소형화에 부합되는 효과가 있다.
또한, 폐기 시에 소각 공정을 포함하지 않아 오염물질을 발생하지 않으며, 이에 따라 최근 크게 부각되고 있는 환경문제에 부합되는 친환경적인 효과를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트 제조방법을 보인 흐름도
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트 제조방법에서 열처리 장비를 개략적으로 보인 구성도
도 3은 도 2에서 지그보드 및 지그에 Fe계 비정질 금속리본이 설치된 상태를 보인 평면도
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트 제조방법에서 리본형 나노 결정립 금속체와 필름층의 합지 공정을 보인 사시도
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐용 시트를 보인 사시도
도 6은 도 4의 A-A선 단면도
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자파 차폐용 시트를 보인 단면도
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트의 제조방법 및 그를 이용한 전자파 차폐용 시트를 상세하게 설명한다.
먼저, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트 제조방법에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트 제조방법을 보인 흐름도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트 제조방법(이하 “전자파 차폐용 시트 제조방법”이라 약칭 함)은 먼저 리본(ribbon) 형태의 비정질금속(아몰퍼스, amorphous) 구조체를 형성한다.(S110)
그리고, 이렇게 형성된 리본 형태의 비정질금속 구조체를 자기장 열처리를 포함하여 열처리를 한다. 즉, 리본 형태의 비정질금속 구조체를 6.~6.5시간 동안 열처리하되, 전체 열처리 공정 중 3시간의 범위 내에서 리본 형태의 비정질금속 구조체에 30(A)의 자기장을 인가하는 자기장 열처리를 병행한다. 특히, 열처리 시작 후 3시간이 경과된 시점부터 6시간이 되는 3시간의 범위 내에서 상기 비정질금속 구조체에 30(A) 이상의 자기장을 인가한다. 이에 따라 리본 형태의 비정질금속 구조체는 리본 형태의 나노 결정립 금속체(이하, “리본형 나노 결정립 금속체”라 함)로 변환된다.(S120)
여기서, 나노 결정립 금속체는 자기장을 인가한 상태에서의 열처리 공정을 통해 그 투자율이 최대 200000까지 높아진다. 다시 말해, 리본 형태의 비정질금속 구조체의 미열처리시 초기 투자율은 5000~20000 정도이나, 본 실시예와 같이 자기장 열처리를 하면 그 초기 투자율이 최대 200000에 이르며, 이는 주파수 100㎑~1㎒ 대역의 유해 전자파 차폐에 유리한 특성을 가지는 결과로 이어진다. 다시 말해, 본 실시예의 자기장 열처리를 한 나노 결정립 금속체로 전자파 차폐 시트를 제작할 경우, 100㎑~1㎒ 대역의 유해 전자파 차폐에 유리한 특성을 갖는다.
상기 열처리 공정에 대해 도 2와 도 3을 참조하여 부연 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트 제조방법에서 열처리 장비를 개략적으로 보인 구성도이고, 도 3은 도 2에서 지그보드 및 지그에 리본 형태의 비정질금속 구조체가 설치된 상태를 보인 평면도이다.
도시된 바와 같이 자기장 열처리 장치(10)는 열처리로(11), 지그받침대(12), 지그보드(13-1~13-3), 지그(14), 전원부(15), 동파이프(16)를 포함하여 구성된다.
열처리로(11)는 그 내부에 열처리 공간을 형성하는 것으로서, 즉 열처리로(11)의 내부에서 리본 형태의 비정질금속 구조체(17)의 열처리 및 자기장 열처리가 이루어진다.
지그받침대(12)는 열처리로(11)의 내측 바닥 부분에 설치되며, 이러한 지그받침대(12)는 그 상면이 복수의 지그보드(13-1~13-3) 설치를 위한 지지면을 형성한다.
지그보드(13-1~13-3)는 복수로써 지그받침대(12)의 상부에 순차적으로 적층 설치되며, 이때 복수의 지그보드(13-1~13-3)는 지지대(19-1,19-2)에 의해 소정 간격을 유지하며 순차적으로 적층된다. 본 실시예를 기준으로 부연 설명하면, 지그보드(13-1~13-3)는 3단으로 이루어지며, 최하측 지그보드(13-1)의 상면 외곽에 제1 지지대(19-1)의 하단이 지지되는 동시에 제1 지지대(19-1)의 상단에 중간 지그보드(13-1)의 상면 외곽이 지지된다. 그리고, 중간 지그보드(13-2)의 상면 외곽에 제2 지지대(19-2)의 하단이 지지되는 동시에 제2 지지대(19-2)의 상단에 최상측 지그보드(13-3)의 상면 외곽이 지지된다.
지그(14)는 각 지그보드(13-1~13-3)의 상면에 각각 구비되는 것으로서, 다시 말해 본 실시예의 세 지그보드(13-1~13-3) 상면에 지그가 각각 구비된다. 그리고, 본 실시예에서는 지그(14)의 형상이 원형으로 권취된 리본 형태의 비정질금속 구조체(17)와 대응되도록 원형인 것을 예로 하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 지그(14)는 자기장 열처리 대상인 비정질금속 구조체의 형태에 대응되는 다양한 형태로 변형 실시될 수 있다.
전원부(15: power supply)와 동파이프(16)는 지그(14)에 전원을 공급하여 동파이프(16) 주변에 형성되는 자기장에 의해 리본 형태의 비정질금속 구조체(17)의 자기장 열처리가 이루어지도록 한다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 리본 형태의 비정질금속 구조체(17)는 스테인레스 재질의 서스링(18)에 권취된 상태이며, 이러한 리본 형태의 비정질금속 구조체(17)가 그 서스링(18)에 지그(14)를 끼운 상태로 지그보드(13-1) 상면에 거치된다. 도 3에서 화살표는 동파이프(16)를 통해 흐르는 전류 방향에 따라 지그 및 리본 형태의 비정질금속 구조체(17)에 형성되는 자기장의 방향을 표시한 것이다.
다시 도 1로 돌아가서, 리본형 나노 결정립 금속체는 열처리 공정 후 동일 평면 상에 나란히 배치된다.(S130) 다시 말해, 펼쳐진 리본형 나노 결정립 금속체가 복수로써 동일 평면 상에 나란히 배치된다.
그리고, 이렇게 나란히 배치된 복수의 리본형 나노 결정립 금속체를 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET:polyethylene terephthalate) 필름층으로 덮어씌워 단일의 시트로 형성한다.(S140) 여기서, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET:polyethylene terephthalate) 필름층은 비할로겐 원소인 아크릴계의 시트와 기재층이 포함된 형태이다.
그리고, 복수의 리본형 나노 결정립 금속체를 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET:polyethylene terephthalate) 필름층으로 덮어씌우는 공정을 도 4를 참조하여 부연 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트 제조방법에서 리본형 나노 결정립 금속체와 필름층의 합지 공정을 보인 사시도이다.
도시된 바와 같이, 리본형 나노 결정립 금속체(110)가 동일 평면상에서 나란한 3열로서 합지용 롤러의 두 롤러(131,132) 사이로 통과되고, 이와 동시에 리본형 나노 결정립 금속체(110)의 상부와 하부에 각각 위치한 한 쌍의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름의 타래(121,122)로부터 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(121a, 122a)이 각각 펼쳐지면서 합지용 롤러의 두 롤러(131,132) 사이를 통과한다. 여기서, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(121a,122a)의 일면에는 접착층이 구비되며, 이에 따라 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(121a,122a)은 합지용 롤러의 두 롤러(131,132)를 통과하면서 리본형 나노 결정립 금속체(110)와 단일의 시트로 합지된다.
한편, 이러한 리본형 나노 결정립 금속체(110)와 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(121a,122a) 간의 합지 공정은 상온 23~27(℃)의 범위 내에서 이루어진다.
다음은 도 5 및 도 6을 참조하여 상술한 도 1 내지 도 4에 따른 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트 제조방법에 의해 제조된 전자파 차폐용 시트에 대해 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐용 시트를 보인 사시도이고, 도 6은 도 4의 A-A선 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 고안의 일 실시예에 따른 전자파 차폐용 시트(200)는 복수 열(본 실시예에서는 3열을 예로 하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아님)의 리본형 나노 결정립 금속체에 단일의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름이 덮어씌워진 단일 시트 형태로 이루어진다.
도 6을 참조하면, 전자파 차폐용 시트(200)는 중앙의 나노 결정립 금속층(110)을 기준으로 상하부(도 6 기준의 상하부)에 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름층(220,230)이 접착층(211a,222a)에 의해 접착된 상태이다. 여기서, 나노 결정립 금속층(210)은 상술한 리본형 비정질금속 구조체를 자기장 열처리하여 얻어지는 나노 결정립 금속체로 이루어진 것이므로, 이러한 나노 결정립 금속체의 특성에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐용 시트는 100(㎑)~1(㎒) 대역의 유해 전자파 차폐에 유리한 특성을 가진다.
한편, 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자파 차폐용 시트를 보인 단면도로서, 본 실시예의 전자파 차폐용 시트(300)는 도 6에 따른 전자파 차폐용 시트(200)와 비교하여 나노 결정립 금속층(310)의 상부(도 7 기준의 상부)에만 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(321)이 접착층(320a)에 의해 접착된 예를 나타낸 것이다. 그리고, 이러한 도 7의 전자파 차폐용 시트 역시 도 6에 따른 전자파 차폐용 시트와 그 기능 면에서 유사한 기능을 갖는다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트의 제조방법 및 그를 이용한 전자파 차폐용 시트를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
110 : 리본형 나노 결정립 금속체
121,122 : 폴리에틸렌 테레프 탈레이트 필름의 타래
121a,122a : 폴리에틸렌 테레프 탈레이트 필름
131,132 : 롤러 200,300 : 전자파 차폐용 시트
210,310 : 나노 결정립 금속층
220,230,320 : 폴리에틸렌 테레프 탈레이트 필름층
220a,230a,320a : 접착층

Claims (7)

  1. 리본(ribbon) 형태의 비정질금속(아몰퍼스: amorphous) 구조체를 형성하는 단계; 상기 비정질금속 구조체에 자기장을 인가하는 자기장 열처리 공정을 포함하는 상태로 상기 비정질금속 구조체를 열처리하여 리본(ribbon) 형태의 나노 결정립 금속체로 변환하는 단계; 상기 리본 형태의 나노 결정립 금속체를 복수로써 동일 평면 상에 나란히 배치하는 단계; 상기 동일 평면 상에 나란히 배치된 리본 형태의 나노 결정립 금속체를 비할로겐 원소인 아크릴계의 시트와 기재층이 포함된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET:polyethylene terephthalate) 필름을 덮어씌워 단일 시트를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고;
    상기 단계에서 비정질금속 구조체를 열처리하여 리본 형태의 나노 결정립 금속체로 변환하는 단계는,
    전원을 인가하면 동파이프를 통해 전원이 인가되고, 동파이프에 인가된 전원은 지그와 서스링을 통해 비정질금속 구조체에 인가되어 비정질 금속 구조체가 리본 형태의 나노 결정립 금속체로 변환하는 것을 특징으로 하는 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 열처리는 6~6.5시간 동안 0~600(℃)의 범위 내에서 진행되되, 열처리 시작 후 3시간이 경과된 시점부터 6시간이 되는 3시간의 범위 내에서 상기 비정질금속 구조체에 30(A) 이상의 자기장을 인가하는 과정이 병행되는 것을 특징으로 하는 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 동일 평면 상에 나란히 배치된 리본 형태의 나노 결정립 금속체를 비할로겐 원소인 아크릴계의 시트와 기재층이 포함된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET:polyethylene terephthalate) 필름을 덮어씌워 단일 시트를 형성하는 단계는,
    상기 리본 형태의 나노 결정립 금속체 복수 및 상기 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름이 상온의 23~27(℃) 범위에서 합지로울러의 두 로울러 사이를 통과하며 서로 합지되는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트의 제조방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 내부에 열처리를 위한 공간부를 갖는 열처리로(11)와;
    상기 열처리로(11)의 내측 바닥부분에 설치되는 지그받침대(12)와;
    상기 지그받침대(12) 상부에 설치하되, 지지대(19-1, 19-2)에 의해 소정간격을 유지하면서 순차 적층되는 복수의 지그보드(13-1 ~ 13-3)와;
    상기 복수의 지그보드(13-1~13-3) 상부에 장착되는 지그(14)와;
    상기 지그(14)의 외측에 끼움 결합되는 서스링(18)과;
    상기 서스링(18)의 외측에 권취되는 비정질금속 구조체(17)와;
    상기 지그(14)의 내측으로 관통 설치되며 지그 및 서스링을 통해 비정질금속 구조체에 전원이 공급되도록 유도하는 동파이프(16)와;
    상기 동파이프(16)를 통해 전원을 공급하는 전원부(15)를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질금속 구조체의 열처리장치.
KR1020110061452A 2011-06-24 2011-06-24 비정질금속 구조체의 열처리 장치 및 비정질금속 구조체를 이용한 전자파 차폐용 시트의 제조방법 KR101244160B1 (ko)

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