CN109109426B - 一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法 - Google Patents

一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及纳米晶屏蔽片制备领域，公开了一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，包括：1）退火；2）碎片化：在纳米晶屏蔽片表面覆硅胶保护膜后，进行碎片化处理；3）绝缘化填充：将纳米晶屏蔽片浸入纳米级固体绝缘粉末中，采取超声辅助的方式将纳米级固体绝缘粉末填充至裂纹中；4）贴合；5）等静压：将多层纳米晶屏蔽片装入真空袋中，抽真空密封处理；置于水中等静水压处理。本发明采用填充纳米级固体绝缘粉的方式，对碎片化后的纳米晶屏蔽片进行绝缘性处理，能够进一步降低纳米晶屏蔽片的Rs、涡流损耗，提高纳米晶屏蔽片的品质因数和充电效率。

Description

一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法
技术领域
本发明涉及纳米晶屏蔽片制备领域，尤其涉及一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法。
背景技术
随着手机无线充电朝着快充领域领用的发展，充电电流加大，原有铁氧体方案在不增加厚度的情况下，在使用时存在饱和特性，存在整体接收端效率下降和磁通穿透屏蔽片影响后面其它电路的问题。而多层纳米晶磁片的高Bs和高导磁特性可以在大功率无线充电应用环境下发挥优势。纳米晶隔磁片具有优良磁性能，磁导率高，Rs小，损耗小，为磁力线提供了有效的途径，大量的磁通可以顺利流经隔磁片，极小部分残余磁通可以流经金属表面，产生涡流热效应。
在现有技术中，纳米晶屏蔽片在碎片化后一般都会采用液体浸胶的方式将绝缘介质(液态有机绝缘树脂)渗透进入纳米晶屏蔽片的裂纹中，以提高绝缘性。但是本发明团队经验研究后发现这种方法制得的纳米晶屏蔽片对于品质因子等性能的提升有限，目前已无法彻底满足对于高性能纳米晶屏蔽片的要求。因此有必要开发出一种新的纳米晶屏蔽片表面处理工艺。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，本发明采用填充纳米级固体绝缘粉的方式，对碎片化后的纳米晶屏蔽片进行绝缘性处理，能够进一步降低纳米晶屏蔽片的Rs、涡流损耗，提高纳米晶屏蔽片的品质因数和充电效率。
本发明的具体技术方案为：一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于包括以下步骤：
1)退火：对纳米晶屏蔽片进行退火处理。
2)碎片化：在纳米晶屏蔽片表面覆硅胶保护膜后，进行碎片化处理，使纳米晶屏蔽片表面产生裂纹。
3)绝缘化填充：将碎片化后的纳米晶屏蔽片浸入纳米级固体绝缘粉末中，采取超声辅助的方式将纳米级固体绝缘粉末填充至裂纹中。
4)贴合：取一片纳米晶屏蔽片在其裸露面覆一层有基材或无基材的双面胶，将该纳米晶屏蔽片作为底基面，然后另取一片纳米晶屏蔽片作为第二层，将第二层的裸露面与底基面的双面胶所在面贴合，剥离第二层的硅胶保护膜并覆上双面胶，依次类推贴合至所需层数；得到多层纳米晶屏蔽片，剥去上下表面的硅胶保护膜，在多层纳米晶屏蔽片的一面覆双面胶，另一面覆黑色单面胶，裁剪成设计尺寸。
5)等静压：将裁剪后的多层纳米晶屏蔽片装入真空袋中，抽真空密封处理；然后置于水中进行等静水压处理，排除多层纳米晶屏蔽片中的气泡，同时将双面胶充分渗入裂纹中。
在现有技术中，一般在碎片化后采用液体浸胶的方式将绝缘介质(液态有机绝缘树脂)渗透进入屏蔽片的裂纹中，以提高绝缘性。而本发明采用固体填充的方式，在超声辅助下将纳米级固体绝缘粉末填充至裂纹中，再用水等静压的方式将双面胶充分压入裂纹中，使得纳米级固体绝缘粉末在裂纹中得到固定。在此工艺中，在等静压下屏蔽片裂纹中气泡被排除以利于双面胶的渗入。
目前现有技术采取液体浸渍方式，在使用有机溶剂作为溶剂过程中，溶解部分粘性胶，造成了粘性胶粘性下降(900g粘度下降至300g)，高低温-55℃～85℃试验时，胶层脱离，使纳米晶磁片从无线充电模组中脱离出来。同时液体浸渍方式，烘干有机溶剂过程中，废气处理困难大，容易对空气造成污染。
本发明采用纳米级固体绝缘粉末，固体浸入填充，增大了碎片之间的间隙，增大了纳米晶碎片的绝缘性能，有效降低无线充电磁片充电过程中的涡流损耗，提高了无线充电效率。并且纳米级固体绝缘粉末，与传统有机液态绝缘介质相比，散热性好，更能够有效降低涡流热损耗，提升品质因子。
作为优选，步骤1)中，退火工艺为500-600℃，保温60-120min。
作为优选，步骤2)中，碎片化时两辊间压力100-300kg。
作为优选，步骤3)中，所述纳米级固体绝缘粉末为二氧化硅、氧化锆或氧化铝。
本发明选用纳米级固体绝缘粉末，与传统有机液态绝缘介质相比，散热性好，更能够有效降低涡流热损耗，提升品质因子。
作为优选，步骤3)中，所述纳米级固体绝缘粉末的温度为19-45℃。
作为优选，步骤3)中，超声频率为28-40kHz。
作为优选，步骤3)中，纳米晶屏蔽片的输送速度为1-3m/min。
作为优选，步骤4)中，所述双面胶的厚度为3-12μm，粘度为500-1400g，所述黑色单面胶的厚度为3-12μm。
作为优选，步骤5)中，水温为25～60℃，等静水压为2000～5000kfg，保压时间为25-30min。
作为优选，步骤4)中，纳米晶屏蔽片首次贴附双面胶时，采用纳米晶屏蔽片的贴合装置，所述贴合装置包括机架以及设于机架上的主驱动电机、控制台、电箱；机架上按贴合工序还依次设有胶带传输机构、胶带剥离机构和纳米晶屏蔽片压合机构；所述主驱动电机用于驱动胶带剥离机构和纳米晶屏蔽片压合机构，所述电箱和控制台用于控制整台贴合装置的运作。
本发明贴合装置的工作原理为：双面胶经胶带传输机构输送至胶带剥离机构，在胶带剥离机构上胶带与其保护膜分离，剥离了保护膜后的双面胶被输送至纳米晶屏蔽片压合机构与纳米晶屏蔽片贴合后被进一步压合，从而制得成品。
作为优选，所述胶带传输机构按输送顺序依次包括胶带放料轴、辅助托辊、托辊式悬臂张力传感器；胶带传输机构还包括用于控制所述胶带放料轴张力的第一磁粉控制器；所述托辊式悬臂张力传感器和第一磁粉控制器分别与设于所述电箱中的PLC控制器联接。
在现有技术中，胶带放料轴一般采用磁粉控制器控制张力，通过手动调节来调整张力，但是此张力只是磁粉控制器对放料轴阻力值，并不能实时反馈胶带所承受的张力，另外由于胶带不断地消耗，在贴合时外径尺寸越来越小，造成胶带张力也一直变化。纳米晶屏蔽片在退火后韧性很差，易碎裂，如果胶带受力不均，胶带在与纳米晶屏蔽片接触贴合时，也会导致纳米晶屏蔽片受力不均，从而发生断裂不良。
为此，本发明对此进行了改进，本发明采用托辊式悬臂张力传感器实时监测胶带张力，传感器将信息反馈到PLC控制器(依托现有技术即可实现)，PLC输出信息调节胶带放料轴上磁粉控制器来控制放料轴的张力。本发明通过以上设置，使胶带张力为恒定值，确保胶带始终恒张力贴合，
作为优选，所述胶带剥离机构包括平整度调节辊、托辊、导轨、伺服电机和胶带保护膜收料轴；所述平整度调节辊、托辊和胶带保护膜收料轴依次设于胶带传输机构的后续工位上；托辊设于所述导轨上且可沿导轨来回滑移，所述伺服电机用于驱动托辊。
作为优选，所述纳米晶屏蔽片压合机构按贴合工序依次包括相互配合的纳米晶屏蔽片放料轴和辅助压合辊、压合辊和主收料轴；所述纳米晶屏蔽片放料轴设于托辊后一工位；纳米晶屏蔽片压合机构还包括用于控制纳米晶屏蔽片放料轴张力的第二磁粉控制器、压力调节部件和纠偏部件；第二磁粉控制器与设于所述电箱中的PLC控制器联接。
作为优选，压力调节部件包括顶出电缸、顶杆、连接块和压力传感器；所述顶杆设于顶出电缸的顶出端且可上下位移，所述连接块与顶杆连接，所述辅助压合辊固定于连接块上，所述压力传感器设于辅助压合辊的转轴处；所述压力传感器与设于所述电箱中的PLC控制器联接。
在传统设备和生产工艺中，用于输送胶带的托辊以及在纳米晶屏蔽片与胶带贴合处的辅助压合辊都是固定的，生产中无法实现贴合角度自动调整功能，随着纳米晶卷材直径越来越小，胶带与纳米晶屏蔽片的接触面也越来越小，由于胶带粘性是固定的，接触面减小，贴合强度就会降低，导致易出现分层、气泡，经过压合辊压合后纳纳米晶屏蔽片就会出现断裂，褶皱等不良问题。
为此，本发明进行了改进：对辅助压合辊压合胶带与纳米晶屏蔽片设定一个初始压力值，随着纳米晶外卷材的直径逐渐减小，顶出电缸驱动辅助压合辊逐渐上升，压力传感器实时监测压力并传递信息给PLC控制器(依托现有技术即可实现)，PLC控制顶出电缸和伺服电机(位于胶带剥离机构)同步移动，顶出电缸控制辅助压合辊上升使压力始终为初始设定值，伺服电机驱动托辊沿导轨上升，从而实现保持贴合角度不变。通过以上设置，胶带与纳米晶屏蔽片的贴合角度恒定，并通过辅助压合辊预压，可以有效避免贴合分层，气泡，褶皱等不良产生。
作为优选，所述纠偏部件包括纠偏感应器、滑轨、连接杆和纠偏电缸；所述纠偏感应器设于纳米晶屏蔽片放料轴与压合辊之间；纠偏感应器与设于所述电箱中的PLC控制器联接；纳米晶屏蔽片放料轴固定于第二磁粉控制器上，第二磁粉控制器设于所述滑轨上且可沿滑轨来回滑移，滑移方向与纳米晶屏蔽片输送方向垂直；所述连接杆与滑轨平行设置且其两端分别与第二磁粉控制器和纠偏电缸连接。
纳米晶原带材料从母卷(1000m以上)上分卷成100～300m规格小卷进行高温退火，由于分卷后的材料收卷较松散(收卷紧退火过程中会褶皱不良)，纳米晶屏蔽片在贴合过程中会由内圈到外圈逐渐向两侧中的任一侧滑动，导致纳米晶屏蔽片偏离出胶带范围，目前生产中是通过手动调节位置微调旋钮来调整纳米晶屏蔽片的位置，影响效率，再加上退火后材料韧性很差，手动调整时施加力度不均还可能会导致纳米晶屏蔽片断带，影响良率。
为此，本发明进行了改进：在纳米晶屏蔽片放料轴后方安装纠偏感应器，材料穿过纠偏感应器，纠偏感应器优选采用红外线感应器(现有技术)，通过感应纳米晶屏蔽片边缘(纠偏感应器仅对纳米晶有效，对透明胶带无效)确认材料位置，将信息反馈给PLC控制器(依托现有技术即可实现)，PLC控制器控制纠偏电缸伸缩来推动纳米晶屏蔽片放料轴沿滑轨前后移动，调整纳米晶屏蔽片位置，达到纠偏目的。通过以上设置，纠偏感应器可以实现实时监测，快速纠正调整纳米晶屏蔽片的位置，同时可以排除手动调节不良影响，
作为优选，所述纠偏感应器为红外感应器。
作为优选，所述胶带放料轴、胶带保护膜收料轴、纳米晶屏蔽片放料轴和主收料轴上设有位置微调旋钮。
作为优选，所述机架上还设有触摸屏。可通过触摸屏控制整台装置。
一种采用上述贴合装置贴合纳米晶屏蔽片的方法，包括以下步骤：
1)将双面胶挂放在胶带放料轴上。
2)将双面胶依次穿过辅助托辊、托辊式悬臂张力传感器、平整度调节辊、托辊、辅助压合辊、纠偏感应器和压合辊，最后固定于主收料轴上，将双面胶表面的保护膜在托辊位置剥离并固定于胶带保护膜收料轴上；
3)用压合辊将胶带压合，开启主收料轴和胶带保护膜收料轴。
4)开启装置，低速运行，开启托辊式悬臂张力传感器，设置一个合适张力数值。
5)开启并调整胶带保护膜收料轴和主收料轴的张力大小和速度，使双面胶走直。
6)暂停装置运行，将纳米晶屏蔽片挂放于纳米晶屏蔽片放料轴上，手动牵引一段纳米晶屏蔽片并将其贴于剥离后的双面胶表面，将纳米晶屏蔽片与双面胶位置对齐，开启顶出电缸，设置压力值，使辅助压合辊轻压双面胶和纳米晶屏蔽片。
7)调整纠偏感应器位置，使纠偏感应器位刚好能感应到纳米晶屏蔽片边缘，锁定纠偏感应器位置并开启。
8)调节托辊，设置双面胶与纳米晶屏蔽片的贴合角度，开启伺服电机。
9)运行装置，纳米晶屏蔽片贴合在胶带上并经过压合辊压合后，主收料轴收卷，调机设置完成，开始生产。
与现有技术对比，本发明的有益效果是：
1、本发明采用填充纳米级固体绝缘粉的方式，对碎片化后的纳米晶屏蔽片进行绝缘性处理，能够进一步降低纳米晶屏蔽片的Rs、涡流损耗，提高纳米晶屏蔽片的品质因数和充电效率。
2、本发明的贴合装置和方法具有自动实时检测并调整胶带的输送张力、胶带与纳米晶屏蔽片的贴合角度和贴合位置中的多项功能，可以更好地应用于纳米晶屏蔽片贴合，有效解决现有技术效率低下，合格率低等问题。
附图说明
图1为本发明的一种立体结构示意图；
图2为本发明的一种结构示意图；
图3为图2的右视图；
图4为图2的左视图；
图5为图2的俯视图；
图6为本发明中胶带传输机构的一种结构示意图；
图7为本发明中胶带剥离机构以及纳米晶屏蔽片压合机构的一种结构示意图；
图8为本发明纳米晶屏蔽片压合机构中压力调节部件的一种结构示意图；
图9为本发明纳米晶屏蔽片压合机构中纠偏部件的一种结构示意图；
图10为本发明纳米晶屏蔽片压合机构中纠偏部件的一种结构示意图。
附图标记为：机架1、主驱动电机2、控制台3、电箱4、胶带放料轴5、辅助托辊6、托辊式悬臂张力传感器7、第一磁粉控制器8、平整度调节辊9、托辊10、导轨11、伺服电机12、胶带保护膜收料轴13、纳米晶屏蔽片放料轴14、辅助压合辊15、压合辊16、主收料轴17、第二磁粉控制器18、顶出电缸19、顶杆20、连接块21、压力传感器22、纠偏感应器23、滑轨24、连接杆25、纠偏电缸26、位置微调旋钮27、触摸屏28、双面胶29、保护膜30、纳米晶屏蔽片31。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的描述。
总实施例
一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，包括以下步骤：
1)退火：对纳米晶屏蔽片进行退火处理。退火工艺为500-600℃，保温60-120min。
2)碎片化：在纳米晶屏蔽片表面覆硅胶保护膜后，进行碎片化处理，使纳米晶屏蔽片表面产生裂纹。碎片化时两辊间压力100-300kg。
3)绝缘化填充：将碎片化后的纳米晶屏蔽片浸入温度为19-45℃的纳米级固体绝缘粉末(二氧化硅、氧化锆或氧化铝)中，纳米晶屏蔽片的输送速度为1-3m/min。采取超声辅助(频率为28-40kHz)的方式将纳米级固体绝缘粉末填充至裂纹中。
4)贴合：取一片纳米晶屏蔽片在其裸露面覆一层有基材或无基材的双面胶，将该纳米晶屏蔽片作为底基面，然后另取一片纳米晶屏蔽片作为第二层，将第二层的裸露面与底基面的双面胶所在面贴合，剥离第二层的硅胶保护膜并覆上双面胶，依次类推贴合至所需层数；得到多层纳米晶屏蔽片，剥去上下表面的硅胶保护膜，在多层纳米晶屏蔽片的一面覆双面胶，另一面覆黑色单面胶，裁剪成设计尺寸。
上述双面胶的厚度为3-12μm，粘度为500-1400g，黑色单面胶的厚度为3-12μm。
5)等静压：将裁剪后的多层纳米晶屏蔽片装入真空袋中，抽真空密封处理；然后置于25～60℃的水中进行等静水压处理，等静水压为2000～5000kfg，保压时间为25-30min，排除多层纳米晶屏蔽片中的气泡，同时将双面胶充分渗入裂纹中。
实施例2
一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，包括以下步骤：
1)退火：对铁基纳米晶屏蔽片进行退火处理。退火工艺为575℃，保温90min。
2)碎片化：在纳米晶屏蔽片表面覆硅胶保护膜后，经过剪切花纹辊进行碎片化处理，通过调节俩辊间的压力(136kg)，控制碎片程度，磁导率下降至700。
3)绝缘化填充：将碎片化后的纳米晶屏蔽片浸入温度为35℃的纳米级固体绝缘粉末(二氧化硅)中，纳米晶屏蔽片的输送速度为2m/min。采取超声辅助(频率为35kHz)的方式将纳米级固体绝缘粉末填充至裂纹中。
4)贴合：取一片纳米晶屏蔽片在其裸露面覆一层有基材的双面胶(5μm，粘度为400)，将该纳米晶屏蔽片作为底基面，然后另取一片纳米晶屏蔽片作为第二层，将第二层的裸露面与底基面的双面胶所在面贴合，剥离第二层的硅胶保护膜并覆上双面胶，依次类推贴合至所需层数；得到多层纳米晶屏蔽片，剥去上下表面的硅胶保护膜，在多层纳米晶屏蔽片的一面覆双面胶，另一面覆黑色单面胶，裁剪成设计尺寸。上述双面胶和黑色单面胶的厚度为10μm，粘度为900g。
5)等静压：将裁剪后的多层纳米晶屏蔽片装入PET真空袋中，抽真空密封处理；然后置于50℃的水中进行等静水压处理，等静水压为4500kfg，保压时间为25min，排除多层纳米晶屏蔽片中的气泡，同时将双面胶充分渗入裂纹中。
实施例2
一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，包括以下步骤：
1)退火：对铁基纳米晶屏蔽片进行退火处理。退火工艺为500℃，保温120min。
2)碎片化：在纳米晶屏蔽片表面覆硅胶保护膜后，经过剪切花纹辊进行碎片化处理，通过调节俩辊间的压力(136kg)，控制碎片程度，磁导率下降至700。
3)绝缘化填充：将碎片化后的纳米晶屏蔽片浸入温度为19℃的纳米级固体绝缘粉末(氧化铝)中，纳米晶屏蔽片的输送速度为1m/min。采取超声辅助(频率为28kHz)的方式将纳米级固体绝缘粉末填充至裂纹中。
4)贴合：取一片纳米晶屏蔽片在其裸露面覆一层有基材的双面胶(5μm，粘度为500)，将该纳米晶屏蔽片作为底基面，然后另取一片纳米晶屏蔽片作为第二层，将第二层的裸露面与底基面的双面胶所在面贴合，剥离第二层的硅胶保护膜并覆上双面胶，依次类推贴合至所需层数；得到多层纳米晶屏蔽片，剥去上下表面的硅胶保护膜，在多层纳米晶屏蔽片的一面覆双面胶，另一面覆黑色单面胶，裁剪成设计尺寸。上述双面胶和黑色单面胶的厚度为5μm，粘度为500g。
5)等静压：将裁剪后的多层纳米晶屏蔽片装入PET真空袋中，抽真空密封处理；然后置于25℃的水中进行等静水压处理，等静水压为5000kfg，保压时间为30min，排除多层纳米晶屏蔽片中的气泡，同时将双面胶充分渗入裂纹中。
实施例3
一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，包括以下步骤：
1)退火：对铁基纳米晶屏蔽片进行退火处理。退火工艺为600℃，保温60min。
2)碎片化：在纳米晶屏蔽片表面覆硅胶保护膜后，经过剪切花纹辊进行碎片化处理，通过调节俩辊间的压力(136kg)，控制碎片程度，磁导率下降至700。
3)绝缘化填充：将碎片化后的纳米晶屏蔽片浸入温度为35℃的纳米级固体绝缘粉末(氧化锆)中，纳米晶屏蔽片的输送速度为3m/min。采取超声辅助(频率为40kHz)的方式将纳米级固体绝缘粉末填充至裂纹中。
4)贴合：取一片纳米晶屏蔽片在其裸露面覆一层有基材的双面胶(5μm，粘度为500)，将该纳米晶屏蔽片作为底基面，然后另取一片纳米晶屏蔽片作为第二层，将第二层的裸露面与底基面的双面胶所在面贴合，剥离第二层的硅胶保护膜并覆上双面胶，依次类推贴合至所需层数；得到多层纳米晶屏蔽片，剥去上下表面的硅胶保护膜，在多层纳米晶屏蔽片的一面覆双面胶，另一面覆黑色单面胶，裁剪成设计尺寸。上述双面胶和黑色单面胶的厚度为10μm，粘度为1400g。
5)等静压：将裁剪后的多层纳米晶屏蔽片装入PET真空袋中，抽真空密封处理；然后置于60℃的水中进行等静水压处理，等静水压为2000kfg，保压时间为30min，排除多层纳米晶屏蔽片中的气泡，同时将双面胶充分渗入裂纹中。
实施例4
上述实施例的步骤4)中，首次贴附双面胶时采用纳米晶屏蔽片贴合装置。
如图1-5所示，所述贴合装置，包括机架1以及设于机架上的主驱动电机2、控制台3、电箱4和触摸屏28。机架上按贴合工序还依次设有胶带传输机构、胶带剥离机构和纳米晶屏蔽片压合机构；所述主驱动电机用于驱动胶带剥离机构和纳米晶屏蔽片压合机构，所述电箱、控制台、触摸屏用于控制整台贴合装置的运作。
如图1-2和图6所示，所述胶带传输机构按输送顺序依次包括胶带放料轴5(带有位置微调旋钮27)、辅助托辊6、托辊式悬臂张力传感器7；胶带传输机构还包括用于控制所述胶带放料轴张力的第一磁粉控制器8；所述托辊式悬臂张力传感器和第一磁粉控制器分别与设于所述电箱中的PLC控制器联接。
如图1-2和图7所示，所述胶带剥离机构包括平整度调节辊9、托辊10、导轨11、伺服电机12和胶带保护膜收料轴13(带有位置微调旋钮27)。所述平整度调节辊、托辊和胶带保护膜收料轴依次设于胶带传输机构的后续工位上；托辊设于所述导轨上且可沿导轨来回滑移，所述伺服电机用于驱动托辊。
如图1-2和图7所示，所述纳米晶屏蔽片压合机构按贴合工序依次包括相互配合的纳米晶屏蔽片放料轴14(带有位置微调旋钮27)和辅助压合辊15、两个压合辊16和主收料轴17(带有位置微调旋钮27)。所述纳米晶屏蔽片放料轴设于托辊后一工位；纳米晶屏蔽片压合机构还包括用于控制纳米晶屏蔽片放料轴张力的第二磁粉控制器18、压力调节部件和纠偏部件；第二磁粉控制器与设于所述电箱中的PLC控制器联接。
如图7-8所示，压力调节部件包括顶出电缸19、顶杆20、连接块21和压力传感器22。所述顶杆设于顶出电缸的顶出端且可上下位移，所述连接块与顶杆连接，所述辅助压合辊固定于连接块上，所述压力传感器设于辅助压合辊的转轴处；所述压力传感器与设于所述电箱中的PLC控制器联接。
如图9-10所示，所述纠偏部件包括纠偏感应器23(红外感应器)、滑轨24、连接杆25和纠偏电缸26。所述纠偏感应器设于纳米晶屏蔽片放料轴与压合辊之间；纠偏感应器与设于所述电箱中的PLC控制器联接；纳米晶屏蔽片放料轴固定于第二磁粉控制器上，第二磁粉控制器设于所述滑轨上且可沿滑轨来回滑移，滑移方向与纳米晶屏蔽片输送方向垂直；所述连接杆与滑轨平行设置且其两端分别与第二磁粉控制器和纠偏电缸连接。
一种采用上方述贴合装置贴合纳米晶屏蔽片的方法，包括以下步骤：
1)将双面胶29挂放在胶带放料轴上；
2)将双面胶依次穿过辅助托辊、托辊式悬臂张力传感器、平整度调节辊、托辊、辅助压合辊、纠偏感应器和压合辊，最后固定于主收料轴上，将双面胶表面的保护膜30在托辊位置剥离并固定于胶带保护膜收料轴上；
3)用压合辊将透明胶带压合，开启主收料轴和胶带保护膜收料轴；
4)开启装置，开启托辊式悬臂张力传感器，设置张力数值；
5)开启并调整胶带保护膜收料轴和主收料轴的张力大小和速度，使双面胶走直；
6)暂停装置运行，将纳米晶屏蔽片31挂放于纳米晶屏蔽片放料轴上，手动牵引一段纳米晶屏蔽片并将其贴于剥离后的双面胶表面，将纳米晶屏蔽片与双面胶位置对齐，开启顶出电缸，设置压力值，使辅助压合辊轻压双面胶和纳米晶屏蔽片；
7)调整纠偏感应器位置，使纠偏感应器位刚好能感应到纳米晶屏蔽片边缘，锁定纠偏感应器位置并开启；
8)调节托辊，设置双面胶与纳米晶屏蔽片的贴合角度，开启伺服电机；
9)运行装置，纳米晶屏蔽片贴合在胶带上并经过压合辊压合后，主收料轴收卷，调机设置完成，开始生产。
性能测试：
对表面未处理纳米晶屏蔽片以及表面绝缘化填充处理后的纳米晶屏蔽片(实施例1)进行性能检测，结果如下所示：
由上可知，经过本发明方法表面处理后的纳米晶屏蔽片在Q值(品质因数)等各项数据上取得了进步，充电效率更高。
本发明中所用原料、设备，若无特别说明，均为本领域的常用原料、设备；本发明中所用方法，若无特别说明，均为本领域的常规方法。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制，凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效变换，均仍属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (10)

1.一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于包括以下步骤：
1）退火：对纳米晶屏蔽片进行退火处理；
2）碎片化：在纳米晶屏蔽片表面覆硅胶保护膜后，进行碎片化处理，使纳米晶屏蔽片表面产生裂纹；
3）绝缘化填充：将碎片化后的纳米晶屏蔽片浸入纳米级固体绝缘粉末中，采取超声辅助的方式将纳米级固体绝缘粉末填充至裂纹中；
4）贴合：取一片纳米晶屏蔽片在其裸露面覆一层有基材或无基材的双面胶，将该纳米晶屏蔽片作为底基面，然后另取一片纳米晶屏蔽片作为第二层，将第二层的裸露面与底基面的双面胶所在面贴合，剥离第二层的硅胶保护膜并覆上双面胶，依次类推贴合至所需层数；得到多层纳米晶屏蔽片，剥去上下表面的硅胶保护膜，在多层纳米晶屏蔽片的一面覆双面胶，另一面覆黑色单面胶，裁剪成设计尺寸；
5）等静压：将裁剪后的多层纳米晶屏蔽片装入真空袋中，抽真空密封处理；然后置于水中进行等静水压处理，排除多层纳米晶屏蔽片中的气泡，同时将双面胶充分渗入裂纹中。
2.如权利要求1所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤1）中，退火工艺为500-600℃，保温60-120min。
3.如权利要求1或2所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤2）中，碎片化时两辊间压力100-300kg。
4.如权利要求1或2所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤3）中，所述纳米级固体绝缘粉末为二氧化硅、氧化锆或氧化铝。
5.如权利要求4所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤3）中，所述纳米级固体绝缘粉末的温度为19-45℃。
6.如权利要求4所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤3）中，超声频率为28-40kHz。
7.如权利要求4所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤3）中，纳米晶屏蔽片的输送速度为1-3m/min。
8.如权利要求1所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤4）中，所述双面胶的厚度为3-12μm，所述黑色单面胶的厚度为3-12μm。
9.如权利要求4所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤5）中，水温为25~60℃，保压时间为25-30min。
10.如权利要求1所述的一种无线充电纳米晶屏蔽片的表面处理方法，其特征在于，步骤4）中，纳米晶屏蔽片首次贴附双面胶时，采用纳米晶屏蔽片的贴合装置，所述贴合装置包括机架（1）以及设于机架上的主驱动电机（2）、控制台（3）、电箱（4）；机架上按贴合工序还依次设有胶带传输机构、胶带剥离机构和纳米晶屏蔽片压合机构；所述主驱动电机用于驱动胶带剥离机构和纳米晶屏蔽片压合机构，所述电箱和控制台用于控制整台贴合装置的运作。
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