JP5284736B2 - 磁性シート及びその製造方法 - Google Patents
磁性シート及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5284736B2 JP5284736B2 JP2008239883A JP2008239883A JP5284736B2 JP 5284736 B2 JP5284736 B2 JP 5284736B2 JP 2008239883 A JP2008239883 A JP 2008239883A JP 2008239883 A JP2008239883 A JP 2008239883A JP 5284736 B2 JP5284736 B2 JP 5284736B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- composition ratio
- magnetic
- range
- magnetic sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G49/00—Compounds of iron
- C01G49/0018—Mixed oxides or hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G49/00—Compounds of iron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G49/00—Compounds of iron
- C01G49/009—Compounds containing, besides iron, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G51/00—Compounds of cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G51/00—Compounds of cobalt
- C01G51/006—Compounds containing, besides cobalt, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/13—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F10/138—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing nanocrystallites, e.g. obtained by annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0073—Shielding materials
- H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
- H05K9/0084—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single continuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal foil, film, plating coating, electro-deposition, vapour-deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/02—Amorphous compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/42—Magnetic properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/13—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F10/131—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing iron or nickel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/13—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F10/132—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing cobalt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/14—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/16—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing cobalt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/187—Amorphous compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Details Of Aerials (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
Description
前記基板は、可撓性の樹脂シートであり、前記磁性膜の膜構造は、熱処理することなく形成されたものであり、
前記磁性膜は、組成式がFe a M b O c から成り、元素Oの組成比cが、6.85〜47at%の範囲内、元素Mの組成比が7.95〜21.38at%の範囲内、残部が元素Feの組成比aであり、a+b+c=100at%の関係を満たすことを特徴とするものである。
前記基板は、可撓性の樹脂シートであり、前記磁性膜の膜構造は、熱処理することなく形成されたものであり、
前記磁性膜は、組成式がFe a Al b O c から成り、元素Oの組成比cが、6.99〜16.75at%の範囲内、元素Alの組成比bが9.79〜21.38at%の範囲内、残部が元素Feの組成比aであり、a+b+c=100at%の関係を満たすことを特徴とするものである。
本発明における磁性シートの製造方法は、可撓性の樹脂シートからなる基板上に、A−M−O(ただし元素AはFeを表し、元素Mは、HfあるいはZrのうち少なくともいずれか一種を表す)から成る磁性膜を物理蒸着法により成膜するとき、不活性ガスとO2ガスとの混合ガスのガス圧を0.5mTorr〜6mTorrの範囲内で調整し、熱処理することなく、元素MとOの化合物を含むアモルファス相と、前記アモルファス相中に点在するFeを主体とした平均結晶粒径30nm以下の微結晶相との膜構造を形成し、組成式がFe a M b O c から成り、元素Oの組成比cが、6.85〜47at%の範囲内、元素Mの組成比が7.95〜21.38at%の範囲内、残部が元素Feの組成比aであり、a+b+c=100at%の関係を満たす前記磁性膜を成膜することを特徴とするものである。
Fe−M−O膜6は、図2に示すように前記樹脂シート5上の全面にスパッタ成膜される形態のほかに、部分的に、例えば、前記樹脂シート5の縁部を残して、前記樹脂シート5の中央部分のみに形成されてもよい。ただし、図1のように磁性シート4とRFIDタグ2とを重ねたときに、前記Fe−M−O膜6が前記RFIDタグ2上の全面を完全に覆う程度の大きさで形成されることが好適である。また、樹脂シート5は携帯電話やノートPC等の携帯機器の樹脂筐体であっても良い。
RFID特性(受信信号の減衰量)の実験を行った。
図4(a)は、基準構成である。図4(a)に示すように、送信アンテナ20と受信アンテナ21との間の通信距離L2を28mmとした。また前記送信アンテナ20と受信アンテナ21を、平面の大きさが55mm×85mm、厚さが0.55mmの基板上に形成した。また、前記送信アンテナ20と受信アンテナ21を、最大外縁寸法を30mm×30mm、及び3ターンとした平面パターンで形成した。
F電力を600W、ガス圧を3mTorr、T/S=0%、基板間接冷却とした。なおFe−Hf−O膜に対する熱処理は行っていない。
実験で使用した試料、受信アンテナからの信号出力、減衰量を以下の表1に示した。
放射ノイズ抑制効果(透過減衰量)、及び、伝導ノイズ抑制効果(伝送減衰率:P(loss)/P(in))の実験を行った。
伝導ノイズ抑制効果(伝送減衰率)(P(loss)/P(in))=1−(S11)2−(S21)2
RF平行平板マグネトロンスパッタ法(MT法)、及び、DC対向ターゲットスパッタ法(FTS法)を用いて、Fe−Hf−O膜を基板上にスパッタ成膜した。
基板上に元素Oの組成比やAlの組成比を変化させたFe−Al−O膜をスパッタ成膜し、このとき得られた各Fe−Al−O膜の複素比透磁率の実数部μ´(13.56MHz)、及び、虚数部μ″(13.56MHz)等を調べた。
その実験結果を以下の表6に示す。
表6に示すようにFe−Al−O膜について、元素Oの組成比を6.99〜16.75at%、Alの組成比を9.79〜21.38at%と規制することで、複素比透磁率の実数部μ´50以上で、比抵抗(抵抗率)を200(μΩcm)以上にできることがわかった。
2 RFIDタグ
3、22 金属部材
4、23 磁性シート
5 樹脂シート
6 磁性膜
7 アモルファス相
8 微結晶相
10 リードライタ
20 送信アンテナ
21 受信アンテナ
Claims (15)
- 基板上に、A−M−O(ただし元素AはFeを表し、元素Mは、HfあるいはZrのうち少なくともいずれか一種を表す)から成り、元素MとOの化合物を含むアモルファス相と、前記アモルファス相中に点在するFeを主体とした平均結晶粒径30nm以下の微結晶相との膜構造で形成された磁性膜が物理蒸着法により成膜されてなり、
前記基板は、可撓性の樹脂シートであり、前記磁性膜の膜構造は、熱処理することなく形成されたものであり、
前記磁性膜は、組成式がFeaMbOcから成り、元素Oの組成比cが、6.85〜47at%の範囲内、元素Mの組成比が7.95〜21.38at%の範囲内、残部が元素Feの組成比aであり、a+b+c=100at%の関係を満たすことを特徴とする磁性シート。 - 元素MはHfであり、元素Oの組成比cが、6.85〜47at%の範囲内、元素Hfの組成比bが11.40〜15.74at%の範囲内、残部が元素Feの組成比aであり、a+b+c=100at%の関係を満たす請求項1記載の磁性シート。
- 元素MはZrであり、元素Oの組成比cが、8.11〜9.29at%の範囲内、元素Zrの組成比bが7.95〜8.36at%の範囲内、残部が元素Feの組成比aであり、a+b+c=100at%の関係を満たす請求項1記載の磁性シート。
- 基板上に、A−M−O(ただし元素AはFeを表し、元素Mは、Alを表す)から成り、元素MとOの化合物を含むアモルファス相と、前記アモルファス相中に点在するFeを主体とした平均結晶粒径30nm以下の微結晶相との膜構造で形成された磁性膜が物理蒸着法により成膜されてなり、
前記基板は、可撓性の樹脂シートであり、前記磁性膜の膜構造は、熱処理することなく形成されたものであり、
前記磁性膜は、組成式がFeaAlbOcから成り、元素Oの組成比cが、6.99〜16.75at%の範囲内、元素Alの組成比bが9.79〜21.38at%の範囲内、残部が元素Feの組成比aであり、a+b+c=100at%の関係を満たすことを特徴とする磁性シート。 - 前記磁性膜の複素比透磁率の実数部μ´×前記磁性膜の膜厚tは、402(μm)〜7895(μm)の範囲内である請求項1ないし4のいずれか1項に記載の磁気シート。
- 前記磁性膜中に含まれる前記アモルファス相は体積比率で20〜80%の範囲内である請求項1ないし5のいずれか1項に記載の磁気シート。
- 前記磁性シートはRFIDデバイスに用いられる請求項1ないし6のいずれかに記載の磁性シート。
- 前記磁性膜の膜厚は、0.5〜15μmの範囲内である請求項7記載の磁性シート。
- 前記磁性シートは電磁波抑制体に用いられる請求項1ないし6のいずれかに記載の磁性シート。
- 可撓性の樹脂シートからなる基板上に、A−M−O(ただし元素AはFeを表し、元素Mは、HfあるいはZrのうち少なくともいずれか一種を表す)から成る磁性膜を物理蒸着法により成膜するとき、不活性ガスとO2ガスとの混合ガスのガス圧を0.5mTorr〜6mTorrの範囲内で調整し、熱処理することなく、元素MとOの化合物を含むアモルファス相と、前記アモルファス相中に点在するFeを主体とした平均結晶粒径30nm以下の微結晶相との膜構造を形成し、組成式がFeaMbOcから成り、元素Oの組成比cが、6.85〜47at%の範囲内、元素Mの組成比が7.95〜21.38at%の範囲内、残部が元素Feの組成比aであり、a+b+c=100at%の関係を満たす前記磁性膜を成膜することを特徴とする磁性シートの製造方法。
- 元素MはHfであり、元素Oの組成比cが、6.85〜47at%の範囲内、元素Hfの組成比bが11.40〜15.74at%の範囲内、残部が元素Feの組成比aであり、a+b+c=100at%の関係を満たす前記磁性膜を成膜する請求項10記載の磁性シートの製造方法。
- 元素MはZrであり、元素Oの組成比cが、8.11〜9.29at%の範囲内、元素Zrの組成比bが7.95〜8.36at%の範囲内、残部が元素Feの組成比aであり、a+b+c=100at%の関係を満たす前記磁性膜を成膜する請求項10記載の磁性シートの製造方法。
- 可撓性の樹脂シートからなる基板上に、A−M−O(ただし元素AはFeを表し、元素Mは、Alを表す)から成る磁性膜を物理蒸着法により成膜するとき、不活性ガスとO2ガスとの混合ガスのガス圧を0.5mTorr〜6mTorrの範囲内で調整し、熱処理することなく、元素MとOの化合物を含むアモルファス相と、前記アモルファス相中に点在するFeを主体とした平均結晶粒径30nm以下の微結晶相との膜構造を形成し、組成式がFeaAlbOcから成り、元素Oの組成比cが、6.99〜16.75at%の範囲内、元素Alの組成比bが9.79〜21.38at%の範囲内、残部が元素Feの組成比aであり、a+b+c=100at%の関係を満たす前記磁性膜を成膜することを特徴とする磁性シートの製造方法。
- 前記磁性膜の複素比透磁率の実数部μ´×前記磁性膜の膜厚tを、402(μm)〜7895(μm)の範囲内とする請求項10ないし13のいずれか1項に記載の磁気シートの製造方法。
- 前記磁性膜中に含まれる前記アモルファス相を体積比率で20〜80%の範囲内とする請求項10ないし14のいずれか1項に記載の磁気シートの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008239883A JP5284736B2 (ja) | 2007-10-01 | 2008-09-18 | 磁性シート及びその製造方法 |
PCT/JP2009/059502 WO2009145130A1 (ja) | 2008-05-28 | 2009-05-25 | 磁性シート及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007257426 | 2007-10-01 | ||
JP2007257426 | 2007-10-01 | ||
JP2007257423 | 2007-10-01 | ||
JP2007257423 | 2007-10-01 | ||
JP2008139987 | 2008-05-28 | ||
JP2008139987 | 2008-05-28 | ||
JP2008239883A JP5284736B2 (ja) | 2007-10-01 | 2008-09-18 | 磁性シート及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010010641A JP2010010641A (ja) | 2010-01-14 |
JP5284736B2 true JP5284736B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=41377005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008239883A Expired - Fee Related JP5284736B2 (ja) | 2007-10-01 | 2008-09-18 | 磁性シート及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5284736B2 (ja) |
WO (1) | WO2009145130A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012008814A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Alps Electric Co Ltd | 通信装置 |
JPWO2013191178A1 (ja) * | 2012-06-19 | 2016-05-26 | 株式会社新日本電波吸収体 | ループアンテナ用シールド材、シールドユニット、及びシールドタグ |
EP2915212A4 (en) * | 2012-11-01 | 2016-07-20 | Indian Inst Scient | INTEGRATED HIGH FREQUENCY FACILITY WITH IMPROVED INDUCTIVITY AND METHOD THEREFOR |
JP6282952B2 (ja) * | 2014-07-22 | 2018-02-21 | アルプス電気株式会社 | Fe基合金組成物、成形部材、成形部材の製造方法、圧粉コア、電子部品、電子機器、磁性シート、通信部品、通信機器および電磁干渉抑制部材 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2950917B2 (ja) * | 1990-06-15 | 1999-09-20 | ティーディーケイ株式会社 | 軟磁性薄膜 |
JP3235127B2 (ja) * | 1991-08-16 | 2001-12-04 | ソニー株式会社 | 軟磁性薄膜 |
JPH09181476A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-11 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 超微結晶磁性膜からなる電波吸収体 |
JP2001217125A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-10 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性膜及び前記軟磁性膜を用いた平面型磁気素子、フィルタ、及び薄膜磁気ヘッド |
JP2001358030A (ja) * | 2000-06-12 | 2001-12-26 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性膜の製造方法と、この軟磁性膜を用いた平面型磁気素子、フィルタ、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
JP2007277080A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-10-25 | Nec Tokin Corp | フェライト材料、フェライト膜及びそれを用いたrfidタグ |
-
2008
- 2008-09-18 JP JP2008239883A patent/JP5284736B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-05-25 WO PCT/JP2009/059502 patent/WO2009145130A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009145130A1 (ja) | 2009-12-03 |
JP2010010641A (ja) | 2010-01-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2858470B1 (en) | Magnetic field shielding sheet for digitizer, method for manufacturing same, and portable terminal device using same | |
CN100438210C (zh) | 读/写器用天线及设有该天线的读/写器 | |
US9832917B2 (en) | Electromagnetic wave absorbing sheet and method of manufacturing the same and electronic device using the same | |
JP6268651B2 (ja) | デジタイザ用磁場遮蔽シートおよびその製造方法、並びにこれを利用した携帯端末機器 | |
US8305281B2 (en) | Core-shell magnetic material, method of manufacturing core-shell magnetic material, device, and antenna device | |
KR101399021B1 (ko) | 디지타이저용 자기장 차폐시트 및 그의 제조방법과 이를 이용한 휴대 단말기기 | |
JP4691103B2 (ja) | 電磁波対策部品とそれを用いた電子機器 | |
JP2007295558A (ja) | アンテナ通信改善用シート体および電子機器 | |
US6346336B1 (en) | Soft magnetic film soft magnetic multilayer film method of manufacturing the same and magnetic device | |
Matsushita et al. | Spin-sprayed Ni–Zn–Co ferrite films with high μ r ″> 100 in extremely wide frequency range 100 MHz–1 GHz | |
JP5284736B2 (ja) | 磁性シート及びその製造方法 | |
JP2002158486A (ja) | 電磁波吸収膜 | |
CN101308947A (zh) | 读/写器用天线及设有该天线的读/写器 | |
US10923822B2 (en) | Wireless communications antenna | |
US10573969B2 (en) | Wireless communication antenna | |
JP2004303825A (ja) | 積層軟磁性部材、電子機器 | |
JP4843612B2 (ja) | 軟磁性フィルムとそれを用いた電磁波対策部品および電子機器 | |
JP7510106B2 (ja) | 磁性シート及び無線通信用タグ | |
EP0991087A2 (en) | Soft magnetic thin film, soft magnetic multi-layered film, producing method thereof and magnetic device using them | |
JP2010283333A (ja) | Rfid用磁性部材及びrfidデバイス | |
WO2010113791A1 (ja) | 磁性シート | |
JP4869111B2 (ja) | 高周波用磁性薄膜及びそれを利用した高周波用磁性デバイス | |
Kikitsu et al. | Metallic/magnetic Multilayer for Wide-band Direct-on-chip EMI Shielding | |
JP2005150130A (ja) | 電磁波吸収作用をもつ電磁鋼板 | |
JP2021068279A (ja) | 磁性シート及び無線通信用タグ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120619 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130402 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130430 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130521 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130530 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5284736 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |