JP2015503841A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板の表面を洗浄する方法であって、
   その中に配置された複数のフィラメントを有する第１のチャンバに水素含有ガスを供給することと、
   前記複数のフィラメントの中に電流を流し、前記複数のフィラメントの温度を前記水素含有ガスの少なくとも一部を分解するのに十分なプロセス温度まで上昇させることと、
   分解された前記水素含有ガスから形成された水素原子に前記基板を暴露することによって前記基板の前記表面を洗浄することとを含む、方法。
2. 前記水素含有ガスは、水素（Ｈ_２）、水素（Ｈ_２）及び窒素（Ｎ_２）、又はアンモニア（ＮＨ_３）を含む、請求項１に記載の方法。
3. 予熱チャンバとは異なる洗浄チャンバ内で前記基板の前記表面を洗浄する前に、前記予熱チャンバ内で前記基板を予熱すること、又は
   洗浄チャンバ内で前記基板の前記表面を洗浄する前に、前記洗浄チャンバ内で前記基板を予熱することのうちの１つを更に含む、請求項１に記載の方法。
4. 前記第１のチャンバは、前記基板表面が洗浄されるのと同じチャンバであるか、又は前記第１のチャンバは、前記基板の前記表面が洗浄されるのとは異なるチャンバであり、前記第１のチャンバ内で形成される前記水素原子は、前記基板の前記表面が洗浄される前記チャンバに供給される、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
5. 前記水素含有ガスを前記第１のチャンバに供給する前に、
   水素含有予備処理ガスを前記第１のチャンバに供給し、
   前記複数のフィラメントを第１の予備処理温度まで加熱し、
   前記複数のフィラメントを第２の予備処理温度まで冷却することによって、前記複数のフィラメントを予備処理することを更に含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記水素含有予備処理ガスは、水素（Ｈ_２）ガス、水素（Ｈ_２）及び窒素（Ｎ_２）、又はアンモニア（ＮＨ_３）を含む、請求項５に記載の方法。
7. 前記複数のフィラメントを前記第１の予備処理温度まで加熱することと、前記複数のフィラメントを前記第２の予備処理温度まで冷却することとを繰り返すことを更に含む、請求項５に記載の方法。
8. 基板洗浄システムであって、
   内部容積空間を有するプロセスチャンバと、
   前記プロセスチャンバの前記内部容積空間内に配置され、前記プロセスチャンバ内で洗浄される基板を支持する基板支持体と、
   動作中に前記基板の表面に原子水素を供給するように構成される原子水素源であって、複数のフィラメントと、前記複数のフィラメントを水素ガスから原子水素を生成するのに十分な温度まで加熱するために、前記複数のフィラメントを電源に結合する端子とを備える、原子水素源と、
   前記原子水素源に結合され、前記原子水素源に水素ガスを供給する水素ガス源とを備える、基板洗浄システム。
9. 前記原子水素源によって供給される原子水素がガス分配プレートを通り抜け、前記プロセスチャンバの前記内部容積空間に達するように、前記原子水素源と前記プロセスチャンバの前記内部容積空間との間に配置された前記ガス分配プレートを更に備える、請求項８に記載の基板洗浄システム。
10. 前記原子水素源は前記プロセスチャンバから離れている、請求項８に記載の基板洗浄システム。
11. 前記原子水素源は前記プロセスチャンバ内に配置されている、請求項８に記載の基板洗浄システム。
12. 前記原子水素源は前記プロセスチャンバに取外し可能に結合可能であるプロセスチャンバ蓋内に組み込まれる、請求項８に記載の基板洗浄システム。
13. 前記プロセスチャンバ蓋は、
    本体であって、前記本体の下面内に形成された凹部を有し、前記凹部内に前記複数のフィラメントが配置される、本体と、
    前記複数のフィラメントの上方に配置され、前記複数のフィラメントに前記水素ガスを供給するガス注入口と、
    前記複数のフィラメントの下で前記本体に結合されたガス分配プレートであって、前記ガス分配プレートは前記凹部を前記内部容積空間に流体結合するための複数の穴を有する、ガス分配プレートとを備える、請求項１２に記載の基板洗浄システム。
14. 前記プロセスチャンバ蓋は、前記凹部の内面上に配置されるライナを更に備える、請求項１３に記載の基板洗浄システム。
15. 前記複数のフィラメントは、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）又はイリジウム（Ｉｒ）、及び任意でシリコン（Ｓｉ）ドーパントを含む、請求項８に記載の基板洗浄システム。