JP2015222448A5 - - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 36
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015176518A JP6030203B2 (ja) | 2013-09-24 | 2015-09-08 | マスクブランク、転写用マスクおよび転写用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013196608 | 2013-09-24 | ||
| JP2013196608 | 2013-09-24 | ||
| JP2015176518A JP6030203B2 (ja) | 2013-09-24 | 2015-09-08 | マスクブランク、転写用マスクおよび転写用マスクの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015504087A Division JP5837257B2 (ja) | 2013-09-24 | 2014-09-05 | マスクブランク、転写用マスクおよび転写用マスクの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016202849A Division JP6293841B2 (ja) | 2013-09-24 | 2016-10-14 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015222448A JP2015222448A (ja) | 2015-12-10 |
| JP2015222448A5 true JP2015222448A5 (OSRAM) | 2016-01-28 |
| JP6030203B2 JP6030203B2 (ja) | 2016-11-24 |
Family
ID=52742948
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015504087A Active JP5837257B2 (ja) | 2013-09-24 | 2014-09-05 | マスクブランク、転写用マスクおよび転写用マスクの製造方法 |
| JP2015176518A Active JP6030203B2 (ja) | 2013-09-24 | 2015-09-08 | マスクブランク、転写用マスクおよび転写用マスクの製造方法 |
| JP2016202849A Active JP6293841B2 (ja) | 2013-09-24 | 2016-10-14 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015504087A Active JP5837257B2 (ja) | 2013-09-24 | 2014-09-05 | マスクブランク、転写用マスクおよび転写用マスクの製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016202849A Active JP6293841B2 (ja) | 2013-09-24 | 2016-10-14 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10101650B2 (OSRAM) |
| JP (3) | JP5837257B2 (OSRAM) |
| KR (3) | KR101823276B1 (OSRAM) |
| TW (2) | TWI597563B (OSRAM) |
| WO (1) | WO2015045801A1 (OSRAM) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101823276B1 (ko) * | 2013-09-24 | 2018-01-29 | 호야 가부시키가이샤 | 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| WO2016147518A1 (ja) * | 2015-03-19 | 2016-09-22 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| JP6058757B1 (ja) * | 2015-07-15 | 2017-01-11 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| KR101617727B1 (ko) * | 2015-07-24 | 2016-05-03 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| SG10201911903XA (en) | 2017-02-27 | 2020-02-27 | Hoya Corp | Mask blank, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP6642493B2 (ja) * | 2017-03-10 | 2020-02-05 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク |
| JP6808566B2 (ja) * | 2017-04-08 | 2021-01-06 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| US11048160B2 (en) | 2017-06-14 | 2021-06-29 | Hoya Corporation | Mask blank, phase shift mask and method for manufacturing semiconductor device |
| JP6821865B2 (ja) * | 2018-09-27 | 2021-01-27 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
| JP7033638B2 (ja) * | 2020-12-09 | 2022-03-10 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| CN118915377B (zh) * | 2024-10-11 | 2025-03-21 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 掩膜版及其形成方法 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE602006021102D1 (de) | 2005-07-21 | 2011-05-19 | Shinetsu Chemical Co | Photomaskenrohling, Photomaske und deren Herstellungsverfahren |
| JP4933753B2 (ja) | 2005-07-21 | 2012-05-16 | 信越化学工業株式会社 | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法 |
| CN101268417A (zh) * | 2005-09-21 | 2008-09-17 | 大日本印刷株式会社 | 具有灰度的光掩模及其制造方法 |
| JP4764214B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2011-08-31 | 凸版印刷株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
| JP4509050B2 (ja) | 2006-03-10 | 2010-07-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| JP4737426B2 (ja) | 2006-04-21 | 2011-08-03 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
| TWI497190B (zh) | 2008-03-31 | 2015-08-21 | Hoya Corp | 空白光罩、光罩及空白光罩之製造方法 |
| JP5323526B2 (ja) | 2008-04-02 | 2013-10-23 | Ｈｏｙａ株式会社 | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
| KR100948770B1 (ko) * | 2008-06-27 | 2010-03-24 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크, 포토마스크 및 이의 제조 방법 |
| TWI409580B (zh) | 2008-06-27 | 2013-09-21 | S&S Tech Co Ltd | 空白光罩、光罩及其製造方法 |
| TWI567483B (zh) * | 2008-09-30 | 2017-01-21 | Hoya Corp | A mask substrate, a mask, a manufacturing method thereof, and a method of manufacturing the semiconductor element |
| JP5231956B2 (ja) | 2008-11-25 | 2013-07-10 | アルバック成膜株式会社 | ハーフトーンマスク、ハーフトーンマスクブランクス、ハーフトーンマスクの製造方法、及びハーフトーンマスクブランクスの製造方法 |
| JP5606028B2 (ja) | 2009-09-11 | 2014-10-15 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクの製造方法 |
| JP2011197375A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクの製造方法および該製造に用いられる反射型マスクブランク |
| JP5762819B2 (ja) | 2010-05-19 | 2015-08-12 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法、並びにマスクブランク及び転写用マスク |
| WO2012043695A1 (ja) | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Hoya株式会社 | マスクブランク及びその製造方法並びに転写用マスク |
| SG189495A1 (en) | 2010-11-22 | 2013-05-31 | Shinetsu Chemical Co | Photomask blank, process for production of photomask, and chromium-containing material film |
| JP5728223B2 (ja) | 2010-12-27 | 2015-06-03 | アルバック成膜株式会社 | ハーフトーンマスク、ハーフトーンマスクブランクス及びハーフトーンマスクの製造方法 |
| JP5997530B2 (ja) | 2011-09-07 | 2016-09-28 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、および半導体デバイスの製造方法 |
| JP5464186B2 (ja) * | 2011-09-07 | 2014-04-09 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
| JP6084391B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2017-02-22 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| JP6186719B2 (ja) | 2011-12-21 | 2017-08-30 | 大日本印刷株式会社 | 大型位相シフトマスクおよび大型位相シフトマスクの製造方法 |
| KR102068952B1 (ko) * | 2012-07-13 | 2020-01-21 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법 |
| KR101823276B1 (ko) * | 2013-09-24 | 2018-01-29 | 호야 가부시키가이샤 | 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
-
2014
- 2014-09-05 KR KR1020167001584A patent/KR101823276B1/ko active Active
- 2014-09-05 WO PCT/JP2014/073498 patent/WO2015045801A1/ja not_active Ceased
- 2014-09-05 US US14/910,854 patent/US10101650B2/en active Active
- 2014-09-05 KR KR1020187001896A patent/KR102046729B1/ko active Active
- 2014-09-05 KR KR1020197033423A patent/KR102067372B1/ko active Active
- 2014-09-05 JP JP2015504087A patent/JP5837257B2/ja active Active
- 2014-09-22 TW TW103132574A patent/TWI597563B/zh active
- 2014-09-22 TW TW106124697A patent/TWI644168B/zh active
-
2015
- 2015-09-08 JP JP2015176518A patent/JP6030203B2/ja active Active
-
2016
- 2016-10-14 JP JP2016202849A patent/JP6293841B2/ja active Active
-
2018
- 2018-09-10 US US16/125,900 patent/US10527931B2/en active Active