JP2015221939A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 高分子フィルム基材と、
   前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の面側に形成された透明導電層を備える透明導電性フィルムであって、
   前記高分子フィルム基材と前記透明導電層との間に、真空成膜法にて形成された無機アンダーコート層を備え、
   前記高分子フィルム基材の材料は、ノルボルネンの単一成分の高分子もしくは共重合高分子、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシクロオレフィン、ポリカーボネート、ポリアミド、又は、ポリスチレンのいずれかであり、
   前記透明導電層の厚みは、１５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、
   前記透明導電層中の炭素原子の存在原子量が３×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、
   前記透明導電層の比抵抗が１．１×１０ ^−４ Ω・ｃｍ以上２．８×１０ ^−４ Ω・ｃｍ以下である透明導電性フィルム。
2. 高分子フィルム基材と、
   前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の面側に形成された透明導電層を備える透明導電性フィルムであって、
   前記高分子フィルム基材と前記透明導電層との間に、真空成膜法にて形成された無機アンダーコート層を備え、
   前記高分子フィルム基材の材料は、ノルボルネンの単一成分の高分子もしくは共重合高分子、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリシクロオレフィン、ポリカーボネート、ポリアミド、又は、ポリスチレンのいずれかであり、
   前記透明導電層の厚みは、１５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であり、
   前記透明導電層中の水素原子の存在原子量が３．７×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、
   前記透明導電層の比抵抗が１．１×１０ ^−４ Ω・ｃｍ以上２．８×１０ ^−４ Ω・ｃｍ以下である透明導電性フィルム。
3. 前記透明導電層は、インジウム−スズ複合酸化物層である請求項１又は２に記載の透明導電フィルム。
4. 前記透明導電層が結晶質である請求項１〜３のいずれか１項に記載の透明導電フィルム。
5. 前記インジウム−スズ複合酸化物層における酸化スズの含有量が、酸化スズ及び酸化インジウムの合計量に対し０．５重量％〜１５重量％である請求項３に記載の透明導電フィルム。
6. 前記透明導電層は、複数のインジウム−スズ複合酸化物層が積層された構造を有し、
   前記複数のインジウム−スズ複合酸化物層のうち少なくとも２層では互いにスズの存在量が異なる請求項１又は２に記載の透明導電フィルム。
7. 前記インジウム−スズ複合酸化物層の全てが結晶質である請求項６に記載の透明導電フィルム。
8. 前記透明導電層は、前記高分子フィルム基材側から、第１のインジウム−スズ複合酸化物層及び第２のインジウム−スズ複合酸化物層をこの順で有し、
   前記第１のインジウム−スズ複合酸化物層における酸化スズの含有量が、酸化スズ及び酸化インジウムの合計量に対し６重量％〜１５重量％であり、
   前記第２のインジウム−スズ複合酸化物層における酸化スズの含有量が、酸化スズ及び酸化インジウムの合計量に対し０．５重量％〜５．５重量％である請求項６又は７に記載の透明導電フィルム。
9. 前記高分子フィルム基材と前記透明導電層との間に、湿式塗工法にて形成された有機アンダーコート層を備える請求項１〜８のいずれか１項に記載の透明導電フィルム。
10. 前記高分子フィルムの少なくとも一方の面側に
    湿式塗工法にて形成された有機アンダーコート層と、
    真空成膜法にて形成された無機アンダーコート層と、
    前記透明導電層とをこの順で備える請求項１〜８のいずれか１項に記載の透明導電フィルム。
11. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の透明導電性フィルムの製造方法であって、
    高分子フィルム基材を到達真空度が３．５×１０^−４Ｐａ以下の真空下に置く工程Ａ、及び
    前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の面側にスパッタリング法により透明導電層を形成する工程Ｂ
    を含み、
    前記工程Ａの後であって前記工程Ｂの前に、前記高分子フィルム基材の前記透明導電層が形成される面側に真空成膜法により無機アンダーコート層を形成する工程を含む透明導電フィルムの製造方法。
12. 前記透明導電層を加熱して結晶転化する工程を含む請求項１１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。