JP2015220456A - 発光素子及びそれを含む照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】改善された光学的及び電気的特性を有する発光素子、及びそれを含む照明装置を提供する。【解決手段】実施例の発光素子は、基板と、基板上に配置される複数の発光セルと、複数の発光セルを互いに接続する接続電極と、接続電極によって接続された隣接する発光セルと接続電極との間に配置された第１絶縁層とを含み、複数の発光セルのそれぞれは、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、第２導電型半導体層上に配置された反射層とを含み、接続電極は、隣接する発光セルのいずれか一方の第１導電型半導体層と、他方の反射層とを接続し、第２導電型半導体層の第１方向への第１幅は、反射層の第１方向への第２幅以上であり、第１方向は、発光構造物の厚さ方向と異なる方向である。【選択図】図２

Description

実施例は、発光素子及びそれを含む照明装置に関する。

窒化ガリウム（ＧａＮ）の金属有機化学気相蒸着法及び分子線成長法などの発達に基づいて、高輝度及び白色光の具現が可能な赤色、緑色及び青色ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）が開発された。

このようなＬＥＤは、白熱灯と蛍光灯などの既存の照明器具に使用される水銀（Ｈｇ）のような環境有害物質が含まれていないので環境性に優れ、長寿命、低電力消費特性などのような利点があるので、既存の光源を代替している。このようなＬＥＤ素子の核心競争要素は、高効率・高出力チップ及びパッケージング技術による高輝度の具現である。

高輝度を具現するために光抽出効率を高めることが重要である。光抽出効率を高めるために、フリップチップ（ｆｌｉｐ−ｃｈｉｐ）構造、表面凹凸の形成（ｓｕｒｆａｃｅ ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ）、凹凸が形成されたサファイア基板（ＰＳＳ：Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、光結晶（ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ）技術、及び反射防止膜（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）構造などを用いた様々な方法が研究されている。

一般に、発光素子は、基板上に位置する第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、第１導電型半導体層に第１電源を供給する第１電極と、第２導電型半導体層に第２電源を供給する第２電極とを含むことができる。

前述した発光素子及びそれを含む発光素子パッケージの電気的及び光学的特性を改善するための多くの研究が行われている。

実施例は、改善された光学的及び電気的特性を有する発光素子、及びそれを含む照明装置を提供する。

実施例の発光素子は、基板と、前記基板上に配置される複数の発光セルと、前記複数の発光セルを互いに接続する接続電極と、前記接続電極によって接続された隣接する発光セルと前記接続電極との間に配置された第１絶縁層とを含み、前記複数の発光セルのそれぞれは、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、前記第２導電型半導体層上に配置された反射層とを含み、前記接続電極は、前記隣接する発光セルのいずれか一方の前記第１導電型半導体層と、他方の前記反射層とを接続し、前記第２導電型半導体層の第１方向への第１幅は、前記反射層の第１方向への第２幅以上であり、前記第１方向は、前記発光構造物の厚さ方向と異なる方向であってもよい。

前記複数の発光セルのそれぞれは、前記反射層と前記第２導電型半導体層との間に配置され、透光性を有する伝導層をさらに含むことができる。

前記第１幅、前記第２幅、及び前記伝導層の前記第１方向への第３幅は、互いに同一であってもよい。

前記第１幅、前記第２幅、または前記伝導層の前記第１方向への第３幅のうち少なくとも１つは、互いに異なる方向であってもよい。

前記第３幅は、前記第２幅以上であってもよい。

前記第１幅は、前記第３幅と同一であってもよい。

前記第１幅は、前記第３幅よりも大きくてもよい。

前記反射層は、前記第２導電型半導体層とオーミック接触することができる。

前記反射層は多層構造を有することができる。前記反射層の反射率は７０％以上であってもよい。前記反射層は、Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｐｔ，ＣｕまたはＲｈのうち少なくとも１つを含むことができる。

前記反射層は０．５ｎｍ〜４μｍの厚さを有することができ、前記伝導層の厚さは０．５ｎｍ〜４μｍであってもよい。

前記発光素子は、前記複数の発光セルのいずれか１つの前記第１導電型半導体層と接続された第１電極部と、前記複数の発光セルのうちの他の１つの前記反射層と接続された第２電極部とをさらに含むことができる。

前記発光素子は、前記接続電極の上及び前記第１絶縁層の上に配置された第２絶縁層をさらに含み、前記第１及び第２電極部は、前記第１及び第２絶縁層を貫通して前記第１導電型半導体層及び前記反射層にそれぞれ接続されてもよい。

前記第２絶縁層は、１ｎｍ〜８０ｎｍの最小厚さを有することができる。

前記第１又は第２絶縁層のうち少なくとも１つは分散ブラッグ反射層を含むことができる。

前記接続電極は反射性物質を含むことができる。

隣接する接続電極間の最も近い前記第１方向への水平離隔距離は５μｍ以上であってもよい。

他の実施例に係る発光素子パッケージは、サブマウントと、前記サブマウント上に互いに離隔して配置された第１及び第２金属層と、上述の発光素子と、前記発光素子と前記第１及び第２金属層のそれぞれとを電気的に接続した第１及び第２バンプ部とを含むことができる。

更に他の実施例に係る照明装置は、前記発光素子または前記発光素子パッケージを含むことができる。

実施例に係る発光素子及びそれを含む発光素子パッケージは、伝導層の下に反射層を配置することによって、伝導層の厚さを薄く形成することができ、反射率が向上して光学的特性を改善することができ、フリップチップ形態のパッケージとして具現されることによって、光抽出効率は、伝導層の厚さに影響を受けず、伝導層の光吸収特性や抵抗特性などによって影響を受けずに済み、第１及び第２電極部及びメサ領域の設計時に伝導層の特性による制約を受けずに済む。

下記の図面を参照して実施形態について詳細に説明する。ただし、図面中、同一の構成要素には同一の参照符号を付する。
一実施例に係る発光素子の平面図である。 図１に示されたＡ−Ａ’線に沿って切断した発光素子の断面図である。 図１に示された第２発光セルの平面図である。 図３Ａに示された第２発光セルをＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。 他の実施例に係る第２発光セルの平面図である。 他の実施例に係る第２発光セルの平面図である。 他の実施例に係る第２発光セルの平面図である。 他の実施例に係る第２発光セルの平面図である。 他の実施例に係る第２発光セルの平面図である。 他の実施例に係る第２発光セルの平面図である。 他の実施例に係る第２発光セルの平面図である。 他の実施例に係る第２発光セルの平面図である。 更に他の実施例に係る第２発光セルの平面図である。 更に他の実施例に係る第２発光セルの平面図である。 図１及び図２に示された発光素子の回路図である。 実施例に係る発光素子の平面図である。 実施例に係る発光素子の平面図である。 実施例に係る発光素子の平面図である。 比較例に係る発光素子の局部的な断面図である。 図１及び図２に例示された発光素子の製造方法を説明するための工程断面図である。 図１及び図２に例示された発光素子の製造方法を説明するための工程断面図である。 図１及び図２に例示された発光素子の製造方法を説明するための工程断面図である。 図１及び図２に例示された発光素子の製造方法を説明するための工程断面図である。 図１及び図２に例示された発光素子の製造方法を説明するための工程断面図である。 図１及び図２に例示された発光素子の製造方法を説明するための工程断面図である。 図１及び図２に例示された発光素子の製造方法を説明するための工程断面図である。 実施例に係る発光素子を含む発光素子パッケージを示す図である。 実施例に係る発光素子パッケージを含むヘッドランプを示す図である。 実施例に係る発光素子又は発光素子パッケージを含む照明装置を示す図である。

以下、本発明を具体的に説明するために実施例を挙げて説明し、発明に対する理解を助けるために、添付の図面を参照して詳細に説明する。しかし、本発明に係る実施例は、様々な形態に変形可能であり、本発明の範囲が、以下に詳述する実施例に限定されるものと解釈されてはならない。本発明の実施例は、当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。

本発明に係る実施例の説明において、各構成要素（ｅｌｅｍｅｎｔ）の「上（上部）又は下（下部）（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合において、上（上部）又は下（下部）は、２つの構成要素が互いに直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）接触したり、１つ以上の他の構成要素が前記２つの構成要素の間に配置されて（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）形成されることを全て含む。また、「上（上部）」又は「下（下部）」と表現される場合、一つの構成要素を基準にして上側方向のみならず、下側方向の意味も含むことができる。

また、以下で使用される「第１」及び「第２」、「上／上部／上方」及び「下／下部／下方」などのような関係的用語は、かかる実体または要素間のいかなる物理的又は論理的関係、または順序を必ず要求したり、内包したりすることなく、ある一つの実体又は要素を他の実体又は要素と区別するためにのみ利用することもできる。

図面において、各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張されたり、省略されたり、又は概略的に図示されている。また、各構成要素の大きさは実際の大きさを全的に反映するものではない。

図１は、一実施例に係る発光素子１００の平面図を示し、図２は、図１に示されたＡ−Ａ’線に沿って切断した発光素子１００の断面図を示す。

図１及び図２を参照すると、発光素子１００は、基板１１０、Ｎ（ここで、Ｎは、２以上の正の整数）個の発光セル（又は、発光領域）Ｐ１〜ＰＮ、Ｍ（ここで、１≦Ｍ≦Ｎ−１）個の接続電極１５０−１〜１５０−Ｍ、第１絶縁層１６２−１，１６２−２，１６４，１６６−１，１６６−２，１６８−１，１６８−２、第１電極部１７２、第２電極部１７４、金属電極１８０及び第２絶縁層１９０を含む。

以下、実施例の理解を助けるために、図１及び図２に例示したように、Ｎ＝３であると仮定して説明する。

複数の発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３は基板１１０上に配置される。

基板１１０は、半導体物質の成長に適した物質、キャリアウエハで形成することができる。また、基板１１０は、熱伝導性に優れた物質で形成することができ、伝導性基板又は絶縁性基板であってもよい。例えば、基板１１０は、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧａＡｓのうち少なくとも１つを含む物質であってもよい。このような基板１１０の上面には凹凸パターン１１２を形成することができる。すなわち、基板１１０は、凹凸パターンを有するＰＳＳ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であってもよい。このように、基板１１０の上面が凹凸パターン１１２を有する場合、光抽出効率を改善することができる。

図２に図示してはいないが、バッファ層が、基板１１０と発光構造物１２０との間に配置され、３族−５族元素の化合物半導体を用いて形成されてもよい。バッファ層は、基板１１０と発光構造物１２０との間の格子定数の差を減少させる役割を担う。

複数の発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３は、図１及び図２に例示したように直列形態で電気的に接続されてもよいが、実施例はこれに限定されない。すなわち、他の実施例によれば、複数の発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３は並列形態で電気的に接続されてもよい。以下、電気的に互いに接続される複数の発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３を順にそれぞれ第１、第２及び第３発光セルと呼ぶ。

図１及び図２を参照すると、第１〜第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３は、境界領域Ｓによって互いに区分することができる。したがって、境界領域Ｓは、第１〜第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３同士の間及び第１〜第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３の周りに位置する領域であってもよい。境界領域Ｓは、発光構造物１２０をメサエッチング（ｍｅｓａ ｅｔｃｈｉｎｇ）して基板１１０の一部が露出する領域を含むことができる。

第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれの面積は同一であってもよいが、実施例はこれに限定されない。

第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれは、発光構造物１２０、反射層１３２，１３４及び伝導層１４２，１４４を含むことができる。

まず、発光構造物１２０は、光を発生する半導体層であってもよく、第１導電型半導体層１２２、活性層１２４及び第２導電型半導体層１２６を含む。基板１１０上に第１導電型半導体層１２２、活性層１２４及び第２導電型半導体層１２６が順次積層されてもよい。

第１導電型半導体層１２２は、３族−５族又は２族−６族などの化合物半導体で具現することができ、第１導電型ドーパントがドープされてもよい。例えば、第１導電型半導体層１２２は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体であってもよい。例えば、第１導電型半導体層１２２は、ＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮのいずれか１つを含むことができ、ｎ型ドーパント（例：Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎなど）がドープされてもよい。

もし、図１１に例示したように、図１及び図２に例示した発光素子１００がフリップチップボンディング構造を有する発光素子パッケージ２００に適用される場合、基板１１０及び第１導電型半導体層１２２は、透光性を有する物質を含むことができる。

活性層１２４は、第１導電型半導体層１２２と第２導電型半導体層１２６との間に配置され、第１導電型半導体層１２２及び第２導電型半導体層１２６からそれぞれ提供される電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）の再結合（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）過程で発生するエネルギーによって光を生成することができる。

活性層１２４は、半導体化合物、例えば、３族−５族又は２族−６族の化合物半導体であってもよく、二重接合構造、単一井戸構造、多重井戸構造、量子線（Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｉｒｅ）構造、または量子点（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）構造などで形成することができる。

活性層１２４が量子井戸構造である場合、例えば、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する井戸層とＩｎ_ａＡｌ_ｂＧａ_{１−ａ−ｂ}Ｎ（０≦ａ≦１，０≦ｂ≦１，０≦ａ＋ｂ≦１）の組成式を有する障壁層を有する単一または量子井戸構造を有することができる。井戸層は、障壁層のエネルギーバンドギャップよりも低いバンドギャップを有する物質であってもよい。

第２導電型半導体層１２６は、３族−５族又は２族−６族などの化合物半導体で具現することができ、第２導電型ドーパントがドープされてもよい。例えば、第２導電型半導体層１２６は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体であってもよい。例えば、第２導電型半導体層１２６は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのいずれか１つを含むことができ、ｐ型ドーパント（例えば、Ｍｇ，Ｚｎ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）がドープされてもよい。

活性層１２４と第１導電型半導体層１２２との間、または、活性層１２４と第２導電型半導体層１２６との間には導電型クラッド層（ｃｌａｄ ｌａｙｅｒ）（図示せず）が配置されてもよく、導電型クラッド層は、窒化物半導体（例えば、ＡｌＧａＮ）で形成することができる。

実施例によれば、第１導電型半導体層１２２はｎ型半導体層であり、第２導電型半導体層はｐ型半導体層であってもよい。これによって、発光構造物１２０は、ｎ−ｐ接合、ｐ−ｎ接合、ｎ−ｐ−ｎ接合、及びｐ−ｎ−ｐ接合構造のうち少なくとも１つを含むことができる。

一方、反射層１３２，１３４は、発光構造物１２０の第２導電型半導体層１２６上に配置され、単層構造又は多層構造を有することができる。例えば、反射層１３２，１３４は、第１層／第２層／第３層の３重多層構造を有することができる。反射層１３２，１３４において、第１層は光反射の役割を担い、第１層の上に配置された第２層は障壁層の役割を担い、第２層の上に配置された第３層はパッシベーション接着強化層の役割を担うことができる。第１〜第３層のうちの第１層は、第２導電型半導体層１２６と最も近くに配置することができる。

また、反射層１３２，１３４は、高い反射率を有するほど好ましく、例えば、７０％以上の反射率を有することができる。すなわち、反射層１３２，１３４は、７０％以上の反射率を有する物質を含むことができる。

また、反射層１３２，１３４は、伝導層１４２，１４４との接着力（ａｄｈｅｓｉｏｎ）に優れた物質を含むことができる。

もし、伝導層１４２，１４４が省略される場合、反射層１３２，１３４は第２導電型半導体層１２６と直接接触することができる。この場合、反射層１３２，１３４は、第２導電型半導体層１２６とオーミック接触可能な物質を含むことができ、第２導電型半導体層１２６との接着力に優れた物質を含むことができる。

例えば、反射層１３２，１３４は、高い電気伝導度を有する反射金属またはこれらの合金、例えば、Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｐｔ，ＣｕまたはＲｈのうち少なくとも１つを含むことができる。

また、反射層１３２，１３４の第２厚さｔ２が厚いほど高電流動作に有利であり得る。また、反射層１３２，１３４の第２厚さｔ２が０．５ｎｍよりも小さい場合、反射層１３２，１３４の反射率が低下することがある。例えば、反射層１３２，１３４は、０．５ｎｍ〜４μｍ、例えば、５０ｎｍ以上の第２厚さｔ２を有することができる。

一方、伝導層１４２，１４４は、反射層１３２，１３４と第２導電型半導体層１２６との間に配置され、透光性を有することができる。伝導層１４２，１４４は、全反射を減少させるだけでなく、透光性が良い。

伝導層１４２，１４４は、発光波長に対して透過率の高い透明な酸化物系物質、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＴＯ（Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、またはＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯのうちの１つ以上を用いて単層又は多層で具現することができる。

実施例によれば、伝導層１４２，１４４上に反射層１３２，１３４が配置されるので、伝導層１４２，１４４の第１厚さｔ１を薄く形成することができる。すなわち、反射層１３２，１３４の第２厚さｔ２が厚いほど伝導層１４２，１４４の第１厚さｔ１を薄く形成することができる。伝導層１４２，１４４の第１厚さｔ１が厚いほど伝導層１４２，１４４での光吸収が増加し、薄いほど伝導層１４２，１４４での光吸収が減少する。したがって、実施例によれば、伝導層１４２，１４４上に反射層１３２，１３４が配置されることによって、伝導層１４２，１４４の第１厚さｔ１を薄く形成できるので、発光素子１００の光学的特性を改善することができる。

または、伝導層１４２，１４４の第１厚さｔ１は、反射層１３２，１３４の第２厚さｔ２と相関性がなくてもよい。

伝導層１４２，１４４の第１厚さｔ１が１ｎｍよりも大きい場合、伝導層１４２，１４４において光の吸収が増加することがある。第１厚さｔ１は、０．５ｎｍ〜４μｍ、好ましくは０．５ｎｍ〜８０ｎｍ、例えば、１ｎｍであってもよいが、実施例はこれに限定されない。

また、反射層１３２，１３４が、第２導電型半導体層１２６とオーミック接触可能な物質を含む場合、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれにおいて伝導層１４２，１４４は省略してもよい。しかし、反射層１３２，１３４が、第２導電型半導体層１２６とオーミック接触できる物質を含むとしても、発光素子１００が伝導層１４２，１４４を含む場合、発光素子１００の信頼性が向上することができる。なぜなら、反射層１３２，１３４から第２導電型半導体層１２６に向かうキャリアの浸透を伝導層１４２，１４４が防止することで、伝導層１４２，１４４が一種のキャリア障壁層の役割を行うことができるからである。

また、場合によって、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれにおいて、反射層１３２，１３４及び伝導層１４２，１４４を全て省略してもよい。

また、反射層１３２，１３４が配置された第２導電型半導体層１２６の上部面１２６Ａの第１方向Ｘへの第１幅Ｗ１、伝導層１４２，１４４の第１方向Ｘへの第２幅Ｗ２、及び反射層１３２，１３４の第１方向Ｘへの第３幅Ｗ３は、次の数式１のように、互いに同一であってもよい。

ここで、図１を参照すると、第１方向Ｘは第２方向Ｙと異なり、第１及び第２方向Ｘ，Ｙは互いに垂直であってもよい。また、図２を参照すると、第１方向Ｘは、発光構造物１２０の厚さ方向である第３方向Ｚと異なり、第１及び第３方向Ｘ，Ｚは互いに垂直であってもよい。第１及び第２方向Ｘ，Ｙは、第３方向Ｚと異なり、第３方向Ｚに対して垂直な方向であってもよい。すなわち、デカルト座標系を基準として、第１、第２及び第３方向のそれぞれはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸方向にそれぞれ該当することができる。

または、第１幅、第２幅又は第３幅（Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３）のうち少なくとも１つは互いに異なっていてもよい。

もし、発光素子１００が伝導層１４２，１４４を含まない場合、次の数式２のように、第１幅Ｗ１は第３幅Ｗ３以上であってもよい。

または、発光素子１００が伝導層１４２，１４４を含む場合、次の数式３のように、第２幅Ｗ２は第３幅Ｗ３以上であってもよい。

また、次の数式４のように、第１幅Ｗ１は第２幅Ｗ２以上であり、第２幅Ｗ２は第３幅Ｗ３以上であってもよい。

または、次の数式５のように、第１幅Ｗは第２幅Ｗ２よりも大きく、第２幅Ｗ２は第３幅Ｗ３以上であってもよい。

第１〜第３幅Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３が、数式１のような関係を有するときより、前述した数式５のような関係を有するとき、発光素子１００を製造する工程マージン及び信頼性の観点から有利であり得る。

工程設備に応じて、Ｗ１からＷ２を差し引いた第１差分値またはＷ２からＷ３を差し引いた第２差分値は変わり得る。第１及び第２差分値のそれぞれは、０より大きく４０μｍ以下、好ましくは１０μｍ〜３０μｍ、例えば、１μｍ〜２μｍであってもよい。

また、第１〜第３幅Ｗ１〜Ｗ３は、前述した反射層１３２，１３４の第２厚さｔ２と相関性がなくてもよい。

一方、Ｍ個の接続電極１５０−１〜１５０−Ｍは、複数の発光セルＰ１〜ＰＮを電気的に接続する役割をする。接続電極１５０−１〜１５０−Ｍのそれぞれ１５０−ｍ（ここで、１≦ｍ≦Ｍ）は、第ｍ発光セルＰｍの反射層１３４と第ｍ＋１発光セルＰｍ＋１の第１導電型半導体層１２２とを電気的に接続する。

前述したように、Ｎ＝３であると仮定して説明したので、以下、Ｍ＝２であると仮定して説明し、２つの接続電極１５０−１，１５０−２が第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３を接続する順にそれぞれ第１及び第２接続電極と呼ぶ。

具体的に、第１接続電極１５０−１は、隣接する第１及び第２発光セルＰ１，Ｐ２のいずれか一方である第１発光セルＰ１の反射層１３４と、隣接する第１及び第２発光セルＰ１，Ｐ２のうちの他方である第２発光セルＰ２の第１導電型半導体層１２２とを電気的に接続する。

第２接続電極１５０−２は、隣接する第２及び第３発光セルＰ２，Ｐ３のいずれか一方である第２発光セルＰ２の反射層１３４と、隣接する第２及び第３発光セルＰ２，Ｐ３のうちの他方である第３発光セルＰ３の第１導電型半導体層１２２とを電気的に接続する。

第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２のそれぞれは、反射層１３４と伝導層１４４を経由して第２導電型半導体層１２６に接続される。結局、第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２のそれぞれは、隣接する発光セルのうちの一方の第１導電型半導体層１２２と、他方の第２導電型半導体層１２６とを電気的に接続する役割をする。

もし、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれにおいて反射層１３２，１３４と伝導層１４２，１４４が省略されれば、第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２のそれぞれは、隣接する発光セルのいずれか一方の第１導電型半導体層１２２と、他方の第２導電型半導体層１２６とを電気的に直接接続することができる。

図１及び図２に例示した実施例の場合、第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２は、第１電極部１７２が位置する第１発光セルＰ１を始点とし、第２電極部１７４が位置する第３発光セルＰ３を終点として、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３を電気的に互いに直列接続する。

また、第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２は、第１導電型半導体層１２２とオーミック接触できる物質を含むことができる。例えば、オーミック接触できる物質として、ＡｕＢｅまたはＡｕＺｎのうち少なくとも１つを含むことができるが、実施例は、第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２に含まれた物質の種類に限定されない。

もし、第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２が、第１導電型半導体層１２２とオーミック接触する物質を含まない場合、第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２のそれぞれと第１導電型半導体層１２２との間に別途のオーミック層（図示せず）を配置してもよい。

また、第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２は反射性物質を含むことができる。特に、後述する第１絶縁層（即ち、第１絶縁セグメント）１６２−１，１６２−２が低い反射率を有する物質を含む場合、第１絶縁層１６２−１，１６２−２の反射率よりも高い反射率を有する物質で第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２を形成することによって、発光素子１００が、図１１に例示した発光素子パッケージ２００に適用されるとき、より多い光を基板１１０に向かう負（−）の第３方向Ｚに反射させることができる。

また、隣接する第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２間の最も近い第１水平離隔距離ｓｄ１は５μｍ以上であってもよい。ここで、第１水平離隔距離ｓｄ１とは、隣接する第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２が第１方向Ｘに離隔した最短距離を意味する。

一方、実施例によれば、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれの第１方向Ｘの幅の中央に、第１導電型半導体層１２２の一部を露出させる少なくとも１つの電極孔（又は、接触孔）が配置されてもよい。以下、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３に配置される電極孔を、それぞれ、第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３と呼ぶ。すなわち、図２を参照すると、第１発光セルＰ１に第１電極孔Ｈ１を配置し、第２発光セルＰ２に第２電極孔Ｈ２を配置し、第３発光セルＰ３に第３電極孔Ｈ３を配置することができる。図１において‘Ｈ’は、第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３のそれぞれを意味する。

第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３は、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれにおいて、第２導電型半導体層１２６、活性層１２４及び第１導電型半導体層１２２の一部をメサエッチングして第１導電型半導体層１２２の一部を露出させることによって形成することができる。

また、第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３のそれぞれは、第３方向Ｚにブラインドホール（ｂｌｉｎｄ ｈｏｌｅ）の形態で形成することができる。

以下、図２に例示した第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３についてより具体的に添付の図面を参照して、次のように説明する。このとき、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のうちの第２発光セルＰ２に含まれた第２電極孔Ｈ２についてのみ図３Ａ乃至図６を参照して説明するが、第１及び第３発光セルＰ１，Ｐ３にそれぞれに含まれた第１及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ３に対しても、以下の説明は同一に適用することができる。

図３Ａは、図１に示された第２発光セルＰ２の平面図を示し、図３Ｂは、図３Ａに示された第２発光セルＰ２をＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図を示す。

第２発光セルＰ２の平面形状における第２電極孔Ｈ２の配置及び大きさを重点的に説明するために、説明の便宜上、図１に示された反射層１３４の図示は図３Ａにおいて省略し、図３Ｂに示された第１絶縁層１６２−１、第２絶縁層１９０及び第１接続電極１５０−１の図示は図３Ａにおいて省略した。

また、図３Ｂにおいて、参照符号‘１３６’は、図２に示した反射層１３２，１３４に該当し、参照符号‘１４６’は、図２に示した伝導層１４２，１４４に該当する。図１及び図３Ａに表記した参照符号‘１３０’の内部は、反射層１３２，１３４間の離隔空間に該当することで、後述する第７幅Ｗ７を有する。

実施例によれば、第２発光セルＰ２において、第２電極孔Ｈ２の数と大きさ、第２電極孔Ｈ２が複数のときの複数の第２電極孔Ｈ２間の間隔、または複数の第２電極孔Ｈ２が配列される方向のうち少なくとも１つは、第２発光セルＰ２の平面形状、平面の大きさ、または所望の電流密度のうち少なくとも１つによって決定されてもよい。これについて詳細に説明すると、次のようである。

第２発光セルＰ２に含まれた電極孔の数は単数または複数であってもよい。例えば、図１、図２、図３Ａ及び図３Ｂに例示したように、第２発光セルＰ２は、複数（例えば、２個）の第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２を含むことができる。

第２発光セルＰ２の第１方向Ｘへの幅を‘横幅’と呼び、‘ＷＸ’と表記し、第２方向Ｙへの幅を‘縦幅’と呼び、‘ＷＹ’と表記する。第２発光セルＰ２に含まれた第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２のそれぞれは、第２発光セルＰ２の横幅ＷＸの中央に配置されていることがわかる。しかし、他の実施例によれば、複数の第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２のそれぞれは、第２発光セルＰ２の縦幅ＷＹの中央に配置されてもよい。

図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、第２発光セルＰ２の横幅ＷＸ及び縦幅ＷＹは、次の数式６及び７のようにそれぞれ表現することができる。

図３Ａを参照すると、第２発光セルＰ２において横幅ＷＸの中央に配置された第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２は、第２方向Ｙに互いに離隔して等間隔に配列してもよいが、実施例はこれに限定されない。他の実施例によれば、第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２は、第１又は第２方向Ｘ，Ｙのうち少なくとも１つの方向に互いに離隔して等間隔に配置してもよい。

図３Ａに例示したように、横軸ＷＸの中央に第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２が配置される場合、第２発光セルＰ２の平面は、第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２を中心として第１方向Ｘにおいて第１及び第２領域Ａ１，Ａ２に分けられてもよい。また、図３Ｂに例示したように、第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２が第２方向Ｙに互いに離隔して配置される場合、発光セルＰ２の断面は、第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２を中心として第２方向Ｙにおいて第３、第４及び第５領域Ａ３，Ａ４，Ａ５に分けられてもよい。

第２発光セルＰ２において、第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２が横幅ＷＸの中央に配置されるので、第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２の左側に位置した第１領域Ａ１の第１方向Ｘへの第４幅Ｗ４と、第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２の右側に位置した第２領域Ａ２の第１方向Ｘへの第５幅Ｗ５とは互いに同一であってもよい。

前述したように、第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２を第２発光セルＰ２の横幅ＷＸの中央に配列させる理由は、図２を参照すると、第２電極孔Ｈ２を介して第１接続電極１５０−１によって第１導電型半導体層１２２に供給されたキャリア（例えば、電子）が、第１領域Ａ１の発光構造物１２０と第２領域Ａ２の発光構造物１２０に均一にスプレッディングされるようにするためである。図示してはいないが、他の実施例によれば、同じ理由で、第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２を第２発光セルＰ２の縦幅ＷＹの中央に配列させてもよい。

以下、第２発光セルＰ２において互いに最も近くに隣接する第２電極孔間の最短離隔距離を‘第１距離’と呼ぶ。例えば、第２発光セルＰ２において互いに最も近くに隣接する第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２間の最短離隔距離ｄ１１が第１距離に該当することができる。図３Ａの場合、第１距離ｄ１１は、隣接する第２−１電極孔Ｈ２１の境界と第２−２電極孔Ｈ２２の境界との間の最短離隔距離であるものと示されている。しかし、図３Ａの示したものとは異なり、第１距離ｄ１１は、第２−１電極孔Ｈ２１の中心と第２−２電極孔Ｈ２２の中心との離隔距離に該当してもよい。

また、第２発光セルＰ２の縁部ＥＴ，ＥＳと、第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２のいずれかの電極孔との最短距離を‘第２距離’と定義する。

図３Ａ及び図３Ｂに例示したように、四角形の平面形状を有する第２発光セルＰ２は、第１方向Ｘに互いに対向する２つの縁部ＥＳ、及び第２方向Ｙに互いに対向する２つの縁部ＥＴを有する。

例えば、第２発光セルＰ２の縁部ＥＳ，ＥＴと、第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２との間の最短距離ｄ１２，ｄ１３が第２距離に該当することができる。図３Ａ及び図３Ｂの場合、第２距離ｄ１２は、縁部ＥＴと第２−１電極孔Ｈ２１の境界との最短距離であるものと示されている。しかし、図３Ａ及び図３Ｂに示したものとは異なり、第２距離ｄ１２は、縁部ＥＴと第２−１電極孔Ｈ２１の中心との最短距離に該当してもよい。同様に、第２距離ｄ１３は、縁部ＥＴと第２−２電極孔Ｈ２２の境界との最短距離であるものと示されているが、縁部ＥＴと第２−２電極孔Ｈ２２の中心との最短距離に該当してもよい。

また、第２発光セルＰ２の大きさ及び形状などに応じて、縁部ＥＳと、第２−１又は第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２との第１方向Ｘへの最短離隔距離である第４幅Ｗ４または第５幅Ｗ５が第２距離となってもよい。

第４幅Ｗ４や第５幅Ｗ５は、第２距離ｄ１２，ｄ１３と異なっていてもよい。

また、第２距離であるｄ１２とｄ１３は互いに同一であっても異なっていてもよい。

また、第２距離ｄ１２，ｄ１３のそれぞれは、第１距離ｄ１１の半分よりも大きくしてもよく、第１距離ｄ１１の半分は、第２距離ｄ１２，ｄ１３のそれぞれに該当してもよい。

もし、第１距離ｄ１１の半分が第２距離ｄ１２，ｄ１３のそれぞれに該当する場合、第３領域Ａ３、第４領域Ａ４、第５領域Ａ５にキャリア（例えば、電子）が均一にスプレッディングされ得る。すなわち、図３Ｂを参照すると、第２−２電極孔Ｈ２２を介して第１導電型半導体層１２２に接続された第１接続電極１５０−１から第３領域Ａ３にキャリアが供給される量だけ、第４領域Ａ４の左側にもキャリアが同じ量で供給される。また、第２−１電極孔Ｈ２１を介して第１導電型半導体層１２２に接続された第１接続電極１５０−１から第５領域Ａ５にキャリアが供給される量だけ、第４領域Ａ４の右側にもキャリアが同じ量で供給される。したがって、第１距離ｄ１１の半分が第２距離ｄ１２，ｄ１３に該当する場合、キャリアのスプレッディングが均一になり得る。

結局、横軸ＷＸの中央において第２方向Ｙに、前述したように第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２が配置される場合、図３Ａに示したように、第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２を中心とする電流拡散範囲ＨＳ１，ＨＳ２は均一になり得る。

また、第２発光セルＰ２の平面形状、平面の大きさ、または所望の電流密度に応じて、第２電極孔Ｈ２は、２個よりも多くても少なくてもよく、様々な形態で配置することができる。これについて説明すると、次の通りである。

図４Ａ乃至図４Ｈは、他の実施例に係る第２発光セルＰ２の平面図を示す。各図面において、説明の便宜上、第２電極孔のみを実線で表示して示し、反射層１３２，１３４間の第７幅Ｗ７を有する離隔空間１３０及び第８幅Ｗ８を有する接続電極の図示は省略した。また、図４Ａ乃至図４Ｈのそれぞれにおいて点線で表示した部分は電流拡散範囲を示す。

第２発光セルＰ２の同じ平面積において第２電極孔の数が増加するほど、第２電極孔の平面の大きさは小さくなり得る。図４Ａを参照すると、第２発光セルＰ２は、３つの第２−１、第２−２及び第２−３電極孔Ｈ２１，Ｈ２２，Ｈ２３を含むことができる。もし、図３Ａに示した第２発光セルＰ２と図４Ａに示した第２発光セルＰ２の平面の大きさ（横幅ｘ縦幅）が互いに同一であれば、図４Ａに示した第２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２，Ｈ２３の大きさは、図３Ａに示した第２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２の大きさよりも小さくなり得る。

また、図３Ａに示した第２発光セルＰ２と同様に、図４Ａに例示した第２発光セルＰ２において、第２−１、第２−２及び第２−３電極孔Ｈ２１，Ｈ２２，Ｈ２３は横幅ＷＸの中央に配置することができる。したがって、第４幅Ｗ４と第５幅Ｗ５は互いに同一であり得る。

また、第２−１、第２−２及び第２−３電極孔Ｈ２１，Ｈ２２，Ｈ２３の第１距離は等間隔であってもよい。すなわち、第２−１及び第２−２電極孔Ｈ２１，Ｈ２２の第１距離ｄ２２と、第２−２及び第２−３電極孔Ｈ２２，Ｈ２３の第１距離ｄ２３とは同一であってもよい。しかし、他の実施例によれば、ｄ２２とｄ２３は実質的に同一であってもよい。

また、第１距離ｄ２２の半分は第２距離ｄ２１に該当し、第１距離ｄ２３の半分は第２距離ｄ２４に該当することができる。また、第２距離ｄ２１，ｄ２４は互いに同一であっても異なっていてもよい。また、第２距離ｄ２１，ｄ２４は、第４幅Ｗ４又は第５幅Ｗ５と互いに異なっていてもよい。

図４Ａに例示したように、第２−１、第２−２及び第２−３電極孔Ｈ２１，Ｈ２２，Ｈ２３が横幅ＷＸの中央に配置され、第１距離ｄ２２，ｄ２３の半分が第２距離ｄ２１，ｄ２４に該当する場合、発光構造物１２０にキャリア（例えば、電子）が均一にスプレッディングされて供給され得る。したがって、第２−１、第２−２及び第２−３電極孔Ｈ２１，Ｈ２２，Ｈ２３を中心とする電流拡散範囲ＨＳ１，ＨＳ２，ＨＳ３は均一になることがわかる。

更に他の実施例によれば、図４Ｂ乃至図４Ｄ及び図４Ｆ乃至図４Ｈに例示したように、第２発光セルＰ２は、第２方向だけでなく第１方向にも複数配列された第２電極孔を含むことができる。

図４Ｂ乃至図４Ｄ及び図４Ｆ乃至図４Ｈに例示した第２発光セルＰ２において、複数の第２電極孔間の第１及び第２方向Ｘ，Ｙへの最短離隔距離である第１距離は互いに同一である。

また、図４Ｂ乃至図４Ｄ及び図４Ｆ乃至図４Ｈに例示した第２発光セルＰ２において、縁部ＥＳ，ＳＴと第２電極孔との最短距離である第２距離は第１距離の半分であってもよい。

また、図１、図３Ａ、図４Ａ乃至図４Ｄに例示した第２発光セルＰ２の平面形状は長方形である一方、図４Ｅ乃至図４Ｈに例示した第２発光セルＰ２の平面形状は正方形である。したがって、図１、図３Ａ及び図４Ａ乃至図４Ｄに例示した第２発光セルＰ２における第２電極孔は、横幅の中央に配置することができるが、図４Ｅ乃至図４Ｈに例示した第２発光セルＰ２における第２電極孔は、横幅及び縦幅の中央に配置することができる。

図４Ｂ乃至図４Ｈに例示した第２発光セルＰ２において、第１距離、第２距離、第３距離、第４幅、第５幅、第６幅間の関係を例示的に説明すると、次のようである。しかし、実施例はこれに限定されず、電流スプレッディングが均一且つ稠密に行われることが可能であれば、第１〜第３距離及び第４〜第６幅は多様に設定することができる。ここで、‘第３距離’は、第２発光セルＰ２の縁部ＥＴ，ＥＳと複数の第２電極孔との距離のうち第２距離を除外した距離のことをいう。

まず、図４Ｂに例示した第２発光セルＰ２において第１距離ｄ３１，ｄ３４、第２距離［第４幅Ｗ４１，第５幅Ｗ５１］、及び第３距離ｄ３２，ｄ３３は、次の数式８のように表現することができるが、実施例はこれに限定されない。

また、図４Ｃに例示した第２発光セルＰ２において第１距離ｄ４１，ｄ４２，ｄ４３及び第２距離［第４幅Ｗ４２，第５幅Ｗ５２，ｄ４４，ｄ４５」は、次の数式９のように表現することができるが、実施例はこれに限定されない。

また、図４Ｄに例示した第２発光セルＰ２において第１距離ｄ５１，ｄ５２，ｄ５３、第２距離［第４幅Ｗ４３，第５幅Ｗ５３］、及び第３距離ｄ５４，ｄ５５は、次の数式１０のように表現することができるが、実施例はこれに限定されない。

もし、図４Ｂ乃至図４Ｄに例示した第２発光セルＰ２の平面積が同一である場合、図４Ｃに例示したように第２電極孔を配置するとき、図４Ｂ又は図４Ｄに例示したように第２電極孔を配置するときよりも、電流スプレッディングがさらに稠密且つ均一であることがわかる。

図４Ｂ乃至図４Ｄにそれぞれ例示した第２発光セルＰ２の平面積と、図４Ａに例示した第２発光セルＰ２の平面積とが同一である場合、図４Ｂ乃至図４Ｄにそれぞれ例示した第６幅、例えば、図４Ｂに示した第６幅Ｗ６１は、図４Ａに例示した第６幅Ｗ６よりも小さくなり得る。

また、図４Ｅに例示した第２発光セルＰ２において第２距離［第４幅Ｗ４４，第５幅Ｗ５４，ｄ６１，ｄ６２」は、次の数式１１のように表現することができるが、実施例はこれに限定されない。

数式１１によれば、図４Ｅに例示した第２発光セルＰ２において横幅ＷＸの中央と縦幅ＷＹの中央に第２電極孔が配置されることがわかる。

また、図４Ｆに例示した第２発光セルＰ２において第１距離ｄ７１，ｄ７４及び第２距離［第４幅Ｗ４５，第５幅Ｗ５５，ｄ７１，ｄ７３」は、次の数式１２のように表現することができるが、実施例はこれに限定されない。

また、図４Ｇに例示した第２発光セルＰ２において第１距離ｄ８５，ｄ８６，ｄ８７，ｄ８８及び第２距離［第４幅Ｗ４６，第５幅Ｗ５６，ｄ８２，ｄ８３」は、次の数式１３のように表現することができるが、実施例はこれに限定されない。

図４Ｇに例示した第２発光セルＰ２は、図４Ｆに示した第２発光セルＰ２の中心に位置した第２電極孔をさらに含む平面形状を有する。前述した数式１３でのように、四隅に近接して配置された４つの第２電極孔と中心に位置した第２電極孔との最短離隔距離である第１距離ｄ８５，ｄ８６，ｄ８７，ｄ８８は互いに同一である。

また、中心に位置した第２電極孔を除外した４つの第２電極孔間の最短距離ｄ８１，ｄ８４は、互いに同一であってもよい。ここで、第１距離ｄ８５はｄ８１の半分であってもよい。

図４Ｇの場合、第１距離ｄ８５，ｄ８６，ｄ８７，ｄ８８のそれぞれは、第２距離［第４幅Ｗ４６，第５幅Ｗ５６，ｄ８２，ｄ８３］と同一であってもよい。

また、図４Ｈに例示した第２発光セルＰ２において第１距離ｄ９６，ｄ９７，ｄ９８，ｄ９９及び第２距離［第４幅Ｗ４７，第５幅Ｗ５７，ｄ９３，ｄ９４」は、次の数式１４のように表現することができるが、実施例はこれに限定されない。

もし、図４Ｅ乃至図４Ｈに示した第２発光セルＰ２の平面積が同一である場合、図４Ｅに示した第２電極孔の第６幅Ｗ６２は、図４Ｆ乃至図４Ｈに示した第２電極孔の第６幅（例えば、図４Ｆに示したＷ６３）よりも大きくなり得る。

図５は、更に他の実施例に係る第２発光セルＰ２の平面図を示し、図６は、更に他の実施例に係る第２発光セルＰ２の平面図を示す。図５及び図６のそれぞれにおいて、実線は第２電極孔を示し、点線は電流拡散範囲を示す。

前述したように、第２発光セルＰ２の平面形状は、長方形または正方形であってもよいが、実施例はこれに限定されない。更に他の実施例によれば、第２発光セルＰ２の平面形状は、四角形以外の多角形または円形の形状を有することができる。

すなわち、図１、図３Ａ、図４Ａ乃至図４Ｄに例示したように、第２発光セルＰ２の平面形状は長方形であってもよく、図４Ｅ乃至図４Ｈに例示したように、第２発光セルＰ２の平面形状は正方形であってもよい。

または、図５に例示したように、第２発光セルＰ２の平面形状は正六角形であってもよい。図５に例示した第２発光セルＰ２において第１距離ｄ１０１，ｄ１０２，ｄ１０３，ｄ１０４，ｄ１０５，ｄ１０７，ｄ１０８及び第２距離ｄ１０６は、次の数式１５のように表現することができるが、実施例はこれに限定されない。

または、図６に例示したように、第２発光セルＰ２の平面形状は正三角形であってもよい。この場合、第１及び第４方向のそれぞれへ離隔した第２電極孔間の最短離隔距離である第１距離ｄ１１１，ｄ１１２は、互いに同一である。

第２発光セルＰ２の平面形状が、図３Ａ及び図４Ａ乃至図４Ｄに例示したように長方形の時よりも、図４Ｅ乃至図４Ｈに例示したように正方形であるか、または図５に例示したように正六面体であるか、または図６に例示したように正三角形である時に、各図面において点線で表記した電流拡散範囲が稠密且つ均一に形成され得る。このように、電流拡散範囲が稠密且つ均一な場合、第２発光セルＰ２の面積利用率が高まるので、限定された面積で光抽出効率の改善を極大化させることができる。

また、第１距離は、発光素子１００の電流密度によって決定することができる。例えば、発光素子１００の所望の電流密度が低いほど第１距離を増加させ、所望の電流密度が高いほど第１距離を減少させて決定することができる。

また、メサエッチングされた第２電極孔Ｈ２の第１方向Ｘへの第６幅Ｗ６、反射層１３２，１３４間の第１方向Ｘへの離隔距離である第７幅Ｗ７、及び第２電極孔Ｈ２に配置された第１接続電極１５０−１の第１方向Ｘへの第８幅Ｗ８は、半導体素子１００の製造工程マージンを考慮して決定することができる。

また、前述したように、図１、図３Ａ、図４Ａ乃至図４Ｈに例示した第２電極孔は、円形の平面形状を有するが、実施例はこれに限定されない。他の実施例によれば、第２電極孔は、様々な平面形状を有することができる。

一方、図２を再び参照すると、第１絶縁層は、第１絶縁セグメント１６２−１，１６２−２、第２絶縁セグメント１６４、第３絶縁セグメント１６６−１，１６６−２及び第４絶縁セグメント１６８−１，１６８−２を含むことができる。

第１絶縁セグメントは、第１−１絶縁セグメント１６２−１及び第１−２絶縁セグメント１６２−２を含む。

第１−１絶縁セグメント１６２−１は、第１接続電極１５０−１によって接続された隣接する第１及び第２発光セルＰ１，Ｐ２と、第１接続電極１５０−１との間に配置される。例えば、図２を参照すると、第１−１絶縁セグメント１６２−１は、第１発光セルＰ１において第１接続電極１５０−１によって接続されずに露出された反射層１３４の上部面及び側部面のそれぞれと第１接続電極１５０−１との間、第３幅Ｗ３が第２幅Ｗ２よりも小さいときに露出される伝導層１４４の上部面及び側部面のそれぞれと第１接続電極１５０−１との間、及び発光構造物１２０の上部面及び側部面のそれぞれと第１接続電極１５０−１との間に配置される。また、第１−１絶縁セグメント１６２−１は、基板１１０と第１接続電極１５０−１との間にも配置される。

また、第１−１絶縁セグメント１６２−１は、第２発光セルＰ２において反射層１３２の上部面及び側部面のそれぞれと第１接続電極１５０−１との間、第３幅Ｗ３が第２幅Ｗ２よりも小さいときに露出される伝導層１４２の上部面及び側部面のそれぞれと第１接続電極１５０−１との間、及び発光構造物１２０の上部面及び側部面のそれぞれと第１接続電極１５０−１との間に配置される。

したがって、第１−１絶縁セグメント１６２−１は、隣接する第１及び第２発光セルＰ１，Ｐ２と第１接続電極１５０−１とを互いに電気的に絶縁させることができる。

これと同様に、第１−２絶縁セグメント１６２−２は、第２接続電極１５０−２によって接続された隣接する第２及び第３発光セルＰ２，Ｐ３と第２接続電極１５０−２との間に配置される。したがって、第１−２絶縁セグメント１６２−２は、隣接する第２及び第３発光セルＰ２，Ｐ３と第２接続電極１５０−２とを互いに電気的に絶縁させることができる。

また、第２絶縁セグメント１６４は、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のうち第１及び第２電極部１７２，１７４が配置されてない第２発光セルＰ２において、隣接する第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２の間に配置される。すなわち、第２絶縁セグメント１６４は、隣接する第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２を互いに電気的に絶縁させる役割をする。

発光セルＰ２において、第１接続電極１５０−１は、第２電極孔Ｈ２に埋め込まれた第１−１絶縁セグメント１６２−１及び第２絶縁セグメント１６４を貫通して、第１導電型半導体層１２２と電気的に接続された形態を有する。このように、第１−１絶縁セグメント１６２−１及び第２絶縁セグメント１６４は、第２電極孔Ｈ２内に埋め込まれて、第１接続電極１５０−１をメサエッチングされた発光構造物１２０と電気的に絶縁させる役割をする。

また、第３絶縁セグメントは、第３−１絶縁セグメント１６６−１及び第３−２絶縁セグメント１６６−２を含む。

第３−１絶縁セグメント１６６−１は、後述するように、工程上形成される部分であって、省略してもよい。第３−２絶縁セグメント１６６−２は、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のうち第１電極部１７２が配置された第１発光セルＰ１において、第１電極部１７２と第１接続電極１５０−１との間に配置される。

また、図２に示したように、発光素子１００は金属電極１８０をさらに含むことができる。金属電極１８０は、第３絶縁セグメント１６６−１，１６６−２を貫通し、第１電極部１７２と第１導電型半導体層１２２との間に配置され、第１電極孔Ｈ１を経由して第１電極部１７２を第１導電型半導体層１２２に電気的に接続させる。金属電極１８０と第１接続電極１５０−１との最も近い第２水平離隔距離ｓｄ２は５μｍ以上であってもよい。また、金属電極１８０の構成物質と第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２の構成物質とは互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。

発光素子１００が金属電極１８０を含む場合、第３−２絶縁セグメント１６６−２は、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のうち第１電極部１７２が配置された第１発光セルＰ１において、第１方向Ｘに金属電極１８０と第１接続電極１５０−１との間に配置され、これら１８０，１５０−１を電気的に絶縁させる。

また、第３−１及び第３−２絶縁セグメント１６６−１，１６６−２は、第１電極孔Ｈ１の形成時に露出された発光構造物１２０、反射層１３２，１３４、及び伝導層１４２，１４４のそれぞれと、金属電極１８０［又は、金属電極１８０が省略される場合、第１電極部１７２］との間に配置される。したがって、第１発光セルＰ１において、第３−１及び第３−２絶縁セグメント１６６−１，１６６−２は、発光構造物１２０、反射層１３２，１３４及び伝導層１４２，１４４のそれぞれと、金属電極１８０［又は、金属電極１８０が省略される場合、第１電極部１７２］とを電気的に絶縁させることができる。

また、第４絶縁セグメントは、第４−１絶縁セグメント１６８−１及び第４−２絶縁セグメント１６８−２を含む。第４−１絶縁セグメント１６８−１は、後述するように、工程上形成される部分であって、省略可能である。

第４−２絶縁セグメント１６８−２は、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のうち第２電極部１７４が配置された第３発光セルＰ３において、第２電極部１７４と第２接続電極１５０−２との間に配置され、これら１７４，１５０−２を互いに電気的に絶縁させる役割をする。

また、第４−２絶縁セグメント１６８−２は、第３発光セルＰ３の反射層１３４、伝導層１４４及び発光構造物１２０のそれぞれと、第２接続電極１５０−２との間に配置される。したがって、第３発光セルＰ３において、第３電極孔Ｈ３の形成時に露出された発光構造物１２０、反射層１３２，１３４及び伝導層１４２，１４４のそれぞれは、第１−２絶縁セグメント１６２−２及び第４−２絶縁セグメント１６８−２によって第２接続電極１５０−２と電気的に絶縁可能である。

第２接続電極１５０−２は、第３電極孔Ｈ３に埋め込まれた第１−２絶縁セグメント１６２−２及び第４−２絶縁セグメント１６８−２を貫通して第１導電型半導体層１２２に接続される形態を有する。

一方、第２絶縁層１９０は、第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２の上、第２絶縁セグメント１６４の上、第３絶縁セグメント１６６−１，１６６−２の上、及び第４絶縁セグメント１６８−１，１６８−２の上にそれぞれ配置される。図１を参照すると、領域１９２，１９４の内側には第２絶縁層１９０が配置されない。

第２絶縁層１９０は、第３発光セルＰ３の第４−１絶縁セグメント１６８−１の役割をすることができる。すなわち、第４−１絶縁セグメント１６８−１は省略され、第２絶縁層１９０に代替されてもよい。

第２絶縁層１９０の第３厚さｔ３が厚いほど、ダイボンディング（ｄｉｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）時の衝撃に耐えられる能力が改善される。第２絶縁層１９０の第３厚さｔ３は、最小１ｎｍ〜８０ｎｍであってもよく、例えば、１μｍであってもよい。

第１絶縁層１６２−１，１６２−２，１６４，１６６−１，１６６−２，１６８−１，１６８−２及び第２絶縁層１９０のそれぞれは、電気的絶縁性を有する物質を含むことができ、光透過度と光吸収が少ないほど有利である。なぜなら、図１及び図２に例示した発光素子１００が、図１１に例示したように、フリップチップ形態の発光素子パッケージ２００として具現される場合、基板１１０側に多くの光が出射できるようにするためである。

第１絶縁層１６２−１，１６２−２，１６４，１６６−１，１６６−２，１６８−１，１６８−２と第２絶縁層１９０のそれぞれは、互いに同じ材質からなってもよく、互いに異なる材質からなってもよい。

第１絶縁層１６２−１，１６２−２，１６４，１６６−１，１６６−２，１６８−１，１６８−２及び第２絶縁層１９０のそれぞれは、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＯ_２、またはＡｌＮのうち少なくとも１つで形成することができ、単層又は多層であってもよい。

また、図１及び図２に例示した発光素子１００が、図１１に示したように、発光素子パッケージ２００に適用される場合、第１絶縁層１６２−１，１６２−２，１６４，１６６−１，１６６−２，１６８−１，１６８−２または第２絶縁層１９０のうち少なくとも１つは、分散ブラッグ反射層（ＤＢＲ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）を含むことができる。この場合、分散ブラッグ反射層は絶縁機能を行ってもよく、反射機能を行ってもよい。

第１絶縁層１６２−１，１６２−２，１６４，１６６−１，１６６−２，１６８−１，１６８−２が第１分散ブラッグ反射層として具現される場合、第１分散ブラッグ反射層は、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３から入射される光を反射させて基板１１０に向かって進行するようにすることができる。したがって、第１分散ブラッグ反射層は、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３から入射される光が第２絶縁層１９０と第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２に吸収されることを遮断するので、発光効率を改善することができる。

また、第２絶縁層１９０が第２分散ブラッグ反射層として具現される場合、第２分散ブラッグ反射層は、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３から入射される光を反射させる。したがって、第２分散ブラッグ反射層は、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３から入射される光が第１及び第２電極部１７２，１７４に吸収されることを遮断するので、発光効率を改善することができる。

第１及び第２分散ブラッグ反射層のそれぞれは、屈折率が互いに異なる第１層及び第２層が交互に少なくとも１回以上積層された構造であってもよい。第１及び第２分散ブラッグ反射層のそれぞれは電気絶縁物質であってもよい。

例えば、第１層はＴｉＯ_２のような第１誘電体層であり、第２層はＳｉＯ_２のような第２誘電体層を含むことができる。例えば、第１分散ブラッグ反射層は、ＴｉＯ_２／ＳｉＯ_２層が少なくとも１回以上積層された構造であってもよい。第１層及び第２層のそれぞれの厚さはλ／４であり、λは、発光セルから発生する光の波長であってもよい。

もし、第２絶縁層１９０がＤＢＲとして具現される場合、反射層１３２，１３４が省略されたり、多層構造の反射層１３２，１３４の役割をする第１層のみが省略されてもよく、第１絶縁層１６２−１，１６２−２，１６４，１６６−１，１６６−２，１６８−１，１６８−２がＤＢＲとして具現されなくてもよい。

一方、第１電極部１７２は、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のいずれか１つの第１導電型半導体層１２２と接続され、第２電極部１７４は、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のうちの他の１つの反射層（又は、反射層と伝導層が省略される場合、第２導電型半導体層）と接続される。すなわち、第２電極部１７４は、反射層１３４と伝導層１４４を経由して第２導電型半導体層１２６と電気的に接続される。

図１及び図２を参照すると、例えば、第１電極部１７２は、第１発光セルＰ１に配置されて第１導電型半導体層１２２と接続されてもよく、第２電極部１７４は、第３発光セルＰ３に配置されて反射層１３４［もし、反射層１３４と伝導層１４４が省略される場合、第２導電型半導体層１２６］と接続されてもよい。

発光素子１００が金属電極１８０をさらに含む場合、第１電極部１７２は、第２絶縁層１９０を貫通した後、金属電極１８０を経由して第１導電型半導体層１２２と接続されてもよい。

しかし、図２に例示した金属電極１８０が省略され、金属電極１８０の位置に第１電極部１７２が配置される場合、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のうち第１電極部１７２が配置された第１発光セルＰ１において、第１電極部１７２は、第２絶縁層１９０と第３絶縁セグメント１６６−１，１６６−２を貫通する形状で第１導電型半導体層１２２に電気的に接続される。すなわち、第１電極部１７２は、第２絶縁層１９０を貫通した後、第１電極孔Ｈ１の内部に埋め込まれた第３絶縁セグメント１６６−１，１６６−２を貫通して第１導電型半導体層１２２に接続される。第１電極孔Ｈ１内で第１電極部１７２は第８幅Ｗ８を有する。

このように、発光素子１００が金属電極１８０を含まない場合、第１電極部１７２は、第２絶縁層１９０と第３絶縁セグメント１６６−１，１６６−２を全て貫通しなければならないため、外形比が大きくなって製造工程が難しいことがある。しかし、金属電極１８０が第１電極部１７２と第１導電型半導体層１２２との間に配置される場合、外形比が小さくなって製造工程が容易になり得る。

第２電極部１７４は、第２絶縁層１９０と第４絶縁セグメント１６８−１，１６８−２を貫通する形状で反射層１３４［又は、反射層１３４と伝導層１４４が省略される場合、第２導電型半導体層１２６］に電気的に接続される。

第１及び第２電極部１７２，１７４を介して外部電源が発光素子１００に供給され得る。第１及び第２電極部１７２，１７４は、外部電源が供給されるワイヤ（図示せず）がボンディングされるパッドを含むこともでき、自身がパッドの役割を担うこともできる。

また、第１及び第２電極部１７２，１７４のそれぞれは、共晶接合（ｅｕｔｅｃｔｉｃ ｂｏｎｄｉｎｇ）物質の適用時に、ダイペースト（ｄｉｅ ｐａｓｔｅ）なしにダイボンディング機能を行うことができる。

図１及び図２に例示したように、第１電極部１７２は、発光素子１００において１番目の発光セルＰ１に位置し、第２電極部１７４は、発光素子１００において最後の発光セルＰＮ（例：Ｐ３）に位置することができるが、実施例は、第１及び第２電極部１７２，１７４の配置位置に限定されない。

また、図１を参照すると、第１電極部１７２の平面形状は四角形である一方、第２電極部１７４の平面形状は、右側部分がリセス１７４Ａを有する四角形である。このように、第１及び第２電極部１７２，１７４が互いに異なる平面形状を有する場合、第１及び第２電極部１７２，１７４は容易に区分することができる。

前述した第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２、第１及び第２電極部１７２，１７４、及び金属電極１８０のそれぞれは、電気的伝導性を有する金属物質、例えば、Ｐｔ（Ｐｌａｔｉｎｕｍ）、Ｇｅ（Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ）、Ｃｕ（Ｃｏｐｐｅｒ）、Ｃｒ（Ｃｈｒｏｍｉｕｍ）、Ｎｉ（Ｎｉｃｋｅｌ）、Ａｕ（Ｇｏｌｄ）、Ｔｉ（Ｔｉｔａｎｉｕｍ）、Ａｌ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ）、Ｔａ（Ｔａｎｔａｌｕｍ）、ＴａＮ（Ｔａｎｔａｌｕｍ Ｎｉｔｒｉｄｅ）、ＴｉＮ（Ｔｉｔａｎｉｕｍ Ｎｉｔｒｉｄｅ）、Ｐｄ（Ｐａｌｌａｄｉｕｍ）、Ｗ（ｔｕｎｇｓｔｅｎ）またはＷＳｉ_２（Ｔｕｎｇｓｔｅｍ ｓｉｌｉｃｉｄｅ）のうち少なくとも１つの物質を含むことができる。特に、第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２は、その厚さが厚いほど、伝導度に優れた物質を含むほど、そして、第１及び第２絶縁層１６２−１，１６２−２，１６４，１６６−１，１６６−２，１６８−１，１６８−２，１９０との優れた接着力を有する物質を含むほど、好ましい。

一方、前述した図１及び図２に例示した発光素子１００が、後述する図１１に例示したようにフリップチップ形態のパッケージとして具現される場合、第２絶縁層１９０上の第１及び第２電極部１７２，１７４の間において放熱部１７６がさらに配置されてもよい。放熱部１７６は、第１及び第２電極部１７２，１７４と同じ金属材質を含むことができる。このように放熱部１７６が配置される場合、発光素子１００の各発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３から発生した熱をより速く消散することができる。

図７は、図１及び図２に示した発光素子１００の回路図を示す。

図１、図２及び図７を参照すると、発光素子１００は、１つの（−）端子（又は、第１電極部または第１パッド１７２）を有し、１つの（＋）端子（又は、第２電極部または第２パッド１７４）を有することができる。外部の駆動電圧が第１及び第２電極部１７２，１７４を介して供給されることで、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３が駆動することができる。

以上では、実施例の理解を助けるために、発光素子１００は、３個（Ｎ＝３）の発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３及び２個の接続電極１５０−１，１５０−２を有するものと説明した。しかし、発光素子１００が、３個より多いまたは少ない発光セル及び２個より多いまたは少ない接続電極を有する場合にも、前述した説明は適用することができる。

例えば、発光素子１００が３個より多いＮ個の発光セルを含む場合、Ｎ個の発光セルのうちの２個の発光セルは、図１、図２及び図７に示した第１及び第３発光セルＰ１，Ｐ３にそれぞれ該当し、残りのＮ−２個の発光セルは、図１、図２及び図７に示した第２発光セルＰ２に該当することができる。

以下、それぞれが様々な平面形状を有する複数（Ｎ＞３）の発光セルを含む発光素子１００の様々な実施例の平面図を、添付の図面を参照して、次のように説明する。

図８Ａ乃至図８Ｃは、実施例に係る発光素子の平面図を示す。

図８Ａを参照すると、発光素子は、９個（Ｎ＝９）の四角平面形状の発光セルＰを有する。複数の発光セルのそれぞれＰは、図１、図３Ａ、図４Ａ乃至図４Ｈに例示した発光セルに該当することができる。

図８Ｂを参照すると、発光素子は、１６個（Ｎ＝１６）の三角平面形状の発光セルＰを有する。複数の発光セルのそれぞれＰは、図６に例示した正三角形の平面形状を有する発光セルに該当することができる。

図８Ｃを参照すると、発光素子は、１１個（Ｎ＝１１）の六角平面形状の発光セルＰを有する。複数の発光セルのそれぞれＰは、図５に例示した正六角形の平面形状を有する発光セルに該当することができる。

図８Ａ乃至図８Ｃのそれぞれにおいて、矢印方向ＣＰに電流が流れることができるようにＭ個の接続電極（図示せず）が各発光セルＰを接続することは、図１及び図２を参照して前述した通りである。すなわち、Ｍ個の接続電極のそれぞれは、図１及び図２に示した第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２と同じ断面及び平面形状を有することができる。

図９は、比較例に係る発光素子の局部的な断面図を示す。

図９に示した比較例の発光素子は、基板１０、３つの発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３、絶縁層４２，４４及び接続電極５０−１，５０−２を含む。

各発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３は、発光構造物２０、第１及び第２電極部３２，３４を有する。発光構造物２０は、第１導電型半導体層２２、活性層２４及び第２導電型半導体層２６を含む。

図９において、第１発光セルＰ１の第２電極部３４と第２発光セルＰ２の第１電極部３２とは第１接続電極５０−１によって互いに電気的に接続され、第２発光セルＰ２の第２電極部３４と第３発光セルＰ３の第１電極部３２とは第２接続電極５０−２によって互いに電気的に接続される。

このとき、絶縁層４２は、隣接する発光セルＰ１，Ｐ２と第１接続電極５０−１との間に配置され、絶縁層４４は、隣接する発光セルＰ２，Ｐ３と第２接続電極５０−２との間に配置される。絶縁層４２は、隣接する発光セルＰ１，Ｐ２と第１接続電極５０−１とを互いに電気的に絶縁させる役割を担い、絶縁層４４は、隣接する発光セルＰ２，Ｐ３と第２接続電極５０−２とを互いに電気的に絶縁させる役割を担う。

第１電極部３２を介して第１導電型半導体層２２を経由して活性層２４に電子が供給され、第２電極部３４を介して第２導電型半導体層２６を経由して活性層２４に正孔が供給され得る。しかし、第１電極部３２を介して供給された電子は、第１導電型半導体層２２の高い抵抗により、第１電極部３２から活性層２４に繋がる最短コースでさらに多く移動する傾向がある。このようなキャリアの不均一なスプレッディングは、内部量子効率（Ｉｎｔｅｒｎａｌ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）を低下させ、発光セルから局所加熱を誘発して、発光素子の信頼性を低下させることがある。

しかし、図２に例示した実施例に係る発光素子１００の場合、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれの横幅ＷＸの中央に第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３をそれぞれ形成し、第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３を介して第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２が第１導電型半導体層１２２に接続される。したがって、図９に例示した比較例に係る発光素子とは異なり、図２に例示した実施例に係る発光素子１００の場合、第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２を介して供給された電子は、第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３を基準として左側と右側に位置した活性層１２４に均一にスプレッディングされ得る。したがって、図９に例示した比較例と比較するとき、図１及び図２に例示した実施例に係る発光素子１００の場合、内部量子効率が改善され、発光素子１００の局所加熱が防止されることで、信頼性を極大化させることができる。

また、図９に示した比較例に係る発光素子の場合、第１及び第２接続電極５０−１，５０−２が互いにある程度の距離ｄｃだけ離隔しなければならない。そうでない場合、第１及び第２接続電極５０−１，５０−２が互いに電気的に短絡して、発光素子の誤動作を誘発することがある。

しかし、図１及び図２に例示した実施例に係る発光素子１００の場合、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれの中央に形成された第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３を介して第１導電型半導体層１２２と接続された第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２は、第２絶縁セグメント１６４によって互いに電気的に絶縁される。したがって、図２に例示した第１方向Ｘへの第１水平離隔距離ｓｄ１は、図９に例示した比較例の水平離隔距離ｄｃよりも著しく小さくなり得る。したがって、発光素子１００のために割り当てられた面積を効率的に使用できるようにして、発光素子１００の水平方向である第１方向Ｘへの全幅が減少することができる。

以下、図１及び図２に例示した発光素子１００の製造方法を、添付した図１０Ａ乃至図１０Ｇを参照して説明するが、発光素子１００は、このような製造方法に限定されず、他の製造方法によっても製造できることは勿論である。

図１０Ａ乃至図１０Ｇは、図１及び図２に例示した発光素子１００の製造方法を説明するための工程断面図である。

図１０Ａを参照すると、基板１００上に凹凸パターン１１２を形成する。すなわち、ＰＳＳを形成する。その後、凹凸パターン１１２を有する基板ＰＳＳ上に発光構造物１２０、伝導層１４０及び反射層１３０Ａを順次形成する。

その後、図１０Ｂを参照すると、反射層１３０Ａ上に第１パターンマスクＭ１を形成する。第１パターンマスクＭ１は、図２に例示した境界領域Ｓと第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３が形成される部分をオープンさせる開口を有する。

その後、図１０Ｃを参照すると、第１パターンマスクＭ１を用いて、第１導電型半導体層１２２が露出するまで反射層１３０Ａ、伝導層１４０及び発光構造物１２０を順次にメサエッチングして、第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３を形成すると共に、境界領域Ｓの基板１１０が露出するまで第１導電型半導体層１２２をエッチングする。このとき、第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３の第６幅Ｗ６が所望の分だけ形成されるように、第１パターンマスクＭ１の開口の幅を調整することができる。また、第１〜第３幅Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３が、前述した数式１乃至５に記載された値を有し、所望の程度に第７幅Ｗ７を確保するために、互いに異なるエッチング選択比を有する物質で反射層１３０Ａ、伝導層１４０及び第２導電型半導体層１２６を具現することができる。その後、第１パターンマスクＭ１を除去する。

または、第１パターンマスクＭ１を用いて、前述したように、第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３を一次的に形成した後、第１パターンマスクＭ１を除去し、第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３を覆い、境界領域Ｓが形成される部分を露出させる開口を有する別途のパターンマスク（図示せず）をエッチングマスクとして用いて、境界領域Ｓの基板１１０が露出するまで第１導電型半導体層１２２をエッチングすることもできる。

次に、図１０Ｄを参照すると、図１０Ｃに示した結果物の上部に第１絶縁層１６０を形成する。その後、第２パターンマスクＭ２を第１絶縁層１６０の上部に形成する。第２パターンマスクＭ２は、図２に例示したように、第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２と金属電極１８０が接続される、反射層１３４及び第１導電型半導体層１２２の該当の部分を露出させる開口を有する。このとき、第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３に埋め込まれた第１絶縁層１６０をエッチングする部分の開口は、第８幅Ｗ８を有することができる。

その後、図１０Ｅを参照すると、第２パターンマスクＭ２をエッチングマスクとして用いて、第１絶縁層１６０をエッチングすることで、第１絶縁セグメント１６２−１，１６２−２、第２絶縁セグメント１６４、第３絶縁セグメント１６６−１，１６６−２及び第４絶縁セグメント１６８を形成する。その後、第２パターンマスクＭ２を除去する。このように、第１絶縁セグメント１６２−１，１６２−２、第２絶縁セグメント１６４、第３絶縁セグメント１６６−１，１６６−２及び第４絶縁セグメント１６８は、１つの第１絶縁層１６０をエッチングして獲得されるので、同じ絶縁物質を含むことがわかる。

その後、図１０Ｆを参照すると、図１０Ｅでのように、第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３に埋め込まれた第１絶縁層１６０をエッチングすることで第１導電型半導体層１２２が露出した貫通孔を埋め込みながら、第１絶縁層１６２−１，１６２−２，１６４，１６６−１，１６６−２，１６８の上部に金属層（図示せず）を蒸着して形成する。その後、金属層上に第２絶縁セグメント１６４、第３絶縁セグメント１６６−１，１６６−２及び第４絶縁セグメント１６８を露出させる開口を有する第３パターンマスク（図示せず）を形成する。その後、第３パターンマスクをエッチングマスクとして用いて金属層をエッチングすることで、第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２と金属電極１８０を形成する。その後、第３パターンマスクを除去する。

または、図１０Ｅに示したように、多数の第１〜第４絶縁セグメント１６２−１，１６２−２，１６４，１６６−１，１６６−２，１６８を形成した後、第２パターンマスクＭ２を除去する前に、第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３において第１導電型半導体層１２２を露出させる貫通孔を埋め込みながら第２パターンマスクＭ２の上部に金属層を蒸着して形成することができる。その後、第２パターンマスクＭ２とその上部に形成された金属層を共に除去すれば、図１０Ｆに示した結果物を形成することができる。

その後、図１０Ｇに示したように、第１及び第２接続電極１５０−１，１５０−２、第２絶縁セグメント１６４、第３絶縁セグメント１６６−１，１６６−２及び第４絶縁セグメント１６８上に第２絶縁層１９０を形成し、第２絶縁層１９０の上部に、第１及び第２電極部１７２，１７４が接続される金属電極１８０及び反射層１３４を露出させる開口を有する第４パターンマスクＭ４を形成する。その後、第４パターンマスクＭ４をエッチングマスクとして用いて第２絶縁層１９０をエッチングすることで、該当する反射層１３４及び金属電極１８０を露出させる。その後、第４パターンマスクＭ４を除去する。

その後、第４パターンマスクＭ４によるエッチングで露出された開口に金属物質を埋め込むことで、図２に示したように第１及び第２電極部１７２，１７４を形成する。

以下、図１及び図２に例示した発光素子１００を含む発光素子パッケージ２００について、添付した図１１を参照して、次のように説明する。しかし、図１及び図２に例示した発光素子１００は、図１１に示したものと異なる形態で発光素子パッケージ２００において使用されてもよい。

図１１は、実施例に係る発光素子１００を含む発光素子パッケージ２００を示す。

図１１を参照すると、発光素子パッケージ２００は、発光素子１００、第１バンプ部２１２、第２バンプ部２１４、第１金属層２２２、第２金属層２２４及びサブマウント（ｓｕｂｍｏｕｎｔ）２３０を含む。

サブマウント２３０は、発光素子１００を実装する。サブマウント２３０は、パッケージボディー（ｐａｃｋａｇｅ ｂｏｄｙ）又は印刷回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）などとして具現することができ、発光素子１００がフリップチップボンディング（ｆｌｉｐ ｃｈｉｐ ｂｏｎｄｉｎｇ）可能であれば、様々な形態を有することができる。

発光素子１００は、サブマウント２３０上に配置され、第１バンプ部２１２及び第２バンプ部２１４によって第１及び第２金属層２２２，２２４とそれぞれ電気的に接続される。図１１に示した発光素子１００は、図１及び図２に示した発光素子１００に該当するが、実施例がこれに限定されるものではない。

サブマウント２３０は、ポリフタルアミド（ＰｏｌｙＰｈｔｈａｌ Ａｍｉｄｅ，ＰＰＡ）、液晶高分子（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ，ＬＣＰ）、ポリアミド９Ｔ（ＰｏｌｙＡｍｉｄｅ９Ｔ，ＰＡ９Ｔ）などのような樹脂、金属、感光性ガラス（ｐｈｏｔｏ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ｇｌａｓｓ）、サファイア、セラミック、印刷回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）などを含むことができる。しかし、実施例に係るサブマウント２３０が、これらの物質に限定されるものではない。

第１金属層２２２及び第２金属層２２４は、サブマウント２３０の上面に第１方向に互いに離隔して配置される。ここで、サブマウント２３０の上面は、発光素子１００に対向する面であってもよい。第１金属層２２２及び第２金属層２２４は、伝導性金属、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又はロジウム（Ｒｈ）であってもよい。

第１バンプ部２１２及び第２バンプ部２１４は、第１金属層２２２及び第２金属層２２４と発光素子１００との間にそれぞれ配置される。第１バンプ部２１２は、発光素子１００の第１電極部１７２と第１金属層２２２とを電気的に接続することができる。第２バンプ部２１４は、発光素子１００の第２電極部１７４と第２金属層２２４とを電気的に接続することができる。

発光素子パッケージ２００が、図１１に例示したように、フリップチップ形態で具現される場合、光は、伝導層１４２，１４４を通してサブマウント２３０側に下方に向かって正（＋）の第３方向Ｚに出射される代わりに、基板１１０を通して負（−）の第３方向Ｚに出射される。したがって、このような発光素子パッケージ２００の光抽出効率は、伝導層１４２，１４４の第１厚さｔ１に影響を受けず、伝導層１４２，１４４の光吸収特性や抵抗特性などによって影響を受けずに済む。さらに、第１及び第２電極部１７２，１７４及び第６幅Ｗ６を有するメサ領域の設計時に伝導層１４２，１４４の特性による制約を受けずに済む。

また、図１１を参照すると、伝導層１４２，１４４の下に反射層１３２，１３４を配置することによって、キャリアのスプレッディングが改善されて電気的特性を改善することができるだけでなく、伝導層１４２，１４４の厚さを薄く形成することができて、反射率が向上することによって、発光素子パッケージ２００の光学的特性を改善することができる。

また、発光素子パッケージ２００が、図１１に例示したように、フリップチップ形態で具現され、第１電極部１７２を介して電子が供給され、第２電極部１７４を介して正孔が供給されると仮定する。この場合、前述したように、第１、第２及び第３幅Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３が同一であれば、反射層１３２，１３４は、第７幅Ｗ７を有する領域を除外した全体を覆うことができ、第１、第２及び第３発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ３のそれぞれにおいて正孔のスプレッディングがより均一になり得るので、電気的特性、すなわち、電気伝導度を改善することができる。特に、第１、第２及び第３電極孔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３が、図示のように円形の平面形状を有する場合、放射状に均一にキャリアがスプレッディングされ得る。

また、発光素子１００及び発光素子パッケージ２００は、所望の電流密度に応じて、電極孔の数、電極孔の間隔や配列された姿を調整することができる。

また、単位発光セルに含まれた電極孔の数が増加すると、発光素子の電気的特性が改善され、電極孔の数が減少すると、発光素子の光学的特性が改善される。したがって、これを考慮して電極孔の数を決定することができる。

実施例に係る発光素子パッケージは、複数個が基板上にアレイされ、発光素子パッケージの光経路上に、光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シートなどを配置することができる。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材は、バックライトユニットとして機能することができる。

更に他の実施例は、上述した実施例に記載された発光素子又は発光素子パッケージを含む表示装置、指示装置、照明装置として具現することができ、例えば、照明装置は、ランプ、街灯を含むことができる。

図１２は、実施例に係る発光素子パッケージを含むヘッドランプ（ｈｅａｄ ｌａｍｐ）９００を示す。

図１２を参照すると、ヘッドランプ９００は、発光モジュール９０１、リフレクタ（ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）９０２、シェード９０３及びレンズ９０４を含む。

発光モジュール９０１は、基板（図示せず）上に配置される複数の発光素子パッケージ（図示せず）を含むことができる。このとき、発光素子パッケージは、図１１に示した実施例２００であってもよい。

リフレクタ９０２は、発光モジュール９０１から照射される光９１１を一定の方向、例えば、前方９１２に反射させる。

シェード９０３は、リフレクタ９０２とレンズ９０４との間に配置され、リフレクタ９０２によって反射されてレンズ９０４に向かう光の一部を遮断または反射して、設計者の所望の配光パターンをなすようにする部材であって、シェード９０３の一側部９０３−１と他側部９０３−２は互いに異なる高さを有することができる。

発光モジュール９０１から照射される光は、リフレクタ９０２及びシェード９０３で反射された後、レンズ９０４を透過して車体の前方に向かうことができる。レンズ９０４は、リフレクタ９０２によって反射された光を前方に屈折させることができる。

図１３は、実施例に係る発光素子又は発光素子パッケージを含む照明装置１０００を示す。

図１３を参照すると、照明装置１０００は、カバー１１００、光源モジュール１２００、放熱体１４００、電源提供部１６００、内部ケース１７００及びソケット１８００を含むことができる。また、実施例に係る照明装置１０００は、部材１３００とホルダー１５００のいずれか１つ以上をさらに含むことができる。

光源モジュール１２００は、図２に例示した発光素子１００、または図１１に示した発光素子パッケージ２００を含むことができる。

カバー１１００は、バルブ（ｂｕｌｂ）または半球の形状であってもよく、中空の内部を有し、一部分が開口した形状であってもよい。カバー１１００は、光源モジュール１２００と光学的に結合可能である。例えば、カバー１１００は、光源モジュール１２００から提供される光を拡散、散乱または励起させることができる。カバー１１００は一種の光学部材であってもよい。カバー１１００は放熱体１４００と結合可能である。カバー１１００は、放熱体１４００と結合する結合部を有することができる。

カバー１１００の内面には乳白色の塗料がコーティングされてもよい。乳白色の塗料は、光を拡散させる拡散材を含むことができる。カバー１１００の内面の表面粗さは、カバー１１００の外面の表面粗さよりも大きく形成することができる。これは、光源モジュール１２００からの光を十分に散乱及び拡散させて外部に放出させるためである。

カバー１１００の材質は、ガラス（ｇｌａｓｓ）、プラスチック、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）などであってもよい。ここで、ポリカーボネートは、耐光性、耐熱性及び強度に優れている。カバー１１００は、外部から光源モジュール１２００が見えるように透明であってもよいが、これに限定されるものではなく、不透明であってもよい。カバー１１００は、ブロー（ｂｌｏｗ）成形により形成することができる。

光源モジュール１２００は、放熱体１４００の一面に配置することができ、光源モジュール１２００から発生した熱は放熱体１４００に伝導可能である。光源モジュール１２００は、光源部１２１０、連結プレート１２３０及びコネクタ１２５０を含むことができる。

部材１３００は、放熱体１４００の上面上に配置することができ、複数の光源部１２１０及びコネクタ１２５０が挿入されるガイド溝１３１０を有する。ガイド溝１３１０は、光源部１２１０の基板及びコネクタ１２５０と対応または整列可能である。

部材１３００の表面は、光反射物質で塗布又はコーティングされたものであってもよい。

例えば、部材１３００の表面は、白色の塗料で塗布又はコーティングされたものであってもよい。このような部材１３００は、カバー１１００の内面で反射されて光源モジュール１２００に向かって戻ってくる光を再びカバー１１００の方向に反射することができる。したがって、実施例に係る照明装置の光効率を向上させることができる。

部材１３００は、一例として、絶縁物質からなることができる。光源モジュール１２００の連結プレート１２３０は電気伝導性の物質を含むことができる。したがって、放熱体１４００と連結プレート１２３０との間に電気的な接触が可能になる。部材１３００は、絶縁物質で構成されて、連結プレート１２３０と放熱体１４００との電気的短絡を遮断することができる。放熱体１４００は、光源モジュール１２００からの熱及び電源提供部１６００からの熱の伝達を受けて放熱することができる。

ホルダー１５００は、内部ケース１７００の絶縁部１７１０の収納溝１７１９を塞ぐ。したがって、内部ケース１７００の絶縁部１７１０に収納される電源提供部１６００は密閉することができる。ホルダー１５００は、ガイド突出部１５１０を有することができ、ガイド突出部１５１０は、電源提供部１６００の突出部１６１０が貫通するホールを有することができる。

電源提供部１６００は、外部から提供された電気的信号を処理又は変換して光源モジュール１２００に提供する。電源提供部１６００は、内部ケース１７００の収納溝１７１９に収納され、ホルダー１５００によって内部ケース１７００の内部に密閉され得る。電源提供部１６００は、突出部１６１０、ガイド部１６３０、ベース１６５０及び延長部１６７０を含むことができる。

ガイド部１６３０は、ベース１６５０の一側から外部に突出した形状を有することができる。ガイド部１６３０はホルダー１５００に挿入可能である。ベース１６５０の一面上には多数の部品を配置することができる。多数の部品は、例えば、外部電源から提供される交流電源を直流電源に変換する直流変換装置、光源モジュール１２００の駆動を制御する駆動チップ、光源モジュール１２００を保護するためのＥＳＤ（ＥｌｅｃｔｒｏＳｔａｔｉｃ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）保護素子などを含むことができるが、これに限定されない。

延長部１６７０は、ベース１６５０の他側から外部に突出した形状を有することができる。延長部１６７０は、内部ケース１７００の連結部１７５０の内部に挿入され、外部からの電気的信号を受けることができる。例えば、延長部１６７０は、内部ケース１７００の連結部１７５０と幅が同一または小さくてもよい。延長部１６７０には“＋電線”と“−電線”の各一端が電気的に接続され、“＋電線”と“−電線”の他端はソケット１８００に電気的に接続可能である。

内部ケース１７００は、内部に電源提供部１６００と共にモールディング部を含むことができる。モールディング部は、モールディング液体が硬化した部分であって、電源提供部１６００を内部ケース１７００の内部に固定できるようにする。

実施例に係る発光素子及びそれを含む発光素子パッケージは、伝導層の下に反射層を配置することによって、伝導層の厚さを薄く形成することができ、反射率が向上して光学的特性を改善することができ、フリップチップ形態のパッケージとして具現されることによって、光抽出効率は、伝導層の厚さに影響を受けず、伝導層の光吸収特性や抵抗特性などによって影響を受けずに済み、第１及び第２電極部及びメサ領域の設計時に伝導層の特性による制約を受けずに済む。

以上では、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上に例示していない種々の変形及び応用が可能であるということが理解されるであろう。例えば、実施例に具体的に示した各構成要素は変形実施が可能である。そして、このような変形及び応用に係る差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならない。

Claims (20)

1. 基板と、
   前記基板上に配置される複数の発光セルと、
   前記複数の発光セルを互いに接続する接続電極と、
   前記接続電極によって接続された隣接する発光セルと前記接続電極との間に配置された第１絶縁層とを含み、
   前記複数の発光セルのそれぞれは、
   第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
   前記第２導電型半導体層上に配置された反射層とを含み、
   前記接続電極は、前記隣接する発光セルのいずれか一方である第１発光セルの前記第１導電型半導体層と、他方である第２発光セルの前記反射層とを接続し、
   前記第２導電型半導体層の第１方向への第１幅は、前記反射層の第１方向への第２幅以上であり、
   前記第１方向は、前記発光構造物の厚さ方向と異なる方向である、発光素子。
2. 前記複数の発光セルのそれぞれは、
   前記反射層と前記第２導電型半導体層との間に配置され、透光性を有する伝導層をさらに含む、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記第２導電型半導体層の前記第１幅は前記反射層の前記第２幅と同一であり、前記伝導層の前記第１方向への第３幅は前記第２導電型半導体層の前記第１幅と同一である、請求項２に記載の発光素子。
4. 前記第２導電型半導体層の前記第１幅、前記反射層の前記第２幅、または前記伝導層の前記第１方向への第３幅のうち少なくとも１つは、前記第２導電型半導体層の前記第１幅、前記反射層の前記第２幅及び前記伝導層の前記第３幅のいずれか１つと異なる、請求項２に記載の発光素子。
5. 前記伝導層の前記第３幅は、前記反射層の前記第２幅以上である、請求項４に記載の発光素子。
6. 前記第２導電型半導体層の前記第１幅は、前記伝導層の前記第３幅と同一である、請求項５に記載の発光素子。
7. 前記第２導電型半導体層の前記第１幅は、前記伝導層の前記第３幅よりも大きい、請求項５に記載の発光素子。
8. 前記反射層は、前記第２導電型半導体層とオーミック接触する、請求項１に記載の発光素子。
9. 前記反射層は多層構造を有する、請求項１ないし８のいずれかに記載の発光素子。
10. 前記反射層の反射率は７０％以上である、請求項１ないし８のいずれかに記載の発光素子。
11. 前記反射層は、Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｈｆ，Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｐｔ，ＣｕまたはＲｈのうち少なくとも１つを含む、請求項１ないし８のいずれかに記載の発光素子。
12. 前記反射層は０．５ｎｍ〜４μｍの厚さを有する、請求項１ないし８のいずれかに記載の発光素子。
13. 前記伝導層の厚さは０．５ｎｍ〜４μｍである、請求項２に記載の発光素子。
14. 前記発光素子は、
    前記複数の発光セルのいずれか１つの前記第１導電型半導体層と接続された第１電極部と、
    前記複数の発光セルのうちの他の１つの前記反射層と接続された第２電極部とをさらに含む、請求項１ないし８のいずれかに記載の発光素子。
15. 前記接続電極の上及び前記第１絶縁層の上に配置された第２絶縁層をさらに含み、
    前記第１及び第２電極部のそれぞれは、前記第１及び第２絶縁層を貫通して、前記第１電極部は前記第１導電型半導体層に接続され、前記第２電極部は前記反射層に接続された、請求項１４に記載の発光素子。
16. 前記第２絶縁層は、１ｎｍ〜８０ｎｍの最小厚さを有する、請求項１５に記載の発光素子。
17. 前記第１絶縁層または第２絶縁層のうち少なくとも１つは分散ブラッグ反射層を含む、請求項１５に記載の発光素子。
18. 前記接続電極は反射性物質を含む、請求項１ないし８のいずれかに記載の発光素子。
19. 前記接続電極と、隣接する接続電極との最も近い前記第１方向への水平離隔距離は５μｍ以上である、請求項１ないし８のいずれかに記載の発光素子。
20. 請求項１ないし１９のいずれかに記載の発光素子を含む、照明装置。

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