CN105098041B - 发光器件和包括发光器件的发光器件封装 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光器件，包括衬底；多个发光单元，布置在所述衬底上；至少一个连接电极，用于连接所述发光单元；以及第一绝缘层，布置在由所述连接电极连接的相邻发光单元与所述连接电极之间，其中每个所述发光单元包括：包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构；以及布置在所述第二导电型半导体层上的反射层，其中所述连接电极将一个所述相邻发光单元的第一导电型半导体层连接到另一个所述相邻发光单元的所述反射层，并且在第一方向上所述第二导电型半导体层的第一宽度等于或大于在第一方向上所述反射层的第二宽度，并且所述第一方向不同于所述发光结构的厚度方向。

Description

发光器件和包括发光器件的发光器件封装
技术领域
实施例涉及一种发光器件和包括发光器件的发光器件封装。
背景技术
基于金属有机物化学气相沉积和氮化镓(GaN)的分子束生长的发展，使得能够实现高亮度和白光的红色、绿色和蓝色发光二极管(LED)得以发展。
这样的LED不包含在诸如白炽灯或荧光灯的传统照明器件中使用的诸如汞(Hg)的对环境有害的材料，并且由此有利地具有优异的生态友好性、长寿命和低功耗，由此被用作传统光源的替代品。在这样的LED的竞争中的关键因素是基于具有高效率和高功率的芯片以及封装技术实现高亮度。
为了实现高亮度，增大光提取效率是重要的。为了增大光提取效率，使用倒装芯片结构、表面织构、图案化蓝宝石衬底(PSS)、光子晶体技术、抗反射层结构等的各种方法正在被研究。
一般而言，发光器件包括布置在衬底上的发光结构，其中发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层、用于给第一导电型半导体层供应第一功率的第一电极以及用于给第二导电型半导体层供应第二功率的第二电极。
用以改善发光器件和包括发光器件的发光器件封装的电学和光学特性的大量研究正在进行中。
发明内容
实施例提供具有改善的光学和电学特性的发光器件和包括发光器件的发光器件封装。
在一个实施例中，一种发光器件包括衬底；多个发光单元(cell)，布置在所述衬底上；至少一个连接电极，用于连接所述发光单元；以及第一绝缘层，布置在由所述连接电极连接的相邻发光单元与所述连接电极之间，其中每个所述发光单元包括：包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构；以及布置在所述第二导电型半导体层上的反射层，其中所述连接电极将一个所述相邻发光单元的第一导电型半导体层连接到另一个所述相邻发光单元的所述反射层，并且在第一方向上所述第二导电型半导体层的第一宽度等于或大于在第一方向上所述反射层的第二宽度，并且所述第一方向不同于所述发光结构的厚度方向。
每个所述发光单元还包括布置在所述反射层与所述第二导电型半导体层之间且具有透光性的导电层。
在所述第一方向上所述导电层的所述第一宽度、所述第二宽度和所述第三宽度可以是相同的。
在所述第一方向上所述导电层的所述第一宽度、所述第二宽度或所述第三宽度至少之一可以相互不同。
所述第三宽度可以等于或大于所述第二宽度。
所述第一宽度与所述第三宽度可以相同。
所述第一宽度可以大于所述第三宽度。
所述反射层可以欧姆接触所述第二导电型半导体层。
所述反射层可以具有多层结构。
所述反射层可以具有70％或更大的反射率。
所述反射层可以包括Ni、Pd、Ru、Mg、Zn、Hf、Ag、Al、Au、Pt、Cu或Rh至少之一。
所述反射层可以具有0.5nm至4μm的厚度。
所述导电层可以具有0.5nm至4μm的厚度。
所述发光器件还可以包括：第一电极单元，连接到一个所述发光单元的所述第一导电型半导体层；以及第二电极单元，连接到另一个所述发光单元的所述反射层。
所述发光器件还可以包括布置在所述连接电极上和所述第一绝缘层上的第二绝缘层，其中所述第一和第二电极单元穿透所述第一和第二绝缘层并分别连接到所述第一导电型半导体层和所述反射层。
所述第二绝缘层可以具有1nm至80nm的最小厚度。
至少一个所述第一或第二绝缘层可以包括分布式布拉格反射器。
所述连接电极可以包括反射材料。
相邻连接电极之间在所述第一方向上的最短水平距离可以为5μm或更大。
在另一个实施例中，一种发光器件封装包括：底面贴装(submount)；第一和第二金属层，在所述底面贴装上彼此间隔开；如上所述的发光器件；以及第一和第二突起单元，用于将所述发光器件分别电连接到所述第一和第二金属层。
附图说明
参照下面的附图，可以详细描述布置和实施例，附图中相同的附图标记指代相同的元件，附图中：
图1是示出根据实施例的发光器件的俯视图；
图2是如图1所示的发光器件沿线AA’截取的剖面图；
图3A是示出如图1所示的第二发光单元的俯视图；
图3B是如图3A所示的第二发光单元沿线BB’截取的剖面图；
图4A至图4H是示出根据另一实施例的第二发光单元的俯视图；
图5是示出根据又一实施例的第二发光单元的俯视图；
图6是示出根据又一实施例的第二发光单元的俯视图；
图7是如图1和图2所示的发光器件的电路图；
图8A至图8C是示出根据实施例的发光器件的俯视图；
图9是示出根据比较实施例的发光器件的局部剖面图；
图10A至图10G是示出用于制造如图1和图2所示的发光器件的剖面图；
图11是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装；
图12是示出根据实施例的包括发光器件封装的头灯；并且
图13是示出根据实施例的包括发光器件或发光器件封装的照明器件。
具体实施方式
现在详细参照实施例，附图示出其示例。然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开充分而完整，并且将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。
应理解的是，当元件被称为在另一个元件“上”或“下方”时，其可以直接地在元件上/下方，或者也可以存在一个或多个介入元件。当元件被称为在“上”或“下方”时，可以包括基于元件的“在元件下方”和“在元件上”。
这里可以单独地使用诸如“第一”、“第二”“上/上方/上部”和“下方/下面/下部”的相关术语以将一个实体或元件与另一个实体或元件区别开，而无需要求或暗示这种实体或元件之间的任何物理的或逻辑的关系或顺序。
在附图中，为方便描述和清楚起见，会夸大、省略或示意性示出各层的厚度或者尺寸。而且，各构成元件的尺寸或面积并不完全反映其实际尺寸。
下文中，将参照附图描述根据实施例的发光器件、用于制造发光器件的方法和包括发光器件的发光器件封装。
图1是示出根据实施例的发光器件100的俯视图，并且图2是如图1所示的发光器件100沿线A-A’截取的剖面图。
参照图1和图2，发光器件100包括衬底110、N个(其中N是大于或等于2的正整数)发光单元(或发光区域，P1至PN)、M个(其中1≤M≤N-1)连接电极150-1至150-M、多个第一绝缘层162-1、162-2、164、166-1、166-2、168-1和168-2、第一电极单元172、第二电极单元174、金属电极180和第二绝缘层190。
下文中，为了更好地理解实施例，将在N是3的假设下给出描述，如图1和图2示例性示出地。
发光单元P1、P2和P3布置在衬底110上。
衬底110可以由载体晶圆(适合于半导体材料生长的材料)形成。另外，衬底110可以由高导热材料形成并且可以是导电衬底或绝缘衬底。例如，衬底110可以包含蓝宝石(Al203)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga203、或GaAs至少之一。衬底110可以设置在具有不平坦(或粗糙)图案112的上表面上。也就是说，衬底110可以是具有不平坦图案的图案化蓝宝石衬底(PSS)。正是这样，当衬底110的上表面设置有不平坦图案112时，可以改善光提取效率。
尽管在图2中未示出，缓冲层可以介于衬底110与发光结构120之间并且可以由III-V族化合物半导体形成。缓冲层作用为减少衬底110与发光结构120之间的晶格失配。
发光单元P1、P2和P3可以串联电连接，如图1和图2示例性示出地，但是实施例不限于此。也就是说，在另一个实施例中，发光单元P1、P2和P3可以并联电连接。下文中，电连接到另一个的发光单元P1、P2和P3将分别被称为第一、第二和第三发光单元。
参照图1和图2，第一至第三发光单元P1、P2和P3可以通过边界区域S相互分离。因此，边界区域S可以布置在第一至第三发光单元P1、P2和P3之间且在第一至第三发光单元P1、P2和P3周围。边界区域S可以包括通过台面蚀刻(mesa-etch)发光结构120而暴露的衬底110的一部分。
第一、第二和第三发光单元P1、P2和P3的面积可以是相同的，但是实施例不限于此。
每个第一、第二和第三发光单元P1、P2和P3可以包括发光结构120、反射层132和134以及导电层142和144。
发光结构120可以是产生光的半导体层，并且包括第一导电型半导体层122、有源层124和第二导电型半导体层126。第一导电型半导体层122、有源层124和第二导电型半导体层126可以以这种顺序堆叠在衬底110上。
第一导电型半导体层122可以用III-V族或II-VI族化合物半导体等来实施，并且可以掺杂有第一导电型掺杂剂。
例如，第一导电型半导体层122可以是具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体。例如，第一导电型半导体层122可以包含任何一个InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN或InN，并且可以掺杂有n型掺杂剂(例如Si、Ge或Sn)。
当图1和图2中示例性示出的发光器件100被应用于图11中示例性示出的具有倒装芯片接合结构的发光器件封装200时，衬底110和第一导电型半导体层122可以包括光传输材料(light-transmitting material)。
有源层124介于第一导电型半导体层122与第二导电型半导体层126之间，并且可以通过分别由第一导电型半导体层122和第二导电型半导体层126供应的电子和空穴的重组期间产生的能量产生光。
有源层124可以由例如III-V族或II-VI族化合物半导体的半导体化合物形成，并且可以具有双结结构、单阱结构、多阱结构、量子线结构或量子点结构。
当有源层124是单阱结构或量子阱结构时，它可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的阱层，以及具有InaAlbGa1-a-bN(0≤a≤1,0≤b≤1,0≤a+b≤1)的组成式的势垒层。阱层可以由具有低于势垒层的能量带隙的能量带隙的材料构成。
第二导电型半导体层126可以用III-V族或II-VI族化合物半导体来实施，并且可以掺杂有第二导电掺杂剂。例如，第二导电型半导体层126可以是具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体。例如，第二导电型半导体层126可以包含任何一个GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP或AlGaInP，并且可以掺杂有p型掺杂剂(例如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba)。
导电覆层(未示出)可以介于有源层124与第一导电型半导体层122之间或者有源层124与第二导电型半导体层126之间并且导电覆层可以由氮化物半导体(例如AlGaN)形成。
在实施例中，第一导电型半导体层122可以用n型半导体层来实施并且第二导电型半导体层126可以用p型半导体层来实施。因此，发光结构120可以包括n-p、p-n、n-p-n或p-n-p结结构至少之一。
同时，反射层132和134可以布置在发光结构120的第二导电型半导体层126上，并且可以具有单层或多层结构。例如，反射层132和134可以具有第一层/第二层/第三层的三层多层结构。关于反射层132和134，第一层作用为反射光，布置在第一层上的第二层作用为势垒层(barrier layer,阻挡层)并且布置在第二层上的第三层作用为钝化粘附增强层。在第一层至第三层中，第一层距离第二导电型半导体层最近。
另外，反射层132和134的反射率优选地尽可能地高，并且为例如70％或更大。也就是说，反射层132和134可以包括具有70％或更大的反射率的材料。
另外，反射层132和134可以包括具有极好的粘附于导电层142和144的材料。
当导电层142和144被省略时，反射层132和134可以直接接触第二导电型半导体层126。在这种情况下，反射层132和134可以包括欧姆接触第二导电型半导体层126的材料以及具有极好的粘附于第二导电型半导体层126的材料。
例如，反射层132和134可以包括具有高导电率的反射金属，例如Ni、Pd、Ru、Mg、Zn、Hf、Ag、Al、Au、Pt、Cu或Rh至少之一或其合金。
另外，当反射层132和134的第二厚度t2增大时，在高电流处的操作得以改善。另外，当反射层132和134的第二厚度t2小于0.5nm时，反射层132和134的反射率可能恶化。例如，反射层132和134可以具有0.5nm至4μm(例如50nm或更大)的第二厚度t2。
同时，导电层142和144布置在反射层132和134与第二导电型半导体层126之间，并且具有透光性。导电层142和144减少全反射并展示优异的透射比。
使用在光发射波长处具有高透射比的一个或更多透明氧化物材料，诸如铟锡氧化物(ITO)、二氧化锡(TO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、铝锡氧化物(ATO)、氧化镓锌(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au或Ni/IrOx/Au/ITO，导电层142和144可以实施为单层或多层结构。
根据实施例，因为反射层132和134布置在导电层142和144上，所以导电层142和144的第一厚度t1可以减小。也就是说，当反射层132和134的第二厚度t2增大时，导电层142和144的第一厚度t1减小。当导电层142和144的第一厚度t1增大时，通过导电层142和144的光的吸收率增大，并且当导电层142和144的第一厚度t1减小时，通过导电层142和144的光的吸收率减小。因此，根据实施例，反射层132和134布置在导电层142和144上，由此减小导电层142和144的第一厚度t1，并且从而改善发光器件100的光学特性。
另外，导电层142和144的第一厚度t1与反射层132和134的第二厚度t2之间可以没有关系。
当导电层142和144的第一厚度t1大于1nm时，通过导电层142和144的光的吸光率可以增大。第一厚度t1为0.5nm至4μm，优选为0.5nm至80nm，例如1nm，但是实施例不限于此。
另外，当反射层132和134包括可以欧姆接触第二导电型半导体层126的材料时，导电层142和144可以从发光单元P1、P2和P3省略。但是，尽管反射层132和134包括欧姆接触第二导电型半导体层126的材料，在发光器件100包括导电层142和144的情况下，发光器件100的可靠性仍能得以改善。其原因是导电层142和144通过阻挡来自反射层132和134的载流子向第二导电型半导体层126渗透而用作为载流子的势垒层。
另外，在一些情况下，反射层132和134以及导电层142和144可以从发光单元P1、P2和P3省略。
另外，其上布置有反射层132和134的第二导电型半导体层126的上表面126a在第一方向X上的第一宽度W1、导电层142和144在第一方向X上的第二宽度W2以及反射层132和134在第一方向X上的第三宽度W3可以相等，如下面等式1所示：
[等式1]
W1＝W2＝W3
参照图1，第一方向X可以不同于第二方向Y并且第一和第二方向X和Y可以彼此垂直。另外，参照图2，第一方向X不同于发光结构120的厚度方向的第三方向Z并且第一和第三方向X和Z可以彼此垂直。第一和第二方向X和Y不同于第三方向Z并且可以垂直于第三方向Z。也就是说，基于笛卡儿坐标系统，第一、第二和第三方向可以分别对应于X、Y和Z轴。
另外，至少一个第一、第二或第三宽度W1、W2或W3可以彼此不同。
当发光器件100不包括导电层142和144时，第一宽度W1可以等于或大于第三宽度W3，如下面等式2所示。
[等式2]
W1≥W3
另外，当发光器件100包括导电层142和144时，第二宽度W2可以等于或大于第三宽度W3，如下面等式3所示。
[等式3]
W2≥W3
另外，第一宽度W1可以等于或大于第二宽度W2并且第二宽度W2等于或大于第三宽度W3，如下面等式4所示：
[等式4]
W1≥W2≥W3
另外，第一宽度W1可以大于第二宽度W2并且第二宽度W2可以等于或大于第三宽度W3，如下面等式5所示：
[等式5]
W1＞W2≥W3
与当第一至第三宽度W1、W2和W3具有等式(1)所示的关系相比较，当第一至第三宽度W1、W2和W3具有等式(5)所示的关系时，与发光器件100的制造相关的工艺裕度和可靠性是更有利的。
根据工艺设备，可以改变通过从W1减去W2得到的第一差值或者通过从W2减去W3得到的第二差值。第一和第二差值可以大于0且或小于等于40μm，优选地10μm至30μm，例如1μm至2μm。
另外，第一至第三宽度W1至W3与反射层132和134的第二厚度t2之间可以没有关系。
同时，M个连接电极150-1至150-M作用为电连接发光单元P1至PN。每个(150-m，1≤m≤M)连接电极150-1至150-M将第m个发光单元Pm的反射层134电连接到第m+1个发光单元Pm+1的第一导电型半导体层122。
因为已经给出了在N＝3的假设下的描述，下面将给出在M＝2的假设下的描述并且根据连接电极连接发光单元P1、P2和P3的顺序，两个连接电极150-1和150-2被称为第一和第二连接电极。
具体而言，第一连接电极150-1将第一发光单元P1(其为相邻第一和第二发光单元P1和P2中的一个发光单元)的反射层134电连接到第二发光单元P2(其为相邻第一和第二发光单元P1和P2中的另一个发光单元)的第一导电型半导体层122。
第二连接电极150-2将第二发光单元P2(其为相邻第二和第三发光单元P2和P3中的一个发光单元)的反射层134电连接到第三发光单元P3(其为另一个相邻第二和第三发光单元P2和P3中的另一个发光单元)的第一导电型半导体层122。
经由反射层34和导电层144，每个第一和第二连接电极150-1和150-2连接到第二导电型半导体层126。因此，每个第一和第二连接电极150-1和150-2作用为将相邻两个发光单元中的一个发光单元的第一导电型半导体层122电连接到另一个相邻两个发光单元中的另一个发光单元的第二导电型半导体层126。
当在每个发光单元P1、P2和P3中省略反射层132和134以及导电层142和144时，每个第一和第二连接电极150-1和150-2可以直接将相邻两个发光单元中的一个发光单元的第一导电型半导体层122电连接到相邻两个发光单元中的另一个发光单元的第二导电型半导体层126。
在图1和图2示例性示出的实施例中，第一和第二连接电极150-1和150-2串联地将发光单元P1、P2和P3从布置有第一电极单元172的第一发光单元P1(作为开始点)电连接到布置有第二电极单元174的第三发光单元P3(作为结束点)。
另外，第一和第二连接电极150-1和150-2可以包括欧姆接触第一导电型半导体层122的材料。例如，欧姆接触第一导电型半导体层122的材料包括AuBe或AuZn至少一个，但是实施例不限于包含在第一和第二连接电极150-1和150-2中的材料。
当第一和第二连接电极150-1和150-2不包括欧姆接触第一导电型半导体层122的材料时，单独的欧姆层(未示出)可以布置在每个第一和第二连接电极150-1和150-2与第一导电型半导体层122之间。
另外，第一和第二连接电极150-1和150-2可以包括反射材料。特别地，当后述的第一绝缘层(即，第一绝缘片段162-1和162-2)包括具有低反射率的材料时，使用具有高于第一绝缘层162-1和162-2的反射率的反射率的材料形成第一和第二连接电极150-1和150-2，使得当发光器件100被应用于如图11示例性示出的发光器件封装200时，在负(-)第三方向Z上更大量的光可以反射向衬底110。
另外，相邻第一和第二连接电极150-1和150-2之间的最短第一水平距离sd1可以是5μm或更大。这里，第一水平距离sd1表示在第一方向X上相邻第一和第二连接电极150-1和150-2彼此间隔开的最小距离。
同时，根据实施例，在每个发光单元P1、P2和P3在第一方向X上的宽度的中心可以布置用以暴露部分第一导电型半导体层122的一个或更多电极孔(或接触孔)。下文中，布置在发光单元P1、P2和P3中的电极孔分别被称为第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3。也就是说，参照图2，第一电极孔H1布置在第一发光单元P1中，第二电极孔H2布置在第二发光单元P2中，并且第三电极孔H3布置在第三发光单元P3中。在图1中，“H”是指每个第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3。
在各个发光单元P1、P2和P3中，通过台面蚀刻第二导电型半导体层126、有源层124和第一导电型半导体层122可以形成第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3以暴露部分第一导电型半导体层122。
另外，每个第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3可以形成为在第三方向Z上延伸的盲孔。
下文中，将参照附图更详细地描述图2中示例性示出的第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3。将参照图3A至图6仅描述包括在第一、第二和第三发光单元P1、P2和P3之中的第二发光单元P2的第二电极孔H2，但下面的描述同样适用于分别包括在第一和第三光发光单元P1和P3中的第一和第三电极孔H1和H3。
图3A是示出如图1所示的第二发光单元P2的俯视图并且图3B是如图3A所示的第二发光单元P2沿线B-B’截取的剖面图。
图3A中省略了图1中所示的反射层134，并且为了便于描述，图3A中没有示出图3B中所示的第一绝缘层162-1、第二绝缘层190和第一连接电极150-1，以便集中地描述第二发光单元P2的平面形状上的第二电极孔H2的位置和尺寸。
另外，在图3B中，参考序号“136”对应于图2中所示的反射层132和134并且参考序号“146”对应于图2中所示的导电层142和144。图1和图3A中所示的参考序号“130”的内部对应于反射层132和134之间的间隙，并具有后面描述的第七宽度W7。
根据实施例，当存在多个第二电极孔H2时，根据第二发光单元P2的平面形状或平面尺寸或期望的电流密度，可以确定第二发光单元P2中第二电极孔H2的数目或尺寸、第二电极孔H2之间的距离或第二电极孔H2的布置方向至少之一，这将在下面详细描述。
包括在第二发光单元P2中的电极孔的数量可以是一个或更多。例如，如图1、图2、图3A和图3B中示例性示出地，第二发光单元P2可以包括多个(例如2个)2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22。
在第一方向X上第二发光单元P2的宽度被称为“水平宽度”且由“WX”表示，并且在第二方向Y上第二发光单元P2的宽度被称为“竖直宽度”且由“WY”表示。包括在第二发光单元P2中的每个2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22可以布置在第二发光单元P2的水平宽度WX的中心。但是，根据另一个实施例，每个2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22可以布置在第二发光单元P2的垂直宽度WY的中心。
参照图3A和图3B，第二发光单元P2的水平宽度WX和垂直宽度WY可以分别由下面的等式6和7来表示：
[等式6]
WX＝W4+W6+W5
[等式7]
WY＝d12+2×W6+d11+d13
参照图3A，在第二方向Y上布置在第二发光单元P2的水平宽度WX的中心的2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22彼此间隔开恒定的距离，但实施例不限于此。根据另一个实施例，在至少一个第一或第二方向X和Y的方向上2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22可以彼此间隔开恒定的距离。
如图3A所示，当2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22布置在水平宽度WX的中心时，基于2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22的中心，在第一方向X上第二发光单元P2的平面可以被划分为第一和第二区域A1和A2。另外，如图3B示例性示出地，当在第二方向Y上2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22彼此间隔开时，基于2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22的中心，在第二方向Y上第二发光单元P2的横截面可以被划分为第三、第四和第五区域A3、A4和A5。
因为2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22布置在第二发光单元P2中水平宽度WX的中心，所以布置在2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22的左侧的第一区域A1在第一方向X上的第四宽度W4可以等于布置在2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22的右侧的第二区域A2在第一方向X上的第五宽度W5。
如上所述，在第二发光单元P2的水平宽度WX的中心布置2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22的原因是从第一连接电极150-1通过第二电极孔H2供应到第一导电型半导体层122的载流子(例如电子)均匀地扩散到第一区域A1的发光结构120和第二区域A2的发光结构120，如图2所示。尽管未示出，根据另一个实施例，出于同样的原因，2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22可以布置在第二发光单元P2的竖直宽度WY的中心。
下文中，在第二发光单元P2中彼此最接近的第二电极孔之间的最小距离被称作“第一距离”。例如，在第二发光单元P2中彼此最接近的2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22之间的最小距离d11可以对应于距离d11。如图3A所示，第一距离d11作为2-1st电极孔H21的边界与2-2nd电极孔H22的边界之间的最短距离出现。但是，不像图3A中所示地，第一距离d11可以对应于2-1st电极孔H21的中心与2-2nd电极孔H22的中心之间的距离。
另外，第二发光单元P2的边缘ET或ES与2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22中的一个之间的最小距离被定义为“第二距离”。
如图3A和图3B示例性示出地，具有矩形的平面形状的第二发光单元P2具有在第一方向X上彼此相对的两个边缘ES和在第二方向Y上彼此相对的两个边缘ET。
例如，在第二发光单元P2的每个边缘ES和ET与每个2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22之间的最小距离d12和d13可以对应于第二距离。如图3A和图3B所示，第二距离d12对应于边缘ET和2-1st电极孔H21的边界之间的最小距离。但是，不像图3A和图3B所示地，第二距离d12可以对应于边缘ET与2-1st电极孔H21的中心之间的最小距离。类似地，第二距离d13被示为边缘ET与2-2nd电极孔H22的边界之间的最小距离，但可以对应于边缘ET与2-2nd电极孔H22的中心之间的最小距离。
另外，根据第二发光单元P2的尺寸和形状等，第四宽度W4或第五宽度W5(即边缘ES与2-1st电极孔H21或2-2nd电极孔H22之间在第一方向X上的最小距离)可以对应于第二距离。
第四宽度W4或第五宽度W5可以不同于第二距离d12和d13。
另外，第二距离d12和d13可以相同或不同。
另外，每个第二距离d12和d13可以大于第一距离d11的一半并且第一距离d11的一半可以对应于每个第二距离d12和d13。
当第一距离d11的一半对应于每个第二距离d12和d13时，载流子(例如电子)可以均匀地扩散到第三区域A3、第四区域A4和第五区域A5。也就是说，参照图3B，供应到第四区域A4的左侧的载流子与从通过2-2nd电极孔H22连接到第一导电型半导体层122的第一连接电极150-1供应到第三区域A3的载流子是相同的数量。另外，供应到第四区域A4的右侧的载流子与从通过2-1st电极孔H21连接到第一导电型半导体层122的第一连接电极150-1供应到第五区域A5的载流子是相同的数量。因此，当第一距离d11的一半对应于第二距离d12和d13时，载流子可以均匀地扩散。
因此，当在第二方向Y上2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22布置在水平宽度WX的中心时，基于2-1st电极孔H21和2-2nd电极孔H22布置的电流扩散面积HS1和HS2可以是相同的，如图3A所示。
另外，根据第二发光单元P2的平面形状和尺寸或期望的电流密度，第二电极孔H2的数目可以为两个或更多并且可以布置为各种形式。这将在下面详细描述。
图4A至图4H是示出根据另一实施例的第二发光单元P2的俯视图。在各个附图中，为了便于说明，仅用实线表示第二电极孔并且反射层132与134之间具有第七宽度W7的间隙130和具有第八宽度W8的连接电极被省略。另外，在图4A至图中4H由虚线表示的部分指的是电流扩散面积。
当在第二发光单元P2的同一平面面积中的第二电极孔的数量增大时，第二电极孔的平面尺寸减小。参照图4A，第二发光单元P2可以包括三个2-1st电极孔H21、2-2nd电极孔H22和2-3rd电极孔H23。当图3A所示的第二发光单元P2和图4A所示的第二发光单元P2具有相同的平面尺寸(水平宽度×竖直宽度)时，图4A中所示的第二电极孔H21、H22和H23的尺寸可以小于图3A所示的第二电极孔H21和H22的尺寸。
另外，如同图3A中所示的第二发光单元P2，图4A中示例性示出的2-1st电极孔H21、2-2nd电极孔H22和2-3rd电极孔H23可以布置在水平宽度WX的中心。因此，第四宽度W4可以等于第五宽度W5。
另外，2-1st电极孔H21、2-2nd电极孔H22和2-3rd电极孔H23的第一距离可以是相同的。也就是说，2-1st电极孔H21与2-2nd电极孔H22之间的第一距离d22可以等于2-2nd电极孔H22与2-3rd电极孔H23之间的第一距离d23。但是，根据另一个实施例，d22可以大致等于d23。
另外，第一距离d22的一半可以对应于第一距离d21并且第一距离d23的一半可以对应于第二距离d24。另外，第二距离d21和d24可以是相同的或不同的。另外，第二距离d21和d24可以不同于第四宽度W4或第五宽度W5。
如图4A示例性示出地，当2-1st电极孔H21、2-2nd电极孔H22和2-3rd电极孔H23布置在水平宽度WX的中心并且第一距离d22和d23的一半对应于第二距离d21和d24时，载流子(例如电子)可以均匀地扩散并供应到发光结构120。因此，基于2-1st电极孔H21、2-2nd电极孔H22和2-3rd电极孔H23布置的电流扩散面积HS1、HS2和HS3可以是相同的。
根据另一个实施例，正如图4B至图4D和图4F至图4H示例性示出地，第二发光单元P2可以包括布置在第一方向和第二方向上的第二电极孔。
在图4B至图4D和图4F至图4H示例性示出的第二发光单元P2中，第一距离(即在第一和第二方向X和Y上第二电极孔之间的最小距离)是相同的。
另外，在图4B至图4D和图4F至图4H示例性示出的第二发光单元P2中，第二距离(即边缘ES或ST与第二电极孔之间的最小距离)可以是第一距离的一半。
另外，图1和图3A以及图4A至图4D示例性示出的第二发光单元P2的平面形状是矩形，而图4E至图4H示例性示出的第二发光单元P2的平面形状是正方形。因此，在图1和图3A以及图4A至图4D示例性示出的第二发光单元P2中的第二电极孔可以布置在水平宽度的中心，而在图4E至图4H示例性示出的第二发光单元P2中的第二电极孔可以布置在水平宽度和竖直宽度的中心。
如下将示例性地描述图4B至图4H示例性示出的第二发光单元P2中的第一距离、第二距离、第三距离、第四宽度、第五宽度与第六宽度之间的关系，但实施例不限于此。但是，只要电流扩散是均匀的且密集的，第一至第三距离和第四至第六宽度可以变化。这里，“第三距离”是指边缘ET和ES与发光单元P2中的第二电极孔之间的不是第二距离的距离。
首先，图4B示例性示出的第二发光单元P2中的第一距离d31和d34、第二距离(第四宽度W41和第五宽度W51)和第三距离d32和d33的关系可以由下面的等式8表示，但实施例不限于此。
[等式8]
d34＝2×W41
W41＝W51
d32＝d33
d33≠W41
另外，图4C示例性示出的第二发光单元P2中的第一距离d41、d42和d43和第二距离(第四宽度W42、第五宽度W52、d44和d45)的关系可以由下面的等式9表示，但实施例不限于此。
[等式9]
d41＝d42×d43
d44＝2×d44
d44＝d45＝W42＝W52
另外，图4D示例性示出的第二发光单元P2中的第一距离d51、d52和d53、第二距离(第四宽度W43和第五宽度W53)与第三距离d54和d55之间的关系可以由下面的等式10表示，但实施例不限于此。
[等式10]
d51＝d52＝d53
d53＝2×W43
W43＝W53
d54＝d55
d54≠W43
在图4B至图4D示例性示出的第二发光单元P2的平面面积是相同的情况下，与第二电极孔被如图4B或图4D示例性示出地布置相比较，当第二电极孔被如图4C示例性示出地布置时，电流扩散更密集且更一致。
当图4B至图4D示例性示出的第二发光单元P2的平面面积等于图4A示例性地示出的第二发光单元P2的平面面积时，图4B至图4D分别示例性示出的六个宽度(例如图4B所示的第六宽度W61)小于图4A示例性示出的第六宽度W6。
另外，图4E示例性示出的第二发光单元P2中的第二距离(第四宽度W44、第五宽度W54、d61和d62)的关系可以由下面的等式11来表示，但是实施例不限于此。
[等式11]
d61＝d62＝W44＝W45
根据等式11，在图4E示例性示出的第二发光单元P2中，第二电极孔布置在水平宽度WX的中心和竖直宽度WY的中心。
另外，在图4F示例性示出的第二发光单元P2中，第一距离d71和d74与第二距离(第四宽度W45、第五宽度W55、d71和d73)的关系可以由下面的等式12来表示，但是实施例不限于此。
[等式12]
d72＝d74＝2×d71
W63＞W62
d71＝d73＝W45＝Ｗ５５
另外，在图4G示例性示出的第二发光单元P2中，第一距离d85、d86、d87和d88与第二距离(第四宽度W46、第五宽度W56、d82和d83)的关系可以由下面的等式13来表示，但是实施例不限于此。
[等式13]
d85＝d86＝d87＝d88＝W46＝W56＝d82＝d83
d81＝d84
图4G示例性示出的第二发光单元P2具有平面形状，该平面形状还包括布置在如图4F所示的第二发光单元P2的中心的第二电极孔。如在上述等式13表示的，第一距离d85、d86、d87和d88(即，相邻于四个边缘布置的四个第二电极孔与布置在其中心的第二电极孔之间的最小距离)是相同的。
另外，四个第二电极孔(不是布置在中心的第二电极孔)之间的最小距离d81和d84可以是相同的。这里，第一距离d85可以是d81的一半。
在图4G的情况下，第一距离d85、d86、d87和d88可以与第二距离(第四宽度W46、第五宽度W56、d82和d83)相同。
另外，在图4H中示例性示出的第二发光单元P2中，第一距离d96、d97、d98和d99和第二距离(第四宽度W47、第五宽度W57、d93和d94)可以由下面的等式14来表示，但是实施例不限于此。
[等式14]
d96＝d97＝d98＝d99
d93＝d94＝Ｗ47＝W57
d92＝d95
在图4E至图4H示例性示出的第二发光单元P2的平面面积是相同的情况下，图4E中所示的第二电极孔的第六宽度W62可以大于图4F至图4H所示的第二电极孔的第六宽度(例如图4F所示的W63)。
图5是示出根据又一实施例的第二发光单元P2的俯视图并且图6是示出根据又一实施例的第二发光单元P2的俯视图。在图5和图6中，实线表示第二电极孔并且虚线表示电流扩散面积。
如上所述，第二发光单元P2的平面形状为矩形或正方形，但实施例不限于此。根据又一实施例，第二发光单元P2的平面形状可以为多边形或圆形和矩形。
也就是说，第二发光单元P2的平面形状可以是如图1和图3A以及图4A至图4D示例性示出的矩形，并且第二发光单元P2的平面形状可以是如图4E到图4H示例性示出的正方形。
另外，如图5示例性示出地，第二发光单元P2的平面形状可以是正六边形。在图5中示例性示出的第二发光单元P2的第一距离d101、d102、d103、d104、d105、d107和d108和第二距离d106可以由下面的等式15来表示，但是实施例不限于此。
[等式15]
d101＝d102＝d103＝d104＝d105＝d107＝d108
d107＝2×d106
如图6示例性示出地，第二发光单元P2的平面形状可以是等边三角形。在这种情况下，第一距离d111和d112(即分别在第一和第四方向上间隔开的第二电极孔之间的最小距离)是相同的。
与当第二发光单元P2的平面形状是如图3A和图4A至图4D示例性示出的矩形相比较，当平面形状是图4E至图4H示例性示出的正方形、图5示例性示出的立方体(cube)或图6示例性示出的等边三角形时，在各个附图中由虚线表示的电流扩散面积可以密集地且均匀地形成。当电流扩散面积是密集的且均匀的，第二发光单元的P2的面积利用率增大，使得在有限的面积中光提取效率的改善得以最大化。
另外，第一距离可以由发光器件100的电流密度来确定。例如，当发光器件100的期望电流密度减小时，第一距离可以被确定为增大，并且当其期望电流密度增大时，第一距离可以被确定为减小。
另外，考虑半导体器件100的制造工艺裕度，可以确定在第一方向X上被台面蚀刻的第二电极孔H2的第六宽度W6、第七宽度W7(即反射层132与134之间在第一方向X上的距离)以及布置在第二电极孔H2中的第一连接电极150-1在第一方向X上的第八宽度W8。
另外，如上所述，图1和图3A以及图4A至图4D示例性示出的第二电极孔具有圆形的平面形状，但是实施例不限于此。根据另一个实施例，第二电极孔可以具有各种平面形状。
同时，再次参照图2，第一绝缘层可以包括第一绝缘片段162-1和162-2、第二绝缘片段164、第三绝缘片段166-1和166-2以及第四绝缘片段168-1和168-2。
第一绝缘片段包括1-1st绝缘片段162-1和1-2nd绝缘片段162-2。
1-1st绝缘片段162-1布置在由第一连接电极150-1连接的相邻第一和第二发光单元P1和P2与第一连接电极150-1之间。例如，参照图2，1-1st绝缘片段162-1布置在被暴露的反射层134的每个顶部和侧部(不是通过第一发射单元P1中的第一连接电极150-1连接)与第一连接电极150-1之间；当第三宽度W3小于第二宽度W2时，布置在被暴露的反射层144的每个顶部和侧部与第一连接电极150-1之间；以及布置在发光结构120的每个顶部和侧部与第一连接电极150-1之间。另外，1-1st绝缘片段也布置在衬底110与第一连接电极150-1之间。
另外，1-1st绝缘片段162-1布置第二发光单元P2中反射层132的每个顶部和侧部与第一连接电极150-1之间；当第三宽度W3小于第二宽度W2时，布置在被暴露的导电层142的每个顶部和侧部与第一连接电极150-1之间；以及布置在发光结构120的每个顶部和侧部与第一连接电极150-1之间。
因此，1-1st绝缘片段162-1可以将彼此相邻的第一和第二发光单元P1和P2与第一连接电极150-1电绝缘。
类似地，1-2nd绝缘片段162-2布置在由第二连接电极150-2连接的相邻第二和第三发光单元P2和P3与第二连接电极150-2之间。因此，1-2nd绝缘片段162-2可以将相邻的第二和第三发光单元P2和P3与第二连接电极150-2电绝缘。
另外，第二绝缘片段164布置在发射单元P1、P2和P3之中的第二发光单元P2(其中没有布置第一和第二电极单元172和174)中相邻的第一和第二连接电极150-1和150-2之间。也就是说，第二绝缘片段164作用为将相邻第一和第二连接电极150-1和150-2彼此电隔离。
在发光单元P2中，第一连接电极150-1穿透嵌入在第二电极孔H2中的1-1st绝缘片段162-1和第二绝缘片段164并电连接到第一导电型半导体层122。类似地，1-1st绝缘片段162-1和第二绝缘片段164被嵌入在第二电极孔H2中并作用为将第一连接电极150-1从被台面蚀刻的发光结构120电隔离。
另外，第三绝缘片段166-2包括3-1st绝缘片段166-1和3-2nd绝缘片段166-2。
如上所述，3-1st绝缘片段166-1是由如后所述的工艺形成的元件并可以被省略。3-2nd绝缘片段166-2布置在发光单元P1、P2和P3之中的第一发光单元P1中的第一电极单元172与第一连接电极150-1之间。
另外，如图2所示，发光器件100还可以包括金属电极180。金属电极180穿透第三绝缘片段166-1和166-2，布置在第一电极单元172与第一导电型半导体层122之间，并且经由第一电极孔H1将第一电极单元172连接到第一导电型半导体层122。在金属电极180与第一连接电极150-1之间的最短第二水平距离sd2可以为5μm或更大。另外，构成金属电极180的材料与构成第一和第二连接电极150-1和150-2的材料可以相同或不同。
当发光器件100包括金属电极180时，3-2nd绝缘片段166-2布置在第一方向X上在金属电极180与发光单元P1、P2和P3之中布置有第一电极单元172的第一发光单元P1中的第一连接电极150-1之间，并将金属电极180从第一连接电极150-1电绝缘。
另外，3-1st绝缘片段166-1和3-2nd绝缘片段166-2布置在第一电极孔H1形成期间被暴露的每个发光结构120、反射层132和134以及导电层142和144与金属电极180(或第一电极单元172，当金属电极180被省略时)之间。因此，在第一发光单元P1中，3-1st绝缘片段166-1和3-2nd绝缘片段166-2可以将每个发光结构120、反射层132和134以及导电层142和144从金属电极180(或第一电极单元172，当金属电极180被省略时)电绝缘。
另外，第四绝缘片段包括4-1st绝缘片段168-1和4-2nd绝缘片段168-2。4-1st绝缘片段168-1是由如后所述的工艺形成的元件并可以被省略。
4-2nd绝缘片段168-2布置在第二电极单元174与发光单元P1、P2和P3之中布置有第二电极单元174的第三发光单元P3中的第二连接电极150-2之间，并将第二电极单元174从第二连接电极150-2电隔离。
另外，4-2nd绝缘片段168-2布置在第三发光单元P3中的每个反射层134、导电层144和发光结构120与第二连接电极150-2之间。因此，通过1-2nd绝缘片段162-2和4-2nd绝缘片段168-2，可以将在第三电极孔H3形成期间被暴露的每个发光结构120、反射层132和134以及导电层142和144从第二连接电极150-2电隔离。
第二连接电极150-2穿透嵌入在第三电极孔H3中的1-2nd绝缘片段162-2和4-2nd绝缘片段168-2并连接到第一导电型半导体层122。
同时，第二绝缘层190布置在第一和第二连接电极150-1和150-2上、第二绝缘片段164上、第三绝缘片段166-1和166-2上以及第四绝缘片段168-1和168-2上。参照图1，第二绝缘层190没有布置内部区域192和194。
第二绝缘层190可以用作为第三发光单元P3中的4-1st绝缘片段168-1。也就是说，可以提供第二绝缘层190以替代4-1st绝缘片段168-1。
当第二绝缘层190的第三厚度t3增大时，对芯片接合(die bonding)的震荡的阻抗得以提高。第二绝缘层190的第三厚度t3为至少1nm至80nm，例如为1μm。
每个第一绝缘层162-1、162-2、164、166-1、166-2、168-1和168-2以及第二绝缘层190可以包括电绝缘材料，并优选地具有较低的透光率和吸光率。这样做的原因是，当图1和图2中示例性示出的发光器件100被实施为具有图11中示例性示出地具有倒装芯片接合结构的发光器件封装200时，更大量的光射向衬底110。
构成每个第一绝缘层162-1、162-2、164、166-1、166-2、168-1和168-2的材料以及构成第二绝缘层190的材料可以相同或不同。
每个第一绝缘层162-1、162-2、164、166-1、166-2、168-1和168-2以及第二绝缘层190可以由Al2O3、SiO2、Si3N4、TiO2或AlN至少之一形成或具有单层或多层结构。
另外，当图1和图2示例性示出的发光器件100被应用于发光器件封装200时，如图11所示，第一绝缘层162-1、162-2、164、166-1、166-2、168-1、168-2或第二绝缘层190至少之一可以包括分布式布拉格反射器(DBR)。在这种情况下，分布式布拉格反射器可以执行绝缘功能或反射功能至少之一。
当第一绝缘层162-1、162-2、164、166-1、166-2、168-1和168-2具有第一分布式布拉格反射器被实施时，第一分布式布拉格反射器反射从发光单元P1、P2和P3发射的光并将光引导至衬底110。因此，第一分布式布拉格反射器防止从发光单元P1、P2和P3发射的光被吸收在第二绝缘层190以及第一和第二连接电极150-1和150-2中，由此改善发光效率。
另外，当第二绝缘层190具有第一分布式布拉格反射器被实施时，第二分布式布拉格反射器反射从发光单元P1、P2和P3发射的光。因此，第二分布式布拉格反射器防止从发光单元P1、P2和P3发射的光被吸收在第一电极单元172和第二电极单元174中，由此改善发光效率。
每个第一和第二分布式布拉格反射器可以具有通过交替地堆叠具有不同折射率的第一层和第二层至少一次而形成的结构。每个第一和第二分布式布拉格反射器可以是电绝缘体。
例如，第一层可以是诸如TiO2的第一介电层并且第二层可以是诸如SiO2的第二介电层。例如，第一分布式布拉格反射器可以具有通过堆叠TiO2/SiO2层至少一次形成的结构。每个第一层和第二层具有λ/4的厚度，其中λ表示从发光单元发射的光的波长。
当第二绝缘层190被实施为具有DBR时，反射层132和134可以被省略，或仅多层结构中的提供反射层132或134的功能的第一层可以被省略，或者第一绝缘层162-1、162-2、164、166-1、166-2、168-1和168-2可以实施为不具有DBR。
同时，第一电极单元172被连接到一个发光单元P1、P2和P3中的第一导电型半导体层122，并且第二电极单元174被连接到另一个发光单元P1、P2和P3中的反射层(或者第二导电型半导体层，当反射层和导电层被省略时)。也就是说，第二电极单元174经由反射层134和导电层144被电连接到第二导电型半导体层126。
参照图1和图2，例如第一电极单元172可以布置在第一发光单元P1中且被连接到第一导电型半导体层122，并且第二电极单元可以布置在第三发光单元P3中且被连接到反射层134(或者第二导电型半导体层126，当反射层134和导电层144被省略时)。
当发光器件100还包括金属电极180时，第一电极单元172可以穿透第二绝缘层190，且经由金属电极180被连接到第一导电型半导体层122。
但是，当图2中示例性示出的金属电极180被省略且第一电极单元172被布置在金属电极180的位置中时，在发光单元P1、P2和P3之中布置有第一电极单元172的第一发光单元P1中，第一电极单元172被电连接到第一导电型半导体层122，使得其穿透第二绝缘层190和第三绝缘片段166-1和166-2。也就是说，第一电极单元172被连接到第一导电型半导体层122，同时穿透第二绝缘层190且然后穿透嵌入在第一电极孔H1中的第三绝缘片段166-1和166-2。在第一电极孔H1中，第一电极单元172具有第八宽度W8。
正是这样，当发光器件100不包括金属电极180时，第一电极单元172应当穿透第二绝缘层190和第三绝缘片段166-1和166-2，由此由于增大的纵横比(aspect ratio)使得难以执行制造过程。但是，当金属电极180布置在第一电极单元172与第一导电型半导体层122之间时，由于减小的纵横比可以容易地执行制造过程。
第二电极单元174被电连接到反射层134(或者第二导电型半导体层126，当反射层134和导电层144被省略时)，同时穿透第二绝缘层190和第四绝缘片段168-1和168-2。
通过第一和第二电极单元172和174可以将外部能量供应给发光器件100。第一和第二电极单元172和174可以包括用于将供应外部能量的导线接合其上的垫，并且用作为垫。
另外，每个第一和第二电极单元172和174可以执行芯片接合功能，在涂覆用于共晶接合(eutetic bonding)的材料时无需任何模胶(die paste)。
如图1和图2示例性示出地，第一电极单元172布置在发光器件100中的第一发光单元P1中，并且第二电极单元174布置在发光器件100中的最后一个发光单元PN(例如P3)中，但实施例不限于第一和第二电极单元172和174的位置。
另外，参照图1，第一电极单元172具有平面的矩形形状，而第二电极单元174具有右侧具有凹槽174A的平面的矩形形状。正是这样，当第一和第二电极单元172和174具有不同的平面形状时，第一和第二电极单元172和174很容易地彼此区分开。
如上所述的第一和第二连接电极150-1和150-2、第一和第二电极单元172和174以及金属电极180可以包括导电金属材料，例如，铂(Pt)、锗(Ge)、铜(Cu)、铬(Cr)、镍(Ni)、金(Au)、钛(Ti)、铝(Al)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、氮化钛(锡)、钯(Pd)、钨(W)，或硅化钨(WSi2)的材料的至少之一。特别地，第一和第二连接电极150-1和150-2优选地具有较大的厚度且包括具有优异的导电性和极好的粘附到第一和第二绝缘层162-1、162-2、164、166-1、166-2、168-1、168-2和190的材料。
同时，当具有后述的图11中示例性示出地具有倒装型封装来实施图1和图2中示例性示出的发光器件100时，热辐射部176还可以布置在第二绝缘层190上第一电极单元172和第二电极单元174之间。热辐射部176可以由与第一和第二电极单元172和174相同的金属材料形成。正是这样，当热辐射部176被布置时，在发光器件100中的发光单元P1、P2和P3中产生的热量还可以迅速排出。
图7是如图1和图2所示的发光器件100的电路图。
参照图1、图2和图7，发光器件100可以具有负(-)端子172(或者第一电极单元或第一垫)和正(+)端子174(或者第二电极单元或第二垫)。当通过第一和第二电极单元172和174供应外部驱动电压时，可以操作发光单元P1、P2和P3。
为了更好地理解实施例，发光器件100已经被描述为具有三个(N＝3)发光单元P1、P2和P3和两个连接电极150-1和150-2。然而，上面给出的描述可以应用于发光器件100具有少于或多于三个发光单元和少于或多于两个连接电极的情况。
当发光器件100例如包括N个(三个以上)发光单元时，N个发光单元中的两个可以分别对应于如图1、图2和图7所示的第一和第三发光单元P1和P3，并且剩下的N-2个发光单元可以分别对应于如图1、图2和图7所示的第二发光单元P2。
下文中，将参照附图描述包括多个(N>3)发光单元，每个具有各种平面形状的发光器件100的实施例的俯视图。
图8A至图8C是示出根据实施例的发光器件的俯视图。
参照图8A，发光器件包括具有矩形的平面形状的九个(N＝9)发光单元(P)。每个(P)发光单元可以对应于图1、图3A和图4A至图4H示例性示出的发光单元。
参考图8B，发光器件具有具有三角形的平面形状的十六个(N＝16)发光单元(P)。每个(P)发光单元可以对应于图6示例性示出的具有等边三角形的平面形状的发光单元。
参照图8C，发光器件具有具有六边形的平面形状的十一个(N＝11)发光单元(P)。每个(P)发光单元可以对应于图5示例性示出的具有正六边形的平面形状的发光单元。
在图8A至图8C中，参照图1和图2上面已经描述了使得电流沿箭头方向CP流动的由M个连接电极(未示出)的每个发光单元P的连接。也就是说，每个M个连接电极具有与图1和图2中所示的第一和第二连接电极150-1和150-2相同的横截面和平面形状。
图9是示出根据比较实施例的发光器件的局部剖面图。
根据图9所示的比较实施例的发光器件包括衬底10、三个发光单元P1、P2和P3、绝缘层42和44以及连接电极50-1和50-2。
每个发光单元P1、P2和P3具有发光结构20以及第一和第二电极单元32和34。发光结构20包括第一导电型半导体层22、有源层24和第二导电型光半导体层26。
在图9中，第一发光单元P1的第二电极单元34和第二发光单元P2的第一电极单元32通过第一连接电极50-1电连接到彼此，并且第二发光单元P2的第二电极单元34和第三发光单元P3的第一电极单元32通过第二连接电极50-2电连接到彼此。
在这种情况下，绝缘层42布置在相邻发光单元P1和P2与第一连接电极50-1之间，并且绝缘层44布置在相邻发光单元P2和P3与第二连接电极50-2之间。绝缘层42作用为将发光单元P1和P2从第一连接电极50-1电绝缘，并且绝缘层44作用为将相邻发光单元P2和P3从第二连接电极50-2电绝缘。
电子通过第一电极单元32经由第一导电型半导体层22被供应到有源层24，并且空穴通过第二电极单元34经由第二导电型半导体层26被供应到有源层24。但是，由于第一导电型半导体层22的高阻抗，通过第一电极单元32供应的更大量的电子倾向于在从第一电极单元32到有源层24的最短路线上移动。这种载流子的不均匀扩散降低内部量子效率、引起发光单元中局部发热并降低发光器件的可靠性。
但是，在图2中示例性示出的发光器件100的情况下，第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3形成在发光单元P1、P2和P3的水平宽度WX的中心，并且第一和第二连接电极150-1和150-2通过第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3连接到第一导电型半导体层122。由此，不像根据比较实施例在图9中示例性示出的发光器件100，在图2中示例性示出的发光器件100的情况下，通过第一和第二连接电极150-1和150-2供应的电子可以均匀地扩散到基于第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3布置在左侧和右侧的有源层124。因此，与根据图9示例性示出的比较实施例的发光器件相比较，根据图1和2示例性示出的发光器件100具有改善的内量子效率、防止发光器件100的局部发热，并且从而使可靠性最大化。
另外，关于根据图9所示的比较实施例的发光器件，第一和第二连接电极50-1和50-2应该彼此间隔开预定距离dc。如若不然，第一和第二连接电极50-1和50-2可能电气短路，由此导致发光器件故障。
但是，关于根据图1和图2示例性示出的实施例的发光器件100，通过形成在发光单元P1、P2和P3的中心的第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3连接到第一导电型半导体层122的第一和第二连接电极50-1和50-2通过第二绝缘片段164彼此电绝缘。因此，图2中示例性示出的在第一方向X上的第一水平距离sd可以远小于根据图9示例性示出的比较实施例的水平距距离dc。由此，发光器件100的面积可以被有效地利用并且在第一方向X上(即发光器件100的水平方向)的总宽度可以由此减少。
下文中，将参照附图10A至图10G来描述图1和图2中示例性示出的发光器件100的制造方法，但是发光器件100可以通过其它制造方法来制造，而不受限于此。
图10A至图10G是示出用于制造如图1和图2示例性示出的发光器件100的剖面图。
参照图10A，不平坦图案112即PSS形成在衬底100上。然后，发光结构120、导电层140和反射层130A顺序形成在具有不平坦图案112的衬底(PSS)上。
然后，参照图10B，第一图案掩模M1形成在反射层130A上。第一图案掩模M1具有用以打开图2示例性示出的边界区域S的开口以及形成第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3的区域。
接续，参照图10C，使用第一图案掩模M1顺序地台面蚀刻反射层130A、导电层140和发光结构120，直到第一导电型半导体层122被暴露以形成第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3，并且蚀刻第一导电型半导体层122直到边界区域S的衬底110被暴露。在这种情况下，第一图案掩模M1的开口的宽度可以被控制，使得第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3的第六宽度W6满足期望的水平。另外，使用具有不同的蚀刻选择性的材料可以来实施反射层130A、导电层140和第二导电型半导体层126，使得第一至第三宽度W1、W2和W3满足上述等式1至等式5的值并且调节第七宽度W7到期望的水平。然后，第一图案掩模M1被去除。
可替代地，在如上所述的使用第一图案掩模M1首先形成第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3之后，第一图案掩模M1被去除，并且使用覆盖第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3且具有暴露形成边界区域S的区域的单独的图案掩模(未示出)作为蚀刻掩模可以来蚀刻第一导电型半导体层122，直到边界区域S的衬底110被暴露。
接续，参照图10D，第一绝缘层160形成在如图10C所示的作为结果的结构上。接续，第二图案掩模M2形成在第一绝缘层160上。第二图案掩模M2具有用以暴露连接第一和第二连接电极150-1和150-2和金属电极180的反射层132和第一导电型半导体层122的对应部的开口，如图2示例性示出地。用于蚀刻嵌入在第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3的第一绝缘层160的开口可以具有第八宽度W8。
接续，参照图10E，使用第二图案掩模M2作为蚀刻掩模来蚀刻第一绝缘层160以形成第一绝缘片段162-1和162-2、第二绝缘片段164、第三绝缘片段166-1和166-2和第四绝缘片段168。然后，第二图案掩模M2被去除。正是这样，通过蚀刻第一绝缘层160来得到第一绝缘片段162-1和162-2、第二绝缘片段164、第三绝缘片段166-1和166-2和第四绝缘片段168，并且因此它们包括相同的绝缘材料。
接续，参照图10F，如图10E所示，通过沉积，在第一绝缘层162-1、162-2、164、166-1、166-2和168上通过蚀刻嵌入在第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3的第一绝缘层160，具有嵌入暴露第一导电型半导体层122的通孔的金属层(未示出)得以形成。然后，具有用以暴露第二绝缘片段164、第三绝缘片段166-1和166-2和第四绝缘片段168的开口的第三图案掩模(未示出)形成在金属层上。然后，使用作为蚀刻掩模的第三图案掩模来蚀刻金属层以形成第一和第二连接电极150-1和150-2和金属电极180。然后，第三图案掩模被去除。
可替代地，在去除第二图案掩模M2之前，在第一至第四绝缘片段162-1、162-2、164、166-1、166-2和168形成之后，如图10E所示，通过沉积有嵌入用以暴露第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3的通孔，可以在第二图案掩模M2上形成金属层。然后，当第二图案掩模M2和其上形成的金属层被去除时，可以形成图10F所示的作为结果的结构。
然后，如图10G所示，第二绝缘层190形成在第一和第二连接电极150-1和150-2上，第二绝缘片段164、第三绝缘片段166-1和166-2和第四绝缘片段168以及具有用以暴露金属电极180的开口的第四图案掩模M4以及将第一和第二电极单元172和174连接其上的反射层134形成在第二绝缘层190上。然后，使用第四图案掩模M4作为蚀刻掩模以暴露对应的反射层134和金属电极180来蚀刻第二绝缘层190。然后，第四图案掩模M4被去除。
然后，金属材料嵌入在通过使用第四图案掩模M4蚀刻被暴露的开口中，以形成如图2所示的第一和第二电极单元172和174。
下文中，将参照图11来描述图1和图2中示例性示出的包括发光器件100的发光器件封装200。但是，图1和图2中示例性示出的发光器件100可以用于与图11所示的发光器件封装的形式不同的发光器件封装200中。
图11是示出根据实施例的包括发光器件100的发光器件封装200。
参照图11，发光器件封装200包括发光器件100、第一突起单元212、第二突起单元214、第一金属层222、第二金属层224和底面贴装230。
发光器件100安装在底面贴装230上。底面贴装230可以具有封装体、印刷电路板等来实施，并且可以具有各种形状，只要发光器件100是倒装芯片接合。
发光器件100布置在底面贴装230上，并通过第一突起单元212和第二突起单元214分别电连接到第一和第二金属层222和224。如图11所示的发光器件100对应于图1和图2所示的发光器件100，但是实施例不限于此。
底面贴装230可以包括树脂，诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)、液晶聚合物(LCP)或聚酰胺9T(PA9T)、金属、光敏玻璃、蓝宝石、陶瓷、印刷电路板等。但是，用于根据实施例的底面贴装230的材料不限于此。
在底面贴装230上在第一方向上第一金属层222和第二金属层224彼此间隔开。这里，底面贴装230的上表面可以是在面对发光器件100的表面。第一金属层222和第二金属层224可以由诸如铝(Al)或铑(Rh)的导电金属形成。
第一突起单元212布置在第一金属层222与发光器件100之间，并且第二突起单元214布置在第二金属层224与发光器件100之间。第一突起单元212可以将发光器件100的第一电极单元172电连接到第一金属层222。第二突起单元214可以将发光器件100的第二电极单元174电连接到第二金属层224。
当发光器件封装200实施为如图11示例性示出的倒装芯片型时，光通过衬底110在负(-)第三方向Z上向外射出，而不是通过导电层142和144在(+)第三方向Z上向下射向底面贴装230。因此，发光器件封装200的光提取效率的不受影响导电层142和144的第一厚度t1或导电层142和144的吸光或阻光特性的影响。此外，在设计第一和第二电极单元172和174以及具有第六宽度W6的台面区域时，可以不受由导电层142和144的特性引起的限制。
另外，参照图11，借助于在导电层142和144下方反射层132和134的配置，载流子的扩散可以被改善、电学特性由此被改善并且导电层142和144可以形成为小的厚度。所以，反射率得以提高，从而提高发光器件封装200的光学特性。
另外，假定发光器件封装200实施为如图11示例性示出的倒装芯片型时，通过第一电极单元172供应电子并通过第二电极单元174供应空穴。在这种情况下，如上所述，当第一、第二和第三宽度W1、W2和W3是相同时，反射层132和134覆盖排除具有第七宽度W7的区域的整个区域，由此使得发光单元P1、P2和P3中的空穴能够均匀的扩散，以及改善诸如导电性的电学特性。特别地，如图所示，当第一、第二和第三电极孔H1、H2和H3具有圆形的平面形状时，载流子可以以径向形式均匀扩散。
另外，关于发光器件100和发光器件封装200，可以根据期望的电流密度来控制电极孔数目、距离和布置。
另外，当包括在一个部发光单元的电极孔的数目增大时，发光器件的电学特性得以改善，并且当电极孔的数目减少时，发光器件的光学特性得以改善。因此，电极孔的数目可以考虑上述因素被确定。
根据本实施例的多个发光器件封装的阵列可以安装在衬底上，并且光学构件诸如光导板、棱镜片、扩散片等可以布置在发光器件封装的光通道中。发光器件封装、衬底以及光学构件可以作用为背光单元。
根据其它实施例，根据上述实施例的发光器件或发光器件封装可以构成显示设备、指示设备以及照明器件，并且例如照明器件可以包括灯或路灯。
图12是示出根据实施例的包括发光器件封装的头灯900。
参照图12，头灯900包括发光模块901、反射器902、灯罩903和透镜904。
发光模块901可以包括布置在衬底(未示出)上的发光器件封装(未示出)。发光器件封装可以与根据图11所示的实施例的发光器件封装200一样。
反射器902将发光模块901发射的在预定方向上的光911，反射到前方912。
灯罩(shade)903布置在反射器902与透镜904之间，并且是通过阻挡或反射由反射镜902反射并射向透镜904的光的一部分用于形成满足设计者要求的光分布图案的构件。灯罩903可以具有高度不同的一侧903-1和另一侧903-2。
从发光模块901发射的光被反射器902和灯罩903反射，并且然后穿过透镜904并经过本体的前方。透镜904可以折射由反射器902向前反射的光。
图13是示出根据实施例的包括发光器件或发光器件封装的照明器件1000。
参照图13，照明器件1000可以包括盖1100、光源模块1200、散热器1400、电源1600、内壳1700和插座1800。另外，根据实施例照明器件1000还可以包括构件1300和保持器1500中的至少一个。
光源模块1200可以包括如图2示例性示出的发光器件100或如图11所示的发光器件封装200。
盖1100可以具有灯泡的形状或半球形的形状并且可以是具有开口部的中空结构。盖1100可以被光学地接合至光源模块1200。例如，盖1100可以扩散、分散或激发从光源模块1200供应的光。盖1100可以是光学构件。盖1100可以连接到散热器1400。盖1100可以具有用于连接到散热器1400的连接部。
盖1100的内表面可以涂覆有象牙白色涂层材料。象牙白色涂层材料可以包括用于扩散光的扩散材料。盖1100的内表面的表面粗糙度可以大于盖100的外表面的表面粗糙度。其原因是光从光源模块1200被充分地分散和扩散并排出到外部。
盖1100可以由诸如如玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚碳酸酯(PC)等的材料形成。聚碳酸酯具有耐光性、耐热性和强度。盖1100可以是透明的，使得可以从外部识别光源模块1200，但是实施例不限于此，并且盖1100可以是不透明的。可以通过吹塑成型方法来形成盖1100。
光源模块1200可以布置在散热器1400的表面上，并且由光源模块1200产生的热可以被转移到散热器1400。光源模块1200可以包括多个光源单元1210、接线板1230和连接器1250。
构件1300可以布置在散热器1400的顶面上，并且具有用于插入光源单元1210和连接器1250的引导槽1310。引导槽1310可以被布置为对应于光源单元1210和连接器1250的衬底。
光反射材料可以被施加或涂敷在构件1300的表面上。
例如，白色涂层材料可应用于或涂覆在构件1300的表面上。构件1300可以将由盖1100的内表面反射并返回到光源模块1200的光，朝向盖1100反射。因此，可以提高根据实施例的照明器件的光效率。
构件1300例如由绝缘材料形成。光源模块1200的连接板1230可以包括导电性材料。因此，热辐射器1400可以电连接到连接板1230。构件1300是由绝缘材料组成，以防止连接板1230与散热器1400之间电短路。散热器1400可以接收来自光源模块1200和电源1600的热量，并且散发这些热量。
保持器1500覆盖内壳1700的绝缘单元1710的容纳槽1719。因此，容纳在内壳1700的绝缘单元1710中的电源1600得以密封。保持器1500可以具有引导突起部1510并且引导突起部1510可以具有允许电源1600的突起1610从中穿过的孔。
电源1600处理或转换从外部接收到的电信号，并将电信号供应给光源模块1200。电源1600可以被容纳在内壳1700的容纳槽1719中并且可以被保持器1500密封在内壳1700中。电源1600可以包括突起1610、引导部1630、基部1650和延伸部1670。
引导部1630可以从基部1650的一侧向外突出。引导部1630可以插入保持器1500。可以在基部1650的一个表面上布置多个元件。例如，这些元件包括，但不限于，将从外部电源供应的交流电转换为直流电的直流转换器、用于控制驱动光源模块1200驱动的驱动芯片以及用以保护光源模块1200免于电击等的静电放电(ESD)保护设备。
延伸部1670从基部1650的另一侧向外突出。延伸部1670可以插入内壳1700的连接部1750并可以从外部接收电信号。例如，延伸部1670可以小于或等于内壳1700的连接部2750的宽度。每个正极(+)引线和负极(-)的一个端子被电连接到延伸部1670并且其另一端子被电连接到插座1800。
除了电源1600以外，内壳1700中还可以一起布置有模制部。通过硬化模制液体形成该模制部，并将电源1600固定在内壳体1700的内部区域。
根据实施例的发光器件和包括发光器件的发光器件封装，具有在导电层下方布置反射层的配置，使得导电层的厚度减小、反射率提高和增强光学特性，并且封装被实施为倒装芯片形式使得光提取效率不受导电层的厚度和吸光特性或阻光特性的影响，并且在设计第一和第二电极单元以及台面区域时，可以不受由导电层的特征引起的限制。
虽然已经参照多个示例性实施例描述了实施例，但应理解的是，本领域技术人员可以设想出落入本公开原理的精神和范围内的许多其它修改和实施例。更具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置的组成部件和/或布置可以有各种变型和修改。除了组成部件和/或布置的组成部件和/或布置之外，替代使用对本领域技术人员也将是显而易见的。

Claims (23)

1.一种发光器件，包括：
衬底；
多个发光单元，沿第一方向布置在所述衬底上；
至少一个连接电极，用于连接所述发光单元；以及
第一绝缘层，布置在由所述连接电极连接的相邻发光单元与所述至少一个连接电极之间，
其中每个所述发光单元包括：
发光结构，包括从衬底起依次堆叠的第一导电型半导体层(122)、有源层(124)和第二导电型半导体层(126)；以及
反射层(132,134)，布置在所述第二导电型半导体层上；
其中所述至少一个连接电极将所述相邻发光单元中的第一发光单元的所述第一导电型半导体层连接到所述相邻发光单元中的第二发光单元的所述反射层；
其中，在所述相邻发光单元中的每一个发光单元中，在所述第一方向上所述第二导电型半导体层(126)的第一宽度(W1)等于或大于在所述第一方向上所述反射层(132)的第三宽度(W3)，并且所述第一方向不同于所述发光结构的厚度方向；以及
其中所述多个发光单元中的每一个包括布置在所述第一方向上的每一个发光单元宽度的中心的至少一个电极孔以暴露出所述第一导电类型半导体层的一部分，使得所述连接电极穿过所述电极孔以将所述相邻发光单元中的第一发光单元的所述第一导电型半导体层连接到所述相邻发光单元中的第二发光单元的所述反射层。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中每个所述发光单元还包括布置在所述反射层与所述第二导电型半导体层之间的导电层(142,144)，所述导电层具有透光性。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中在所述第一方向上所述第二导电型半导体层(126)的所述第一宽度(W1)、在所述第一方向上所述反射层(132)的所述第三宽度(W3)、以及在所述第一方向上所述导电层(142)的的第二宽度(W2)满足以下关系之一：
所述第一宽度、所述第二宽度和所述第三宽度是相同的；
在所述第一方向上所述导电层的所述第一宽度、所述第二宽度或所述第三宽度至少之一相互不同；
所述第二宽度等于或大于所述第三宽度；
所述第一宽度与所述第二宽度相同；
所述第一宽度大于所述第二宽度；
所述第一宽度(W1)等于或大于所述第二宽度(W2)，且所述第二宽度(W2)等于或大于所述第三宽度(W3)；
所述第一宽度(W1)大于所述第二宽度(W2)，且所述第二宽度(W2)等于或大于所述第三宽度(W3)。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射层欧姆接触所述第二导电型半导体层，所述第一宽度(W1)等于或大于所述第三宽度(W3)。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件，其中所述反射层具有多层结构，该多层结构包括：
反射光的第一层；
用作阻挡层的第二层；以及
用作钝化粘附增强层的第三层。
6.根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件，其中所述反射层具有70％或更大的反射率。
7.根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件，其中所述反射层包括Ni、Pd、Ru、Mg、Zn、Hf、Ag、Al、Au、Pt、Cu或Rh至少之一。
8.根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件，其中所述反射层具有0.5nm至4μm的厚度；
其中所述导电层具有0.5nm至4μm的厚度。
9.根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件，还包括：
第一电极单元，连接到一个所述发光单元的所述第一导电型半导体层；以及
第二电极单元，连接到另一个所述发光单元的所述反射层。
10.根据权利要求9所述的发光器件，还包括布置在所述连接电极上和所述第一绝缘层上的第二绝缘层(190)，
其中所述第一和第二电极单元穿透所述第一和第二绝缘层并分别连接到所述第一导电型半导体层和所述反射层。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第二绝缘层具有1nm至80nm的最小厚度。
12.根据权利要求10所述的发光器件，其中至少一个所述第一或第二绝缘层包括分布式布拉格反射器。
13.根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件，其中所述连接电极包括反射材料。
14.根据权利要求8所述的发光器件，其中相邻连接电极之间在所述第一方向的最短水平距离为5μm或更大。
15.根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件，其中第一和第二连接电极(150-1,150-2)使用比第一绝缘层的反射率高的反射率的材料形成。
16.根据权利要求1至4任意一项所述的发光器件，其中所述至少一个电极孔布置在与所述多个发光单元中的每一个的第一方向和第三方向垂直的第二方向上的宽度的中心。
17.根据权利要求16所述的发光器件，其中电极孔之间的第一最小距离(d11)的一半对应于发光单元的每个边缘(ES，ET)与每个对应的电极孔之间的第二最小距离(d12，d13)，所述第一最小距离和第二最小距离沿着每个发光单元的第二方向。
18.根据权利要求17所述的发光器件，其中所述发光单元的平面形状是矩形、正方形、六边形、或等边三角形。
19.根据权利要求10所述的发光器件，还包括：
热辐射部(176)，布置在第二绝缘层(190)上第一电极单元和第二电极单元之间。
20.根据权利要求19所述的发光器件，其中所述热辐射部(176)由与所述第一电极单元和所述第二电极单元相同的金属材料形成。
21.一种发光器件封装，包括：
底面贴装；
第一和第二金属层，在所述底面贴装上彼此间隔开；
根据权利要求14所述的发光器件；以及
第一和第二突起单元，用于将以倒装芯片方式实施的所述发光器件分别电连接到所述第一和第二金属层。
22.一种发光器件封装，包括：
底面贴装；
第一和第二金属层，在所述底面贴装上彼此间隔开；
根据权利要求19所述的发光器件；以及
第一和第二突起单元，用于将以倒装芯片方式实施的所述发光器件分别电连接到所述第一和第二金属层。
23.一种发光器件封装，包括：
底面贴装；
第一和第二金属层，在所述底面贴装上彼此间隔开；
根据权利要求20所述的发光器件；以及
第一和第二突起单元，用于将以倒装芯片方式实施的所述发光器件分别电连接到所述第一和第二金属层。
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