JP2015213258A - 撮像装置の駆動方法、撮像装置、撮像システム - Google Patents
撮像装置の駆動方法、撮像装置、撮像システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015213258A JP2015213258A JP2014095493A JP2014095493A JP2015213258A JP 2015213258 A JP2015213258 A JP 2015213258A JP 2014095493 A JP2014095493 A JP 2014095493A JP 2014095493 A JP2014095493 A JP 2014095493A JP 2015213258 A JP2015213258 A JP 2015213258A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixels
- signal
- output
- transistor
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 151
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 77
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 77
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 67
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 23
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 46
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 241000282376 Panthera tigris Species 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/60—Control of cameras or camera modules
- H04N23/67—Focus control based on electronic image sensor signals
- H04N23/672—Focus control based on electronic image sensor signals based on the phase difference signals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/617—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise for reducing electromagnetic interference, e.g. clocking noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
- H04N25/633—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current by using optical black pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/703—SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
- H04N25/704—Pixels specially adapted for focusing, e.g. phase difference pixel sets
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/709—Circuitry for control of the power supply
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
前記複数の画素は、複数行および複数列に配された複数の有効画素と、少なくとも1行に、前記複数の有効画素が配された列に対応して複数列に配されるとともに、ノイズレベルの信号のみを出力する複数の参照画素とを有し、前記複数の有効画素の各々は、入射光を光電変換する光電変換部と、入力ノードに前記光電変換部が生成した電荷が入力される増幅トランジスタとを有し、前記複数の参照画素の各々は、入力ノードを有する増幅トランジスタを有する撮像装置の駆動方法であって、前記撮像装置は、第1の動作と第2の動作とをそれぞれ行い、前記第1の動作が、前記複数の有効画素の各々の前記光電変換部の電荷に基づく信号を、前記複数の有効画素の各々の前記増幅トランジスタが、前記複数の有効画素の各々の前記増幅トランジスタの前記入力ノードを互いに電気的に接続せずに1つの前記垂直信号線に出力する期間を、互いに重ねる動作であり、前記第2の動作が、前記複数の参照画素の各々の前記増幅トランジスタが1つの前記垂直信号線に個別に信号を出力する動作、もしくは、前記複数の参照画素の各々の前記入力ノードの電位に基づく信号を、前記第1の動作で前記増幅トランジスタが出力する期間を互いに重ねた前記複数の有効画素の行数よりも少ない行数の前記複数の参照画素の各々の前記増幅トランジスタが、前記複数の参照画素の各々の前記増幅トランジスタの前記入力ノードを互いに電気的に接続せずに1つの前記垂直信号線に出力する期間を、互いに重ねる動作であることを特徴とする撮像装置の駆動方法である。
図1(a)は本実施例の撮像装置の構成を示した図である。
本実施例の撮像装置について、実施例1と異なる点を中心に説明する。
本実施例の撮像装置について、実施例1と異なる点を中心に説明する。本実施例の撮像装置は、参照画素のトランジスタ204のオンとオフとの制御電圧の電圧差を、有効画素102aのトランジスタ204のオンとオフとの制御電圧の電圧差よりも小さくする。トランジスタ204のオンとオフとを制御する制御電圧は、垂直走査回路112が出力する信号presに相当する。
本実施例の撮像装置について、実施例3と異なる点を中心に説明する。
本実施例の撮像装置について、実施例1と異なる点を中心に説明する。
gm=√{(2μCox)(W/L)Id} ・・・(1)
μはキャリア移動度、Coxは単位面積当たりのトランジスタ205のゲート容量、Wはトランジスタ205のチャネル長、Lはトランジスタ205のチャネル幅、Idはトランジスタ205に供給されるドレイン電流を示している。gmが大きくなるほどトランジスタ205の駆動力は大きくなる。従って、gmが大きくなるほど、信号ptxがHiからLoに遷移してから垂直信号線109が静定するまでの時間が短くなる。実施例1、実施例2で述べた様に、撮像装置は同一フレーム内に、X行(Xは2以上の数)の画素102が出力する信号を混合し、X行より少ないY行の画素102が出力する信号を混合する。
Idm=Idn×Y/X ・・・(2)
本実施例の撮像装置について、実施例5と異なる点を中心に説明する。
上記の実施例1から実施例6で述べた撮像装置は種々の撮像システムに適用可能である。撮像システムの一例としては、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダー、監視カメラなどがあげられる。図9に、撮像システムの一例としてデジタルスチルカメラに本発明の実施例1から実施例6のいずれかの撮像装置を適用した撮像システムの模式図を示す。
101b OB画素領域
102a 有効画素
102b OB画素
103 信号処理回路
104 電流供給部
105 増幅部
106 信号保持部
107 水平走査回路
108 出力アンプ
109 垂直信号線
110 タイミングジェネレータ(TG)
112 垂直走査回路
Claims (17)
- 行列状に配された複数の画素と、各々が前記複数の画素の列に対応して配された複数の垂直信号線とを有し、
前記複数の画素は、複数行および複数列に配された複数の有効画素と、少なくとも1行に、前記複数の有効画素が配された列に対応して複数列に配されるとともに、ノイズレベルの信号のみを出力する複数の参照画素とを有し、
前記複数の有効画素の各々は、入射光を光電変換する光電変換部と、入力ノードに前記光電変換部が生成した電荷が入力される増幅トランジスタとを有し、
前記複数の参照画素の各々は、入力ノードを有する増幅トランジスタを有する撮像装置の駆動方法であって、
前記撮像装置は、第1の動作と第2の動作とをそれぞれ行い、
前記第1の動作が、
前記複数の有効画素の各々の前記光電変換部の電荷に基づく信号を、前記複数の有効画素の各々の前記増幅トランジスタが、前記複数の有効画素の各々の前記増幅トランジスタの前記入力ノードを互いに電気的に接続せずに1つの前記垂直信号線に出力する期間を、互いに重ねる動作であり、
前記第2の動作が、
前記複数の参照画素の各々の前記増幅トランジスタが1つの前記垂直信号線に個別に信号を出力する動作、
もしくは、
前記複数の参照画素の各々の前記入力ノードの電位に基づく信号を、前記第1の動作で前記増幅トランジスタが出力する期間を互いに重ねた前記複数の有効画素の行数よりも少ない行数の前記複数の参照画素の各々の前記増幅トランジスタが、前記複数の参照画素の各々の前記増幅トランジスタの前記入力ノードを互いに電気的に接続せずに1つの前記垂直信号線に出力する期間を、互いに重ねる動作であることを特徴とする撮像装置の駆動方法。 - 前記複数の参照画素の各々は浮遊拡散部と、制御ノードに出力される制御電圧に基づいて前記浮遊拡散部のリセットのオンとオフとを制御するリセットトランジスタとをさらに有し、前記増幅トランジスタは、前記浮遊拡散部の電位に基づく信号を前記垂直信号線に出力し、
前記複数の有効画素の各々は浮遊拡散部と、制御ノードに出力される制御電圧に基づいて前記浮遊拡散部のリセットのオンとオフとを制御するリセットトランジスタとをさらに有し、前記浮遊拡散部に、前記光電変換部から電荷が出力され、前記増幅トランジスタは、前記浮遊拡散部の電位に基づく信号を前記垂直信号線に出力し、
前記複数の参照画素の各々の前記リセットトランジスタのオンとオフとの前記制御電圧の電圧差を、前記有効画素の前記リセットトランジスタのオンとオフとの前記制御電圧の電圧差よりも小さくすることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置の駆動方法。 - 前記複数の参照画素の各々は浮遊拡散部と、制御ノードに出力される制御電圧に基づいて前記浮遊拡散部のリセットのオンとオフとを制御するリセットトランジスタとをさらに有し、前記増幅トランジスタは、前記浮遊拡散部の電位に基づく信号を前記垂直信号線に出力し、
前記複数の有効画素の各々は浮遊拡散部と、制御ノードに出力される制御電圧に基づいて前記浮遊拡散部のリセットのオンとオフとを制御するリセットトランジスタとをさらに有し、前記浮遊拡散部に、前記光電変換部から電荷が出力され、前記増幅トランジスタは、前記浮遊拡散部の電位に基づく信号を前記垂直信号線に出力し、
前記第1の動作を行う第1のフレーム期間と、前記第1の動作を行わずに前記複数の有効画素から信号を読み出す第2のフレーム期間とにおいて、
前記第1のフレーム期間における、前記複数の参照画素および前記複数の有効画素の前記リセットトランジスタのオンとオフとの前記制御電圧の電圧差を、前記第2のフレーム期間における、前記複数の参照画素および前記複数の有効画素の前記リセットトランジスタのオンとオフとの前記制御電圧の電圧差よりも小さくすることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置の駆動方法。 - 前記複数の参照画素の各々と前記複数の画素の各々とが有する前記増幅トランジスタは、前記垂直信号線に供給される電流と、前記増幅トランジスタに供給される電圧とによってソースフォロワ動作を行い、
前記第2の動作において前記垂直信号線に供給する電流の電流値を、前記第1の動作において前記垂直信号線に供給する電流の電流値よりも大きくすることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の撮像装置の駆動方法。 - 前記複数の参照画素の各々と前記複数の画素の各々とが有する前記増幅トランジスタは、前記垂直信号線に供給される電流とによってソースフォロワ動作を行い、
前記第1の動作を行う第1のフレーム期間と、前記第1の動作を行わずに前記複数の有効画素から信号を読み出す第2のフレーム期間とにおいて、
前記第2のフレーム期間において前記垂直信号線に供給する電流の電流値を、前記第1のフレーム期間において前記垂直信号線に供給する電流の電流値よりも大きくすることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の撮像装置の駆動方法。 - 前記複数の画素は、前記光電変換部の一部が遮光された光電変換部を有する焦点検出用画素を有し、
前記焦点検出用画素の前記増幅トランジスタから、前記第2の動作によって信号を読み出すことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の撮像装置の駆動方法。 - 前記複数の参照画素の各々は、遮光された光電変換部を有し、前記複数の参照画素の各々の前記増幅トランジスタは、遮光された光電変換部の電荷に基づく信号を出力することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の撮像装置の駆動方法。
- 前記複数の参照画素の各々は浮遊拡散部と、遮光された光電変換部と、制御ノードに出力される制御電圧に基づいて前記遮光された光電変換部から前記浮遊拡散部への電荷の転送のオンとオフとを制御する転送トランジスタとを有し、前記増幅トランジスタは、前記浮遊拡散部の電位に基づく信号を前記垂直信号線に出力し、
前記複数の有効画素の各々は浮遊拡散部と、制御ノードに出力される制御電圧に基づいて前記光電変換部から前記浮遊拡散部への電荷の転送のオンとオフとを制御する転送トランジスタとを有し、前記増幅トランジスタは、前記浮遊拡散部の電位に基づく信号を前記垂直信号線に出力し、
前記参照画素の前記転送トランジスタのオンとオフとの前記制御電圧の電圧差を、前記有効画素の前記転送トランジスタのオンとオフとの前記制御電圧の電圧差よりも小さくすることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置の駆動方法。 - 前記複数の参照画素の各々は浮遊拡散部と、遮光された光電変換部と、制御ノードに出力される制御電圧に基づいて前記遮光された光電変換部から前記浮遊拡散部への電荷の転送のオンとオフとを制御する転送トランジスタとを有し、前記増幅トランジスタは、前記浮遊拡散部の電位に基づく信号を前記垂直信号線に出力し、
前記複数の有効画素の各々は浮遊拡散部と、制御ノードに出力される制御電圧に基づいて前記光電変換部から前記浮遊拡散部への電荷の転送のオンとオフとを制御する転送トランジスタとを有し、前記増幅トランジスタは、前記浮遊拡散部の電位に基づく信号を前記垂直信号線に出力し、
前記第1の動作を行う第1のフレーム期間と、前記第1の動作を行わずに前記複数の有効画素から信号を読み出す第2のフレーム期間とにおいて、
前記第1のフレーム期間における、前記複数の参照画素の各々および前記複数の有効画素の前記転送トランジスタのオンとオフとの前記制御電圧の電圧差を、前記第2のフレーム期間における、前記複数の参照画素の各々および前記複数の有効画素の前記転送トランジスタのオンとオフとの前記制御電圧の電圧差よりも小さくすることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置の駆動方法。 - 前記複数の画素の各々は、オンの状態で前記増幅トランジスタと前記垂直信号線との間の電気的経路が導通し、オフの状態で前記電気的経路が非導通となる選択トランジスタをさらに有し、
前記第1の動作において、前記複数の有効画素の各々の前記選択トランジスタがオンの状態の期間を互いに重ねることによって、前記複数の有効画素の各々の前記光電変換部の電荷に基づく信号を、前記複数の有効画素の各々の前記増幅トランジスタが、前記複数の有効画素の各々の前記増幅トランジスタの前記入力ノードを互いに電気的に接続せずに1つの前記垂直信号線に出力する期間を、互いに重ね、
前記第2の動作が、前記複数の参照画素の各々の前記入力ノードの電位に基づく信号を、前記第1の動作で前記増幅トランジスタが出力する期間を互いに重ねた前記複数の有効画素の行数よりも少ない行数の前記複数の参照画素の各々の前記増幅トランジスタが、前記複数の参照画素の各々の前記増幅トランジスタの前記入力ノードを互いに電気的に接続せずに1つの前記垂直信号線に出力する期間を、互いに重ねる動作の場合には、該動作を、前記複数の参照画素の各々の前記選択トランジスタがオンの状態の期間を互いに重ねることによって行うことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の撮像装置の駆動方法。 - 行列状に配された複数の画素と、各々が前記複数の画素の列に対応して配された複数の垂直信号線とを有し、
前記複数の画素は、複数行および複数列に配された複数の有効画素と、少なくとも1行に、前記複数の有効画素が配された列に対応して複数列に配された参照画素とを有し、
前記複数の有効画素の各々は、入射光を光電変換する光電変換部と、増幅トランジスタとを有し、
前記複数の参照画素の各々は、遮光された光電変換部と、増幅トランジスタを有する撮像装置の駆動方法であって、
前記撮像装置は、第1の動作と第2の動作とをそれぞれ行い、
前記第1の動作が、
前記複数の有効画素の各々の前記光電変換部の電荷に基づく信号を、前記複数の有効画素の各々の前記増幅トランジスタが、前記複数の有効画素の各々の前記光電変換部が生成した電荷を混合せずに1つの前記垂直信号線に出力する期間を、互いに重ねる動作であり、
前記第2の動作が、
前記複数の参照画素の各々の前記増幅トランジスタが1つの前記垂直信号線に個別に信号を出力する動作、
もしくは、
前記複数の参照画素の各々の前記光電変換部の電荷に基づく信号を、前記第1の動作で前記増幅トランジスタが出力する期間を互いに重ねた前記複数の有効画素の行数よりも少ない行数の前記複数の参照画素の各々の前記増幅トランジスタが、前記複数の参照画素の各々の前記光電変換部が生成した電荷を混合せずに1つの前記垂直信号線に出力する期間を、互いに重ねる動作であることを特徴とする撮像装置の駆動方法。 - 行列状に配された複数の画素と、
各々が前記複数の画素の列に対応して配された複数の垂直信号線と、
第1の動作と第2の動作とをそれぞれ前記複数の画素に行わせる制御部とを有する撮像装置であって、
前記複数の画素は、複数行および複数列に配された複数の有効画素と、少なくとも1行に、前記複数の有効画素が配された列に対応して複数列に配されるとともに、ノイズレベルの信号のみを出力する複数の参照画素とを有し、
前記複数の有効画素の各々は、入射光を光電変換する光電変換部と、入力ノードに前記光電変換部が生成した電荷が入力される増幅トランジスタとを有し、
前記複数の参照画素の各々は、入力ノードを有する増幅トランジスタを有し、
前記第1の動作が、
前記複数の有効画素の各々の前記光電変換部の電荷に基づく信号を、前記複数の有効画素の各々の前記増幅トランジスタが、前記複数の有効画素の各々の前記増幅トランジスタの前記入力ノードを互いに電気的に接続せずに1つの前記垂直信号線に出力する期間を、互いに重ねる動作であり、
前記第2の動作が、
前記複数の参照画素の各々の前記増幅トランジスタが1つの前記垂直信号線に個別に信号を出力する動作、
もしくは、
前記複数の参照画素の各々の前記入力ノードの電位に基づく信号を、前記第1の動作で前記増幅トランジスタが出力する期間を互いに重ねた前記複数の有効画素の行数よりも少ない行数の前記複数の参照画素の各々の前記増幅トランジスタが、前記複数の参照画素の各々の前記増幅トランジスタの前記入力ノードを互いに電気的に接続せずに1つの前記垂直信号線に出力する期間を、互いに重ねる動作であることを特徴とする撮像装置。 - 前記制御部は、垂直走査回路を有し、
前記第1の動作は、前記垂直走査回路が、前記複数の有効画素を、1つの前記垂直信号線に信号を出力する画素として同時に選択することによって行われる動作であり、
前記第2の動作は、前記垂直走査回路が、前記複数の参照画素を1行ずつ選択することによって行われる動作、
もしくは、
前記垂直走査回路が、
前記複数の参照画素の各々の前記入力ノードの電位に基づく信号を、前記第1の動作で前記増幅トランジスタが出力する期間を互いに重ねた前記複数の有効画素の行数よりも少ない行数の前記複数の参照画素を、1つの前記垂直信号線に信号を出力する画素として同時に選択することによって行われる動作であることを特徴とする請求項12に記載の撮像装置。 - 前記複数の画素は、前記光電変換部の一部が遮光された光電変換部を有する焦点検出用画素を有し、
前記焦点検出用画素の前記増幅トランジスタから、前記第2の動作によって信号を読み出すことを特徴とする請求項12または13に記載の撮像装置。 - 前記複数の参照画素の各々は、遮光された光電変換部を有し、前記複数の参照画素の各々の前記増幅トランジスタは、前記遮光された光電変換部の電荷に基づく信号を出力することを特徴とする請求項12〜14のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 請求項12〜15のいずれかに記載の撮像装置と、前記撮像装置から出力される信号を処理することで画像を生成する出力信号処理部とを有することを特徴とする撮像システム。
- 請求項14に記載の撮像装置と、前記撮像装置から出力される信号を処理する出力信号処理部と、前記撮像装置に入射光を導く光学系とを有し、
前記撮像装置は、前記焦点検出用画素が出力する信号に基づく焦点検出信号と、前記複数の有効画素が出力する信号に基づく撮像信号とを前記出力信号処理部に出力し、
前記出力信号処理部は、前記焦点検出信号に基づいて合焦しているか否かを検出するとともに、前記撮像信号を用いて画像を生成することを特徴とする撮像システム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014095493A JP6338440B2 (ja) | 2014-05-02 | 2014-05-02 | 撮像装置の駆動方法、撮像装置、撮像システム |
US14/701,194 US9596425B2 (en) | 2014-05-02 | 2015-04-30 | Driving method for an image pickup apparatus, image pickup apparatus, and image pickup system |
US15/430,238 US20170155856A1 (en) | 2014-05-02 | 2017-02-10 | Driving method for an image pickup apparatus, image pickup apparatus, and image pickup system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014095493A JP6338440B2 (ja) | 2014-05-02 | 2014-05-02 | 撮像装置の駆動方法、撮像装置、撮像システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015213258A true JP2015213258A (ja) | 2015-11-26 |
JP2015213258A5 JP2015213258A5 (ja) | 2017-06-15 |
JP6338440B2 JP6338440B2 (ja) | 2018-06-06 |
Family
ID=54356159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014095493A Active JP6338440B2 (ja) | 2014-05-02 | 2014-05-02 | 撮像装置の駆動方法、撮像装置、撮像システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9596425B2 (ja) |
JP (1) | JP6338440B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023021796A1 (ja) * | 2021-08-19 | 2023-02-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 信号処理回路 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6463002B2 (ja) * | 2014-05-08 | 2019-01-30 | キヤノン株式会社 | 撮像装置の駆動方法、撮像システムの駆動方法 |
KR102307376B1 (ko) * | 2015-06-09 | 2021-10-06 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 및 그의 리드아웃 방법 |
US9521351B1 (en) * | 2015-09-21 | 2016-12-13 | Rambus Inc. | Fractional-readout oversampled image sensor |
JP6806494B2 (ja) * | 2016-08-24 | 2021-01-06 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、移動体及び撮像装置の駆動方法 |
CN109923857B (zh) * | 2016-11-14 | 2021-05-11 | 富士胶片株式会社 | 摄像装置、摄像方法及记录介质 |
JP7528064B2 (ja) * | 2019-04-29 | 2024-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003259228A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-12 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその信号処理方法 |
JP2009164846A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP2010011008A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Fujifilm Corp | Ccd型固体撮像素子及び撮像装置並びにその黒レベル検出方法 |
JP2010063156A (ja) * | 2009-12-04 | 2010-03-18 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2011097646A (ja) * | 2011-01-31 | 2011-05-12 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその画素平均化処理方法 |
WO2012057277A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置及びその暗電流補正方法 |
JP2013009190A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Canon Inc | 撮像装置及びその駆動方法 |
JP2013164577A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-08-22 | Canon Inc | 撮像装置およびその制御方法、並びにレンズユニットおよびその制御方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5933189A (en) * | 1995-03-09 | 1999-08-03 | Nikon Corporation | Solid state image pickup apparatus |
JP3512152B2 (ja) * | 1998-10-14 | 2004-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 増幅型固体撮像装置およびその駆動方法 |
JP4935486B2 (ja) * | 2007-04-23 | 2012-05-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 |
JP4353281B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2009-10-28 | ソニー株式会社 | A/d変換回路、a/d変換回路の制御方法、固体撮像装置および撮像装置 |
JP5108713B2 (ja) * | 2008-10-10 | 2012-12-26 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及び撮像装置 |
ATE543215T1 (de) * | 2009-03-24 | 2012-02-15 | Sony Corp | Festkörper-abbildungsvorrichtung, ansteuerverfahren für festkörper- abbildungsvorrichtung und elektronische vorrichtung |
JP5341636B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2013-11-13 | キヤノン株式会社 | 撮像装置の読み出し方法、及び撮像装置 |
JP5218309B2 (ja) * | 2009-07-14 | 2013-06-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその制御方法、並びにカメラシステム |
JP5620693B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2014-11-05 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法、カメラ |
JP2011229120A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-11-10 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法、及び、電子機器 |
US9257468B2 (en) * | 2012-11-21 | 2016-02-09 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device, imaging device, and signal reading medium that accumulates an amplified signal without digitization |
US20130082936A1 (en) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Sensor array with high linearity |
US9294700B2 (en) * | 2011-12-27 | 2016-03-22 | Sony Corporation | Imaging element, imaging device, electronic device, and imaging method |
DE102013110695A1 (de) * | 2012-10-02 | 2014-04-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bildsensor, Verfahren zum Betreiben desselben und Bildverarbeitungssystem mit demselben |
JP2015115745A (ja) * | 2013-12-11 | 2015-06-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置、および電子機器 |
-
2014
- 2014-05-02 JP JP2014095493A patent/JP6338440B2/ja active Active
-
2015
- 2015-04-30 US US14/701,194 patent/US9596425B2/en active Active
-
2017
- 2017-02-10 US US15/430,238 patent/US20170155856A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003259228A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-12 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその信号処理方法 |
JP2009164846A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP2010011008A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Fujifilm Corp | Ccd型固体撮像素子及び撮像装置並びにその黒レベル検出方法 |
JP2010063156A (ja) * | 2009-12-04 | 2010-03-18 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
WO2012057277A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置及びその暗電流補正方法 |
JP2011097646A (ja) * | 2011-01-31 | 2011-05-12 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその画素平均化処理方法 |
JP2013009190A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Canon Inc | 撮像装置及びその駆動方法 |
JP2013164577A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-08-22 | Canon Inc | 撮像装置およびその制御方法、並びにレンズユニットおよびその制御方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023021796A1 (ja) * | 2021-08-19 | 2023-02-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 信号処理回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150319388A1 (en) | 2015-11-05 |
JP6338440B2 (ja) | 2018-06-06 |
US20170155856A1 (en) | 2017-06-01 |
US9596425B2 (en) | 2017-03-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6338440B2 (ja) | 撮像装置の駆動方法、撮像装置、撮像システム | |
JP5251702B2 (ja) | Da変換装置、固体撮像素子、およびカメラシステム | |
JP2016201649A (ja) | 撮像装置、撮像システム、および撮像装置の駆動方法 | |
US8035713B2 (en) | Driving circuit, driving method, solid imaging device, and electronic apparatus | |
KR20120135034A (ko) | 고체 촬상 장치 및 카메라 시스템 | |
US9716823B2 (en) | Image pickup apparatus, image pickup system, and method of driving image pickup apparatus | |
JP6021360B2 (ja) | 撮像装置、撮像システム、および撮像装置の駆動方法。 | |
US9497398B2 (en) | Solid-state imaging device and camera for reducing random row noise | |
US10044964B2 (en) | Column signal processing unit with driving method for photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion apparatus, and image pickup system | |
JP6727771B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP6037289B2 (ja) | 固体撮像装置及びそれを備える撮像装置 | |
US9001246B2 (en) | Imaging apparatus, an imaging system, and a driving method of an imaging apparatus using correction data applied to pixels of same color | |
JP6580069B2 (ja) | 撮像装置の駆動方法、撮像装置、撮像システム | |
US9001247B2 (en) | Imaging system and method for driving imaging system | |
JP6532224B2 (ja) | 撮像装置、撮像システム、及び撮像装置の駆動方法 | |
JP2017005393A (ja) | 撮像装置、および、撮像システム | |
JP6422319B2 (ja) | 撮像装置、及びそれを用いた撮像システム | |
JP6562675B2 (ja) | 光電変換装置、撮像システム、光電変換装置の駆動方法 | |
US9641775B2 (en) | Imaging apparatus, imaging system, and driving method of imaging apparatus | |
JP2019193085A (ja) | 撮像素子及びその制御方法、及び撮像装置 | |
US11652940B2 (en) | Photoelectric conversion device and method of controlling photoelectric conversion device | |
JP6900427B2 (ja) | 光電変換装置、撮像システム、光電変換装置の駆動方法 | |
US9197831B2 (en) | Photoelectric conversion system | |
JP2017041803A (ja) | 撮像装置、撮像システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170426 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170426 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180319 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180410 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180508 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6338440 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |